JP2015079825A - エキスパンダ、破断装置及び分断方法 - Google Patents
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Abstract
Description
11 セラミックス基板
12 シリコン樹脂
13 機能領域
20 破断装置
21 テーブル
22,25 水平固定部材
23 サーボモータ
24 ボールネジ
26,29 移動部材
30 エキスパンダ
31 ベース
32a〜32n エキスパンドバー
40 弾性支持板
Claims (7)
- 一方の面に縦方向及び横方向に整列して配列された複数の機能領域を有する脆性材料基板上に樹脂がコーティングされ、前記各機能領域を分断するように前記脆性材料基板にブレイクラインが形成された複合基板を分断する際に用いられるエキスパンダであって、
平板状のベースと、
前記平板状のベース上に一体に形成された筋状の複数のエキスパンドバーと、を有し、
前記各エキスパンドバーは、夫々の稜線が一平面を形成し、前記複合基板の機能領域のピッチの2以上の整数倍の間隔を有するものであるエキスパンダ。 - 前記エキスパンドバーは、下端の断面が円弧状に形成されたものである請求項1記載のエキスパンダ。
- 一方の面に機能領域を有する脆性材料基板上に樹脂がコーティングされ、前記機能領域を分断するように前記脆性材料基板にブレイクラインが形成された複合基板の樹脂層を破断する破断装置であって、
テーブルと、
前記テーブル上に配置され、ブレイクラインが形成された面を上面として前記複合基板を保持する弾性支持板と、
平板状のベース及び前記ベース上に一体に形成された筋状の複数のエキスパンドバーを有し、前記各エキスパンドバーは、夫々の稜線が一平面を形成し、前記複合基板の機能領域のピッチの2以上の整数倍の間隔を有するエキスパンダと、
前記テーブルをその面に沿って移動させる移動機構と、
前記複合基板とエキスパンドバーとを平行に保ちつつ、前記弾性支持板上の複合基板の面に向けて前記エキスパンダを昇降させる昇降機構と、を具備する破断装置。 - 前記エキスパンダのエキスパンドバーは、下端の断面が円弧状に形成されたものである請求項3記載の破断装置。
- 一方の面に縦方向及び横方向に整列して配列された複数の機能領域を有する脆性材料基板上に樹脂がコーティングされ、前記各機能領域を分断するようにブレイクラインが形成された複合基板を分断する分断方法であって、
弾性支持板上に脆性材料基板が上面となるように前記複合基板を配置し、
ブレイクされたラインに沿って下端に請求項1記載のエキスパンダのエキスパンドバーを対応させて前記エキスパンダを押下することによって樹脂層を破断する分断方法。 - 一方の面に縦方向及び横方向に整列して配列された複数の機能領域を有する脆性材料基板上に樹脂がコーティングされ、前記各機能領域を分断するようにブレイクラインが形成された複合基板を分断する分断方法であって、
弾性支持板上に脆性材料基板が上面となるように前記複合基板を配置し、
ブレイクされたラインに沿って下端に請求項1記載のエキスパンダのエキスパンドバーを対応させて前記エキスパンダを押下することによって樹脂層に破断を進展させて破断し、
前記複合基板の位置を前記機能領域のピッチ分だけずらせて前記エキスパンダを再び押下することによって樹脂層を破断する分断方法。 - 前記エキスパンダのエキスパンドバーは、下端の断面が円弧状に形成されたものである請求項5又は6記載の分断方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013215395A JP6119550B2 (ja) | 2013-10-16 | 2013-10-16 | エキスパンダ、破断装置及び分断方法 |
KR20140073641A KR20150044368A (ko) | 2013-10-16 | 2014-06-17 | 익스팬더, 파단 장치 및 분단 방법 |
TW103121611A TWI620634B (zh) | 2013-10-16 | 2014-06-23 | Expander, breaking device and breaking method |
CN201410309070.5A CN104552628B (zh) | 2013-10-16 | 2014-07-01 | 扩展器、破断装置以及分断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013215395A JP6119550B2 (ja) | 2013-10-16 | 2013-10-16 | エキスパンダ、破断装置及び分断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015079825A true JP2015079825A (ja) | 2015-04-23 |
JP6119550B2 JP6119550B2 (ja) | 2017-04-26 |
Family
ID=53011031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013215395A Active JP6119550B2 (ja) | 2013-10-16 | 2013-10-16 | エキスパンダ、破断装置及び分断方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6119550B2 (ja) |
KR (1) | KR20150044368A (ja) |
CN (1) | CN104552628B (ja) |
TW (1) | TWI620634B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018113389A (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-19 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6243699B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2017-12-06 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の分断装置 |
JP2017001180A (ja) * | 2016-09-29 | 2017-01-05 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の表面層破断装置 |
JP6898010B2 (ja) * | 2017-10-27 | 2021-07-07 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | メタル膜付き基板の分断方法 |
JP7157301B2 (ja) * | 2017-11-06 | 2022-10-20 | 株式会社東京精密 | ウェーハの加工方法 |
JP6949371B2 (ja) * | 2017-12-15 | 2021-10-13 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 基板分断装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11162887A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置におけるワーク切断方法 |
JP2002151443A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体素子の劈開装置 |
JP2004119901A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 劈開装置及び劈開方法 |
JP2011060822A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子分離方法および半導体素子分離装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101596723B (zh) * | 2002-11-22 | 2012-05-30 | 三星钻石工业股份有限公司 | 基板分断方法 |
JP4167227B2 (ja) * | 2002-11-22 | 2008-10-15 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 基板分断方法およびその方法を用いたパネル製造方法 |
JP5023547B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2012-09-12 | 坂東機工株式会社 | ガラス板切断方法及びガラス板切断機 |
-
2013
- 2013-10-16 JP JP2013215395A patent/JP6119550B2/ja active Active
-
2014
- 2014-06-17 KR KR20140073641A patent/KR20150044368A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-06-23 TW TW103121611A patent/TWI620634B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-07-01 CN CN201410309070.5A patent/CN104552628B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11162887A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置におけるワーク切断方法 |
JP2002151443A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体素子の劈開装置 |
JP2004119901A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 劈開装置及び劈開方法 |
JP2011060822A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子分離方法および半導体素子分離装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018113389A (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-19 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6119550B2 (ja) | 2017-04-26 |
CN104552628B (zh) | 2017-11-10 |
KR20150044368A (ko) | 2015-04-24 |
TW201515800A (zh) | 2015-05-01 |
CN104552628A (zh) | 2015-04-29 |
TWI620634B (zh) | 2018-04-11 |
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