TW201437000A - 黏接方法、載置台及基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種黏接方法、載置台及基板處理裝置，使底面設置有加熱圖案之靜電吸盤與基台之表面的間隔均一化。黏接靜電吸盤與基台之黏接方法，於實施形態之一例中，充填靜電吸盤9的面中之成為與基台10相對向之面的底面61所設置之加熱圖案9a的凹凸，藉以形成充填部30。此外，黏接方法，於實施形態之一例中，研磨充填部30的面中之與基台10相對向的基台接地面62。此外，黏接方法，於實施形態之一例中，將經過研磨的充填部30之基台接地面62介由黏接層31黏接於基台10。

Description

黏接方法、載置台及基板處理裝置

本發明之各面向及實施形態，係關於一種黏接方法、載置台及基板處理裝置。

既往以來，靜電吸盤，被固定於基台的表面。例如具有如下方法：將設置有加熱圖案之靜電吸盤的底面、以及於基台的表面介由薄片狀的黏接性樹脂設置之絕緣構件，利用有機系黏接劑加以黏接。

【習知技術文獻】

【專利文獻】

專利文獻1：日本特開2011-176275號公報

專利文獻2：日本特開2001-240953號公報

專利文獻3：日本特開2003-193216號公報

然而，上述之技術中具有以下之問題：有機系黏接劑的厚度產生不均，結果使底面設置有加熱圖案之靜電吸盤與基台的表面之間隔產生不均。

本發明揭露之黏接方法，為黏接靜電吸盤與基台之黏接方法。該揭露之黏接方法，於1實施態樣中，充填係靜電吸盤的面中之成為與基台相對向之面的底面所設置之加熱圖案的凹凸，藉以形成充填部，研磨充填部的面中之與基台相對向之基台接地面，將經過研磨之充填部的基台接地面介由黏接層黏接於基台。

依本發明揭露之黏接方法的1態樣，則達到可使底面設置有加熱圖案之靜電吸盤與基台的表面之間隔均一化等效果。

1‧‧‧腔室

2‧‧‧半導體晶圓

3‧‧‧開口部

4‧‧‧閘閥

5‧‧‧基台支承台

6‧‧‧冷媒套

9‧‧‧靜電吸盤

9a‧‧‧加熱圖案

9b‧‧‧電極板

10‧‧‧基台

11‧‧‧阻隔電容器

12‧‧‧高頻電源

13‧‧‧氣體貯存室

13a‧‧‧貫通孔

14‧‧‧供給管

16‧‧‧貫通孔

17‧‧‧伸縮

18‧‧‧氣壓缸

19‧‧‧排出口

21‧‧‧對焦環

22‧‧‧密封構件

25‧‧‧導電線

26‧‧‧電力供給棒

27‧‧‧高電壓壓電源

28‧‧‧電磁開關

30‧‧‧充填部

31‧‧‧黏接層

31a‧‧‧第1黏接層

31b‧‧‧應力緩和層

31c‧‧‧第2黏接層

50‧‧‧上部電極

51‧‧‧氣體供給管

52‧‧‧小孔

61‧‧‧底面

62‧‧‧基台接地面

63‧‧‧表面

70‧‧‧急冷器

71、72‧‧‧流路

90‧‧‧製程控制器

91‧‧‧使用者介面

92‧‧‧記憶部

100‧‧‧電漿蝕刻裝置

S101、S102、S103、S104‧‧‧步驟

圖1顯示第1實施形態之電漿蝕刻裝置的一例之全體像的剖面圖。

圖2顯示第1實施形態之半導體晶圓、靜電吸盤、基座、對焦環及密封構件的位置關係之一例的剖面圖。

圖3用於進一步顯示第1實施形態之基台與靜電吸盤的圖。

圖4顯示第1實施形態之黏接層的構造其一例之構成的圖。

圖5顯示將第1實施形態之靜電吸盤與基台加以黏接之黏接方法其流程之一例的流程圖。

圖6用於顯示使用液狀黏接劑將設置有底面的加熱圖案之靜電吸盤與基台黏接之情況的圖。

【實施本發明之最佳形態】

以下，茲就揭露之黏接方法、載置台及基板處理裝置的實施形態，依據附圖詳細地加以說明。另，以本實施形態揭露之發明並未受實施形態之限定。各實施形態，可在不與處理內容矛盾的範圍適當組合。

(第1實施形態)

第1實施形態之黏接方法，黏接靜電吸盤與基台。第1實施形態之黏接方法為，於實施形態之一例中，充填靜電吸盤的面中之成為與基台相對向之面的底面所設置之加熱圖案的凹凸，藉以形成充填部；研磨充填部的面中之與基台相對向之基台接地面；將經過研磨的充填部之基台接地面介由黏接層黏接於基台。

此外，第1實施形態，於實施形態之一例中，充填部，熱傳導率範圍為0.2W/mK以上30W/mK以下，耐受電壓範圍為5kV/mm以上20kV/mm以下。

此外，第1實施形態，於實施形態之一例中，黏接層，為薄片狀黏接劑。

此外，第1實施形態，於實施形態之一例中，充填部，係在對底面噴吹樹脂與陶瓷粒子之混合物後加以鍛燒藉而形成。

此外，第1實施形態之載置台，於實施形態之一例中，具備：基台；靜電吸盤；加熱圖案，設置在靜電吸盤的面中之與基台相對向的面；充填部，充填加熱圖案之凹凸，充填部之係與基台相對向的面之基台接地面經過研磨；以及黏接層，黏接充填部之基台接地面與基台。

此外，第1實施形態之基板處理裝置，於實施形態之一例中，具備具有如下元件之載置台：基台；靜電吸盤；加熱圖案，設置在靜電吸盤的面中之與基台相對向的面；充填部，充填加熱圖案之凹凸，充填部之係與基台相對向的面之基台接地面經過研磨；以及黏接層，黏接充填部的基台接地面與基台。

(第1實施形態之基板處理裝置的構成之一例)

對第1實施形態之基板處理裝置的構成之一例加以說明。以下，作為基板處理裝置之一例，雖使用電漿蝕刻裝置進行說明，但並不限定於此。具體而言，亦可為具有如下元件之載置台的任意裝置：基台；靜電吸盤；加熱圖案，設置於靜電吸盤的面中之成為與基台相對向之面的底面；充填部，充填加熱圖案之凹凸，充填部之係與基台相對向的面之基台接地面經過研磨；以及黏接層，黏接充填部的基台接地面與基台。

圖1為，顯示第1實施形態之電漿蝕刻裝置的一例之全體像的剖面圖。圖2為，顯示第1實施形態之半導體晶圓、靜電吸盤、基座、對焦環及密封構件的位置關係之一例的剖面圖。

如圖1所示，電漿蝕刻裝置100，具有腔室1。腔室1，以導電性的鋁形成外壁部。圖1所示之例子中，腔室1具有：開口部3，供將半導體晶圓2搬入或搬出腔室1內所用；以及閘閥4，介由氣密性地密封之密封體而可開閉。封止剤，例如為O型環。

於圖1中雖未圖示，但腔室1，隔著閘閥4，連設真空預備室。於真空預備室，設置搬運裝置。搬運裝置，將半導體晶圓2搬入或搬出腔室1內。

此外，腔室1，於側壁底部，具有開口而供將腔室1內減壓所用之排出口19。排出口19，例如介由蝶形閥等開閉閥而與未圖示之真空排氣裝置連接。真空排氣裝置，例如為旋轉泵或渦輪分子泵等。

此外，如圖1所示，電漿蝕刻裝置100，於腔室1之內部的底面中央部，具有基台支承台5。電漿蝕刻裝置100，於基台支承台5的上部具有基台10。如圖1及圖2所示，電漿蝕刻裝置100，於基台10的上部具有靜電吸盤9。此外，電漿蝕刻裝置100，於基台10的上部，具有以包圍靜電吸盤9的方式設置之對焦環21。

另，如圖1及圖2所示，基台10，與設置靜電吸盤9處比較，周邊的 高度較高。以下，將與設置靜電吸盤9處相比高度較高之處稱作周邊凸部。此外，如圖2所示，具有密封構件22，其與靜電吸盤9之側面、基台10之周邊凸部、基座之底邊，三處中之至少2處接觸。密封構件22，例如為O型環。

此外，電漿蝕刻裝置100，於基台10上方且為腔室1的上部，具有上部電極50。上部電極50電性接地。於上部電極50，介由氣體供給管51供給處理氣體，自複數個於上部電極50之底壁開設的放射狀之小孔52往半導體晶圓2之方向放出處理氣體。此處，藉由使高頻電源12為ON，而在上部電極50與半導體晶圓2之間生成排放的處理氣體所產生之電漿。另，處理氣體，例如為CHF₃、CF₄等。

此處，對電漿蝕刻裝置100之各部進一步加以說明。基台支承台5，以鋁等導電性構件形成為圓柱形狀。基台支承台5，於內部設置將冷卻媒體貯存在內部之冷媒套6。於冷媒套6，在腔室1的底面氣密性地貫通而設置供將冷卻媒體導入冷媒套6所用之流路71、及供排出冷卻媒體所用之流路72。

另，以下，雖以將冷媒套6設置於基台支承台5的內部之情況為例加以說明，但不限定於此。例如，冷媒套6，亦可設置於基台10的內部。冷媒套6，如同後述地，藉由以急冷器70使冷卻媒體循環，而控制基台10與基台支承台5的溫度。

設置於基台支承台5的上部之基台10，例如，作為下部電極係以鋁等導電性構件(Al的線性熱膨脹率；約23.5×10^-6(cm/cm/度))形成。基台10，藉由未圖示之螺栓安裝於基台支承台5。基台10，透過基台支承台5傳導冷媒套6的冷熱而藉以冷卻。基台10，介由阻隔電容器11與高頻電源12相連接。高頻電源12，例如為13.56MHz或40MHz等高頻電源。

靜電吸盤9，例如以陶瓷製(線性熱膨脹率；約7.1×10^-6(cm/cm/度))而形成。靜電吸盤9，內部具有電極板9b。靜電吸盤9，於頂面載置半導體 晶圓2。此外，如同後述地，靜電吸盤9，於靜電吸盤9的面中之成為與基台10相對向之面的底面61具有加熱圖案9a。

如圖1所示，電極板9b，與導電線25的一端側相連接，導電線25的另一端側與電力供給棒26相連接。導電線25，以內藏於基台10之鐵氟龍(註冊商標)等絕緣構件包覆周圍。電力供給棒26，例如以銅形成，供給200V以上~3kV以下之高電壓。此外，電力供給棒26，氣密性且絕緣地貫通腔室1的底面，介由電磁開關28與高電壓電源27相連接。此外，藉由控制未圖示之裝置的控制訊號使電磁開關28為ON或OFF。

此外，於基台10、基台支承台5、及靜電吸盤9，設置貫通孔16。於貫通孔16的內部，設置電性地介由電阻或電感接地之推桿銷。推桿銷，介由使腔室1為氣密性且可伸縮的伸縮囊17而與作為上下移動機構之氣壓缸18相連接。另，推桿銷，藉由真空預備室之搬運裝置進行半導體晶圓2的傳遞，在半導體晶圓2接近遠離靜電吸盤9時，藉由氣壓缸18上下移動。

於基台10及靜電吸盤9，設置複數個供將傳熱媒體對半導體晶圓2之背面均一地供給所用的貫通孔13a。貫通孔13a，與供使施加在貫通孔13a之He氣體的壓力均一化所用之氣體貯存室13相連接。氣體貯存室13，與供將傳熱媒體自腔室1的外部導入所用之供給管14相連接。傳熱媒體，例如為惰性氣體之He氣體。然而，並不限為此一氣體，亦可使用任意氣體。

此外，如圖1所示，電漿蝕刻裝置100，具有使冷卻媒體循環於冷媒套6之急冷器70。具體而言，急冷器70，將冷卻媒體自流路71送入冷媒套6，並自流路72接收由冷媒套6排出之冷卻媒體。

圖3為，供進一步顯示第1實施形態之基台與靜電吸盤所用的圖。圖3所示之例子中，為了說明上的方便，省略對於密封構件22與貫通孔13a之記載。如附圖所示，電漿蝕刻裝置100，在靜電吸盤9的面中之成為與基台10相對向之面的底面61具有加熱圖案9a。加熱圖案9a係藉由於底面61 形成任意的金屬圖案而形成。例如，加熱圖案9a，將具有任意圖案之鈦薄膜貼附於底面61藉以形成。

此外，如圖3所示，電漿蝕刻裝置100，具有充填加熱圖案9a之凹凸的充填部30，充填部之係與基台10相對向的面之基台接地面62經過研磨。充填部30，例如為：可切削之使用氧化鋁、Y₂O₃等的陶瓷系噴敷物，或耐熱樹脂系、硬質橡膠系等。基台接地面62經過研磨，為平滑表面。

充填部30之熱傳導率範圍，例如為0.2W/mK以上30W/mK以下，宜為1W/mK以上10W/mK以下。此外，充填部30之耐受電壓範圍，例如可為5kV/mm以上20kV/mm以下，亦可為7kV/mm以上15kV/mm以下。此外，充填部30，以可在30℃以上80℃以下之範圍使用為佳，更宜為可在0℃以上120℃以下之範圍使用。

此處，充填部30，係藉由對底面61噴吹樹脂與陶瓷粒子之混合物後加以鍛燒而形成。例如，充填部30，在設置有加熱圖案9a之靜電吸盤9的底面61，被覆熱可塑性環氧樹脂與Al₂O₃或SiO₂等氧化物粒子之混合物，進行熱硬化處理(固化)而藉以形成。陶瓷粒子之粒徑，例如為5~50μm。然而，並不限定於此。

此處，形成充填部30時所使用之樹脂與陶瓷的混合比例為，例如，樹脂：陶瓷粒子=70以上150以下：20以上80以下，更宜為90以上~120以下：30以上40以下。然而，並不限為此比例，為任意混合比例皆可。此外，鍛燒，例如藉由以下方法施行：使用電爐，於大氣下以70℃以上120以下℃的溫度加熱1小時程度。對底面61噴吹樹脂與陶瓷粒子之混合物時，例如使用利用壓縮空氣之漿體噴吹方法。此外，充填部30的基台接地面62，以任意方法研磨。

對形成充填部30之更詳細的一例加以說明。例如，藉由以下方法形成充填部30：對靜電吸盤9的底面61藉由壓縮空氣驅動槍噴吹混合有環氧樹 脂70wt%、與粒徑為30μm之SiO₂粒子30wt%的混合物，之後，將靜電吸盤9裝入電爐內並於大氣下施行80℃ 1小時的鍛燒。而後，研磨充填部30。

此外，例如，充填部30，例如亦可藉由以下方法形成：對底面61噴吹混合有環氧系樹脂或醯亞胺系樹脂、酚系樹脂、氟系樹脂及其他高分子材料，與陶瓷粉末或金屬陶瓷粉末的混合物後加以鍛燒。混合物，係使用刷毛塗布或浸漬、噴霧、噴敷等噴吹於靜電吸盤9的底面61。充填部30，以提高與上下各層的密接性作為目的，於有機高分子系材料噴鍍將平均粒徑為5μm以上200μm以下之陶瓷粒子或碳化物金屬陶瓷粉末5vol%以上60vol%以下加以混合的混合物，在靜電吸盤9的底面61被覆形成；以圖求有機高分子系材料的穩定化作為目的，藉由以60℃以上200℃以下的溫度施行熱處理而形成。

此一情況，充填部30，例如藉由以下方法形成：使用壓縮空氣噴槍噴吹環氧樹脂70vol%與SiO₂粒子(30μm)30vol%之混合物後，裝入電爐於大氣下以80℃施行2小時的加熱。此外，充填部30，例如藉由以下方法形成：以塗布用刷毛將聚醯亞胺樹脂50vol%與Al₂O₃粒子(40μm)50vol%之混合物塗布於靜電吸盤9的底面61後，裝入電爐內於大氣下施行180℃、10小時的加熱。

此外，如圖3所示，電漿蝕刻裝置100，具有將充填部30的基台接地面62與基台10加以黏接之黏接層31。換而言之，則黏接層31，藉由黏接基台10之表面63與經過研磨之基台接地面62，而黏接基台10與靜電吸盤9。黏接層31，例如以薄片狀黏接劑形成。黏接層31，宜為厚度穩定性優良之薄片狀預形成黏接劑。

圖4為，顯示第1實施形態之黏接層的構造其一例之構成的圖。圖4所示之例子中，黏接層31，以薄片狀黏接劑形成。具體而言，黏接層31，堆疊有第1黏接層31a、應力緩和層31b、以及第2黏接層31c。第1黏接層31a和第2黏接層31c，分別與基台10之表面63和充填部30之基台接 地面62黏接。第1黏接層31a與第2黏接層31c，例如為丙烯酸橡膠。然而，並不限定於此，亦可為任意黏接劑。應力緩和層31b，例如以柔軟而不硬化之材料形成，例如以丙烯酸橡膠與環氧樹脂之混合物形成。如此地，藉由使用具有以柔軟而不硬化之材料形成的應力緩和層31b之黏接層31，而在使用黏接層31黏接基台10與靜電吸盤9時，可吸收壓接時的傾斜，可使對黏接面的接觸壓保持為一定，結果與使用不具有應力緩和層31b之黏接層的情況相比，可使基台10與靜電吸盤9的距離更為均一化。此外，藉由使用具有應力緩和層31b之黏接層31，而可吸收水平方向中的位移，可防止因溫度變化產生之體積膨脹的差而使基台10與靜電吸盤9剝離的情形。

(第1實施形態之電漿蝕刻裝置的控制裝置)

電漿蝕刻裝置100之各構成部，與具備CPU之製程控制器90相連接而進行控制。製程控制器90與使用者介面91連接，使用者介面係由製程管理者施行用於管理電漿蝕刻裝置100之指令的輸入操作等之鍵盤、以及將電漿蝕刻裝置100的運作狀況視覺化而顯示之顯示器等構成。

此外，製程控制器90與收納有配方之記憶部92相連接，該配方記錄有：供將藉由電漿蝕刻裝置100實行之各種處理在製程控制器90的控制下實現所用之控制程式、處理條件資料等。

另外，以來自使用者介面91的指示等自記憶部92叫出任意配方，實行製程控制器90，藉以在製程控制器90的控制下，施行電漿蝕刻裝置100之期望的處理亦可。配方，例如可利用收納在CD-ROM、硬碟、軟性磁碟、快閃記憶體等電腦可讀取之記憶媒體的狀態者，抑或可自其他裝置，介由例如專用線路隨時傳送而使用。製程控制器90，亦稱作「控制部」。另，製程控制器90的功能，可藉由使用軟體加以動作而實現，亦可藉由使用硬體加以動作而實現。

(第1實施形態之黏接方法)

圖5為，顯示將第1實施形態之靜電吸盤與基台加以黏接之黏接方法其流程之一例的流程圖。

如圖5所示，第1實施形態之黏接靜電吸盤9與基台10之黏接方法中，一旦成為處理時序(步驟S101：肯定)，則藉由充填靜電吸盤9的面中之成為與基台10相對向之面的底面61所設置之加熱圖案9a的凹凸，而形成充填部30(步驟S102)。例如，於靜電吸盤9的底面61，藉由壓縮空氣驅動槍噴吹以環氧樹脂70wt%與粒徑為30μm之SiO₂粒子30wt%混合的混合物，之後，將靜電吸盤9裝入電爐內並於大氣下施行80℃ 1小時的熱硬化處理，藉以形成充填部30。

而後，研磨充填部30的面中之與基台10相對向的基台接地面62(步驟S103)。換而言之，則藉由研磨基台接地面62，而使基台接地面62為平滑表面。

之後，將經過研磨之充填部30的基台接地面62介由黏接層31黏接於基台10(步驟S104)。換而言之，則藉由將基台10之表面63與經過研磨之基台接地面62黏接，而將基台10與靜電吸盤9接合。

(第1實施形態產生的效果)

如同上述，第1實施形態之黏接方法，將靜電吸盤9與基台10黏接。第1實施形態之黏接方法，於實施形態之一例中，充填靜電吸盤9的面中之成為與基台10相對向之面的底面61所設置之加熱圖案9a的凹凸，藉以形成充填部30；研磨充填部30的面中之與基台10相對向的基台接地面62；將經過研磨之充填部30的基台接地面62介由黏接層31黏接於基台10。此一結果，可使底面61設置有加熱圖案9a之靜電吸盤9與基台10之表面的間隔均一化。

此處，考量在靜電吸盤的內部嵌入加熱圖案，而將係靜電吸盤的面中之與基台相對向的面之底面形成為平面之情況。然而，此一情況，例如， 吾人雖認為藉由使用薄片狀的黏接劑，可使基台與靜電吸盤之間的距離均一化，但加熱圖案嵌入靜電吸盤的內部，一旦決定條件則變得難以改變，在變更時耗費成本。此外，考量在係靜電吸盤的面中之與基台相對向的面之底面形成加熱圖案，而使用矽酮黏接劑等液狀黏接劑將靜電吸盤之底面與基台黏接之情況。然而，此一情況，基台與靜電吸盤之間的距離無法均一化。

圖6為，用於顯示使用液狀黏接劑將設置有底面的加熱圖案之靜電吸盤與基台黏接之情況的圖。圖6中，「ESC表面溫度」表示：自上部電極側起觀察靜電吸盤之情況的靜電吸盤之表面溫度。圖6之「IR相機(實測值)」表示：使用IR(Infrared，紅外線)相機獲得之實測值；圖6之「模擬」表示：藉由模擬獲得之值。圖6之「黏接劑膜厚(藉由實測計算)」表示：藉由實測所獲得之液狀黏接劑的厚度。圖6之「黏接劑膜厚vs溫度相關」表示：黏接劑膜厚與溫度差之相關關係。

如圖6所示，使用液狀黏接劑之情況，膜厚最薄處與最厚處之膜厚的差為「35μm」、「29μm」。此外，表面溫度之最高處與最低處的差，分別為「4.7度」、「4度」。此外，如圖6所示，在膜厚與溫度差之間，可發現相關關係。

如此地，比較將加熱圖案嵌入靜電吸盤的內部之情況、與使用液狀黏接劑將設置有底面的加熱圖案之靜電吸盤與基台黏接之情況，依照上述之第1實施形態，則可使基台與靜電吸盤之間的距離簡單地均一化。亦即，未嵌入加熱圖案9a之結果，可使設計變更簡單，藉由將經過研磨之基台接地面62與基台10黏接，而可使底面61設置有加熱圖案9a之靜電吸盤9與基台10之表面的間隔均一化。

此外，第1實施形態，於實施形態之一例中，充填部30，熱傳導率範圍為0.2W/mK以上30W/mK以下，耐受電壓範圍為5kV/mm以上20kV/mm以下。此一結果，即便將充填部30導入基板處理裝置，仍可適當地使用。

此外，第1實施形態，於實施形態之一例中，黏接層31，為薄片狀黏接劑。此一結果，可使基台與靜電吸盤之間的距離更為均一化。

此外，第1實施形態，於實施形態之一例中，充填部30，係在對底面噴吹樹脂與陶瓷粒子之混合物後加以熱硬化處理藉而形成。此一結果，可適當地形成滿足熱傳導率範圍與耐受電壓範圍之充填部30。

此外，第1實施形態之載置台，於實施形態之一例中，具有：基台10；靜電吸盤9；加熱圖案9a，設置於靜電吸盤9的面中之成為與基台10相對向之面的底面61；充填部30，充填加熱圖案9a之凹凸，充填部30之係與基台10相對向的面之基台接地面62經過研磨；以及黏接層31，將充填部30的基台接地面62與基台10黏接。此一結果，使底面61設置有加熱圖案9a之靜電吸盤9與基台10之表面的間隔變得均一，結果能夠以均一的溫度處理半導體晶圓2。

此外，第1實施形態之基板處理裝置，於實施形態之一例中，具備具有如下元件之載置台：基台10；靜電吸盤9；加熱圖案9a，設置於靜電吸盤9的面中之成為與基台10相對向之面的底面61；充填部30，充填加熱圖案9a之凹凸，充填部30之係與基台10相對向的面之基台接地面62經過研磨；以及黏接層31，將充填部30的基台接地面與基台10黏接。此一結果，使底面61設置有加熱圖案9a之靜電吸盤9與基台10之表面的間隔變得均一，結果能夠以均一的溫度處理半導體晶圓2。

(其他實施形態)

以上，雖對第1實施形態之黏接方法、載置台及基板處理裝置進行說明，但並不限於此。以下，對其他實施形態加以說明。

例如，圖4所示之例，雖顯示黏接層31具有應力緩和層31b之情況的例子，但並不限定於此。例如，黏接層31，並非於第1黏接層31a與第2 黏接層31c之間具有柔軟而不硬化的構件，而係具有硬質芯材亦可。此一情況，與具有柔軟而不硬化的應力緩和層31b之情況比較，可抑制成本。此外，亦可藉由因應所使用之氣體的耐侵蝕性決定31b之材質。

9‧‧‧靜電吸盤

9a‧‧‧加熱圖案

9b‧‧‧電極板

10‧‧‧基台

30‧‧‧充填部

31‧‧‧黏接層

61‧‧‧底面

62‧‧‧基台接地面

63‧‧‧表面

Claims (6)

1. 一種黏接方法，黏接靜電吸盤與基台，其特徵為包含如下步驟：將該靜電吸盤的面中之成為與該基台相對向之面的底面所設置之加熱圖案的凹凸予以充填，藉以形成充填部；將該充填部的面中之與該基台相對向的基台接地面加以研磨；將經過研磨的該充填部之該基台接地面介由黏接層黏接於基台。
2. 如申請專利範圍第1項之黏接方法，其中，該充填部之熱傳導率範圍為0.2W/mK以上30W/mK以下，耐受電壓範圍為5kV/mm以上20kV/mm以下。
3. 如申請專利範圍第1或2項之黏接方法，其中，該黏接層為薄片狀黏接劑。
4. 如申請專利範圍第1或2項之黏接方法，其中，該充填部，係在對該底面噴吹樹脂與陶瓷粒子之混合物後加以鍛燒而形成。
5. 一種載置台，其特徵為具備：基台；靜電吸盤；加熱圖案，設置在該靜電吸盤的面中之成為與該基台相對向的面之底面；充填部，將該加熱圖案之凹凸予以充填而形成，該充填部之與該基台相對向的面亦即基台接地面經過研磨；以及黏接層，將該充填部之該基台接地面與該基台予以黏接。
6. 一種基板處理裝置，其特徵為設有載置台，該載置台包含：基台；靜電吸盤；加熱圖案，設置在該靜電吸盤的面中之成為與該基台相對向的面之底面；充填部，將該加熱圖案之凹凸予以充填而形成，該充填部之與該基台相對向的面亦即基台接地面經過研磨；以及黏接層，將該充填部之該基台接地面與該基台予以黏接。