TW201515800A - 擴展器、斷裂裝置及分斷方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於將在一面具有功能區域、在基板上塗佈有樹脂層而成之複合基板針對每一功能區域而分斷。 擴展器30包含多個擴展棒32a~32n，上述多個擴展棒32a~32n於平板狀之基底31以固定之間隔且以脊線成為平面之方式形成為條帶狀，並且其剖面成為圓弧狀。於將複合基板10之樹脂層12斷裂時，藉由使該擴展棒32a~32n沿著裂斷線按壓，而使龜裂進展。如此，可分斷成包含功能區域之多個晶片。

Description

擴展器、斷裂裝置及分斷方法
本發明係關於一種用於在半導體基板、陶瓷基板等脆性材料基板上塗佈樹脂層等而成之複合基板之斷裂之擴展器、斷裂裝置及分斷方法。
半導體晶片係藉由將形成於半導體晶圓上之元件區域於該元件區域之邊界位置分斷而製造。先前，於將晶圓分斷成晶片之情形時，藉由切割裝置使切割刀片旋轉，從而藉由切削將半導體晶圓切斷得較小。
然而，於使用切割裝置之情形時，必需有水以排出因切削產生之排出碎屑，為了不使該水或排出碎屑對半導體晶片之性能產生不良影響，必需用以對半導體晶片實施保護且清洗掉水或排出碎屑之前後步驟。因此，有步驟變得複雜，無法削減成本或縮短加工時間之缺點。又，因使用切割刀片進行切削，故而會產生膜剝離或缺損等問題。又，於具有微小機械構造之MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems，微機電系統)基板中，會因水之表面張力導致構造破壞，故而不能使用水，從而產生無法藉由切割進行分斷之問題。
又，在專利文獻1、2中提出有一種基板裂斷裝置，其係藉由對形成有劃線之半導體晶圓，自形成有劃線之面之背面，沿著劃線垂直於該面按壓而將其裂斷。以下，示出利用此種裂斷裝置之裂斷之概要。於成為裂斷對象之半導體晶圓上整齊排列地形成有多個功能區 域。於進行分斷之情形時，首先，於半導體晶圓上，在功能區域之間隔開等間隔沿縱向及橫向形成劃線。繼而，沿著該劃線利用裂斷裝置進行分斷。圖1(a)表示分斷前載置於裂斷裝置之半導體晶圓之剖面圖。如本圖所示，於複合基板101上形成有功能區域101a、101b，於功能區域101a、101b之間形成有劃線S1、S2、S3…。於進行分斷之情形時，在複合基板101之背面貼附膠帶102，在其正面貼附保護膜103。繼而，於裂斷時，如圖1(b)所示，於支承刀105、106之正中間配置應裂斷之劃線，於該情形時為劃線S2，使刀片104自其上部對準劃線下降，從而按壓複合基板101。以此方式，利用一對支承刀105、106與刀片104之三點彎曲進行裂斷。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-39931號公報
[專利文獻2]日本專利特開2010-149495號公報
於具有此種構成之裂斷裝置中，於在裂斷時將刀片104往下壓而進行按壓之情形時，複合基板101會稍微折曲，因此，應力會集中於複合基板101與支承刀105、106之前緣接觸之部分。因此，若裂斷裝置之支承刀105、106之部分如圖1(a)所示般接觸於功能區域101a、101b，則於裂斷時對功能區域施加力。因此，存在有可能損傷半導體晶圓上之功能區域之問題。
又，作為使用裂斷裝置進行分斷之基板，有於陶瓷基板上塗佈矽樹脂而成之複合基板。於此種複合基板中，在將陶瓷基板裂斷後，直接利用裂斷棒按壓樹脂層，於此情形時，存在樹脂層變形而易於受到損傷之問題。又，若為了解決上述問題而想要使用雷射進行分斷， 則存在因雷射之熱影響而受到損傷，或在照射雷射之後，飛濺物附著於周邊之問題。
本發明著眼於此種問題而完成，其目的在於能夠將脆性材料基板已經被裂斷之複合基板無損傷地斷裂。
為了解決該問題，本發明之擴展器於分斷複合基板時使用，該複合基板係於一面具有在縱向及橫向上整齊排列之複數個功能區域之脆性材料基板上塗佈樹脂，並且於上述脆性材料基板形成有裂斷線以分斷上述各功能區域；且該擴展器包括：平板狀之基底；及條帶狀之複數個擴展棒，其等於上述平板狀之基底上一體地形成；上述各擴展棒之各個脊線形成同一平面，並且具有上述複合基板之功能區域之間距之2以上之整數倍之間隔。
為了解決該問題，本發明之斷裂裝置係將複合基板之樹脂層斷裂之斷裂裝置，該複合基板係於一面具有功能區域之脆性材料基板上塗佈樹脂，並且於上述脆性材料基板形成有裂斷線以分斷上述功能區域；上述斷裂裝置包括：工作台；彈性支撐板，其配置於上述工作台上，將形成有裂斷線之面作為上表面而保持上述複合基板；擴展器，其包含平板狀之基底及於上述基底上一體形成之條帶狀之複數個擴展棒，上述各擴展棒之各個脊線形成同一平面，並且具有上述複合基板之功能區域之間距之2以上之整數倍之間隔；移動機構，其使上述工作台沿著其面移動；及升降機構，其一面平行地保持上述複合基板與擴展棒，一面使上述擴展器朝上述彈性支撐板上之複合基板之面升降。
為了解決該問題，本發明之分斷方法係將複合基板分斷之分斷方法，該複合基板係於一面具有在縱向及橫向上整齊排列之複數個功能區域之脆性材料基板上塗佈樹脂，並且形成有裂斷線以分斷上述各 功能區域；並且於彈性支撐板上以脆性材料基板成為上表面之方式配置上述複合基板，藉由沿著已經裂斷之線使上述擴展器之擴展棒對應於下端而往下壓上述擴展器，而將樹脂層斷裂。
為了解決該問題，本發明之分斷方法係將複合基板分斷之分斷方法，該複合基板係於一面具有在縱向及橫向上整齊排列之複數個功能區域之脆性材料基板上塗佈樹脂，並且形成有裂斷線以分斷上述各功能區域；並且於彈性支撐板上以脆性材料基板成為上表面之方式配置上述複合基板，藉由沿著已經裂斷之線使上述擴展器之上述擴展棒對應於下端而往下壓上述擴展器，使斷裂進展至樹脂層進行斷裂，藉由使上述複合基板之位置偏移相當於上述功能區域之間距之量，並再次往下壓上述擴展器，而將樹脂層斷裂。
此處，上述擴展器之擴展棒之下端剖面可形成為圓弧狀。
根據具有此種特徵之本發明，將複合基板配置於彈性支撐板上，以條帶狀之擴展棒之最下端線對應於裂斷線之方式進行位置對準，從而進行斷裂。因此，能獲得可不損傷功能區域而沿著裂斷線將樹脂層斷裂之效果。
10‧‧‧複合基板
11‧‧‧陶瓷基板
12‧‧‧矽樹脂
13‧‧‧功能區域
20‧‧‧斷裂裝置
21‧‧‧工作台
22、25‧‧‧水平固定構件
23‧‧‧伺服馬達
24‧‧‧滾珠螺桿
26、29‧‧‧移動構件
27‧‧‧母螺紋
28a‧‧‧支撐軸
28b‧‧‧支撐軸
30‧‧‧擴展器
31‧‧‧基底
32a~32n‧‧‧擴展棒
40‧‧‧彈性支撐板
50‧‧‧劃線輪
51‧‧‧裂斷棒
101‧‧‧複合基板
101a‧‧‧功能區域
101b‧‧‧功能區域
102‧‧‧膠帶
103‧‧‧保護膜
104‧‧‧刀片
105‧‧‧支承刀
106‧‧‧支承刀
Bxi+1、Bxi+3、Bxi+5‧‧‧裂斷線
S1‧‧‧劃線
S2‧‧‧劃線
S3‧‧‧劃線
Sx1~Sxm‧‧‧刻劃預定線
Sy1~Syn‧‧‧刻劃預定線
圖1(a)、(b)係表示先前之半導體晶圓之裂斷時之狀態之剖面圖。
圖2(a)、(b)係本發明之實施形態之成為分斷對象之基板之前視圖及側視圖。
圖3係表示本實施形態之樹脂層之斷裂裝置之一例之立體圖。
圖4係表示本實施形態之擴展器之一例之立體圖。
圖5係表示本發明之實施形態之用於斷裂時之彈性支撐板之立體圖。
圖6(a)~(d)係表示該實施形態之複合基板之分斷過程之概略圖。
圖7(a)~(c)係表示該實施形態之樹脂層之分斷過程之概略圖。
圖8(a)~(c)係表示該實施形態之樹脂層之分斷過程之概略圖。
繼而，對本發明之實施形態進行說明。圖2示出了作為此種基板之一例之長方形狀之形成有半導體元件之複合基板10之前視圖及側視圖。於該實施形態中，將成為分斷對象之複合基板10設為於陶瓷基板11上塗佈樹脂層、例如矽樹脂12而成之複合基板10。此處，複合基板10之僅陶瓷基板11之分斷係使刻劃垂直地延伸至基板而一次性分斷，因此將這種分斷表述為「裂斷」，而矽樹脂層12之分斷係藉由施加力使樹脂層之龜裂逐漸擴張而裂開，因此將此種分斷表述為「斷裂」。又，將複合基板10整體之分斷表述為「分斷」。於複合基板10之製造步驟中，沿著平行於x軸、y軸之線縱橫地整齊排列地以相同間距呈格子狀形成多個功能區域13。該功能區域13例如設為組入有LED(Light-Emitting Diode，發光二極體)或機械構成零件、感測器、致動器等之MEMS功能區域。而且，為了針對各功能區域進行分斷而製成半導體晶片，如一點鏈線所示，將縱向上等間隔之線設為刻劃預定線Sy1~Syn，將橫向上等間隔之線設為刻劃預定線Sx1~Sxm，功能區域之零件位於由該等刻劃預定線包圍之正方形之中央。再者，複合基板10可為正方形亦可為長方形，於圖2中設為長方形，但格子狀之功能區域為正方形，關於刻劃預定線之數量，使y方向之刻劃預定線Sy1~Syn較x方向之刻劃預定線Sx1~Sxm多。
繼而，對該實施形態之用於斷裂樹脂層之斷裂裝置20進行說明。如圖3所示，斷裂裝置20包含能夠朝y方向移動及旋轉之工作台21。於斷裂裝置20中，在工作台21之下方設置有移動機構，上述移動機構使工作台21沿著其面於y軸方向上移動，進而使工作台21沿著其面旋轉。而且，於工作台21上隔著下述彈性支撐板40載置成為分斷對 象之複合基板10。於工作台21之上部，設置有字狀之水平固定構件22，於水平固定構件22之上部保持有伺服馬達23。於伺服馬達23之旋轉軸直接連接有滾珠螺桿24，滾珠螺桿24之下端由另一水平固定構件25支撐，且使滾珠螺桿24可旋轉。上移動構件26於中央部具備與滾珠螺桿24螺合之母螺紋27，自上述上移動構件26之兩端部朝下方具備支撐軸28a、28b。支撐軸28a、28b貫通水平固定構件25之一對貫通孔而連結於下移動構件29。於下移動構件29之下表面，與工作台21之面平行地安裝有下述擴展器30。藉此，於藉由伺服馬達23使滾珠螺桿24旋轉之情形時，上移動構件26與下移動構件29成為一體而上下移動，擴展器30亦同時上下移動。此處，伺服馬達23與水平固定構件22、25、及上下之移動構件26、29構成使擴展器30升降之升降機構。
繼而，對用於斷裂時之擴展器30進行說明。例如圖4之立體圖所示，擴展器30於平面狀之基底31並排形成有多個平行之條帶狀之擴展棒32a~32n。該各擴展棒之所有脊線構成一個平面。又，擴展棒之間隔只要為固定並且為刻劃預定線之間隔之2以上之整數倍即可，於本實施形態中設為2倍。而且，各擴展棒之剖面只要為具有能夠沿著裂斷線按壓之突出部之形狀，則並無特別限定，但較佳為設為如下所述般彎曲之圓弧狀。又，擴展棒之數量較複合基板上較多之劃線之數量少一個。再者，於圖4中，為了明確表示擴展棒32a~32n，使擴展棒32a~32n成為上表面而表示，但於使用時係以擴展棒32a~32n成為下方之方式安裝於下移動構件29。
於本實施形態中，在斷裂複合基板10之樹脂層時使用彈性支撐板40。如圖5之立體圖所示，彈性支撐板40係長方形之平板之橡膠製治具，其大小與複合基板10相同，例如厚度設為數mm左右。
繼而，對分斷複合基板10之方法進行說明。圖6係表示分斷過程之圖，圖6(a)表示複合基板10之一部分。首先，如圖6(b)所示，將陶 瓷基板11之面作為上表面，藉由未圖示之劃線裝置使劃線輪50移動，沿著刻劃預定線進行刻劃。從而如圖2(a)所示，形成x方向之劃線Sx1~Sxm、y方向之劃線Sy1~Syn。
繼而，於陶瓷基板11之裂斷步驟中，如圖6(c)所示，首先使複合基板10反轉。繼而，使用未圖示之裂斷裝置，使裂斷棒51位於已經形成之劃線之正上方，藉由將裂斷棒51往下壓而僅使陶瓷基板11裂斷。
藉此，成為僅陶瓷基板11沿著劃線Sx1~Sxm、Sy1~Syn裂斷之狀態。圖6(d)表示沿著x方向及y方向之各劃線裂斷後之複合基板10之一部分。再者，劃線Sx1~Sxm、Sy1~Syn均被裂斷，因此以下稱為裂斷線Bx1~Bxm、By1~Byn。
繼而，如圖7所示，對使形成於陶瓷基板11之裂斷線亦延伸至矽樹脂層而結束複合基板10之分斷之方法進行說明。圖7係表示樹脂層12之斷裂過程之圖，圖7(a)表示複合基板10與彈性支撐板40及擴展棒30之一部分。首先，於上述斷裂裝置20之工作台21上配置彈性支撐板40，進而於彈性支撐板40之上表面配置複合基板10。此時，如圖7(a)所示，以抵接於彈性支撐板40之方式配置矽樹脂層12，使陶瓷基板11之面為上表面。繼而，以該擴展器30之擴展棒例如32b、32c、32d之最下部之脊線對準裂斷線方式進行定位。如此，其他擴展棒亦成為每隔一條裂斷線即在裂斷線之正上方。
繼而，驅動伺服馬達23，使上移動構件26與下移動構件29同時下降，而使擴展器30之擴展棒一面相對於工作台21保持平行一面逐漸下降。繼而，如圖7(b)所示，將擴展棒32b、32c、32d、…自裂斷線Bxi+1、Bxi+3、Bxi+5、…之正上方按壓陶瓷基板11。如此，如圖7(c)所示，陶瓷基板11被各擴展棒按壓而變形，並且下沉而使彈性支撐板40同樣地變形為V字狀。此時，陶瓷基板之左右隨著各擴展棒之壓入而均勻地變形，因此能夠使龜裂沿著裂斷線延伸至下方。此處，擴展棒 之下方之剖面形狀並無特別限定，但於例如三角形狀之情形時，高精度地進行使頂點對齊裂斷線之定位之必要性相對變高。因此，為了使陶瓷基板11、矽樹脂12以此方式平衡地變形，而將各擴展棒之下方之剖面設為圓弧狀。藉此，使擴展棒之脊線對齊裂斷線之定位之精度之容許範圍相對變寬。而且，藉由使擴展棒充分下降，樹脂內之龜裂進展而對左右施加推開之力，從而結束斷裂。若斷裂結束，則使伺服馬達23反轉而使擴展器30上升。
此時，在擴展器30並排形成有多個擴展棒，且其間隔為劃線之2倍，因此可使擴展棒每隔一條裂斷線之方式沿著複數條裂斷線同時裂斷矽樹脂12。
繼而，如圖8所示，使工作台21於y軸方向上移動相當於裂斷線之間距之量。繼而如圖8(b)、(c)所示使擴展器30下降，藉此亦能針對其他鄰接之裂斷線Bxi、Bxi+2、Bxi+4、…結束樹脂層之斷裂。此處，由於擴展棒之間隔為劃線之間距之兩倍，因此藉由使工作台21偏移一次而進行斷裂便可結束複合基板10之所有x軸方向之斷裂。又，於擴展棒之間隔為劃線之間距之3倍之情形時，藉由使工作台21移動2次而進行斷裂便可結束所有x軸方向之斷裂。
繼而，使工作台21旋轉90°，針對y軸之裂斷線亦同樣地使擴展器30下降，從而將樹脂層斷裂。繼而，使工作台21於y軸方向上移動相當於裂斷線之間距之量，同樣地使擴展器30下降。如此，結束整個面之斷裂，沿著各裂斷線撕開樹脂而分斷正方形狀之功能區域，從而可形成多個MEMS晶片。
再者，於該實施形態中，作為成為基底之基板，對陶瓷基板進行了說明，但本發明亦可適用於半導體基板或玻璃基板等各種脆性材料基板。
又，於該實施形態中，作為塗佈於陶瓷基板之樹脂，對矽樹脂 進行了說明，但亦可為其他各種材質之層、例如對玻璃基板積層之偏光板等層。
[產業上之可利用性]
本發明於對具有應保護之區域之脆性材料基板進行刻劃而分斷時，可不損傷應保護之區域而進行斷裂，因此，可有效地適用於形成有功能區域之基板之斷裂裝置。
30‧‧‧擴展器
31‧‧‧基底
32a‧‧‧擴展棒
32b‧‧‧擴展棒
32n‧‧‧擴展棒

Claims (7)

  1. 一種擴展器，其用於分斷複合基板時，該複合基板係於一面具有在縱向及橫向上整齊排列之複數個功能區域之脆性材料基板上塗佈樹脂，並且於上述脆性材料基板形成有裂斷線以分斷上述各功能區域；上述擴展器包括：平板狀之基底；及條帶狀之複數個擴展棒，其等於上述平板狀之基底上一體地形成；且上述各擴展棒之各個脊線形成同一平面，並且具有上述複合基板之功能區域之間距之2以上之整數倍之間隔。
  2. 如請求項1之擴展器，其中上述擴展棒之下端之剖面形成為圓弧狀。
  3. 一種斷裂裝置，其斷裂複合基板之樹脂層，該複合基板係於一面具有功能區域之脆性材料基板上塗佈樹脂，並且於上述脆性材料基板形成有裂斷線以分斷上述功能區域；上述斷裂裝置包括：工作台；彈性支撐板，其配置於上述工作台上，將形成有裂斷線之面作為上表面而保持上述複合基板；擴展器，其包含平板狀之基底及於上述基底上一體形成之條帶狀之複數個擴展棒，上述各擴展棒之各個脊線形成同一平面，並且具有上述複合基板之功能區域之間距之2以上之整數倍之間隔；移動機構，其使上述工作台沿著其面移動；及升降機構，其一面平行地保持上述複合基板與擴展棒，一面 使上述擴展器朝上述彈性支撐板上之複合基板之面升降。
  4. 如請求項3之斷裂裝置，其中上述擴展器之擴展棒之下端剖面形成為圓弧狀。
  5. 一種分斷方法，其分斷複合基板，該複合基板係於一面具有在縱向及橫向上整齊排列之複數個功能區域之脆性材料基板上塗佈樹脂，並且形成有裂斷線以分斷上述各功能區域；且上述分斷方法係於彈性支撐板上，以脆性材料基板成為上表面之方式配置上述複合基板；藉由沿著已經裂斷之線使如請求項1之擴展器之擴展棒對應於下端而往下壓上述擴展器，而將樹脂層斷裂。
  6. 一種分斷方法，其分斷複合基板，該複合基板係於一面具有在縱向及橫向上整齊排列之複數個功能區域之脆性材料基板上塗佈樹脂，並且形成有裂斷線以分斷上述各功能區域；且上述分斷方法係於彈性支撐板上，以脆性材料基板成為上表面之方式配置上述複合基板；藉由沿著已經裂斷之線使如請求項1之擴展器之擴展棒對應於下端而往下壓上述擴展器，使斷裂進展至樹脂層進行斷裂；藉由使上述複合基板之位置偏移相當於上述功能區域之間距之量，並再次往下壓上述擴展器，而將樹脂層斷裂。
  7. 如請求項5或6之分斷方法，其中上述擴展器之擴展棒之下端剖面形成為圓弧狀。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6243699B2 (ja) * 2013-10-25 2017-12-06 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の分断装置
JP2017001180A (ja) * 2016-09-29 2017-01-05 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の表面層破断装置
JP6862045B2 (ja) * 2017-01-13 2021-04-21 株式会社ディスコ 加工方法
WO2019082736A1 (ja) * 2017-10-27 2019-05-02 三星ダイヤモンド工業株式会社 メタル膜付き基板の分断方法
JP7157301B2 (ja) * 2017-11-06 2022-10-20 株式会社東京精密 ウェーハの加工方法
JP6949371B2 (ja) * 2017-12-15 2021-10-13 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板分断装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3203365B2 (ja) * 1997-12-02 2001-08-27 株式会社東京精密 ダイシング装置におけるワーク切断方法
JP2002151443A (ja) * 2000-11-08 2002-05-24 Victor Co Of Japan Ltd 半導体素子の劈開装置
JP4210981B2 (ja) * 2002-09-27 2009-01-21 住友電気工業株式会社 劈開装置及び劈開方法
JP4464829B2 (ja) * 2002-11-22 2010-05-19 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板分断システム、基板製造装置、基板スクライブ方法および基板分断方法
CN100418718C (zh) * 2002-11-22 2008-09-17 三星钻石工业股份有限公司 基板分断方法以及采用该方法的面板制造方法
JP5023547B2 (ja) * 2006-04-28 2012-09-12 坂東機工株式会社 ガラス板切断方法及びガラス板切断機
JP5421699B2 (ja) * 2009-09-07 2014-02-19 三菱電機株式会社 半導体素子分離方法および半導体素子分離装置

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