TW201520173A - 草酸氧鈦鋇製備方法以及鈦酸鋇製備方法 - Google Patents
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-
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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Abstract
本發明提供一種草酸氧鈦鋇製備方法及鈦酸鋇製備方法。該草酸氧鈦鋇製備方法包括製備鋇化合物溶液、鈦化合物溶液及草酸溶液(原料溶液製備步驟);藉由將該鋇化合物溶液及該鈦化合物溶液與該草酸溶液接觸來合成BTO(BaTiO(C2O4)2.4H2O)(BTO合成步驟);以及濕式粉碎該合成的BTO(BTO濕式粉碎步驟),其中該BTO濕式粉碎步驟包括將分散劑添加至包括該合成之BTO之BTO漿料中以降低該BTO漿料之黏度。
Description
本發明係關於一種草酸氧鈦鋇製備方法以及鈦酸鋇製備方法,更特定而言,一種製備草酸氧鈦鋇以藉由改良濕式粉碎效率獲得具有均勻粒徑及提高的生產率之草酸氧鈦鋇的方法以及製備鈦酸鋇以獲得具有高結晶度及提高的生產率之鈦酸鋇的方法。
習知地,鈦酸鋇粉末藉由固相方法來製備,其中將二氧化鈦(TiO2)與碳酸鋇(BaCO3)混合以形成混合物且將該混合物在固相中在高溫下熱處理。然而,目前,各種合成方法諸如液相法及氣相法以及固相法係用於製備鈦酸鋇粉末,因為鈦酸鋇粉末需要具有高的純度/組成均勻性、細粒/粒度一致性、以及根據對小尺寸/大電容的近期趨勢之非凝結/高可分散性(藉由高介電常數組合物以及薄層及多層電介質)、低溫燒結、高頻及高性能多層陶瓷電容器(MLCC)。然而,共沈澱方法可用來大量產生高度結晶之鈦酸鋇粉末,該方法為用於獲得具有低製造成本及化學均勻性之鈦酸鋇粉末的液相方法之一。
當使用共沈澱方法時,將含有鋇及鈦之液相原料與草酸(H2C2O4)接觸以形成草酸氧鈦鋇(BaTiO(C2O4)2.4H2O,以下稱為「BTO」),接著將BTO在高溫下熱處理以合成具有適當粒度之鈦酸鋇(BaTiO3)粉末。然而,在共沈澱方法中,若沈澱的BTO沒有粉碎成適當粒度,則在熱處理之後所形成之鈦酸鋇(BT)顆粒彼此強烈地成團,且因此在BT粉碎製程期間成團顆粒彼此分開之時可產生大量細粉,BT之粒度分佈可擴大,且BT之結晶度可變差。就此而言,BTO之晶粒細化顆粒是共沈澱方法中所需的,這是由於如上所述之BT之特徵。因此,在習知的共沈澱方法中,使用具有高粉碎效率之濕式粉碎製程,但由於進行粉碎製程,所以BTO漿料之黏度提高,且粉碎效率可能因此降低。
本發明之一個實施例提供一種製備草酸氧鈦鋇以通過改良濕式粉碎效率獲得具有小且均勻的粒度及高生產率之草酸氧鈦鋇的方法。
本發明之另一實施例提供一種製備草酸氧鈦鋇以藉由使用分散劑實現具有低黏度之草酸氧鈦鋇漿料且藉由減少濕式粉碎製程中所用的溶劑之量提高乾燥效率的方法。
本發明之另一實施例提供一種製備鈦酸鋇以改良鈦酸鋇生產率及產生沒有性質變差及高結晶度之鈦酸鋇的方法。
根據本發明之一個態樣,製備草酸氧鈦鋇(BTO)之方法包括製備鋇化合物溶液、鈦化合物溶液及草酸溶液(原料溶液製備步驟);藉由將該鋇化合物溶液及該鈦化合物溶液與該草酸溶液接觸來合成BTO(BaTiO(C2O4)2.4H2O)(BTO合成步驟);以及濕式粉碎該合成的BTO(BTO濕式粉碎步驟),其中該BTO濕式粉碎步驟包括將分散劑添加至包括該合成的BTO之BTO漿料中以降低該BTO漿料之黏度。
該鋇化合物溶液可藉由將選自由氯化鋇(BaCl2)、硝酸鋇(Ba(NO3)2)及高氯酸鋇(Ba(ClO4)2)組成之群的至少一種鋇化合物溶解於水中來製備,該鈦化合物溶液可藉由將氯氧化鈦(TiOCl2)及四氯化鈦(TiCl4)之至少一種鈦化合物溶解於水中來製備,並且該草酸溶液可藉由將草酸溶解於水中來製備。
BTO合成步驟可在20至100℃範圍內之合成溫度下進行。
在BTO濕式粉碎步驟中添加至BTO漿料中的分散劑之量可以100重量份所合成之BTO計在0.1重量份至1重量份之範圍內。
分散劑可包括聚合物、聚合物之鈉鹽、聚合物之銨鹽、聚合物之胺鹽或其組合。
分散劑之重量平均分子量可在5,000至20,000之範圍內。
分散劑可包括基於丙烯基之共聚物之鈉鹽、多羧酸之銨鹽、環氧丙烷之胺鹽、環氧乙烷之胺鹽、聚酯之胺鹽、磷酸酯之胺鹽或其組合。
BTO濕式粉碎步驟可包括第一BTO濕式粉碎步驟,該步驟將所合成之BTO粉碎成第一尺寸;及第二BTO濕式粉碎步驟,該步驟將粉碎成第一尺寸之BTO粉碎成第二尺寸,該第二尺寸小於第一尺寸。
BTO濕式粉碎步驟可粉碎BTO以具有1.25μm或更小之體積平均粒徑(PSA D50)。
製備BTO之方法可進一步包括在BTO濕式粉碎步驟之後乾燥濕式粉碎的BTO以獲得BTO粉末(BTO乾燥步驟)。
製備BTO之方法可進一步包括老化所合成之BTO;藉由過濾分離老化的BTO;以及在BTO合成步驟與BTO濕式粉碎步驟之間用過量的水洗滌所分離之BTO。
根據本發明之另一態樣,製備鈦酸鋇之方法包括藉由在800℃至1000℃之溫度下鍛燒BTO合成鈦酸鋇(BaTiO3,以下稱為「BT」)。
製備BT之方法可進一步包括在BT合成步驟之後粉碎所合成之BT(BT粉碎步驟)。
本發明之一個實施例提供一種製備草酸氧鈦鋇之方法,其中該方法能夠使待粉碎之顆粒變成具有小粒度及窄粒度分佈之顆粒,因為草酸氧鈦鋇漿料之黏度藉由引入分
散劑及視情況兩步濕式粉碎而降低,並且該方法藉由增加固體物質之含量而改良每單位時間之乾燥效率。
本發明之另一實施例提供一種製備鈦酸鋇之方法,其中該方法改良鈦酸鋇生產率並且產生沒有劣化性質及高結晶度之鈦酸鋇。
圖1為用於描述k因數之定義的鈦酸鋇之XRD圖譜。
最佳方式
在下文中,詳細描述根據本發明之一或多個實施例的草酸氧鈦鋇製備方法以及鈦酸鋇製備方法。
根據本發明之一個實施例製備草酸氧鈦鋇之方法包括用於製備鋇化合物溶液、鈦化合物溶液及草酸溶液之步驟(原料溶液製備步驟);用於藉由將鋇化合物溶液及鈦化合物溶液與草酸溶液接觸來合成草酸氧鈦鋇(BaTiO(C2O4)2.4H2O,下文稱為「BTO」)之步驟(BTO合成步驟);以及濕式粉碎所合成之BTO(BTO濕式粉碎步驟)。
鋇化合物溶液可藉由將選自由氯化鋇(BaCl2)、硝酸鋇(Ba(NO3)2)及高氯酸鋇(Ba(ClO4)2)組成之群的至少一種鋇化合物溶解於水中來製備。鋇化合物溶液之濃度可在0.2mol/L至2.0mol/L之範圍內。當鋇化合物溶液之濃度在此範圍內時,鈦酸鋇(在下文稱為「BT」)之生產率(其將在稍後作詳細描述)就鋇化合物溶液之體積而言可
為高的,並且鋇化合物不會沈澱。
鈦化合物溶液可藉由將選自氯氧化鈦(TiOCl2)及四氯化鈦(TiCl4)之至少一種鈦化合物溶解於水中來製備。鈦化合物溶液之濃度可為0.2mol/L至2.0mol/L。當鈦化合物溶液之濃度在此範圍內時,BT之生產率就鈦化合物溶液之體積而言可為高的,並且鈦化合物不會沈澱。
草酸溶液可藉由將草酸(H2C2O4)溶解於水中來製備。此處,用於該方法中之草酸溶液之量可大於用於該方法中的鋇化合物溶液或鈦化合物溶液之量。詳言之,草酸溶液之濃度可為0.2mol/L至5.0mol/L。當草酸溶液之濃度在此範圍內時,就草酸溶液之體積而言BT之生產率可為高的,並且草酸可完全溶於水中。
BTO合成步驟可在20至100℃,例如50至90℃範圍內之合成溫度下進行。當BTO合成步驟中的合成溫度在此範圍內時,BTO之生產率可為高的,且可防止所合成之BTO之再分解。
在BTO合成步驟中,以混合物或單獨各自溶液之形式之鋇化合物溶液及鈦化合物溶液可同時或依序與草酸溶液接觸。該接觸可藉由噴嘴噴霧進行,並且進行接觸之時段(亦即接觸時間)可在1至3小時之範圍內。接觸時間可藉由控制噴霧噴嘴之噴霧速度來實現。噴霧噴嘴可為單流噴嘴或雙流噴嘴,視流體之流動而定,但為了使用方便或獲得均勻沈澱起見單流噴嘴較佳。一種類型之單流噴嘴可為全錐形、空心錐形或平坦的。舉例而言,用於藉由使作
為鋇化合物溶液之氯化鋇水溶液及作為鈦化合物溶液之氯氧化鈦水溶液與草酸水溶液接觸來產生BTO(BaTiO(C2O4)2.4H2O)之方法可由以下反應流程1來表示:[反應流程1]BaCl2.2H2O+TiOCl2.+2H2C2O4.2H2O→BaTiO(C2O4)2.4H2O+4HCl
接下來,該方法可包括老化所合成之BTO(BTO老化步驟),藉由過濾分離BTO(BTO分離步驟),以及用水洗滌所分離之BTO(BTO洗滌步驟)。BTO老化步驟較佳可進行0.5至2小時以提高生產率。此處,術語「過濾」表示藉由使用特別是離心分離機或壓濾機僅將固相BTO自含有BTO之BTO漿料中分離之製程。其後,所分離之BTO可用過量水洗滌直至洗滌溶液之pH值變成中性的(約7)。
接著,視情況,所洗滌之BTO可在50℃至300℃範圍內之溫度下乾燥12小時至48小時。
隨後,由如上所述之製程獲得的BTO可為經濕式粉碎的(BTO濕式粉碎步驟)。此處,術語「濕式粉碎」係指藉由添加BTO以及預定量之介質至濕式粉碎機諸如珠磨機、球磨機或磨碎機中來粉碎BTO之製程。此處,術語「介質」表示有機介質,例如乙醇或水,例如去離子水。當有機介質用作介質時,其就粉碎效率或粒度控制而言可為較佳的,但成本可能增加。水較佳可用作介質以使製程簡化,
並且因此可減少成本。當水用作介質時,用於該製程中的水之量可以1重量份BTO計在1至10重量份之範圍內。當用於該製程中的水之量在此範圍內時,BTO漿料之黏度可適於容易地進行BTO之粉碎,並且BTO之生產率就水之體積而言可為高的。粉碎時間需要適當地控制,因為每個粉碎設備之粉碎功率可不同,並且當使用珠磨機時,粉碎時間可在10至300分鐘之範圍內。就此而言,作為最終產物的BT粉末之粒度可藉由控制粉碎時間而適當地調整。
降低包括所合成之BTO的BTO漿料之黏度的分散劑可在BTO濕式粉碎步驟中添加。當將分散劑添加至BTO漿料中時,BTO濕式粉碎效率可得以改良同時所合成之BTO之化學均勻性可得以維持,並且BT(最終產物)之物理性質不會變差。BTO漿料可進一步包括水以及BTO。在本說明書中,術語「BTO之化學均勻性」表示BTO之結晶結構沒有破壞而是維持在初始狀態下。
在BTO濕式粉碎步驟中,添加至BTO漿料中的分散劑之量可以100重量份所合成之BTO計在0.1重量份至1重量份之範圍內。當分散劑之量在此範圍內時,足夠高的效果(亦即,BTO漿料之黏度的下降)可甚至藉由使用少量分散劑而獲得。
分散劑可包括聚合物、聚合物之鈉鹽、聚合物之銨鹽、聚合物之胺鹽或其組合。
分散劑可包括基於丙烯基之共聚物之鈉鹽、多羧酸之銨鹽、環氧丙烷之胺鹽、環氧乙烷之胺鹽、聚酯之胺鹽、
磷酸酯之胺鹽或其組合。
基於丙烯基之共聚物之鈉鹽可為聚丙烯酸之鈉鹽。
基於丙烯基之共聚物之鈉鹽可為Dispex A40(BASF)、TH-1100(Thwater)或Agrilan782(Akzonobel),以分散溶液之形式進行銷售。
多羧酸之銨鹽可為SYNTRAN(Interpolymer)、Cerasperse5468CF(Sannopco)或TAMOLTM 901(DOW),以分散溶液之形式進行銷售。
聚酯之胺鹽可為Advantex(Taminco)、SURFONAMINE®(Huntsman)或DISPARLON DA-325(King Industries),以分散溶液之形式進行銷售。
分散劑之重量平均分子量可在5,000至20,000之範圍內。
BTO濕式粉碎步驟可包括第一BTO濕式粉碎步驟以及第二濕式粉碎步驟。在第一BTO濕式粉碎步驟中,所合成之BTO經粉碎成第一尺寸(例如0.9μm至1.0μm)。在第二BTO濕式粉碎步驟中,粉碎成第一尺寸之BTO經粉碎成較小尺寸,亦即第二尺寸(例如0.2μm至0.8μm)。就此而言,所合成之BTO可藉由將BTO濕式粉碎步驟分割成兩個子步驟來均勻地粉碎。
當BTO濕式粉碎步驟藉由使用珠磨機進行時,尺寸在0.65mm至1.0mm範圍內之珠粒可用於第一BTO濕式粉碎步驟中,並且尺寸在0.03mm至0.3mm範圍內之珠粒可用於第二BTO濕式粉碎步驟中。
BTO濕式粉碎步驟可粉碎BTO以具有1.25μm或更小(例如1.0μm或更小)之體積平均粒徑(PSA D50)。體積平均粒徑(PSA D50)藉由使用粒度分析器(Mastersizer 2000,Malvern)來量測。
在BTO濕式粉碎步驟中,BTO之濕式粉碎效率可改良並且BTO可藉由添加分散劑以及視情況將濕式粉碎步驟分割為兩個子步驟來均勻地粉碎。因此,可獲得性質沒有變差的具有高結晶度之BT,並且因此,由於固體物質在BTO漿料中之濃度提高,所以BTO及BT生產率可改良。
接著,經濕式粉碎之BTO可在400℃或更小之溫度下乾燥以移除所用介質(BTO乾燥步驟)。因此,獲得乾燥的BTO粉末。在此情況下,為了藉由蒸發移除所用介質,乾燥溫度需要至少為介質之沸點或更高。
隨後,將BTO粉末填充於加熱爐中且接著在800℃至1000℃範圍內之溫度下鍛燒以合成鈦酸鋇(BaTiO3,在下文稱為「BT」)(BT合成步驟)。在BT合成步驟中,當煆燒溫度在此範圍內時,可獲得具有所要粒度(亦即,PSAD50在0.08μm至0.5μm之範圍內)之BT。在BT合成步驟中,可移除雜質,包括水分及/或碳。將熔爐溫度自BTO乾燥步驟中之乾燥溫度提高至BT合成步驟中之煆燒溫度的速率可在0.5℃/min至10℃/min之範圍內,例如1℃/min至5℃/min。當提高溫度之速率在此範圍內時,BT之生產率為高的,溫度分佈可為均勻的,並且因此BT粉末之粒徑可為一致的。在BTO晶體中作為結晶水而存在的
水分以及過量之碳酸氣可藉由以如上所述之方式進行BT合成步驟來移除,並且因此具有粒徑在幾十nm至數百nm之BT顆粒的BT粉末可經由反應流程2至4中所述之製程而獲得。
[反應流程2]BaTiO(C2O4)2.4H2O → BaTiO(C2O4)2+4H2O
[反應流程3]BaTiO(C2O4)2+1/2 O2 → BaCO3+TiO2+2CO2
[反應流程4]BaCO3+TiO2 → BaTiO3
為了進行乾燥的BTO粉末之熱處理,陶盆或托盤可用作加熱爐。此處,陶盆表示耐火性黏土容器。陶盆可為例如具有六面體形狀、具有基準平面、具有正方形之容器。
在下文,BT粉末藉由粉碎經由BT合成步驟所產生之BT而獲得(BT粉碎步驟)。然而,BT粉碎步驟可省略。BT粉碎步驟可藉由使用粉碎機諸如珠磨機、磨碎機或球磨機用預定介質進行濕式粉碎或藉由使用原料之間的碰撞或當不使用介質時用粉碎機(諸如噴磨機或盤磨機)之摩擦力進行乾式粉碎來進行。BT粉碎步驟係出於BT顆粒之去成團而進行並且在進行濕式粉碎之後需要額外的乾燥處理,但特別受限之設備並非乾燥處理所必需的。當具有極高粉碎效率之設備用於BT粉碎步驟中時,隨著BT顆粒之破壞可產生大量細粉,且因此BT顆粒之粒度分佈及結晶度可變差。因此,僅僅BT顆粒之間的縮頸可藉由盡可能
減小粉碎力來分割,而不會破壞BT顆粒。
根據本發明之另一態樣,BT係藉由使用製備BT之方法來製備,該方法包括製備BTO之方法。
在下文中,本發明將參考下列實施例實施例進一步詳細地描述。該等實施例僅出於說明性目的且不欲限制本發明之範疇。
實施例
實施例1至4以及比較例1至4
(合成及老化BTO)
將1320L濃度為1mol/L之氯化鋇水溶液及1200L濃度為1mol/L之四氯化鈦水溶液在4M3玻璃襯裡之反應槽中混合以製備混合物水溶液。接著,將該混合物水溶液藉由使用全錐型噴嘴以2.5L/min之速率噴霧於2520L濃度為1mol/L之草酸水溶液中,該草酸水溶液經預先製備並且填充於6M3反應器中。當進行噴嘴噴霧時,隔膜泵用於供應混合物水溶液。此處,混合物水溶液經噴霧同時藉由使用攪拌器攪拌草酸水溶液,並且攪拌器之攪拌速率維持在150rpm下。草酸水溶液之溫度維持在70℃下。
在逐滴添加混合物水溶液2小時之後,維持反應溫度(亦即草酸水溶液之溫度)1小時,接著將反應器內容物風冷同時維持攪拌以便老化1小時。結果,獲得含有BTO之BTO漿料。
(過濾所合成之BTO漿料及洗滌所分離之BTO)
藉由使用離心機過濾由此製備之BTO漿料以分離
BTO,且將所分離之BTO用過量水洗滌以使廢棄洗滌溶液之pH值達到6或6以上,並且因此獲得經洗滌之BTO。
(濕式粉碎及乾燥經洗滌之BTO)
初步濕式粉碎
將50kg經洗滌之BTO、0.125kg分散劑(Cerasperse 5468CF,Sannopco)、250kg去離子水以及0.5kg 29vol%氨溶液(8.4莫耳份,以100莫耳份BTO計)添加至混合槽中並且攪拌以產生BTO漿料。此處,BTO漿料之pH值為9.3。接著,將BTO藉由使用20L水平式珠磨機(介質:去離子水)濕式粉碎以具有在0.9μm至1.0μm範圍內之體積平均粒徑(PSA D50),該珠磨機包括尺寸選自表1之珠粒。因此,藉由使BTO漿料再循環穿過水平式珠磨機複數次來進行初步濕式粉碎。
二次濕式粉碎
將由初步濕式粉碎獲得的BTO漿料藉由使用20L水平式珠磨機(介質:去離子水)濕式粉碎以具有在0.4μm至0.5μm範圍內之體積平均粒徑(PSA D50),該珠磨機包括尺寸列於表1中之珠粒。藉由使BTO漿料再循環穿過水平式珠磨機複數次來進行二次濕式粉碎。視情況進行二次濕式粉碎。
乾燥
將在初步濕式粉碎或二次濕式粉碎之後獲得的BTO
漿料在200℃之溫度下在烘箱中乾燥12小時以製備BTO粉末。
(鍛燒、濕式粉碎及乾燥)
將經乾燥之BTO粉末***電爐(RHK,ONEJOON)中且在970±5℃之溫度下熱處理3.5小時。結果,獲得BT粉末。接著,將BT粉末藉由使用20L水平型珠磨機(介質:去離子水)在5m/s(亦即1500rpm)之圓周速度下濕式粉碎30分鐘,該珠磨機包括尺寸為0.65mm之珠粒。將藉由進行濕式粉碎所製備之BT漿料在150℃之溫度下在烘箱中乾燥24小時。結果,獲得BT粉末。
評估實施例
評估實施例1:BTO漿料之黏度評估
在對實施例1至4以及比較例1至4之一者中所製備之BTO漿料完全執行初步濕式粉碎及視情況二次濕式粉碎之後,將所得BTO漿料之黏度藉由使用黏度計(DV-III ULTRA,Brookfield)來量測,並且結果顯示於表2中。
評估實施例2:BTO平均粒徑及粒度分佈之量測
在完全乾燥實施例1至4以及比較例1至4之一者中所製備之BTO漿料之後,量測所得BTO之體積平均粒徑(PSA D50)及80%跨度值,並且結果顯示於表2中。此處,體積平均粒徑(PSA D50)藉由使用粒度分析器(Mastersizer2000,Malvern)來量測。同樣,術語「80%跨度值」表示定義粒度分佈之指數。此處,PSA D10表示相當於10%體積的粒徑,亦即相當於當顆粒之體積積聚時
藉由量測最小粒徑至最大粒徑而得到的10%總體積,PSA D50表示相當於50%總體積之粒徑,並且PSA D90表示相當於90%體積之粒徑。80%跨度值藉由使用以下方程式1而獲得。
[方程式1]80%跨度值=(PSA D90-PSA D10)/(PSA D50)
此處,當80%跨度值較小時,粒度分佈為窄的,並且當80%跨度值較高時,粒度分佈為寬的。
參看表1及表2,在實施例1至4中所製備之BTO漿料具有低於在比較例1中所製備的含有相同數量之固體物質的BTO漿料之黏度。由該等結果可知實施例1至4中所用的製備BTO之方法與比較例1中所用的製備BTO之方法相比具有較高的粉碎效率及乾燥效率。再者,在比較例2至4中所製備之BTO的PSA D50及80%跨度值分別等於或小於在實施例1至4中所製備之BTO的彼等值。然而,在比較例2至4中所用的製備BTO之方法與在實施例1至4中所用的製備BTO之方法相比藉由減少固體物質在
BTO漿料中之含量來降低BTO之黏度,且因此比較例2至4中所用的製備BTO之方法可降低BTO生產率。
評估實施例3:所合成之BT之平均粒徑
量測在完成乾燥之後獲得的實施例及比較例中所製備之BT顆粒之體積平均粒徑(SEM D50),並且結果顯示於表3中。此處,經乾燥之BT顆粒之圖像藉由使用SEM(JSM-7400F,Jeol USA,Inc.)來獲得,平均粒徑(每個均為各BT顆粒之最長軸及最短軸之平均值)藉由使用圖像分析程式(Image-Pro Plus版本4.5,Media Cybernetics)來計算,並且BT粒徑(SEM D50)係根據平均粒徑來計算,且用於量測之BT顆粒之數目為800或800以上。
評估實施例4:所合成之BT之結晶度(k因數及c/a)的評估
在實施例及比較例中合成的BT之結晶度(k因數及c/a)藉由使用XRD(D/Max 2000系列,Rigaku)來量測,並且結果顯示於表3中。特定而言,所合成之BT之結晶度係在包括以下之XRD分析條件下關於2θ=44.5°至46°之範圍來分析:2秒/步之掃描速度及0.02之步長,電壓為40kV且電流為200mA。接著,在如圖1所示之XRD圖譜中,BT顆粒之k因數經計算為四方相分數(It)與立方相分數(Ic)之比率(It/Ic)。同樣,分別計算晶格之a軸及c軸之d間距值,且接著將BT顆粒之c/a計算為其比率。結果顯示於表3中。
評估實施例5:所合成之BT之比表面積的評估
在實施例及比較例中合成的BT之比表面積藉由使用比表面積量測器(Macsorb HM-1220,Mountech)來分析,並且結果顯示於表3中。
參看表1及表3,在實施例1至4中所製備之BT與在比較例1中所製備的含有相同數量之固體物質的BT相比具有較小的體積平均粒徑(SEM D50)以及較高的k因數及比表面積。同樣,在比較例2至4中所製備之BT之體積平均粒徑(SEM D50)、k因數、c/a以及比表面積比在實施例1至4中所製備之BT的更小或更大。然而,比較例2至4中所用的製備BT之方法與實施例1至4中所用的製備BT之方法相比當製備BTO時藉由減少固體物質在BTO漿料中之含量來降低BTO漿料之黏度,且因此比較例2至4中所用的製備BT之方法可降低BTO生產率。就此而言,比較例2至4中所用的製備BT之方法可降低BT生產率。
雖然本發明已參考附圖及其示範性實施例特別地展示及描述,但熟習此項技術者應理解在形式及細節上的各種
變化可在沒有偏離如以下申請專利範圍所限定的本發明之精神及範疇的情況下在其中做出。
Claims (11)
- 一種草酸氧鈦鋇(BTO)製備方法,該方法包含:製備鋇化合物溶液、鈦化合物溶液以及草酸溶液(原料溶液製備步驟);藉由將該鋇化合物溶液及該鈦化合物溶液與該草酸溶液接觸來合成BTO(BaTiO(C2O4)2.4H2O)(BTO合成步驟);以及濕式粉碎該合成之BTO(BTO濕式粉碎步驟),其中該BTO濕式粉碎步驟包含將分散劑添加至包含該合成之BTO之BTO漿料中以降低該BTO漿料之黏度。
- 如請求項1所記載之方法,其中該鋇化合物溶液藉由將選自由氯化鋇(BaCl2)、硝酸鋇(Ba(NO3)2)及高氯酸鋇(Ba(ClO4)2)組成之群的至少一種鋇化合物溶解於水中來製備,該鈦化合物溶液藉由將氯氧化鈦(TiOCl2)及四氯化鈦(TiCl4)之至少一種鈦化合物溶解於水中來製備,並且該草酸溶液藉由將草酸溶解於水中來製備。
- 如請求項1所記載之方法,其中在該BTO濕式粉碎步驟中添加至該BTO漿料中的該分散劑之量以100重量份該合成之BTO計在0.1重量份至1重量份之範圍內。
- 如請求項1所記載之方法,其中該分散劑包含聚合物、聚合物之鈉鹽、聚合物之銨鹽、聚合物之胺鹽或其組合。
- 如請求項4所記載之方法,其中該分散劑包含基於丙烯基之共聚物之鈉鹽、多羧酸之銨鹽、環氧丙烷之胺鹽、環氧乙烷之胺鹽、聚酯之胺鹽、磷酸酯之胺鹽或其組合。
- 如請求項1所記載之方法,其中該BTO濕式粉碎步驟包含第一BTO濕式粉碎步驟,該步驟將該合成之BTO粉碎成第一尺寸;以及第二BTO濕式粉碎步驟,該步驟將該粉碎成該第一尺寸之BTO粉碎成第二尺寸,該第二尺寸小於該第一尺寸。
- 如請求項6所記載之方法,其中該BTO濕式粉碎步驟粉碎該BTO以具有1.25μm或更小之體積平均粒徑(PSA D50)。
- 如請求項1所記載之方法,其進一步包含在該BTO濕式粉碎步驟之後乾燥該經濕式粉碎之BTO以獲得BTO粉末(BTO乾燥步驟)。
- 如請求項1所記載之方法,其進一步包含在該BTO合成步驟與該BTO濕式粉碎步驟之間:老化該合成之BTO;藉由過濾分離該老化之BTO;以及用過量水洗滌該分離之BTO。
- 一種鈦酸鋇製備方法,該方法包含藉由在800℃至1000℃之溫度下鍛燒根據請求項1至9中任一項所製備之BTO來合成鈦酸鋇(BaTiO3,下文稱為「BT」)(BT合成步驟)。
- 如請求項10所記載之方法,其進一步包含在該BT合成步驟之後粉碎該合成之BT(BT粉碎步驟)。
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