TW201431100A - 用於形成太陽能電池電極之組成物、及使用該組成物所製電極(二) - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 65
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 10
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N silver cyanide Chemical compound [Ag+].N#[C-] LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229940098221 silver cyanide Drugs 0.000 claims description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012963 UV stabilizer Substances 0.000 claims description 3
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010812 external standard method Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
一種用於太陽能電池電極的組成物及使用該組成物所製電極。該組成物包括一銀(Ag)粉末;一包含0.1莫耳%至50莫耳%元素銀的玻璃料;及一有機媒劑。該組成物可提高在電極與矽晶圓間之接觸效率,因此最小化接觸電阻(Rc)及串聯電阻(Rs)。因此,從該組成物製造的太陽能電池電極提供優良的太陽能電池轉換效率。
Description
本發明係關於一種用於形成太陽能電池電極之組成物及使用該組成物所製電極。
太陽能電池使用p-n接面的光伏打效應產生電力,其中該接面將日光的光子轉換成電力。在太陽能電池中,各別在具有p-n接面的半導體晶圓或基材之上及下表面上形成前端及後端電極。然後,由進入該半導體晶圓的日光在p-n接面處引發光伏打效應,及由該光伏打效應在p-n接面處所產生的電子經由該電極對外部提供電流。該太陽能電池的電極係在晶圓上藉由施用、圖形化及烘烤一電極組成物而形成。
連續減少發射器厚度來改良太陽能電池效率可造成分流,此可降低太陽能電池性能。此外,太陽能電池已逐漸增加面積來達成較高的效率。但是,於此情況中,會有由於太陽能電池接觸電阻增加而效率降低的問題。
因此,對可提高在電極與矽晶圓間之接觸效率以最小化接觸電阻(Rc)及串聯電阻(Rs),因此提供優良的轉換效率之用於太陽能電池電極的組成物有需求。
根據本發明的一個態様,一種用於太陽能電池電極的組成物可包括一銀(Ag)粉末;一包含0.1莫耳%至50莫耳%元素銀的玻璃料;及一有機媒劑。
該元素銀可來自氰化銀或硝酸銀。
該組成物可包含60%以重量計(重量%)至95重量%的銀粉末;0.1重量%至20重量%的玻璃料;及1重量%至30重量%的有機媒劑。
該玻璃料可包含0.9莫耳%至45莫耳%的元素銀,以該玻璃料的總莫耳數為基準。
該玻璃料可由氰化銀、硝酸銀或其混合物及至少一種金屬氧化物形成。
該金屬氧化物可包括至少一種選自於由下列所組成之群的金屬氧化物:鉛(Pb)、鉍(Bi)、碲(Te)、磷(P)、鍺(Ge)、鎵(Ga)、鈰(Ce)、鐵(Fe)、鋰(Li)、矽(Si)、鋅(Zn)、鎢(W)、鎂(Mg)、銫(Cs)、鍶(Sr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、錫(Sn)、銦(In)、釩(V)、鋇(Ba)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈉(Na)、鉀(K)、砷(As)、鈷(Co)、鋯(Zr)、錳(Mn)及鋁(Al)的氧化物。
該玻璃料可具有平均顆粒直徑(D50)係0.1微米至10微米。
該組成物可進一步包括至少一種選自於由下列所組成之群的添加劑:分散劑、觸變劑、塑化劑、黏度穩定劑、抗發泡劑、顏料、UV安定劑、抗氧化劑及耦合劑。
根據本發明的另一個態様,提供一種由該用於太陽能電池電極的組成物形成之太陽能電池電極。
100‧‧‧晶圓或基材
101‧‧‧p層(或n層)
102‧‧‧n層(或p層)
210‧‧‧後端電極
230‧‧‧前端電極
圖1係根據本發明的一個具體實例之太陽能電池的圖式圖。
根據本發明之用於太陽能電池電極的組成物包括一銀(Ag)粉末(A);一包含元素銀(B)的玻璃料;及一有機媒劑(C)。
現在,將更詳細地描述根據本發明之用於太陽能電池電極的組成物之每種組分。
(A)銀粉末
根據本發明之用於太陽能電池電極的組成物包括銀(Ag)粉末作為導電粉末。該銀粉末的顆粒尺寸可呈奈米或微米規模。例如,該銀粉末可具有顆粒尺寸數打至數百奈米,或數個至數打微米。再者,該銀粉末可係二或更多種具有不同顆粒尺寸的銀粉末型式之混合物。
該銀粉末可具有球形、薄片或無定形形狀。
該銀粉末以具有平均顆粒直徑(D50)0.1微米至
10微米為較佳,更佳為0.5微米至5微米。該平均顆粒直徑可在25℃下將該導電粉末分散於異丙醇(IPA)中且經由超音波處理3分鐘後,使用例如型號1064D(CILAS Co.,Ltd.)來測量。在此平均顆粒直徑的範圍內,該組成物可提供低接觸電阻及低線電阻。
該銀粉末可以60重量%至95重量%之量存在,以該組成物的總重量為基準。在此範圍內,該導電粉末可防止由於電阻增加之轉換效率降低及由於該有機媒劑的量相對減少之糊狀物形成困難。有利的是,該導電粉末可以70重量%至90重量%之量存在。
(B)玻璃料
該玻璃料提供以提高在導電粉末與晶圓或基材間之黏附力,及藉由蝕刻抗反射層及熔融該銀粉末在發射器區域中形成銀晶粒,以便在該用於電極的組成物之烘烤製程期間減低接觸電阻。再者,在烘烤製程期間,該玻璃料軟化及降低該烘烤溫度。
當太陽能電池的面積係增加以改良太陽能電池效率時,會有太陽能電池接觸電阻增加的問題。因此,需要最小化在p-n接面上的串聯電阻(Rs)及影響二者。此外,當該烘烤溫度係隨著增加使用多種具有不同薄片電阻的晶圓而在寬廣範圍內改變時,想要該玻璃料保證足夠的熱穩定性以抵擋廣寬範圍的烘烤溫度。
在一個具體實例中,該玻璃料係由氰化銀(AgCN)、硝酸銀(AgNO3)或其混合物及至少一種金屬氧化
物形成。特別是,該玻璃料可藉由混合、熔融及研磨氰化銀(熔點:335℃)、硝酸銀(熔點:444℃)或其混合物,其全部具有熔點低於銀(Ag);與金屬氧化物而製備。該金屬氧化物可包括至少一種金屬氧化物。
該金屬氧化物可包括至少一種選自於由下列所組成之群的金屬氧化物:鉛(Pb)、鉍(Bi)、碲(Te)、磷(P)、鍺(Ge)、鎵(Ga)、鈰(Ce)、鐵(Fe)、鋰(Li)、矽(Si)、鋅(Zn)、鎢(W)、鎂(Mg)、銫(Cs)、鍶(Sr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、錫(Sn)、銦(In)、釩(V)、鋇(Ba)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈉(Na)、鉀(K)、砷(As)、鈷(Co)、鋯(Zr)、錳(Mn)及鋁(Al)的氧化物。
該玻璃料可包含0.1莫耳%至50莫耳%的元素銀,較佳為0.9莫耳%至45莫耳%的元素銀,以該玻璃料的總莫耳數為基準。
該元素銀的含量可藉由感應耦合電漿-放射光譜分析儀(ICP-OES)測量。ICP-OES需要非常小的樣品量,因此可縮短樣品建立時間及減少由於樣品之預處理的誤差,同時提供優良的分析靈敏度。
特別是,ICP-OES可包括預處理樣品、製備標準溶液、及藉由測量及轉換元素銀(Ag)的濃度來計算在玻璃料中的元素銀含量,因此能夠準確測量在該玻璃料中的元素銀含量。
在預處理樣品的操作中,可將預定量的樣品溶解在能溶解分析標的,也就是說,在樣品玻璃料中的銀(Ag)之酸溶液中,然後加熱用以碳化。該酸溶液可包括硫酸
(H2SO4)溶液。
該經碳化的樣品可以溶劑,諸如蒸餾水或過氧化氫(H2O2)稀釋至允許元素銀之分析的適當程度。考慮到感應耦合電漿-放射光譜分析儀(ICP-OES)的元素偵測能力,該經碳化的樣品可稀釋10,000倍。
在以ICP-OES測量時,該經預處理的樣品可使用標準溶液來校準,例如,用於測量元素的元素銀標準溶液(Ag+1000毫克/升)。
以實施例說明之,在該玻璃料中的元素銀含量之計算可藉由將該標準溶液引進ICP-OES中及以外部標準方法繪製校準曲線,接著使用ICP-OES測量及轉換在該經預處理的樣品中之元素銀濃度(ppm)而達成。
從根據本發明之玻璃料所製造的太陽能電池電極除了在烘烤後從導電粉末形成的Ag結晶外,可具有Ag結晶析出在該玻璃料上。再者,從氰化銀或硝酸銀取得之元素銀可對玻璃授予導電度,其中該玻璃係在該Ag結晶與晶圓間於該玻璃料上形成及作為在Ag結晶與晶圓間之絕緣器;及該元素銀可填充在該玻璃料上分離的孔洞或空隙中,因此減低該晶圓-銀電極之接觸電阻及串聯電阻。
該玻璃料可藉由在技藝中已知的任何典型方法從此金屬氧化物製備。例如,該金屬氧化物可以預定比率混合。該混合可使用球磨機或行星式研磨機進行。該混合物係在700℃至1300℃下熔化,接著淬火至25℃。使用盤式研磨機、行星式研磨機或其類似機器,讓所獲得的產生物
接受研磨,因此製備一玻璃料。
該玻璃料可具有平均顆粒直徑(D50)係0.1微米至10微米,及可具有球形或無定形形狀。
該玻璃料可以0.1重量%至20重量%之量存在,較佳為0.5重量%至10重量%,以該組成物的總重量為基準。在此範圍內,可對所提供的不同表面電阻保證p-n接面穩定性同時最小化串聯電阻,以便改良太陽能電池效率。
(C)有機媒劑
該有機媒劑經由與該組成物的無機組分機械混合對該用於太陽能電池電極的組成物授予用於印刷的合適黏度及流變學特徵。
該有機媒劑可係使用在太陽能電池電極組成物中的任何典型有機媒劑,及可包括黏合樹脂、溶劑及其類似物。
該黏合樹脂可選自於丙烯酸酯樹脂或纖維素樹脂。乙基纖維素係通常使用作為該黏合樹脂。此外,該黏合樹脂可選自於下列當中:乙基羥乙基纖維素、硝基纖維素、乙基纖維素與酚樹脂的摻合物、醇酸樹脂、酚、丙烯酸酯、二甲苯、聚丁烷、聚酯、尿素、蜜胺、醋酸乙烯酯樹脂、木松香、醇的聚甲基丙烯酸酯、及其類似物。
該溶劑可選自於由下列所組成之群:例如,己烷、甲苯、乙二醇單***、環己酮、乙二醇單丁醚、丁基卡必醇(二甘醇單丁基醚)、二丁基卡必醇(二甘醇二丁基醚)、醋酸丁基卡必醇酯(醋酸二甘醇單丁基醚酯)、丙二醇單甲基醚、
己二醇、萜品醇、甲基乙基酮、苄醇、γ-丁內酯、乳酸乙酯、及其組合。
該有機媒劑可以1重量%至30重量%之量存在,以該組成物的總重量為基準。在此範圍內,該有機媒劑可對該組成物提供足夠的黏著強度及優良的可印性。
(D)添加劑
如需要的話,該組成物可進一步包括典型的添加劑以提高流動及加工性質及穩定性。該添加劑可包括分散劑、觸變劑、塑化劑、黏度穩定劑、抗發泡劑、顏料、UV安定劑、抗氧化劑、耦合劑、及其類似物,不限於此。這些添加劑可單獨或以其混合物使用。這些添加劑可以0.1重量%至5重量%之量存在於該組成物中,不限於此。
太陽能電池電極及包含其之太陽能電池
本發明的其它態樣係關於一種由該用於太陽能電池電極的組成物形成之電極及包含其之太陽能電池。圖1顯示出根據本發明的一個具體實例之太陽能電池。
參照圖1,後端電極210及前端電極230可藉由在晶圓或基材100上印刷及烘烤該組成物形成,其中該晶圓或基材100包括p層(或n層)101及n層(或p層)102,其將提供作為發射器。例如,製備該後端電極210的初步製程係進行在該晶圓100的後表面上印刷該組成物及在200℃至400℃下乾燥所印刷的組成物10秒至90秒。再者,用以製備該前端電極的初步製程可係進行將該糊狀物印刷在該晶圓的前端表面上及乾燥所印刷的組成物。然後,該前端電極230及後
端電極210可藉由在600℃至1000℃下烘烤該晶圓而形成,較佳為在750℃至950℃下30秒至180秒。
其次,將參照實施例更詳細地描述本發明。但是,應注意的是,提供這些實施例僅用於闡明及應該不以任何方式解釋作為本發明之限制。
實施例
玻璃料之製備:根據如在表1至5中所列出的組成物來製備實施例及比較例之玻璃料。使用感應耦合電漿-放射光譜分析儀(ICP-OES)評估所製備的玻璃料關於在其中的元素銀含量(單位:莫耳%)。其典型的結果係顯示在表6中。
實施例1
作為有機黏著劑,在60℃下,將3.0重量%的乙基纖維素(STD4,Dow Chemical Company)充分溶解在6.5重量%丁基卡必醇中,及將86.90重量%具有平均顆粒直徑2.0微米的球形銀粉末(AG-4-8,Dowa Hightech Co.,Ltd.)、3.1重量%根據如在表1中列出的組成物所製備之玻璃料、0.2重量%的分散劑BYK102(BYK-Chemie)、及0.3重量%的觸變劑Thixatrol ST(Elementis Co.,Ltd.)加入至該黏著劑溶液,接著在3輥揉捏器中混合及揉捏,因此製備一用於太陽能電池電極的組成物。
實施例2至42
使用與在實施例1中相同的方法製備用於太陽能電池電極的組成物,除了根據如在表1及2中所列出的組成
物來製備玻璃料外。
實施例43至84
使用與在實施例1中相同的方式來製備用於太陽能電池電極的組成物,除了根據如在表3及4中所列出的組成物來製備包含硝酸銀之玻璃料外。
比較例1至2
使用與在實施例1中相同的方式來製備用於太陽能電池電極的組成物,除了根據如在表5中所列出的組成物來製備該玻璃料外。
使用ICP-OES測量在玻璃料中的元素銀含量
樣品之預處理:將0.01克欲分析的玻璃料樣品放
置在燒杯中及正確地稱重至在±0.0001克內。將200毫升5莫耳%硫酸(H2SO4)加入至該燒杯,接著使用加熱板在220℃下加熱3小時,因此完全碳化該樣品。將過氧化氫(H2O2)加入至該燒杯直到包含該經碳化的樣品之燒杯變成透明,因此完成該預處理。
標準溶液之製備:製備用於測量元素的元素銀標準溶液(Ag+1000毫克/升)。
元素銀含量之測量:將硝酸加入至包含該經預處理的樣品之燒杯,接著加熱5分鐘及空氣冷卻。將所製備的標準品引進ICP-OES測試機中及藉由外部標準方法繪製校準曲線,接著使用ICP-OES測試機(PerkinElmer,Inc.)測量及轉換在該樣品中的元素銀濃度(ppm),因此計算在該玻璃料中的元素銀濃度。
元素銀的含量(%)=元素濃度(ppm)x稀釋因子(DF)/10000
元素銀的莫耳數=元素銀的含量/元素銀的分子量
元素銀的莫耳%=元素銀的莫耳數/全部元素的總莫耳數
接觸電阻及比接觸電阻率的測量方法
藉由絹版印刷,以預定圖案將在實施例及比較例中所製備的組成物沈積到結晶單晶圓之前端表面上,接著在IR乾燥爐中乾燥。在帶狀烘烤爐中,讓根據此程序所形成的電池接受在600℃至900℃下烘烤60至210秒,然後使用TLM(傳輸長度方法(transfer length method))測試機評估關於接觸電阻(Rs)及比接觸電阻率(ρc)。所測量的接觸電阻及比接觸電阻率係顯示在表7至11中。
串聯電阻、填充因子及轉換效率的測量方法
藉由絹版印刷,以預定圖案將在實施例及比較例中所製備的組成物沈積在結晶單晶圓之前端表面上,接著
在IR乾燥爐中乾燥。然後,將該鋁糊狀物印刷在晶圓的後面邊上及使用與上述相同的方法乾燥。在帶狀烘烤爐中,讓根據此程序所形成的電池接受在400℃至900℃下烘烤30秒至180秒,及使用太陽能電池效率測試機CT-801(Pasan Co.,Ltd.)評估關於串聯電阻(Rs)、填充因子(FF,%)及轉換效率(%)。所測量的串聯電阻、填充因子及轉換效率係顯示在表7至11中。
如顯示在表7至11中,可看見在實施例1至42中,使用該組成物所製造的太陽能電池電極,其中該組成物係
使用包含源自氰化銀的元素銀之玻璃料來製備;及在實施例43至84中,使用該組成物所製造的太陽能電池電極,其中該組成物係使用包含從硝酸銀取得的元素銀之玻璃料來製備;其具有非常低的接觸電阻、比接觸電阻率及串聯電阻,因此提供優良的填充因子及轉換效率,與比較例1至2那些比較,其係使用源自金屬氧化物的玻璃料。
應要瞭解的是,可由熟習該項技術者製得多種改質、改變、修改及同等具體實例而沒有離開本發明的精神及範圍。
100‧‧‧晶圓或基材
101‧‧‧p層(或n層)
102‧‧‧n層(或p層)
210‧‧‧後端電極
230‧‧‧前端電極
Claims (9)
- 一種用於太陽能電池電極的組成物,其包含:一銀(Ag)粉末;一包含0.1莫耳%至50莫耳%元素銀的玻璃料;及一有機媒劑。
- 如請求項1之組成物,其中該元素銀係來自氰化銀或硝酸銀。
- 如請求項1之組成物,其包含:60重量%至95重量%的銀粉末;0.1重量%至20重量%的玻璃料;及1重量%至30重量%的有機媒劑。
- 如請求項1之組成物,其中該玻璃料包含0.9莫耳%至45莫耳%的元素銀,以該玻璃料的總莫耳數為基準。
- 如請求項1之組成物,其中該玻璃料係由氰化銀、硝酸銀或其混合物;及至少一種金屬氧化物形成。
- 如請求項5之組成物,其中該金屬氧化物包含至少一種選自於由下列所組成之群的金屬氧化物:鉛(Pb)、鉍(Bi)、碲(Te)、磷(P)、鍺(Ge)、鎵(Ga)、鈰(Ce)、鐵(Fe)、鋰(Li)、矽(Si)、鋅(Zn)、鎢(W)、鎂(Mg)、銫(Cs)、鍶(Sr)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、錫(Sn)、銦(In)、釩(V)、鋇(Ba)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈉(Na)、鉀(K)、砷(As)、鈷(Co)、鋯(Zr)、錳(Mn)及鋁(Al)的氧化物。
- 如請求項1之組成物,其中該玻璃料具有0.1微米至10微米的平均顆粒直徑(D50)。
- 如請求項1之組成物,更包含至少一種選自於由下列所 組成之群的添加劑:分散劑、觸變劑、塑化劑、黏度穩定劑、抗發泡劑、顏料、UV安定劑、抗氧化劑及耦合劑。
- 一種太陽能電池電極,其係由如請求項1至8中任一項之用於太陽能電池電極的組成物所製備。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20120157690 | 2012-12-29 | ||
KR1020130152675A KR20140092744A (ko) | 2012-12-29 | 2013-12-09 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201431100A true TW201431100A (zh) | 2014-08-01 |
TWI532197B TWI532197B (zh) | 2016-05-01 |
Family
ID=51739308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102147944A TWI532197B (zh) | 2012-12-29 | 2013-12-24 | 用於形成太陽能電池電極之組成物、及使用該組成物所製電極(二) |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9627556B2 (zh) |
KR (2) | KR20140092744A (zh) |
CN (1) | CN104838448A (zh) |
TW (1) | TWI532197B (zh) |
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KR101859017B1 (ko) * | 2015-12-02 | 2018-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전극 형성 방법, 이로부터 제조된 전극 및 태양 전지 |
WO2017135619A1 (ko) | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 주식회사 테라메탈 | 실버 코팅 글래스 프릿, 그 제조방법 및 실버 코팅 글래스 프릿을 이용한 솔라셀용 실버 페이스트 조성물 |
KR20190066158A (ko) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
CN115691858A (zh) * | 2022-08-12 | 2023-02-03 | 广东环波新材料有限责任公司 | 低温烧结ltcc导电银浆及其制备方法 |
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---|---|---|---|---|
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- 2013-12-09 KR KR1020130152675A patent/KR20140092744A/ko active Search and Examination
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- 2013-12-11 US US14/758,041 patent/US9627556B2/en active Active
- 2013-12-24 TW TW102147944A patent/TWI532197B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9627556B2 (en) | 2017-04-18 |
US20150364621A1 (en) | 2015-12-17 |
TWI532197B (zh) | 2016-05-01 |
KR20140092744A (ko) | 2014-07-24 |
CN104838448A (zh) | 2015-08-12 |
KR101982412B1 (ko) | 2019-05-28 |
KR20170136466A (ko) | 2017-12-11 |
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