TW201500601A - 單晶晶種的回收方法 - Google Patents

Abstract

一種單晶晶種的回收方法包含(a)製備具底壁及圍壁並界定出容室的坩堝，底壁具平台區及圍繞平台區的圍繞區，平台區與圍繞區沿底壁的厚度方向各具第一、二厚度T1、T2；(b)沿第一、二方向依序鋪設數單晶晶種以填滿平台區，相鄰單晶晶種界定出切割線段並定義出多數各沿第一、二方向延伸的第一、二開方線，單晶晶種具第三厚度T3，T1+T3<T2；(c)融熔位於單晶晶種上的起始原料使成為熔湯且使單晶晶種頂緣局部融熔於熔湯；(d)藉未融熔的單晶晶種引晶以定向凝固熔湯成類單晶晶碇並於未融熔的單晶晶種底部留有第一、二開方線；及(e)橫向切割類單晶晶碇底部以回收單晶晶種層。

Description

單晶晶種的回收方法

本發明是有關於一種回收方法，特別是指一種單晶晶種(seed)的回收方法。

在太陽能(solar cell)產業中，高效率及低成本一直是兩個主要的競爭點。在多數的太陽能電池材料中，又以結晶矽(crystalline Si)其本身具有優異的光電轉換效率(photon-to-current conversion efficiency；PCE)及穩定性。因此，結晶矽目前已成為太陽能電池的主要材料，並持續佔據主要的太陽能市場。

以單晶矽的製法來論，其一般是採用柴氏長晶法(Czochralski process，CZ)所製得。簡單地來說，單晶矽是使用具有特定晶向(crystallographic direction)的單晶晶種，使得坩堝(crucible)內的矽熔湯一方面透過旋轉拉提的方式沿著固定方向凝固成長，同時亦經由單晶晶種來引晶(seeding)以成長成單晶矽棒。稱為單晶矽，顧名思義可知其單晶矽本身內部並不存在有任何的晶界(grain boundary)，因此，具有缺陷低與轉換效率高等特點。雖然柴氏長晶法可以製得品質優異的單晶矽以進一步地製作成 太陽能電池。然而，生產單晶矽的製作成本甚高，因此，為降低太陽能材料的生產成本，太陽能電池相關產業也進一步地開發出多晶矽(poly crystalline Si)的成長方案。

多晶矽主要是採用定向凝固法製得，其單次投料量大，具有易操作且低成本等特點。然而，基於多晶矽的成長機制並沒有額外引入單晶晶種來引晶，以致於坩堝底部的矽熔湯在初步冷卻後會大量地形成各晶向的晶核(nucleus of crystalline)，導致最終所完成的矽晶碇(Si ingot)中往往含有大量的晶界及缺陷。此外，多晶矽太陽能電池的光電轉換效率也因此等晶界及缺陷，而相對低於單晶矽太陽能電池。因此，多晶矽太陽能電池雖然可降低成本，但相對地，也因成本的下降而犧牲掉部分的轉換效率。為了既要提高電池效率，又要降低生產成本，此技術領域的相關技術人員在近幾年來更朝向類單晶(mono like)矽的成長技術，來尋求各種改善電池效能的技術方案。

參閱圖1，現有一種用於成長類單晶矽的坩堝1，包括一個方形底壁11，及一個自該方形底壁11的一周緣111向上延伸以圍繞該方形底壁11的周壁12，且該方形底壁11與周壁12共同界定出一容放多數個方形單晶晶種8的容室10。該用於成長類單晶矽的坩堝1及該等方形單晶晶種8，皆是現階段各家長晶廠慣用的規格化產品。

然而，由圖1顯示可知，該方形底壁11周緣111存在有一定的倒角，而各方形單晶晶種8的尺寸又無法完整地鋪滿該方形底壁11。因此，在初期凝固階段，靠近周 壁12底部區域的矽熔湯(圖未示)在缺乏該等方形單晶晶種8來輔助引晶的條件下，導致鄰近周壁12底部區域的矽熔湯是形成大量各晶向的晶核。此外，在整體晶體生長(crystal growth)的過程，各晶向之晶核的成長也會朝內滲透以影響類單晶的成長，導致最終成長取得的類單晶只出現在其矽晶碇的中央區域，而位在鄰近周壁12區域的矽晶碇則多半屬於多晶矽。

這一方面使得晶碇在縱向垂直切割(squaring)成晶磚(brick)，甚或是橫向切片(slicing)成晶片(wafer)後，位在最外圍的晶磚與晶片皆同時存在有各晶向的多晶矽及單一晶向的類單晶矽；因此，影響了電池的光電轉換效率。另一方面，由於位處於方形底壁11周緣111的單晶晶種9在經過晶體成長後已滲透有多晶矽；因此，此等經引晶後的單晶晶種8無法再回收用來做為成長類單晶矽晶碇的單晶晶種使用，無形中也增加了長晶廠的耗材成本。

參閱圖2，大陸第CN202265623 U授權公告號實用新型專利案公開一種鑄造類單晶矽用的坩堝2，其包括一個供放置該等方形單晶晶種8的方形底壁21，及一個圍繞該方形底壁21的周壁22，且由該方形底壁21及周壁22共同界定出一容室20。該周壁22是自該方形底壁21的一周緣向上延伸至高於該等方形單晶晶種8的高度後，朝該容室20的方向向內延伸以局部遮蔽住位處於最外圍的方形單晶晶種8並朝上延伸。該坩堝2在該方形底壁21與該周壁22銜接處的的設計，能使該等方形單晶晶種8在不鋪滿 該方形底壁21的前提下，使得位處於最外圍的方形單晶晶種8之外側可被該方形底壁21與該周壁22銜接處所遮蔽，促使該容室20內的矽熔湯(圖未示)能在各方形單晶晶種8的引導下成長成單一晶向的類單晶矽，進而降低矽晶碇的晶界和差排(dislocation)以提高電池的平均轉換效率。

熟悉此技術領域的相關技術人員皆知，通常各家長晶廠廠內的工程人員會在坩堝的內表面塗佈上一層氮化矽(silicon nitride)層，以避免定向凝固後的矽晶碇黏附在坩堝壁面。然而，該坩堝2的方形底壁21與周壁22所銜接的彎角處，甚難進一步地噴塗上該氮化矽層(圖未示)。因此，容易使得凝固後的類單晶矽晶碇底部黏附於該方形底壁21及該周壁22的底端，不僅導致類單晶矽晶碇的崩裂；此外，崩裂後的類單晶矽晶碇也使得該等單晶晶種8隨之崩裂，以致於此等經引晶後的單晶晶種8無法再回收以供成長類單晶矽晶碇之單晶晶種使用。

經上述說明可知，在改良類單晶晶碇之長晶品質的同時，亦要有效地回收單晶晶種以降低長晶廠的生產成本，是此技術領域的相關技術人員所待突破的課題。

因此，本發明之目的，即在提供一種單晶晶種的回收方法。

本發明之另一目的，即在提供另一種單晶晶種的回收方法。

於是本發明單晶晶種的回收方法，包含一步驟 (a)、一步驟(b)、一步驟(c)、一步驟(d)，及一步驟(e)。

該步驟(a)：製備一個坩堝，該坩堝具有一個底壁及一個圍繞該底壁並與該底壁共同界定出一個容室的圍壁，該底壁具有一個平台區及一個圍繞該平台區的圍繞區，該平台區與該圍繞區沿該底壁的一厚度方向分別具有一第一厚度(T₁)與一第二厚度(T₂)。

該步驟(b)：於該容室鋪設多數單晶晶種，該等單晶晶種是沿一第一方向依序設置且沿一第二方向依序設置並實質填滿該平台區，每相鄰單晶晶種間共同界定出一切割線段，該等切割線段定義出多數條沿該第一方向延伸的第一開方線，及多數條沿該第二方向延伸的第二開方線，各單晶晶種沿該厚度方向具有一第三厚度(T₃)，且T₁+T₃<T₂，以使該底壁的圍繞區是實質圍繞住該等單晶晶種。

該步驟(c)：融熔填入於該容室中並位於該等單晶晶種上的一起始原料使成為一熔湯，且使各單晶晶種之一頂緣局部融熔於該熔湯中。

該步驟(d)：透過尚未融熔的各單晶晶種引晶以定向凝固該熔湯使成為一類單晶晶碇，並於尚未融熔的單晶晶種底部留有該等第一開方線及該等第二開方線。

該步驟(e)：橫向切割該類單晶晶碇底部以回收一單晶晶種層。

此外，本發明另一種單晶晶種的回收方法，包含一步驟(A)、一步驟(B)、一步驟(C)、一步驟(D)、一步驟(E)，及一步驟(F)。

該步驟(A)：製備一個坩堝，該坩堝具有一個底壁及一個圍繞該底壁並與該底壁共同界定出一個容室的圍壁，該底壁具有一個平台區及一個圍繞該平台區的圍繞區，該平台區與該圍繞區沿該底壁的一厚度方向分別具有一第一厚度(T₁)與一第二厚度(T₂)。

該步驟(B)：於該容室鋪設多數單晶晶種，該等單晶晶種是沿一第一方向依序設置且沿一第二方向依序設置並實質填滿該平台區，每相鄰單晶晶種間共同界定出一切割線段，該等切割線段定義出多數條沿該第一方向延伸的第一開方線，及多數條沿該第二方向延伸的第二開方線，各單晶晶種沿該厚度方向具有一第三厚度(T₃)，且T₁+T₃<T₂，以使該底壁的圍繞區是實質圍繞住該等單晶晶種。

該步驟(C)：融熔填入於該容室中並位於該等單晶晶種上的一起始原料使成為一熔湯，且使各單晶晶種之一頂緣局部融熔於該熔湯中。

該步驟(D)：透過尚未融熔的各單晶晶種引晶以定向凝固該熔湯使成為一類單晶晶碇，並於尚未融熔的單晶晶種底部留有該等第一開方線及該等第二開方線。

該步驟(E)：沿該等第一開方線與第二開方線縱向切割該類單晶晶碇以成多數晶磚

該步驟(F)：橫向切割各晶磚底部以自各晶磚底部回收多數單晶晶種。

本發明之功效，透過該平台區與圍繞區的厚度設計以使單晶晶種實質填滿平台區並由圍繞區所包圍，迫 使熔湯於晶體成長初期是直接自各單晶晶種正上方沿著該厚度方向被引晶成長成類單晶，並抑制臨近於圍壁處的熔湯發生各晶向之晶核的成核(nucleation)率，以提升類單晶的長晶品質，並同時有效地回收單晶晶種以降低長晶廠的耗材成本。

3‧‧‧坩堝

30‧‧‧容室

31‧‧‧底壁

311‧‧‧平台區

312‧‧‧圍繞區

32‧‧‧圍壁

4‧‧‧單晶矽晶種

5‧‧‧類單晶矽晶碇

50‧‧‧切割線段

501‧‧‧第一開方線

502‧‧‧第二開方線

51‧‧‧矽晶磚

6‧‧‧單晶矽晶種層

61‧‧‧單晶矽晶種

9‧‧‧長晶爐

91‧‧‧隔熱單元

92‧‧‧側部加熱單元

93‧‧‧頂部加熱單元

94‧‧‧定向取熱塊

X‧‧‧第一方向

Y‧‧‧第二方向

Z‧‧‧厚度方向

T₁‧‧‧第一厚度

T₂‧‧‧第二厚度

T₃‧‧‧第三厚度

L₁‧‧‧第一邊長

L₂‧‧‧第二邊長

l₁‧‧‧第一邊長

l₂‧‧‧第二邊長

本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一剖視示意圖，說明現有一種用於成長類單晶矽的坩堝；圖2是一剖視示意圖，說明大陸第CN202265623 U授權公告號實用新型專利案所公開的一種鑄造類單晶矽用的坩堝；圖3是一俯視示意圖，說明本發明單晶晶種的回收方法的一第一較佳實施例於實施一步驟(a)與一步驟(b)時，所製備的一個坩堝之一底壁的平台區及一圍繞區與多數單晶晶種間的平面配置關係；圖4是沿圖3之直線IV-IV所取得的一局部剖視示意圖，說明該等單晶晶種與該坩堝之底壁及該坩堝之一個圍壁間的設置關係；圖5是圖4的一局部放大示意圖，說明該等單晶晶種與該底壁之平台區及圍繞區間的厚度關係；圖6是一正視示意圖，說明本發明該第一較佳實施例於實施一步驟(c)與一步驟(d)時，該坩堝與一長晶爐之各細 部構件間的配置關係；圖7是一立體圖，說明本發明該第一較佳實施例於實施完該步驟(d)後所成長取得之一類單晶矽晶碇的外觀；圖8是一立體圖，說明本發明該第一較佳實施例於實施一步驟(e)後，該類單晶矽晶碇晶底部經橫向切割後所回收之一單晶矽晶種層的態樣；圖9是一立體圖，說明本發明該第一較佳實施例於實施一步驟(f)後，該單晶矽晶種層經縱向切割後所構成的多數單晶矽晶種；圖10是一立體圖，說明本發明單晶晶種的回收方法的一第二較佳實施例於實施一步驟(E)後，一類單晶矽晶碇晶經縱向切割成多數矽晶磚後的態樣；及圖11是一立體圖，說明本發明該第二較佳實施例於實施一步驟(F)後，各矽晶磚底部經橫向切割後所回收之多數單晶矽晶種的態樣。

在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

本發明單晶晶種的回收方法之第一較佳實施例包含：一步驟(a)、一步驟(b)、一步驟(c)、一步驟(d)、一步驟(e)，及一步驟(f)。

參閱圖3、圖4與圖5，該步驟(a)是製備一個坩堝3，該坩堝3具有一個底壁31，及一個圍繞該底壁31並與該底壁31共同界定出一個容室30的圍壁32。該底壁31 具有一個平台區311及一個圍繞該平台區311的圍繞區312。該平台區311與該圍繞區312沿該底壁31的一厚度方向Z分別具有一第一厚度T₁與一第二厚度T₂。

該步驟(b)是於該容室30鋪設多數單晶矽晶種4，該等單晶矽晶種4是沿一第一方向X依序設置，且沿一第二方向Y依序設置並實質填滿該平台區311。每相鄰單晶矽晶種4間共同界定出一切割線段50，該等切割線段50定義出多數條沿該第一方向X延伸的第一開方線501，及多數條沿該第二方向Y延伸的第二開方線502。各單晶矽晶種4沿該厚度方向Z具有一第三厚度T₃，且T₁+T₃<T₂，以使該底壁31的圍繞區312是實質圍繞住該等單晶矽晶種4。較佳地，T₁<T₃<T₂；更佳地，18 mm<T₁<22 mm，43 mm<T₂<57 mm，25 mm<T₃<35 mm。

此外，較佳地，該步驟(a)之底壁3的平台區311的一表面形狀與該步驟(b)之各單晶矽晶種4的一表面形狀實質為一個矩形，且該第二方向Y是實質正交於該第一方向X。該底壁31之平台區311沿該第一方向X及該第二方向Y，分別具有一第一邊長L₁及一第二邊長L₂；各單晶矽晶種4沿該第一方向X及該第二方向Y，分別具有一第一邊長l₁及一第二邊長l₂。該底壁31之平台區311的第一邊長L₁，實質是各單晶矽晶種4的第一邊長l₁的整數倍，且該底壁31之平台區311的第二邊長L₂，實質是各單晶矽晶種4的第二邊長l₂的整數倍。

此處值得一提的是，本發明之坩堝3底壁31的 平台區311的表面形狀及尺寸，主要根據目前常見於各家長晶廠所慣用的單晶矽晶種的規格來設計。就目前各家長晶廠所慣用的單晶矽晶種的規格來論，單晶矽晶種的的表面形狀為正方形。因此，較佳地，該步驟(a)之底壁31的平台區311的表面形狀是一個邊長介於785 mm至790 mm間的正方形；該底壁31之平台區311的一周緣至該圍壁32的距離是介於15.5 mm至22.0 mm間。

在本發明該第一較佳實施例中，該底壁31之平台區311的該第一邊長L₁與第二邊長L₂為786 mm；該底壁31之平台區311的周緣至該圍壁32的距離是19.5 mm；T₁、T₂與T₃分別等於20 mm、55 mm與30 mm；且該等單晶矽晶種4是呈現5×5的二維陣列鋪滿在該底壁31的平台區311，而位處於最外圍的單晶矽晶種4則是由該底壁31的圍繞區312所包圍。因此，經前述說明可知，在本發明該第一較佳實施例中，被設置在該底壁31平台區311中的該等單晶矽晶種4沿該厚度方向Z的高度，是低於該底壁31的圍繞區312的高度。

參閱圖6與圖7，該步驟(c)是融熔填入於該容室30中並位於該等單晶矽晶種4上的一矽原料使成為一矽熔湯(圖未示)，且使各單晶矽晶種4之一頂緣局部融熔於該矽熔湯中。該步驟(d)是透過尚未融熔的各單晶矽晶種4引晶以定向凝固該矽熔湯使成為一類單晶矽晶碇5，並於尚未融熔的單晶矽晶種4底部留有該等第一開方線501及該等第二開方線502。

此處需說明的是，本發明於實施該第一較佳實施例之步驟(c)~(d)時，是將該坩堝3設置於一長晶爐9內，使該第一較佳實施例之坩堝3由多數隔熱單元91所圈圍，一方面利用圍設在該等隔熱單元91外圍與上方的多數側部加熱單元92與一頂部加熱單元93來升溫，以熔解該容室30內的矽原料成矽熔湯，且使各單晶矽晶種4的頂緣局部融解；另一方向，透過該等隔熱單元91來控制長晶時的熱場(thermal field)，以確保位在該底壁31平台區311的單晶矽晶種4不被熱場所融解。進一步地，透過該坩堝3之底壁31下方所設置的一定向取熱塊94來帶走矽熔湯的高熱；此時，矽熔湯可直接自尚未被熱場所融解的單晶矽晶種4的正上方根據單晶矽晶種4的晶向被引導，以沿著垂直方向(即，該底壁31的厚度方向Z)構成定向凝固成長，從而形成晶向實質相同的該類單晶矽晶碇5。

參圖8與圖9，該步驟(e)是橫向切割該類單晶矽晶碇5底部以回收一單晶矽晶種層6。該步驟(f)是沿該等第一開方線501與該等第二開方線502縱向切割該單晶矽晶種層6成多數單晶矽晶種61。

此技術領域的相關技術人員應可了解，本發明該第一較佳實施例之坩堝3還具有一氮化矽(圖未示)。該氮化矽塗層是覆蓋於該底壁31的一上表面與該圍壁32的一內表面，其主要目的是在於，協助該步驟(d)所完成之該類單晶矽晶碇5脫模。該氮化矽塗層並非本發明之技術重點，於此不再多加贅述。

此處需進一步補充說明的是，基於本發明該第一較佳實施例於實施該步驟(c)之融熔步驟時，各單晶矽晶種4的頂緣已局部融熔於該矽熔湯中，且在完成該步驟(d)後，位處於各單晶矽晶種4頂緣的結晶態已呈類單晶態，為確保該步驟(e)在橫向切割後所取得之單晶矽晶種層6僅存在有單晶態；因此，較佳地，該步驟(e)之單晶矽晶種層6沿該厚度方向Z的厚度，是實質小於T₃。

經本發明該第一較佳實施例於上述的詳細說明可知，本發明該第一較佳實施例透過該底壁31之平台區311與圍繞區312的厚度設計(即，如圖5所示，T₁+T₃<T₂)，使得各單晶矽晶種4能實質填滿該平台區311並由該圍繞區312所包圍，迫使矽熔湯於晶體成長初期便可直接自各單晶矽晶種4的正上方沿著該厚度方向Z被引晶成長成類單晶，並抑制臨近於該圍壁31處的矽熔湯發生各晶向之晶核的成核率，可有效地提升該類單晶矽晶碇6的長晶品質。一方面大幅地減少晶界密度以提升電池的光電轉換效率；另一方面，長晶過程中，鄰近於圍壁31處的矽熔湯缺乏各晶向之晶核的成核率，可確保經回收後的該單晶矽晶種層6的周圍僅存在有單晶態，並不會滲透有多晶態，有效地降低長晶廠廠內於成長類單晶矽晶碇時所需消耗之單晶矽晶種的耗材成本。

本發明單晶晶種的回收方法的第二較佳實施例，包含一步驟(A)、一步驟(B)、一步驟(C)、一步驟(D)、一步驟(E)，及一步驟(F)；此外，本發明該第二較佳實施例 之步驟(A)、步驟(B)、步驟(C)與步驟(D)大致上是對應相同於該第一較佳實施例的步驟(a)、步驟(b)、步驟(c)與步驟(d)，其不同處是在於該步驟(E)與該步驟(F)的順序相反於該第一較佳實施例。

詳細地來說，如圖10與圖11所示，本發明該第二較佳實施例之步驟(E)，是沿該等第一開方線501與第二開方線502縱向切割該類單晶矽晶碇5以成多數矽晶磚51。該步驟(F)是橫向切割各矽晶磚51底部以自各矽晶磚51底部回收該等單晶矽晶種61。

同樣地，為確保該步驟(F)在橫向切割後所取得之各單晶矽晶種61僅存在有單晶態；因此，較佳地，該步驟(F)之各單晶矽晶種61沿該厚度方向Z的厚度，是實質小於T₃。

綜上所述，本發明之單晶晶種的回收方法，透過該底壁31之平台區311與圍繞區312的配置關係與厚度設計，令各單晶矽晶種4能實質填滿該平台區311並由該圍繞區312所包圍，以藉此抑制臨近於該圍壁31處的矽熔湯發生各晶向之晶核的成核率，並有效地提升該類單晶矽晶碇6的長晶品質，不僅大幅地減少晶界密度以提升電池的光電轉換效率，亦可確保經回收後的該單晶矽晶種層6的周圍不會滲透有多晶態，有效地降低長晶廠廠內於成長類單晶矽晶碇時所需消耗之單晶矽晶種的耗材成本，故確實能達成本發明之目的。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而 已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

5‧‧‧類單晶矽晶碇

50‧‧‧切割線段

501‧‧‧第一開方線

502‧‧‧第二開方線

6‧‧‧單晶矽晶種層

X‧‧‧第一方向

Y‧‧‧第二方向

Z‧‧‧厚度方向

Claims (11)

1. 一種單晶晶種的回收方法，包含：一步驟(a)：製備一個坩堝，該坩堝具有一個底壁及一個圍繞該底壁並與該底壁共同界定出一個容室的圍壁，該底壁具有一個平台區及一個圍繞該平台區的圍繞區，該平台區與該圍繞區沿該底壁的一厚度方向分別具有一第一厚度(T₁)與一第二厚度(T₂)；一步驟(b)：於該容室鋪設多數單晶晶種，該等單晶晶種是沿一第一方向依序設置且沿一第二方向依序設置並實質填滿該平台區，每相鄰單晶晶種間共同界定出一切割線段，該等切割線段定義出多數條沿該第一方向延伸的第一開方線，及多數條沿該第二方向延伸的第二開方線，各單晶晶種沿該厚度方向具有一第三厚度(T₃)，且T₁+T₃<T₂，以使該底壁的圍繞區是實質圍繞住該等單晶晶種；一步驟(c)：融熔填入於該容室中並位於該等單晶晶種上的一起始原料使成為一熔湯，且使各單晶晶種之一頂緣局部融熔於該熔湯中；一步驟(d)：透過尚未融熔的各單晶晶種引晶以定向凝固該熔湯使成為一類單晶晶碇，並於尚未融熔的單晶晶種底部留有該等第一開方線及該等第二開方線；及一步驟(e)：橫向切割該類單晶晶碇底部以回收一單晶晶種層。
2. 如請求項1所述的單晶晶種的回收方法，其中，18 mm <T₁<22 mm，43 mm<T₂<57 mm，25 mm<T₃<35 mm。
3. 如請求項2所述的單晶晶種的回收方法，其中，該步驟(a)之底壁的平台區的一表面形狀與該步驟(b)之各單晶晶種的一表面形狀實質為一個矩形，且該第二方向是實質正交於該第一方向，該底壁之平台區沿該第一方向及該第二方向分別具有一第一邊長及一第二邊長，各單晶晶種沿該第一方向及該第二方向分別具有一第一邊長及一第二邊長，該底壁之平台區的第一邊長實質是各單晶晶種的第一邊長的整數倍，且該底壁之平台區的第二邊長實質是各單晶晶種的第二邊長的整數倍。
4. 如請求項3所述的單晶晶種的回收方法，其中，該步驟(a)之底壁的平台區的表面形狀是一個邊長介於785 mm至790 mm間的正方形。
5. 如請求項1至請求項4任一項所述的單晶晶種的回收方法，其中，該步驟(e)之單晶晶種層沿該厚度方向的厚度是實質小於T₃。
6. 如請求項5所述的單晶晶種的回收方法，還包含一步驟(f)，該步驟(f)是沿該等第一開方線與該等第二開方線縱向切割該單晶晶種層成多數單晶晶種。
7. 一種單晶晶種的回收方法，包含：一步驟(A)：製備一個坩堝，該坩堝具有一個底壁及一個圍繞該底壁並與該底壁共同界定出一個容室的圍壁，該底壁具有一個平台區及一個圍繞該平台區的圍繞 區，該平台區與該圍繞區沿該底壁的一厚度方向分別具有一第一厚度(T₁)與一第二厚度(T₂)；一步驟(B)：於該容室鋪設多數單晶晶種，該等單晶晶種是沿一第一方向依序設置且沿一第二方向依序設置並實質填滿該平台區，每相鄰單晶晶種間共同界定出一切割線段，該等切割線段定義出多數條沿該第一方向延伸的第一開方線，及多數條沿該第二方向延伸的第二開方線，各單晶晶種沿該厚度方向具有一第三厚度(T₃)，且T₁+T₃<T₂，以使該底壁的圍繞區是實質圍繞住該等單晶晶種；一步驟(C)：融熔填入於該容室中並位於該等單晶晶種上的一起始原料使成為一熔湯，且使各單晶晶種之一頂緣局部融熔於該熔湯中；一步驟(D)：透過尚未融熔的各單晶晶種引晶以定向凝固該熔湯使成為一類單晶晶碇，並於尚未融熔的單晶晶種底部留有該等第一開方線及該等第二開方線；一步驟(E)：沿該等第一開方線與第二開方線縱向切割該類單晶晶碇以成多數晶磚；及一步驟(F)：橫向切割各晶磚底部以自各晶磚底部回收多數單晶晶種。
8. 如請求項7所述的單晶晶種的回收方法，其中，18 mm<T₁<22 mm，43 mm<T₂<57 mm，25 mm<T₃<35 mm。
9. 如請求項8所述的單晶晶種的回收方法，其中，該步驟 (A)之底壁的平台區的一表面形狀與該步驟(B)之各單晶晶種的一表面形狀實質為一個矩形，且該第二方向是實質正交於該第一方向，該底壁之平台區沿該第一方向及該第二方向分別具有一第一邊長及一第二邊長，各單晶晶種沿該第一方向及該第二方向分別具有一第一邊長及一第二邊長，該底壁之平台區的第一邊長實質是各單晶晶種的第一邊長的整數倍，且該底壁之平台區的第二邊長實質是各單晶晶種的第二邊長的整數倍。
10. 如請求項9所述的單晶晶種的回收方法，其中，該步驟(A)之底壁的平台區的表面形狀是一個邊長介於785 mm至790 mm間的正方形。
11. 如請求項7至請求項10任一項所述的單晶晶種的回收方法，其中，該步驟(F)之各單晶晶種沿該厚度方向的厚度是實質小於T₃。