TW201501139A - 透明導電性膜之製造方法、透明導電性膜及輸入裝置 - Google Patents

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Abstract

阻材膜分別被形成在透明絕緣層之其中一面的透明導體層上及另一面的透明導體層上。其中一面及另一面的阻材膜，係具有分別相異的感光波長分布。曝光光線分別照射到其中一面及另一面的阻材膜。曝光光線具有分別相異的強度分布。其中一面及另一面之阻材膜的感光波長分布，係包含分別具有365nm及436nm的波長之波峰。其中一面之阻材膜的感光波長分布之對365nm的波長之感光性比對436nm的波長之感光性還要高。另一面之阻材膜的感光波長分布之對436nm的波長之感光性比對365nm的波長之感光性還要高。

Description

透明導電性膜之製造方法、透明導電性膜及輸入裝置
本發明有關透明導電性膜的製造方法與透明導電性膜及具備其之輸入裝置。
近年來，於電視、攜帶式電話機、攜帶資訊終端或是其他光學式的顯示裝置的顯示畫面，設有作為輸入裝置之觸控面板。有關這樣的觸控面板，是使用透明導電性膜。例如，有關專利文獻1之類比電阻膜式的觸控面板中，使用透明電極形成在其中一面之透明絕緣基材。
專利文獻1的透明電極，係利用以阻材蝕刻處理從設在透明絕緣基材之整面的透明導電膜把不要的部分予以去除的方式來形成。或者是，透明電極，係利用介隔著金屬遮罩等，把設在透明絕緣基材之整面的透明導電膜予以圖案化的方式來形成。
〔專利文獻1〕日本特開2001-216090號專利公報
也在於透明絕緣基材的兩面形成透明電極的場合，可以使用記載於專利文獻1的方法。但是，在於透明絕緣基材的兩面同時形成感光性材料後對透明導電膜進行加工的場合，因為照射到透明絕緣基材之其中一面的光透過透明絕緣基材，在透明絕緣基材之另一面的感光性材料發生不必要的感光。同樣，因為照射到透明絕緣基材之另一面的光透過透明絕緣基材，在透明絕緣基材之其中一面的感光性材料發生不必要的感光。在該場合，透明導電性膜的可靠性下降。
本發明的目的，係提供一種提升了可靠性之透明導電性膜的製造方法、透明導電性膜及輸入裝置。
(1)依照本發明的其中一情勢之透明導電性膜的製造方法，係包含：準備在透明絕緣層之其中一面及另一面分別形成第1導體層及第2導體層之層積體之步驟、把具有第1感光波長分布之第1阻材膜予以形成在第1導體層上，並把具有與第1感光波長分布相異的第2感光波長分布之第2阻材膜形成在第2導體層上之步驟、把具有第1強度分布且具有第1圖案之第1曝光光線照射到第1阻材膜，並把具有與第1強度分布相異的第2強度分布且具有第2圖案之第2曝光光線照射到第2阻材膜之步驟、利用 對第1阻材膜進行顯像的方式形成第1阻材圖案，並利用對第2阻材膜進行顯像的方式形成第2阻材圖案之步驟、利用除了第1阻材圖案把第1導體層的領域予以去除的方式形成第1透明導體圖案，並利用除了第2阻材圖案把第2導體層的領域予以去除的方式形成第2透明導體圖案之步驟、以及去除第1阻材圖案，並去除第2阻材圖案之步驟；第1強度分布包含具有第1波長之波峰；第2強度分布包含具有與第1波長相異的第2波長之波峰；與第1感光波長分布的第1波長相對之第1阻材膜的感光性比起與第2波長相對之感光性還要高；與第2感光波長分布的第2波長相對之第2阻材膜的感光性比起與第1波長相對之感光性還要高。
在該透明導電性膜的製造方法中，第1及第2阻材膜，為分別形成在透明絕緣層之其中一面的第1導體層上及另一面的第2導體層上。第1及第2阻材膜，為分別具有互為相異之第1及第2感光波長分布。第1及第2曝光光線分別照射到第1及第2阻材膜。第1及第2曝光光線分別具有第1及第2強度分布。
利用顯像第1及第2阻材膜的方式，分別形成第1及第2阻材圖案。利用除了第1及第2阻材圖案，把第1及第2導體層的領域予以去除的方式，分別形成第1及第2透明導體圖案。
在此，第1及第2強度分布，係分別包含具有互為相異的第1及第2波長之波峰。與第1感光波長分布之第1 波長相對之第1阻材膜的感光性比與第2波長相對之感光性還要高；與第2感光波長分布之第2波長相對之第2阻材膜的感光性比與第1波長相對之感光性還要高。
根據該構成，即便在照射到第1阻材膜之第1曝光光線透過了第1阻材膜、第1導體層、透明絕緣層及第2導體層之場合，因第1曝光光線難以對第2阻材膜感光。同樣，即便在照射到第2阻材膜之第2曝光光線透過了第2阻材膜、第2導體層、透明絕緣層及第1導體層之場合，因第2曝光光線難以對第1阻材膜感光。
經此，可以在透明絕緣層之其中一面上以高的精度形成第1透明導體圖案，同時可以在透明絕緣層之另一面上以高的精度形成第2透明導體圖案。其結果，可以提升透明導電性膜的可靠性。
(2)在把來自與第1曝光光線的第1波長相對之第1阻材膜的吸收率之與第2曝光光線的第2波長相對之第1阻材膜的吸收率之差定義成第1吸收率差，把來自與第2曝光光線的第2波長相對之第2阻材膜的吸收率之與第1曝光光線的第1波長相對之第2阻材膜的吸收率之差定義成第2吸收率差之場合，第1吸收率差為15%以上，第2吸收率差為15%以上者為佳。
在該場合，因第2曝光光線所致之第1阻材膜的感光量比起因第1曝光光線所致之第1阻材膜的感光量被充分地減低。而且，因第1曝光光線所致之第2阻材膜的感光量比起因第2曝光光線所致之第2阻材膜的感光量被充分 地減低。經此，可以更提升透明導電性膜的可靠性。
(3)第1吸收率差與第2吸收率差之和為60%以上者為佳。
在該場合，因第2曝光光線所致之第1阻材膜的感光量更被減低，同時因第1曝光光線所致之第2阻材膜的感光量更被減低。經此，可以更進一步提升透明導電性膜的可靠性。
(4)在把透過與被照射到第1阻材膜之第1曝光光線的光量相對之第2阻材膜、第2導體層、透明絕緣層及第1導體層後照射到第1阻材膜之第2曝光光線的光量之比定義成第1光量比，把透過與照射到第2阻材膜之第2曝光光線的光量相對之第1阻材膜、第1導體層、透明絕緣層及第2導體層後照射到第2阻材膜之第1曝光光線的光量之比定義成第2光量比之場合，第1光量比為20%以下，第2光量比為20%以下者為佳。
在該場合，照射到第1阻材膜之第2曝光光線的光量比起照射到第1阻材膜之第1曝光光線的光量被充分地減低。而且，照射到第2阻材膜之第1曝光光線的光量比起照射到第2阻材膜之第2曝光光線的光量被充分地減低。經此，可以更提升透明導電性膜的可靠性。
(5)第1光量比與第2光量比之和為25%以下者為佳。
在該場合，照射到第1阻材膜之第2曝光光線的光量更被減低，同時照射到第2阻材膜之第1曝光光線的光量 更被減低。經此，可以更進一步提升透明導電性膜的可靠性。
(6)第1及第2波長為300nm以上500nm以下者為佳。
在第1及第2波長為300nm以上之場合，可以以高精度且容易地形成第1及第2阻材膜。而且，在第1及第2波長為500nm以下之場合，可以抑制因周圍的可視光所致的阻材膜的感光。
(7)第1波長包含365nm，第2波長包含436nm者為佳。
在該場合，可以容易生成第1及第2曝光光線。而且，第1波長與第2波長的差為大。經此，利用第2曝光光線可以防止第1阻材膜感光，同時利用第1曝光光線可以防止第2阻材膜感光。其結果，可以更提升透明導電性膜的可靠性。
(8)依照本發明之另一情勢的透明導電性膜，係利用依照本發明之其中一情勢的透明導電性膜的製造方法所製造者。
該透明導電性膜，係經由上述的透明導電性膜的製造方法所製造。經此，在透明絕緣層之其中一面上以高的精度形成第1透明導體圖案，同時在透明絕緣層之另一面上以高的精度形成第2透明導體圖案。其結果，可以提升透明導電性膜的可靠性。
(9)依照本發明之更進一步之其他的情勢之輸入裝 置，為連接到把經由使用者所接觸的位置予以檢測的檢測電路之輸入裝置；其特徵為具備：經由依照本發明之其中一情勢之透明導電性膜的製造方法所製造之透明導電性膜、以及把透明導電性膜之第1及第2透明導體圖案電性連接到檢測電路之配線電路基板。
在該輸入裝置中，透明導電性膜利用上述的透明導電性膜的製造方法所製造。透明導電性膜之第1及第2透明導體圖案是利用配線電路基板做電性連接。在使用者接觸了輸入裝置之場合，利用檢測電路檢測經由使用者所接觸過的位置。
該透明導電性膜，係經由上述的透明導電性膜的製造方法所製造。經此，在透明絕緣層之其中一面上以高的精度形成第1透明導體圖案，同時在透明絕緣層之另一面上以高的精度形成第2透明導體圖案。其結果，可以提升輸入裝置的可靠性。
根據本發明，可以提升透明導電性膜及輸入裝置的可靠性。
10‧‧‧透明絕緣層
20‧‧‧透明電極
21‧‧‧接觸檢測圖案
22‧‧‧配線圖案
23‧‧‧開口領域
24‧‧‧阻材膜
25‧‧‧曝光光線
30‧‧‧透明電極
31‧‧‧接觸檢測圖案
32‧‧‧配線圖案
33‧‧‧開口領域
34‧‧‧阻材膜
35‧‧‧曝光光線
100‧‧‧透明導電性膜
110‧‧‧FPC基板
120‧‧‧接著層
130‧‧‧接著層
140‧‧‧保護層
150‧‧‧保護層
160‧‧‧檢測電路
200‧‧‧觸控面板
100a‧‧‧層積體
100b‧‧‧透明導電性膜
20a‧‧‧透明導體層
20b‧‧‧透明電極
24a‧‧‧蝕刻阻材圖案
30a‧‧‧透明導體層
30b‧‧‧透明電極
34a‧‧‧蝕刻阻材圖案
DP‧‧‧顯示畫面
M1‧‧‧遮罩
M2‧‧‧遮罩
〔圖1〕圖1為有關本發明之其中一實施方式的透明導電性膜之示意的立體圖。
〔圖2〕圖2為從透明絕緣層之其中一面側所之透明 導電性膜之俯視圖。
〔圖3〕圖3為從透明絕緣層之另一面側所見之透明導電性膜之仰視圖。
〔圖4〕圖4為圖2及圖3之A-A線剖視圖。
〔圖5〕圖5(a)及(b)為表示圖1之透明導電性膜的製造工程之示意的工程剖視圖。
〔圖6〕圖6(a)及(b)為表示圖1之透明導電性膜的製造工程之示意的工程剖視圖。
〔圖7〕圖7(a)及(b)為表示圖1之透明導電性膜的製造工程之示意的工程剖視圖。
〔圖8〕圖8為使用了透明導電性膜的觸控面板之示意圖。
〔圖9〕圖9為有關實施例1~3及比較例1，2之透明導電性膜的立體圖。
〔圖10〕圖10為表示實施例1之阻材膜的吸收波長分布(波長相依性)之圖。
〔圖11〕圖11為表示實施例2之阻材膜的吸收波長分布(波長相依性)之圖。
〔圖12〕圖12為表示比較例1之阻材膜的吸收波長分布(波長相依性)之圖。
〔圖13〕圖13(a)~(c)為使用顯微鏡所拍攝到的透明導電性膜之其中一部分之放大影像。
以下，有關本發明的實施方式之透明導電性膜的製造方法、透明導電性膜及輸入裝置，係一邊參閱圖面一邊說明之。在以下之本發明的實施方式中，作為透明導電性膜的例子，說明有關使用乃是輸入裝置之觸控面板之透明導電性膜的構成及其之製造方法。
(1)透明導電性膜的構成
圖1為有關本發明之其中一實施方式的透明導電性膜之立體圖。如圖1所示，透明導電性膜100包含：透明絕緣層10、複數個透明電極20及複數個透明電極30(參閱後述之圖3)。
在本例中，透明絕緣層10具有矩形形狀。在圖1以及後述之圖2、圖3及圖9中，把與透明絕緣層10對向之其中一組的邊所延伸的方向稱呼X方向。與透明絕緣層10對之另一組的邊所延伸的方向稱呼Y方向。而且，稱呼正交在X方向及Y方向的方向為Z方向。
透明絕緣層10，係利用聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚丙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、纖維素樹脂或環烯烴聚合樹脂(COP)等之透明的光學均向性材料所形成。在本實施方式中，透明絕緣層10是利用COP所形成。
以下、把波峰波長為365nm的光稱呼為i線，把波峰波長為405nm的光稱呼為h線，把波峰波長為436nm的光稱呼為g線。在透明絕緣層10為利用COP所形成之場合，對i線、h線及g線之透明絕緣層10的透過率為60% 以上。
複數個透明電極20、30是利用氧化銦錫(ITO)等之透明的導電材料所形成。複數個透明電極20被設在透明絕緣層10之其中一面；複數個透明電極30被設在透明絕緣層10之另一面。
圖2為從透明絕緣層10之其中一面側所之透明導電性膜100之俯視圖。在圖2中，為了容易理解構成，於複數個透明電極20賦予著剖面線。如圖2所示般，複數個透明電極20被配置在透明絕緣層10之其中一面，使得以平行延伸於Y方向且排列於X方向。複數個透明電極20被相互電性絕緣。
各透明電極20包含複數個接觸檢測圖案21及配線圖案22。在圖2的例子中，各接觸檢測圖案21具有矩形形狀。於各透明電極20中，複數個接觸檢測圖案21配置成排列在Y方向。相鄰的2個接觸檢測圖案21的頂點，係相互電性連接。
在位置於各透明電極20之其中一方的端部之接觸檢測圖案21的頂點，電性連接配線圖案22。各透明電極20的配線圖案22被連接到後述之圖8的柔性配線電路(以下，稱呼為FPC)基板110。
如此，在透明絕緣層10之其中一面複數個透明電極20被配置成排列在X方向。而且，於各透明電極20中，複數個接觸檢測圖案21配置成排列在Y方向。亦即，於透明絕緣層10之其中一面，複數個接觸檢測圖案21被配 置成排列在X方向及Y方向。
經此，於透明絕緣層10之其中一面，形成利用複數個接觸檢測圖案21所圍取之複數個開口領域23。各開口領域23，係利用一透明電極20中相鄰之2個接觸檢測圖案21、與鄰接到一透明電極20之其他的透明電極20中相鄰之2個接觸檢測圖案21所圍取。在圖2的例子中，各開口領域23具有矩形形狀。
圖3為從透明絕緣層10之另一面側所見之透明導電性膜100之仰視圖。在圖3中，為了容易理解構成，於複數個透明電極30賦予著剖面線。如圖3所示般，複數個透明電極30被配置在透明絕緣層10之另一面，使得以平行延伸於X方向且排列於Y方向。複數個透明電極30被相互電性絕緣。
各透明電極30包含複數個接觸檢測圖案31及配線圖案32。在圖3的例子中，各接觸檢測圖案31具有矩形形狀。於各透明電極30中，複數個接觸檢測圖案31被配置成排列在X方向。相鄰的2個接觸檢測圖案31的頂點，係相互電性連接。
在位置於各透明電極30之其中一方的端部之接觸檢測圖案31的頂點，電性連接配線圖案32。各透明電極30的配線圖案32被連接到後述之圖8的FPC基板110。
如此，在透明絕緣層10之另一面複數個透明電極30被配置成排列在Y方向。而且，於各透明電極30中，複數個接觸檢測圖案31配置成排列在X方向。亦即，於透 明絕緣層10之另一面，複數個接觸檢測圖案31被配置成排列在X方向及Y方向。
經此，於透明絕緣層10之另一面，形成利用複數個接觸檢測圖案31所圍取之複數個開口領域33。各開口領域33，係利用一透明電極30中相鄰之2個接觸檢測圖案31、與鄰接到一透明電極30之其他的透明電極30中相鄰之2個接觸檢測圖案31所圍取。在圖3的例子中，各開口領域33具有矩形形狀。
圖4為圖2及圖3之A-A線剖視圖。如圖4所示般，除了其中一部分的接觸檢測圖案21，複數個接觸檢測圖案21被形成為與複數個開口領域33重疊。除了其中一部分的接觸檢測圖案31，複數個接觸檢測圖案31被形成為與複數個開口領域23重疊。經此，複數個接觸檢測圖案21與複數個接觸檢測圖案31，係被形成為相互不重疊。
(2)透明導電性膜的製造方法
說明有關圖1的透明導電性膜100的製造工程。圖5~圖7為表示圖1之透明導電性膜100的製造工程之示意的工程剖視圖。圖5~圖7表示圖2及圖3之A-A線剖視圖。
首先，如圖5(a)所示般，準備於透明絕緣層10之其中一面及另一面分別形成了透明導體層20a，30a之層積體100a。透明絕緣層10的厚度，為25μm以上250μm 以下者為佳，50μm以上125μm以下者為更佳。而且，透明導體層20a、30a的厚度，為5nm以上100nm以下者為佳，10nm以上50nm以下者為更佳。
接著，如圖5(b)所示般，在透明導體層20a上形成蝕刻用的阻材膜24，同時在透明導體層30a上形成蝕刻用的阻材膜34。阻材膜24、34，為感光性乾膜阻材者，例如利用層板分別形成在透明導體層20a、30a上。在此，阻材膜24的吸收波長分布之波峰波長與阻材膜34的吸收波長分布之波峰波長互為相異。吸收波長分布相當於感光波長分布。
繼續，如圖6(a)所示，利用介隔著具有指定的圖案之遮罩M1照射曝光光線25到阻材膜24的方式對阻材膜24進行曝光，同時，介隔著具有指定的圖案之遮罩M2照射曝光光線35到阻材膜34的方式對阻材膜34進行曝光。在此，曝光光線25的強度分布之波峰波長與曝光光線35的強度分布之波峰波長互為相異。
之後，經由使用顯像液對阻材膜24，34進行顯像的方式，如圖6(b)所示，分別形成蝕刻阻材圖案24a、34a。阻材膜24，34可利用浸漬到顯像液中的方式來被顯像，也可利用噴霧顯像液的方式來被顯像。蝕刻阻材圖案24a，34a的厚度，為5μm以上50μm以下者為佳，10μm以上25μm以下者為更佳。
接著，如圖7(a)所示般，把從蝕刻阻材圖案24a所露出的透明導體層20a的部分及蝕刻阻材圖案34a所露出 的透明導體層30a的部分，利用使用了例如鹼性處理液之蝕刻的方式來去除。經此，在透明絕緣層10之其中一面上複數形成有具有複數個接觸檢測圖案21及配線圖案22之透明電極20。而且，在透明絕緣層10之另一面上複數形成有具有複數個接觸檢測圖案31及配線圖案32之透明電極30。
最後，如圖7(b)所示般，從複數個透明電極20去除蝕刻阻材圖案24a，同時從複數個透明電極30去除蝕刻阻材圖案34a。經此，完成透明導電性膜100。
(3)阻材膜及曝光光線的特性
在圖5(b)的工程中，阻材膜24的吸收波長分布之波峰波長與阻材膜34的吸收波長分布之波峰波長互為相異。在本例中，阻材膜24的吸收波長分布之波峰波長為365nm。另一方面，阻材膜34的吸收波長分布之波峰波長為436nm。
而且，在圖6(a)的工程中，曝光光線25的波峰波長與曝光光線35的波峰波長互為相異。在本例中，曝光光線25為i線(波峰波長365nm)。另一方面，曝光光線35為g線(波峰波長436nm)。曝光光線25、35，係利用例如雷射光源所產生。或者是，曝光光線25、35，亦可利用例如使來自短弧燈的光分別通過通過波長365nm附近及436nm附近之帶域通過過濾器的方式所產生。
根據該構成，在圖6(a)的工程中，即便在照射到 阻材膜24之曝光光線25透過了阻材膜24、透明導體層20a、透明絕緣層10及透明導體層30a之場合，因曝光光線25阻材膜34難以被感光。同樣，即便在照射到阻材膜34之曝光光線35透過了阻材膜34、透明導體層30a、透明絕緣層10及透明導體層20a之場合，因曝光光線35阻材膜24難以被感光。
令對曝光光線25的波峰波長之阻材膜24的吸收率為x1〔%〕，對曝光光線35的波峰波長之阻材膜24的吸收率為x2〔%〕。令對曝光光線35的波峰波長之阻材膜34的吸收率為x3〔%〕，對曝光光線25的波峰波長之阻材膜34的吸收率為x4〔%〕。
在該場合，來自吸收率x1之吸收率x2的差(以下，稱呼為第1吸收率差(x1-x2))為15%以上者為佳。而且，來自吸收率x3之吸收率x4的差(以下，稱呼為第2吸收率差(x3-x4))為15%以上者為佳。
亦即，在阻材膜24中，對曝光光線25的波峰波長之吸收率比起對曝光光線35的波峰波長之吸收率還要大15%以上者為佳。而且，在阻材膜34中，對曝光光線35的波峰波長之吸收率比起對曝光光線25的波峰波長之吸收率還要大15%以上者為佳。更進一步，在把關聯到阻材膜24、34的吸收率之指標X定義成X=(x1-x2)+(x3-x4)之場合，指標X比60%還要大者為更佳。
令照射到阻材膜24之曝光光線25的光量為y1〔mJ/cm2〕，令透過阻材膜34、透明導體層30a、透明絕緣 層10及透明導體層20a照射到阻材膜24之曝光光線35的光量為y2〔mJ/cm2〕。令照射到阻材膜34之曝光光線35的光量為y3〔mJ/cm2〕，令透過阻材膜24、透明導體層20a、透明絕緣層10及透明導體層30a照射到阻材膜34之曝光光線25的光量為y4〔mJ/cm2〕。
在該場合，相對於光量y1之光量y2的比(以下，稱呼為第1光量比(y2/y1))為20%以下者為佳。而且，相對於光量y3之光量y4的比(以下，稱呼為第2光量比(y4/y3))為20%以下者為佳。
亦即，照射到阻材膜24之曝光光線35的光量為照射到阻材膜24之曝光光線25的光量之20%以下者為佳。而且，照射到阻材膜34之曝光光線25的光量為照射到阻材膜34之曝光光線35的光量之20%以下者為佳。更進一步，在把關聯到曝光光線25、35的光量之指標Y定義成Y=(y2/y1+y4/y3)×100之場合，指標Y比25還要小者為更佳。
阻材膜24、34的吸收波長分布之波峰波長，為300nm以上500nm以下者為佳。阻材膜24、34的吸收波長分布之波峰波長為300nm以上之場合，可以高精度且容易地形成蝕刻阻材圖案24a、34a。阻材膜24、34的吸收波長分布之波峰波長為500nm以下之場合，可以抑制因周圍的可視光所致的阻材膜24，34的感光。
(4)使用透明導電性膜之觸控面板
接著，說明有關使用了上述的透明導電性膜100之觸控面板。圖8為使用了透明導電性膜100的觸控面板之示意圖。觸控面板200被設成與電視、攜帶式電話機、攜帶資訊終端或其他光學式的顯示裝置之顯示畫面DP重疊。尚且，在圖8的例子中，觸控面板200為電容式的觸控面板。
如圖8所示般，觸控面板200，係加上圖1的透明導電性膜100，包含：FPC基板110、接著層120、130、保護層140、150及檢測電路160。接著層120，130包含光學用透明接著劑(OCA)。透明導電性膜100，係介隔著接著層120接著到顯示畫面DP。在本例中，透明導電性膜100的透明絕緣層10之另一面(圖3)是介隔著接著層120接著到顯示畫面DP。
保護層140包含例如蓋玻璃。保護層140，係介隔著接著層130接著到透明導電性膜100。在本例中，保護層140，係介隔著接著層130接著到透明導電性膜100的透明絕緣層10之其中一面(圖2)。保護層150包含例如反射防止膜。保護層150被設在保護層140上。保護層140，係亦可介隔著OCA接著到保護層150。
檢測電路160，是利用例如積體電路(IC)所構成。FPC基板110，係連接到透明導電性膜100之複數個透明電極20(圖2)及複數個透明電極30(圖3)。FPC基板110，係通過透明導電性膜100的邊緣部被引出到透明導電性膜100的外部，連接到檢測電路160。檢測電路 160，係亦可設在透明導電性膜100上。在該場合，FPC基板110，係不被引出到透明導電性膜100的外部，通過透明導電性膜100的邊緣部，連接到透明導電性膜100上的檢測電路160。
使用者是以手指或觸控筆(在圖8的例子為手指)對觸控面板200的保護層150之任意的位置進行接觸。在該場合，透明導電性膜100之複數個透明電極20中，與被接觸之保護層150的位置重疊的位置附近之複數個透明電極20間的電容發生變化。同樣，透明導電性膜100之複數個透明電極30中，與被接觸之保護層150的位置重疊的位置附近之複數個透明電極30間的電容發生變化。
檢測電路160，係經由檢測複數個透明電極20間的電容的變化的方式，算出使用者所接觸到的觸控面板200的X方向的位置。而且，檢測電路160，係經由檢測複數個透明電極30間的電容的變化的方式，算出使用者所接觸到的觸控面板200的Y方向的位置。這些結果，檢測電路160係可以檢測使用者所接觸到的觸控面板200之二維的位置。
(5)其他的實施方式
(a)在上述實施方式中，作為輸入裝置之其中一例，說明了有關電容式的觸控面板，但並不限定於此。本發明也可以適用在電阻膜式的觸控面板等之種種的輸入裝置。
(b)在上述實施方式之圖5(b)的工程中，阻材膜24、34同時形成在透明導體層20a、30a上，但並不限定於此。亦可於阻材膜24形成在透明導體層20a上後阻材膜34形成在透明導體層30a上，也可於阻材膜34形成在透明導體層30a上後阻材膜24形成在透明導體層20a上。
(c)在上述實施方式之圖6(a)的工程中，阻材膜24、34同時被曝光。經此，在圖6(b)的工程中，蝕刻阻材圖案24a、34a是同時被形成，但不限定於此。亦可於阻材膜24被曝光後讓阻材膜34被曝光。在該場合，於形成蝕刻阻材圖案24a後，讓蝕刻阻材圖案34a被形成。另一方面，亦可於阻材膜34被曝光後讓阻材膜24被曝光。在該場合，於形成蝕刻阻材圖案34a後，讓蝕刻阻材圖案24a被形成。
(d)在上述實施方式之圖7(a)的工程中，從蝕刻阻材圖案24a、34a所露出之透明導體層20a、30a的部分同時被去除。經此，複數個透明電極20、30同時被形成，但並不限定於此。亦可於從蝕刻阻材圖案24a所露出的透明導體層20a的部分被去除掉後，讓從蝕刻阻材圖案34a所露出的透明導體層30a的部分被去除。在該場合，於形成複數個透明電極20後，形成複數個透明電極30。另一方面，亦可於從蝕刻阻材圖案34a所露出的透明導體層30a的部分被去除掉後，讓從蝕刻阻材圖案24a所露出的透明導體層20a的部分被去除。在該場合，於形成複數 個透明電極30後，形成複數個透明電極20。
(e)在上述實施方式之圖7(b)的工程中，蝕刻阻材圖案24a、24b同時被去除，但並不限定於此。亦可於蝕刻阻材圖案24a被去除後讓蝕刻阻材圖案34a被去除，也可於蝕刻阻材圖案34a被去除後讓蝕刻阻材圖案24a被去除。
(6)效果
在有關本實施方式之透明導電性膜100的製造方法中，阻材膜24、34是被分別形成在透明絕緣層10之其中一面的透明導體層20a上及另一面的透明導體層30a上。阻材膜24、34具有分別相異的感光波長分布。曝光光線25、35分別照射到阻材膜24、34。曝光光線25、35具有分別相異的強度分布。
經由讓阻材膜24、34被顯像的方式，分別形成蝕刻阻材圖案24a、34a。經由除了蝕刻阻材圖案24a、34a，讓透明導體層20a、30a的領域被去的方式，分別形成透明電極20、30。
在此，阻材膜24，34的感光波長分布，係包含分別具有365nm及436nm的波長之波峰。阻材膜24的感光波長分布之對365nm的波長之感光性比對436nm的波長之感光性還要高。而且，阻材膜34的感光波長分布之對436nm的波長之感光性比對365nm的波長之感光性還要高。
根據該構成，即便在照射到阻材膜24之曝光光線25透過了阻材膜24、透明導體層20a、透明絕緣層10及透明導體層30a之場合，因曝光光線25阻材膜34難以被感光。同樣，即便在照射到阻材膜34之曝光光線35透過了阻材膜34、透明導體層30a、透明絕緣層10及透明導體層20a之場合，因曝光光線35阻材膜24難以被感光。
經此，可以在透明絕緣層10之其中一面上以高的精度形成透明電極20，同時可以在透明絕緣層10之另一面上以高的精度形成透明電極30。其結果，可以提升透明導電性膜100及觸控面板200的可靠性。
(7)請求項之各構成要件與實施方式之各部的對應關係
以下，說明有關請求項之各構成要件與實施方式之各部的對應的例子，但本發明不限定下述的例子。
在上述實施方式中，透明絕緣層10為透明絕緣層之例，透明導體層20a、30a分別為第1及第2導體層之例，層積體100a為層積體之例，阻材膜24、34分別為第1及第2阻材膜之例。曝光光線25、35分別為第1及第2曝光光線之例，蝕刻阻材圖案24a、34a分別為第1及第2阻材圖案之例，透明電極20、30分別為第1及第2透明導體圖案之例。透明導電性膜100為透明導電性膜之例，檢測電路160為檢測電路之例，觸控面板200為輸入裝置之例，FPC基板110為配線電路基板之例。
作為請求項之各構成要件，可以使用具有記載於請求 項之構成或功能之其他種種的要素。
(8)實施例 (a)透明導電性膜的構成
作為實施例1~3及比較例1、2，製作以下的透明導電性膜。圖9為有關實施例1~3及比較例1，2之透明導電性膜的立體圖。如圖9所示般，在透明導電性膜100b中，於透明絕緣層10之其中一面設有複數個透明電極20b，於透明絕緣層10之另一面設有複數個透明電極30b。
各透明電極20b具有帶狀。複數個透明電極20b被配置在透明絕緣層10之其中一面，使得以平行延伸於Y方向且排列於X方向。各透明電極20b的寬度為20μm，鄰接之2個透明電極20b間的間隔為20μm。各透明電極30b具有帶狀。複數個透明電極30b被配置在透明絕緣層10之另一面，使得以平行延伸於X方向且排列於Y方向。各透明電極30b的寬度為20μm，鄰接之2個透明電極30b間的間隔為20μm。
透明導電性膜100b的製造方法，係除了取代複數個透明電極20、30而形成複數個透明電極20b、30b這一點外，是與透明導電性膜100的製造方法(圖5~圖7)同樣。在此，在圖5(b)的工程中，以溫度90℃、壓力0.4MPa及速度0.4m/min的條件把阻材膜24、34分別形成在透明導體層20a、30a上。
在圖6(a)的工程中，經由使來自短弧燈的光通過帶域通過過濾器的方式產生了曝光光線25、35。而且，在阻材膜34的曝光中，使用了遮罩M1及以Z方向為中心旋轉了90°之遮罩M2。在圖6(b)的工程中，作為顯像液，使用了碳酸鈉(Na2CO3)溶液。利用使阻材膜24、34浸漬到溫度23℃的顯像液中達70秒的方式來顯像。
有關實施例1~3及比較例1、2的透明導電性膜100b之個別的製造方法，係於以下所示。
(b)實施例1
在實施例1之圖5(b)的工程中，具有第1吸收波長分布特性之乾膜阻材(Nichigo-Morton Co.,Ltd製NTD834)是作為阻材膜24被形成在透明導體層20a上。而且，同時，具有第2吸收波長分布特性之乾膜阻材(Nichigo-Morton Co.,Ltd製NTD802)是作為阻材膜34被形成在透明導體層30a上。
圖10為表示實施例1之阻材膜24、34的吸收波長分布(波長相依性)之圖。圖10的橫軸表示照射到阻材膜24、34之光的波長；縱軸表示阻材膜24、34的吸收率。而且，用實線表示阻材膜24的吸收率，用虛線表示阻材膜34的吸收率。如圖10所示般，在實施例1的阻材膜24中，對i線(365nm)的吸收率比對h線(405nm)及g線(436nm)的吸收率還要高。另一方面，在實施例1 的阻材膜34中，對h線及g線的吸收率比對i線的吸收率還要高。
在實施例1之圖6(a)的工程中，作為曝光光線25，i線照射到阻材膜24，作為曝光光線35，h線照射到阻材膜34。在該場合，吸收率x1為86%，吸收率x2為51%，吸收率x3為63%，吸收率x4為37%。第1吸收率差(x1-x2)為35%，第2吸收率差(x3-x4)為26%，指標X為61%。
而且，光量y1為65mJ/cm2，光量y2為10mJ/cm2，光量y3為40mJ/cm2，光量y4為5mJ/cm2。在該場合，第1光量比(y2/y1)為15%，第2光量比(y4/y3)為13%，指標Y為28。
(c)實施例2
在實施例2之圖5(b)的工程中，具有第3吸收波長分布特性之乾膜阻材(Nichigo-Morton Co.,Ltd製NTD835)是作為阻材膜24被形成在透明導體層20a上。而且，同時，具有第4吸收波長分布特性之乾膜阻材(Nichigo-Morton Co.,Ltd製NTD803)是作為阻材膜34被形成在透明導體層30a上。
圖11為表示實施例2之阻材膜24、34的吸收波長分布(波長相依性)之圖。圖11的橫軸表示照射到阻材膜24、34之光的波長；縱軸表示阻材膜24、34的吸收率。而且，用實線表示阻材膜24的吸收率，用虛線表示阻材 膜34的吸收率。如圖11所示般，在實施例2的阻材膜24中，對i線的吸收率比對h線及g線的吸收率還要高。另一方面，在實施例2的阻材膜34中，對h線及g線的吸收率比對i線的吸收率還要高。
在實施例2之圖6(a)的工程中，作為曝光光線25，i線照射到阻材膜24，作為曝光光線35，h線照射到阻材膜34。在該場合，吸收率x1為91%，吸收率x2為58%，吸收率x3為67%，吸收率x4為39%。第1吸收率差(x1-x2)為33%，第2吸收率差(x3-x4)為28%，指標X為61%。
而且，光量y1為40mJ/cm2，光量y2為7mJ/cm2，光量y3為30mJ/cm2，光量y4為2mJ/cm2。在該場合，第1光量比(y2/y1)為18%，第2光量比(y4/y3)為7%，指標Y為24。
(d)實施例3
在實施例3之圖5(b)的工程中，與實施例2的阻材膜24為同一之乾膜阻材為作為阻材膜24，被形成在透明導體層20a上。同時，與實施例2的阻材膜34為同一之乾膜阻材為作為阻材膜34，被形成在透明導體層30a上。
在實施例3之圖6(a)的工程中，作為曝光光線25，i線照射到阻材膜24，作為曝光光線35，g線照射到阻材膜34。在該場合，吸收率x1為91%，吸收率x2為 15%，吸收率x3為67%，吸收率x4為39%。第1吸收率差(x1-x2)為76%，第2吸收率差(x3-x4)為28%，指標X為104%。
而且，光量y1為40mJ/cm2，光量y2為7mJ/cm2，光量y3為30mJ/cm2，光量y4為2mJ/cm2。在該場合，第1光量比(y2/y1)為18%，第2光量比(y4/y3)為7%，指標Y為24。
(e)比較例1
在比較例1之圖5(b)的工程中，具有第5吸收波長分布特性之乾膜阻材(Nichigo-Morton Co.,Ltd製NIT915)是作為阻材膜24被形成在透明導體層20a上。而且，同時，與阻材膜24為同一之乾膜阻材為作為阻材膜34，被形成在透明導體層30a上。
圖12為表示比較例1之阻材膜24、34的吸收波長分布(波長相依性)之圖。圖12的橫軸表示照射到阻材膜24、34之光的波長；縱軸表示阻材膜24、34的吸收率。而且，以實線表示阻材膜24、34的吸收率。如圖12所示般，在比較例1的阻材膜24、34中，對i線的吸收率比對h線及g線的吸收率還要高。
在比較例1之圖6(a)的工程中，作為曝光光線25，i線照射到阻材膜24，作為曝光光線35，i線照射到阻材膜34。在該場合，吸收率x1為55%，吸收率x2為55%，吸收率x3為55%，吸收率x4為55%。第1吸收率 差(x1-x2)為0%，第2吸收率差(x3-x4)為0%，指標X為0%。
而且，光量y1為55mJ/cm2，光量y2為17mJ/cm2，光量y3為55mJ/cm2，光量y4為17mJ/cm2。在該場合，第1光量比(y2/y1)為31%，第2光量比(y4/y3)為31%，指標Y為62。
(f)比較例2
在比較例2之圖5(b)的工程中，與比較例1的阻材膜24為同一之乾膜阻材為作為阻材膜24，被形成在透明導體層20a上。同時，與阻材膜24為同一之乾膜阻材為作為阻材膜34，被形成在透明導體層30a上。
在比較例2之圖6(a)的工程中，作為曝光光線25，i線照射到阻材膜24，作為曝光光線35，h線照射到阻材膜34。在該場合，吸收率x1為55%，吸收率x2為27%，吸收率x3為27%，吸收率x4為55%。第1吸收率差(x1-x2)為28%，第2吸收率差(x3-x4)為-28%，指標X為0%。
而且，光量y1為55mJ/cm2，光量y2為60mJ/cm2，光量y3為110mJ/cm2，光量y4為10mJ/cm2。在該場合，第1光量比(y2/y1)為109%，第2光量比(y4/y3)為9%，指標Y為118。
(g)透明導電性膜之可靠性的評量
使用具有10倍的對物透鏡及10倍的接目透鏡之顯微鏡，放大觀察有關製作出的實施例1~3及比較例1，2之透明導電性膜100b之10mm×10mm的部分。根據放大觀察過的透明導電性膜100b的影像，評量透明導電性膜100b的可靠性。表示透明導電性膜100b之可靠性的評量的結果於表1。
在表1中，以○表示減低殘存在複數個透明電極20b間的透明導體層20a的部分，也減低了殘存在複數個透明電極30b間的透明導體層30a的部分之透明導電性膜 100b。以◎表示在複數個透明電極20b間不殘存透明導體層20a，也在複數個透明電極30b間不殘存透明導體層30a之透明導電性膜100b。以×表示殘存在複數個透明電極20b間之透明導體層20a沒有減低，殘存在複數個透明電極30b間之透明導體層30a也沒有減低之透明導電性膜100b。
圖13為使用顯微鏡所拍攝到的透明導電性膜100b之其中一部分之放大影像。圖13(a)表示有關實施例1之透明導電性膜100b。圖13(b)表示有關實施例2之透明導電性膜100b。圖13(c)表示有關比較例1之透明導電性膜100b。有關實施例3之透明導電性膜100b，係與於圖13(b)所示之透明導電性膜100b為同樣。有關比較例2之透明導電性膜100b，係與於圖13(c)所示之透明導電性膜100b為同樣。
在有關實施例1之透明導電性膜100b中，如於圖13(a)所示般，減低了殘存在透明絕緣層10之其中一面上的複數個透明電極20b間之透明導體層20a的部分。同樣，減低了殘存在透明絕緣層10之另一面上的複數個透明電極30b間之透明導體層30a的部分。
在有關實施例2、3之透明導電性膜100b中，如於圖13(b)所示般，在透明絕緣層10之其中一面上的複數個透明電極20b間幾乎沒有殘存透明導體層20a。同樣，在透明絕緣層10之另一面上的複數個透明電極30b間幾乎沒有殘存透明導體層30a。特別是，在有關實施例3之透 明導電性膜100b中，在複數個透明電極20b間完全沒有殘存透明導體層20a，在複數個透明電極30b間完全沒有殘存透明導體層30a。
另一方面，在有關實施例1、2之透明導電性膜100b中，如於圖13(c)所示般，沒有減低殘存在透明絕緣層10之其中一面上的複數個透明電極20b間之透明導體層20a的部分。同樣，沒有減低殘存在透明絕緣層10之另一面上的複數個透明電極30b間之透明導體層30a的部分。
從實施例1~3與比較例1、2之比較，經由使用吸收波長分布之波峰波長互為相異的阻材膜24、34的方式，確認了可以減低殘存在透明電極間的透明導體層的部分。特別是，在第1及第2吸收率差分別為15%以上，第1及第2光量比分別為20%以下之場合，確認了可以充分地減低殘存在透明電極間的透明導體層的部分。
而且，從實施例1與實施例2，3之比較，在指標X為60%以上，指標Y為25以下之場合、確認了在透明電極間幾乎不殘存透明導體層。更進一步，從實施例2與實施例3之比較，在阻材膜24、34分別在波長365nm、436nm附近有高的吸收率，曝光光線25、35分別為i線及g線之場合，確認了在透明電極間完全沒有殘存透明導體層。
〔產業上的可利用性〕
本發明可以有效利用在具備了顯示畫面之種種的電子機器之輸入裝置。
10‧‧‧透明絕緣層
20a‧‧‧透明導體層
24‧‧‧阻材膜
24a‧‧‧蝕刻阻材圖案
25‧‧‧曝光光線
30a‧‧‧透明導體層
34‧‧‧阻材膜
34a‧‧‧蝕刻阻材圖案
35‧‧‧曝光光線
100a‧‧‧層積體
M1、M2‧‧‧遮罩

Claims (9)

  1. 一種透明導電性膜的製造方法，係包含：準備在透明絕緣層之其中一面及另一面分別形成第1導體層及第2導體層之層積體之步驟；把具有第1感光波長分布之第1阻材膜予以形成在前述第1導體層上，並把具有與前述第1感光波長分布相異的第2感光波長分布之第2阻材膜形成在前述第2導體層上之步驟；把具有第1強度分布且具有第1圖案之第1曝光光線照射到前述第1阻材膜，並把具有與前述第1強度分布相異的第2強度分布且具有第2圖案之第2曝光光線照射到前述第2阻材膜之步驟；利用對前述第1阻材膜進行顯像的方式形成第1阻材圖案，並利用對前述第2阻材膜進行顯像的方式形成第2阻材圖案之步驟；利用除了前述第1阻材圖案把前述第1導體層的領域予以去除的方式形成第1透明導體圖案，並利用除了前述第2阻材圖案把前述第2導體層的領域予以去除的方式形成第2透明導體圖案之步驟；以及去除前述第1阻材圖案，並去除前述第2阻材圖案之步驟；前述第1強度分布包含具有第1波長之波峰；前述第2強度分布包含具有與第1波長相異的第2波長之波峰；與前述第1感光波長分布的前述第1波長相對之前述 第1阻材膜的感光性比起與前述第2波長相對之感光性還要高；與前述第2感光波長分布的前述第2波長相對之前述第2阻材膜的感光性比起與前述第1波長相對之感光性還要高。
  2. 如請求項1之透明導電性膜的製造方法，其中，在把來自與前述第1曝光光線的前述第1波長相對之前述第1阻材膜的吸收率之與前述第2曝光光線的前述第2波長相對之前述第1阻材膜的吸收率之差定義成第1吸收率差，把來自與前述第2曝光光線的前述第2波長相對之前述第2阻材膜的吸收率之與前述第1曝光光線的前述第1波長相對之前述第2阻材膜的吸收率之差定義成第2吸收率差之場合，前述第1吸收率差為15%以上，前述第2吸收率差為15%以上。
  3. 如請求項2之透明導電性膜的製造方法，其中，前述第1吸收率差與前述第2吸收率差之和為60%以上。
  4. 如請求項1~3中任一項之透明導電性膜的製造方法，其中，在把透過與被照射到前述第1阻材膜之前述第1曝光光線的光量相對之前述第2阻材膜、前述第2導體層、前述透明絕緣層及前述第1導體層後照射到前述第1阻材膜 之前述第2曝光光線的光量之比定義成第1光量比，把透過與照射到前述第2阻材膜之前述第2曝光光線的光量相對之前述第1阻材膜、前述第1導體層、前述透明絕緣層及前述第2導體層後照射到前述第2阻材膜之前述第1曝光光線的光量之比定義成第2光量比之場合，前述第1光量比為20%以下，前述第2光量比為20%以下。
  5. 如請求項4之透明導電性膜的製造方法，其中，前述第1光量比與前述第2光量比之和為25%以下。
  6. 如請求項1~3中任一項之透明導電性膜的製造方法，其中，前述第1及第2波長為300nm以上500nm以下。
  7. 如請求項6之透明導電性膜的製造方法，其中，前述第1波長包含365nm，前述第2波長包含436nm。
  8. 一種透明導電性膜，係利用如請求項1~3中任一項之透明導電性膜的製造方法所製造。
  9. 一種輸入裝置，為連接到把經由使用者所接觸的位置予以檢測的檢測電路之輸入裝置；其特徵為具備：經由請求項1~3中任一項之透明導電性膜的製造方法所製造之透明導電性膜；以及把前述透明導電性膜之第1及第2透明導體圖案電性連接到前述檢測電路之配線電路基板。
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