TW201440139A - 電漿處理容器及電漿處理裝置 - Google Patents

Abstract

[課題]在以感應耦合電漿處理裝置為首的電漿處理裝置中，抑制因熱所致之蓋構件的變形。[解決手段]於感應耦合電漿處理裝置(1)之本體容器(2A)與上部容器(2B)的連接部份，涵蓋全周配設有O形環(51)、隔熱構件(52)及螺旋遮蔽(53)。隔熱構件(52)係被嵌入於隔熱構件用溝(62)內。隔熱構件(52)係由「長條狀」的複數個隔熱片(54)構成。藉由隔熱構件(52)，於本體容器(2A)與上部容器(2B)之間設有間隙(CL)。藉由隔熱構件(52)，使本體容器(2A)與上部容器(2B)熱性分離，即使上部容器(2B)因熱產生變形時，亦可吸收該變形量。

Description

電漿處理容器及電漿處理裝置

本發明係關於用於對被處理體進行電漿處理等之電漿處理裝置及使用於電漿處理裝置之電漿處理容器。

在FPD(平板顯示器)之製造工程中，係對FPD用基板進行電漿蝕刻、電漿灰化、電漿成膜等各種電漿處理。作為進行像這樣的電漿處理之裝置，已知有例如平行平板型之電漿處理裝置或感應耦合電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)處理裝置等。該些電漿處理裝置，係構成為將處理容器內減壓至真空狀態而進行處理的真空裝置。又，近年來，為了處理大型FPD用基板，處理容器亦變得大型化。

例如，感應耦合電漿處理裝置係具備被氣密地保持且對基板進行電漿處理的處理容器及配置於處理容器之外部的高頻天線。處理容器係具有本體容器、構成處理室之頂板部份的介電質壁及支撐介電質壁之框狀的蓋構件。感應耦合電漿處理裝置係藉由高頻天線在處理容器內 形成感應電場，藉由該感應電場使被導入至處理容器內的處理氣體轉化為電漿，使用該電漿對大型的FPD用基板進行預定的電漿處理。

在電漿處理裝置中，由於電漿產生或高溫中的製程，而使處理容器內的溫度上升。且，例如在上述構成之感應耦合電漿處理裝置中，構成處理容器之本體容器及支撐上述介電質壁的蓋構件會被加熱。蓋構件被過度加熱時，於蓋構件會產生彎曲，而在與本體容器的接合部份產生間隙。該結果，會造成產生來自處理室內的真空洩漏、由蓋構件所支撐之介電質壁破損的可能性。又，隨著處理容器的大型化，彎曲的問題亦會變得更嚴重。

關於電漿處理裝置之構成構件的溫度控制，例如在專利文獻1中，提出一種在放出氣體的噴頭中，於頭本體與頭蓋體的接合面設置隔熱構件的技術。該專利文獻1，其目的係藉由隔熱構件來抑制頭本體與頭蓋體的熱傳導而管理噴頭之氣體噴射部份的溫度。

又，關於感應耦合電漿處理裝置之蓋構件與本體容器之接合部份的密封構造，在專利文獻2中提出一種為了防止O形環劣化，而於接合部份的內側設置電漿遮斷手段，於該外側設置O形環的技術。

又，在專利文獻3中，揭示一種在平面天線方式之微波電漿處理裝置中，於微波透射板與固定用按壓構件之間設置O形環，於外側設置螺旋遮蔽的技術。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2002-155364號公報(圖2等)

[專利文獻2]日本特開2005-63986號公報(圖1等)

[專利文獻3]日本特開2007-294924號公報(圖3等)

[本發明所欲解決之課題]

如上述，在電漿處理裝置中，因電漿的熱或高溫中的製程導致變形產生於蓋構件等之處理容器的一部份時，會產生真空洩漏或零件的破損等，因而難以進行可靠性高的電漿製程。

本發明之目的，係在以感應耦合電漿處理裝置為首的電漿處理裝置中，抑制因熱所致之處理容器產生變形的技術。

[用以解決課題之手段]

本發明之電漿處理容器係形成對被處理體進行電漿處理之處理室的電漿處理容器。該電漿處理容器係具備本體容器與結合於前述本體容器的上部容器，在前述本體容器與前述上部容器之間介設有真空密封構件、隔熱構件及可發揮導電構件功能的電磁波遮斷構件，前述本體容器與前述上部容器係彼此分離。

本發明之電漿處理容器，係前述隔熱構件亦 可包含分割成複數個的隔熱片。

本發明之電漿處理容器，係亦可從前述處理室的內側往外側，以前述真空密封構件、前述電磁波遮斷構件及前述隔熱構件的順序來予以配置，或亦可從前述處理室的內側往外側，以前述真空密封構件、前述隔熱構件及前述電磁波遮斷構件的順序來予以配置。

在本發明之電漿處理容器中，前述隔熱片係亦可由玻璃轉移溫度(Tg)超過125℃之材質的合成樹脂來構成。在該情況下，前述隔熱片之厚度方向的熱傳導率亦可為1W/mK以下。又，前述合成樹脂係亦可從由聚醚醚酮(PEEK)樹脂、聚乙烯硫化物(PPS)樹脂、全芳[香]族聚亞醯胺樹脂、聚醚醯亞胺(PEI)及MC尼龍所構成之群所選出的1種以上。且，本發明之電漿處理容器，係作為合成樹脂之前述隔熱片的厚度亦可為0.5mm以上20mm以下的範圍內。

又，本發明之電漿處理容器，係前述隔熱片亦可由陶瓷來構成。在該情況下，前述隔熱片之厚度方向的熱傳導率亦可為40W/mK以下。又，作為陶瓷之前述隔熱片的厚度係亦可為5mm以上20mm以下的範圍內。

又，本發明之電漿處理容器，係亦可藉由隔熱片，而於前述本體容器與前述上部容器之間設有0.1mm以上2mm以下之範圍內的間隙。

又，本發明之電漿處理容器，係前述隔熱片亦可配設於凹部內，該凹部係被設於前述本體容器。

又，本發明之電漿處理容器，係相鄰之隔熱片的間隔亦可為1mm以上3mm以下的範圍內。

又，本發明之電漿處理容器，係亦可在前述本體容器與前述上部容器各別具備溫度調節裝置。

本發明之電漿處理裝置係具備記載於上述任一的電漿處理容器。

本發明之電漿處理裝置係亦可為感應耦合電漿處理裝置，其特徵係具備：載置台，其係設於前述電漿處理容器內，載置被處理體；天線，其係設於前述處理容器的外側，在前述處理容器內形成感應電場；介電質壁，其係設於前述天線與前述處理容器之間；高頻電源，其係對前述天線施加高頻電力使形成感應電場；處理氣體供給手段，其係對前述處理容器內供給處理氣體；及排氣手段，其係將前述處理容器內設為真空或減壓狀態。

根據本發明，可藉由在本體容器與上部容器之間配備隔熱構件而使本體容器與上部容器彼此分離的方式，來確實地熱性分離本體容器與上部容器。因此，可分別對本體容器與上部容器進行溫度控制，並可防止因上部 容器的熱所致之變形。

1‧‧‧感應耦合電漿處理裝置

2A‧‧‧本體容器

2B‧‧‧上部容器

4‧‧‧天線室

5‧‧‧處理室

6‧‧‧介電質壁

7‧‧‧蓋構件

8‧‧‧吊桿

13‧‧‧天線

14‧‧‧匹配器

15‧‧‧高頻電源

16‧‧‧支撐樑

20‧‧‧氣體供給裝置

21‧‧‧氣體供給管

22‧‧‧基座

22A‧‧‧載置面

24‧‧‧絕緣體框

25‧‧‧支柱

26‧‧‧波紋管

28‧‧‧匹配器

29‧‧‧高頻電源

30‧‧‧排氣裝置

31‧‧‧排氣管

51‧‧‧O形環

52‧‧‧隔熱構件

53‧‧‧螺旋遮蔽

54‧‧‧隔熱片

61‧‧‧O形環用溝

62‧‧‧隔熱構件用溝

63‧‧‧屏蔽用溝

[圖1]模式地表示本發明之第1實施形態之感應耦合電漿處理裝置之構成的剖面圖。

[圖2]放大表示圖1之A部的剖面圖。

[圖3]放大表示本體容器之側部之上端面之主要部份的平面圖。

[圖4]模式地表示本發明之第2實施形態之感應耦合電漿處理裝置之構成的剖面圖。

[圖5]模式地表示本發明之第3實施形態之感應耦合電漿處理裝置之構成的主要部份剖面圖。

以下，參閱圖面而對本發明之實施形態的感應耦合電漿處理裝置進行說明。

[第1實施形態]

圖1係模式地表示本發明之第1實施形態之感應耦合電漿處理裝置之構成的剖面圖。另外，在以下中，以感應耦合電漿處理裝置作為例子進行了說明，但可同樣地適用於任意之電漿處理裝置。

圖1所示之感應耦合電漿處理裝置1，係對例 如FPD用玻璃基板(以下簡稱為「基板」)S進行電漿處理者。作為FPD，舉例有液晶顯示器(LCD：Liquid Crystal Display)、電致發光(EL：Electro Luminescence)顯示器、電漿顯示器面板(PDP：Plasma Display Panel)等。

感應耦合電漿處理裝置1係具備具有本體容器2A與上部容器2B的處理容器2。

<本體容器>

本體容器2A係具有底部2b與4個側部2c之角筒形狀的容器。另外，本體容器2A係亦可為圓筒形狀的容器。作為本體容器2A之材料，係使用例如鋁、鋁合金等的導電性材料。在使用鋁作為本體容器2A之材料的情形下，對本體容器2A之內壁面施加耐酸鋁處理(陽極氧化處理)，以避免從本體容器2A之內壁面產生污染物。又，本體容器2A呈接地狀態。

<上部容器>

上部容器2B係具備：頂板部份2a；介電質壁6，配置於本體容器2A的上部，將處理容器2內的空間區隔成上下2個空間；及蓋構件7與支撐樑16，作用支撐介電質壁6的支撐構件。在上部容器2B內形成天線室4，在本體容器2A內形成處理室5，該些2個空間係被介電質壁6區隔。亦即，天線室4係被形成於處理容器2內之介電質壁6之上側的空間，處理室5係被形成於處理容器2 內之介電質壁6之下側的空間。因此，介電質壁6係構成天線室4的底部，並構成處理室5的頂板部份。處理室5係被氣密地保持且在此對基板S進行電漿處理。

介電質壁6，係形成具有大致正方形形狀或大致矩形形狀之上面及底面與4個側面的大致長方體形狀。介電質壁6之厚度例如為30mm。介電質壁6係藉由介電質材料而形成。作為介電質壁6的材料，係使用例如Al₂O₃等之陶瓷或石英。作為一例，介電質壁6係被分割成4個部份。亦即，介電質壁6係具有第1部份壁、第2部份壁、第3部份壁及第4部份壁。另外，介電質壁6係亦可不用被分割，或亦可分割成除了4以外之數目的部份。

蓋構件7係被設於上部容器2B的下部。蓋構件7係與本體容器2A之上端對位而予以配置。蓋構件7係藉由配置於本體容器2A上，使處理容器2關閉，藉由與本體容器2A分離使處理容器2開放。另外，蓋構件7係亦可與上部容器2B為一體。

支撐樑16係形成例如十字形狀，介電質壁6之上述4個部份壁係藉由蓋構件7與支撐樑16來予以支撐。

感應耦合電漿處理裝置1，係更具備複數個圓筒形狀的吊桿8，該複數個圓筒形狀的吊桿8係具有各別連接於上部容器2B之頂板部份2a的上端部。在圖1中，雖圖示3個吊桿8，但吊桿8的個數為任意的。支撐樑16 係與吊桿8下端部連接。如此一來，支撐樑16係被配置為被複數個吊桿8由上部容器2B的頂板部份2a垂吊，而於處理容器2內部之上下方向之大致中央的位置維持水平狀態。

在支撐樑16中，形成有從氣體供給裝置20供給處理氣體之未圖示的氣體流路與用於放出被供給至該氣體流路之處理氣體之未圖示的複數個開口部。作為支撐樑16的材料，係使用導電性材料。作為該導電性材料，係使用鋁等金屬材料為較佳。在使用鋁作為支撐樑16之材料的情況下，對支撐樑16內外的表面施加耐酸鋁處理(陽極氧化處理)，以避免從表面產生污染物。

<氣體供給裝置>

在本體容器2A的外部，係更設置有氣體供給裝置20。氣體供給裝置20，係例如經由***至中央之吊桿8之中空部的氣體供給管21，連接於支撐樑16之未圖示的氣體流路。氣體供給裝置20係用於供給使用於電漿處理的處理氣體者。進行電漿處理時，處理氣體係通過氣體供給管21、支撐樑16內的氣體流路及開口部，被供給至處理室5內。作為處理氣體，係使用例如SF₆。

<第1高頻供給部>

感應耦合電漿處理裝置1係更具備有高頻天線(以下簡稱為「天線」)13，其配置於天線室4之內部，亦即配 置於處理室5之外部且為介電質壁6的上方。天線13係呈現例如大致正方形之平面方形漩渦形狀。天線13係配置於介電質壁6上面之上。

在本體容器2的外部設置有匹配器14與高頻電源15。天線13之一端係經由整合器14而連接於高頻電源15。天線13之另一端係連接於上部容器2B之內壁，經由本體容器2A而接地。對基板S進行電漿處理時，係從高頻電源15對天線13供給感應電場形成用高頻電力(例如13.56MHz之高頻電力)。藉此，藉由天線13而於處理室5內形成感應電場。該感應電場係使處理氣體轉化為電漿。

<載置台>

感應耦合電漿處理裝置1係更具備載置基板S之基座(載置台)22、絕緣體框24、支柱25、波紋管26、及閘閥27。支柱25係連接於設置在本體容器2A下方之未圖示的升降裝置，通過形成於本體容器2A之底部2b的開口部而突出於處理室5內。又，支柱25具有中空部。絕緣體框24係設置於支柱25上。該絕緣體框24係形成為上部為開口之箱狀。在絕緣體框24的底部形成有接續於支柱25之中空部的開口部。波紋管26係包圍支柱25，氣密地連接於絕緣體框24及本體容器2A之底部2b的內壁。藉此，維持處理室5的氣密性。

基座22係被收容於絕緣體框24內。基座22 係具有用於載置基板S之載置面22A。作為基座22之材料，係使用例如鋁等的導電性材料。在使用鋁作為基座22之材料的情況下，對基座22的表面施加耐酸鋁處理(陽極氧化處理)，以避免從表面產生污染物。

<第2高頻供給部>

在處理容器2的外部更設置有匹配器28與高頻電源29。基座22係經由插通於絕緣體框24之開口部及支柱25之中空部的通電棒而連接於匹配器28，進一步經由該匹配器28連接於高頻電源29。對基板S進行電漿處理時，係從高頻電源29對基座22施加偏壓用高頻電力(例如380kHz之高頻電力)。該高頻電力係為了將電漿中的離子有效地拉入基座22上所載置的基板S中而使用者。

<閘閥>

閘閥27係設於本體容器2A之側部2c的壁。閘閥27具有開關功能，在關閉狀態下維持著處理室5之氣密性，而在開放狀態下可在處理室5與外部之間移送基板S。

<排氣裝置>

在處理容器2的外部，係更設置有排氣裝置30。排氣裝置30係經由連接於本體容器2A之底部2b的排氣管31，與處理室5連接。對基板S進行電漿處理時，排氣裝置30係對處理室5內的空氣進行排氣，使處理室5內維 持為真空或減壓環境。

<溫度調節裝置>

於構成本體容器2A之4個側部2c的壁內，設有熱媒體流路40。於熱媒體流路40之一端與另一端，設有導入口40a與排出口40b。且，導入口40a係連接於導入管41，排出口40b係連接於排出管42。導入管41與排出管42係與作為設於處理容器2外部之溫度調節裝置的急冷器單元43連接。

<本體容器2A與上部容器2B的連接構造>

接下來，參閱圖2及圖3，對本實施形態之感應耦合電漿處理裝置1之本體容器2A與上部容器2B的連接構造進行說明。圖2係放大表示圖1之A部的剖面圖。圖3係放大表示本體容器2A之側部2c之上端面的主要部份平面圖。如圖2及圖3所示，於本體容器2A之側部2c的上端面，涵蓋全周，配備有：O形環51，作為真空密封構件；螺旋遮蔽53，作為亦可發揮導電構件功能的電磁波遮斷構件；及隔熱構件52。以O形環51、螺旋遮蔽53、及隔熱構件52該順序從處理容器2的內側(處理室5側)往外側配置。在本實施形態中，可藉由在比隔熱構件52更靠近處理室5內部的位置配備螺旋遮蔽53的方式，來防止隔熱構件52暴露於高頻或電漿。因此，可防止隔熱構件52的劣化，而長期間確保本體容器2A與上部容器 2B之熱性的遮斷效果，並可延長更換壽命。

<O形環>

O形環51係真空密封構件，可維持本體容器2A與上部容器2B之間的氣密性，使處理室5內保持為真空狀態。O形環51係被嵌入作為形成於本體容器2A之側部2c上端面之凹部的O形環用溝61內。作為O形環51的材質，可使用例如腈橡膠(NBR)、氟橡膠(FKM)、矽氧橡膠(Q)、氟矽酮橡膠(FVMQ)、全氟多醚系橡膠(FO)、壓克力橡膠(ACM)、乙丙烯橡膠(EPM)。

<螺旋遮蔽>

螺旋遮蔽53係被嵌入形成於本體容器2A之側部2c上端面之屏蔽用溝63內。螺旋遮蔽53係例如鋁、不鏽鋼、銅、鐵等的金屬製，可確保本體容器2A與上部容器2B的導通，使上部容器2B保持為接地電位。又，螺旋遮蔽53係防止來自本體容器2A與上部容器2B之間之高頻或電漿的漏洩。

<隔熱構件>

隔熱構件52係被嵌入形成於本體容器2A之側部2c上端面的隔熱構件用溝62內。隔熱構件52係由長條狀的複數個隔熱片54構成。亦即，隔熱片54係形成具有長方形狀之上面及底面與4個側面部的薄板狀。隔熱片54之 上面係抵接於上部容器2B之下端(亦即蓋構件7的下端)的抵接面。隔熱構件52係可承受本體容器2A的到達溫度，且作為熱傳導率小的材料係能夠以例如合成樹脂或陶瓷等來形成，特別是熱傳導率小的合成樹脂為更佳。

使用合成樹脂作為隔熱構件52的情況下，玻璃轉移溫度(Tg)係例如超過125℃者為較佳。隔熱構件52之玻璃轉移溫度(Tg)為125℃以下時，存在有因處理室5內之電漿所致的熱導致變形而隔熱效果損失之情形。

隔熱構件52之熱傳導率係為了極力抑制本體容器2A與上部容器2B之間的熱傳導，在使用合成樹脂作為隔熱片54的材質時，例如1W/mK以下為較佳，使用陶瓷時，例如40W/mK以下為較佳。

在感應耦合電漿處理裝置1中處理大面積的基板S時，隔熱構件52係具有承受使處理室5成為真空狀態時之上部容器2B所致之推壓力的壓縮強度為較佳。

考慮如以上之物性，作為隔熱構件52，可使用例如聚醚醚酮(PEEK)樹脂、聚乙烯硫化物(PPS)樹脂、全芳[香]族聚亞醯胺樹脂、聚醚醯亞胺(PEI)、MC尼龍等之合成樹脂、或氧化鋯(ZnO₂)、氧化鋁(Al₂O₃)等之陶瓷。

隔熱構件52被分割為複數個長方形的隔熱片54。如此一來，藉由分割為複數個隔熱片54的方式，可輕易地向用於處理例如FPD用基板之大型的處理容器2進行配備。相鄰之隔熱片54彼此的間隔，係以例如100℃以上之溫度使各隔熱片54熱膨脹後的情況下，設定成 相鄰之隔熱片54彼此大致接觸的間隔為較佳，例如可設為1mm以上3mm以下的範圍內，設為2mm左右為較佳。

構成隔熱構件52之各隔熱片54的厚度，係使用合成樹脂作為隔熱片54的材質時，設為例如0.5mm以上20mm以下的範圍內為較佳，使用陶瓷時設為例如5mm以上20mm以下的範圍內為較佳。又，各隔熱片54的厚度係大於隔熱構件用溝62的深度，而隔熱片54之上面係從隔熱構件用溝62突出。

如圖2放大所示，藉由隔熱構件52，於本體容器2A與上部容器2B之間設有間隙CL。該間隙CL係可確保本體容器2A與上部容器2B之間之充份的隔熱性，且即使上部容器2B因熱產生變形時，亦設定為可吸收該變形量的大小。因此，間隙CL係以例如0.1mm以上2mm以下的範圍內予以設置。間隙CL未滿0.1mm時，本體容器2A與上部容器2B之間的隔熱性易變得不充份，而即使上部容器2B因熱而產生變形時，亦無法在本體容器2A與上部容器2B之間確保充份的間隙。間隙CL超過2mm時，隔熱性能會提高，O形環51之真空保持功能或螺旋遮蔽53所致之高頻或電漿的遮斷功能會下降，且亦更難以確保本體容器2A與上部容器2B之間的導通。

各隔熱片54被嵌入隔熱構件用溝62的狀態下，例如藉由複數個螺絲55固定於本體容器2A的側部2c。另外，隔熱片54之固定方法不特別限制。

接下來，說明使用如以上所構成之感應耦合電漿處理裝置，對基板S施予電漿處理時的處理動作。

首先，在將閘閥27打開的狀態下，藉由未圖示之搬送機構將基板S搬入至處理室5內，載置於基座22之載置面22A後，藉由靜電夾盤等將基板S固定於基座22上。

接下來，從氣體供給裝置20經由氣體供給管21、支撐樑16內之未圖示的氣體流路及複數個開口部，使處理氣體吐出至處理室5內，並藉由從排氣裝置30經由排氣管31對處理室5內進行真空排氣的方式，使處理容器內維持於例如1.33Pa左右的壓力環境。

接下來，從高頻電源15將13.56MHz之高頻施加至天線13，藉此，經由介電質壁6在處理室5內產生均勻的感應電場。如此一來，藉由所形成的感應電場，使處理氣體在處理室5內電漿化，而產生高密度的感應耦合電漿。如此一來，所生成之電漿中的離子會被從高頻電源29施加於基座22的高頻電力有效地拉入基板S，而對基板S施予均勻的電漿處理。

於電漿處理期間，本體容器2A會因電漿的熱而被加熱至高溫，而由於被本體容器2A與上部容器2B之間的隔熱構件52熱性分離，故可抑制因上部容器2B過度的溫度上升所致之彎曲等變形，防止真空洩漏或介電質壁6的破損等。又，由於本體容器2A可藉由急冷器單元43進行與上部容器2B獨立的溫度調節，故在處理室5內 所進行之電漿製程的溫度控制會變得容易，可提高製程的安定性。又，在本實施形態中，藉由以隔熱構件52熱性分離本體容器2A與上部容器2B之間的方式，省略上部容器2B的溫度調節設備。

<實驗結果>

在此，對確認了本發明之效果的實驗結果進行說明。在使用與圖1同樣構成的感應耦合電漿處理裝置1對基板S表面的薄膜進行電漿蝕刻處理的期間，各別測定本體容器2A與上部容器2B的溫度。該結果，相對於本體容器2A的溫度為96~101℃之間，上部容器2B的溫度為48~50℃之間，可確保本體容器2A與上部容器2B之間的溫度差約50℃。由該實測資料，確認了可藉由介在本體容器2A與上部容器2B之間的隔熱構件52，有效地遮斷從本體容器2A至上部容器2B的熱傳導。

如以上說明，本實施形態之感應耦合電漿處理裝置1係可藉由在本體容器2A與上部容器2B之間配備隔熱構件52而使本體容器2A與上部容器2B不直接接觸的方式，確實地使本體容器2A與上部容器2B熱性分離。藉此，可分別對本體容器2A與上部容器2B進行溫度控制，並能夠實現冷卻器等之溫度調節設備的簡化。又，能夠防止因上部容器2B的熱變形所致之真空洩漏的發生或介電質壁6的破損於未然。

[第2實施形態]

接下來，參閱圖4，對本發明之第2實施形態的感應耦合電漿處理裝置進行說明。圖4係模式地表示本發明之第2實施形態之感應耦合電漿處理裝置之構成的剖面圖。第2實施形態之感應耦合電漿處理裝置101，係除了不僅在本體容器2A、亦在上部容器2B設置溫度調節裝置之該論點之外，其他係與第1實施形態之感應耦合電漿處理裝置1相同。因此，在圖4中，針對與圖1同樣構成賦予同一符號而省略說明。

如圖4所示，於構成上部容器2B的壁內，設有熱媒體流路70。於熱媒體流路70之一端與另一端，設有導入口70a與排出口70b。且，導入口70a係連接於導入管71，排出口70b係連接於排出管72。導入管71與排出管72係與設於處理容器2外部的急冷器單元73連接。如此一來，在本實施形態之感應耦合電漿處理裝置101中，如圖4所示，不僅具備作為第1溫度調節裝置而設於本體容器2A的急冷器單元43，另外亦具備作為第2溫度調節裝置而設於上部容器2B的急冷器單元73。在本實施形態中，係藉由隔熱構件52使本體容器2A與上部容器2B之間熱性分離，故可藉由急冷器單元43與急冷器單元73，來各別獨立本體容器2A與上部容器2B而輕易地進行溫度控制。因此，在處理室5內所進行之電漿製程之溫度控制的自由度會提高，且能夠提高製程的安定性。

本實施形態中之其他構成及效果係與第1實 施形態相同。

[第3實施形態]

接下來，參閱圖5，對本發明之第3實施形態的感應耦合電漿處理裝置進行說明。圖5係模式地表示本發明之第3實施形態之感應耦合電漿處理裝置之主要部份之構成的剖面圖。圖5係與第1實施形態之感應耦合電漿處理裝置1之圖2相對應之部份(A部)的放大圖。本實施形態之感應耦合電漿處理裝置，係除了A部的構成之外，其他係與第1實施形態之感應耦合電漿處理裝置1相同。因此，在圖5中，針對與圖1同樣構成賦予同一符號而省略說明。

如圖5所示，在本實施形態之感應耦合電漿處理裝置中，於側部2c的上端面，涵蓋全周配備有O形環51、隔熱構件52、及螺旋遮蔽53。以O形環51、隔熱構件52、及螺旋遮蔽53該順序從處理容器2內側(處理室5側)往外側配置。O形環51、隔熱構件52及螺旋遮蔽53之構成與作用係與第1實施形態相同。

本實施形態中之其他構成及效果係與第1實施形態相同。

以上，雖然以例示之目的詳細說明了本發明之實施形態，但本發明並不限制於上述實施形態。例如，在上述實施形態中，雖以感應耦合電漿裝置為例，但只要是具備分割為複數個部份之處理容器的電漿處理裝置，則 沒有限制亦可適用本發明，例如亦可適用於平行平板型電漿裝置、表面波電漿裝置、ECR(Electron Cyclotron Resonance)電漿裝置、螺旋波電漿裝置等其他方式的電漿裝置。又，不限於乾蝕刻裝置，亦可相同適用於成膜裝置或灰化裝置等。

又，本發明不限於以FPD用基板作為被處理體者，亦可適用於以例如半導體晶圓或太陽能電池用基板作為被處理體的情形。

又，在上述各實施形態中，雖在本體容器2A配備了隔熱構件52，但亦可在上部容器2B側配備隔熱構件52。

2c‧‧‧側部

5‧‧‧處理室

6‧‧‧介電質壁

7‧‧‧蓋構件

51‧‧‧O形環

52‧‧‧隔熱構件

53‧‧‧螺旋遮蔽

61‧‧‧O形環用溝

62‧‧‧隔熱構件用溝

63‧‧‧屏蔽用溝

CL‧‧‧間隙

Claims (17)

1. 一種電漿處理容器，係形成對被處理體進行電漿處理之處理室的電漿處理容器，其特徵係具備：本體容器；及上部容器，結合於前述本體容器，在前述本體容器與前述上部容器之間介設有真空密封構件、隔熱構件及電磁波遮斷構件，前述本體容器與前述上部容器係彼此分離。
2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理容器，其中，前述隔熱構件係包含分割為複數個的隔熱片。
3. 如申請專利範圍第2項之電漿處理容器，其中，從前述處理室的內側往外側，以前述真空密封構件、前述電磁波遮斷構件及前述隔熱構件的順序而配置。
4. 如申請專利範圍第2項之電漿處理容器，其中，從前述處理室的內側往外側，以前述真空密封構件、前述隔熱構件及前述電磁波遮斷構件的順序而配置。
5. 如申請專利範圍第2~4項中任一項之電漿處理容器，其中，前述隔熱片，係由玻璃轉移溫度(Tg)超過125℃之材質的合成樹脂所構成。
6. 如申請專利範圍第5項之電漿處理容器，其中，前述隔熱片之厚度方向的熱傳導率係1W/mK以下。
7. 如申請專利範圍第5或6項之電漿處理容器，其中， 前述合成樹脂係從由聚醚醚酮(PEEK)樹脂、聚乙烯硫化物(PPS)樹脂、全芳[香]族聚亞醯胺樹脂、聚醚醯亞胺(PEI)及MC尼龍所構成之群所選出的1種以上。
8. 如申請專利範圍第5~7項中任一項之電漿處理容器，其中，前述隔熱片之厚度為0.5mm以上20mm以下的範圍內。
9. 如申請專利範圍第2~4項中任一項之電漿處理容器，其中，前述隔熱片，係由陶瓷所構成。
10. 如申請專利範圍第9項之電漿處理容器，其中，前述隔熱片之厚度方向的熱傳導率係40W/mK以下。
11. 如申請專利範圍第9或10項之電漿處理容器，其中，前述隔熱片之厚度為5mm以上20mm以下的範圍內。
12. 如申請專利範圍第2~11項中任一項之電漿處理容器，其中，藉由前述隔熱片，在前述本體容器與前述上部容器之間設有0.1mm以上2mm以下之範圍內的間隙。
13. 如申請專利範圍第2~12項中任一項之電漿處理容器，其中，前述隔熱片係配設於凹部內，該凹部係設於前述本體容器。
14. 如申請專利範圍第2~13項中任一項之電漿處理容器，其中， 相鄰之隔熱片的間隔為1mm以上3mm以下的範圍內。
15. 如申請專利範圍第1~14項中任一項之電漿處理容器，其中，於前述本體容器與前述上部容器，各別具備溫度調節裝置。
16. 一種電漿處理裝置，係具備如申請專利範圍第1~15項中任一項的電漿處理容器。
17. 如申請專利範圍第16項之電漿處理裝置，係具備下述構成之感應耦合電漿處理裝置，其中，係具備：載置台，其係設於前述電漿處理容器內，載置被處理體；天線，其係設於前述處理容器的外側，在前述處理容器內形成感應電場；介電質壁，其係設於前述天線與前述處理容器之間；高頻電源，其係對前述天線施加高頻電力使形成感應電場；處理氣體供給手段，其係對前述處理容器內供給處理氣體；及排氣手段，其係將前述處理容器內設為真空或減壓狀態。