TW201405905A - 發光二極體平面照明單元的製法、其製品及其製品所構成的裝置 - Google Patents
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 claims 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/88—Terminals, e.g. bond pads
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Abstract
一種發光二極體平面照明單元的製法，包含：(a)於一個基板的一表面上形成一個發光膜層結構；(b)於該基板表面的一外圍部形成至少一外部電極墊，該外部電極墊是電性接觸該發光膜層結構的至少一內部電極層；(c)於該步驟(b)後，形成至少一覆蓋該外部電極墊的絕緣層，該絕緣層是局部裸露出該外部電極墊；(d)於該步驟(c)後，形成至少一覆蓋該絕緣層的導電性氧化層，以與局部被裸露於該絕緣層外的該外部電極墊相互接觸；及(e)於該步驟(d)後，以一個封裝蓋體遮蔽該發光膜層結構。本發明亦提供一種由前述製法所製得的製品及由其製品所構成的裝置。
Description
本發明是有關於一種平面照明單元，特別是指一種發光二極體(LED)平面照明單元的製法、其製品及其製品所構成的裝置。
參圖1，中華民國第I307559證書號發明專利案公開一種有機發光二極體(OLED)燈1，其包含一基板11、一下電極層12、一覆蓋於該下電極層12上的有機發光層13、一覆蓋於該有機發光層13上的上電極層14，及一個封裝蓋15。
該下電極層12形成於該基板11之一表面，並具有彼此相互連接的一外部下電極區121及一內部下電極區122，且該下電極層12的外部下電極區121是裸露於該有機發光層13之外。該上電極層14具有彼此相互連接的一外部上電極區141及一內部上電極區142，該內部上電極區142是覆蓋住該有機發光層13，且該外部上電極區141是覆蓋於該基板11表面，並與該下電極層12的外部下電極區121間隔地設置於該基板11表面。該封裝蓋15是局部地覆蓋住該下電極層12的外部下電極區121與該上電極層14的外部上電極區141。
熟悉此技術領域的技術人員皆知，該外部下電極區121與該外部上電極區141通常是由導電率(conductivity)高的金屬材料所製得，雖然該有機發光二極體燈1藉由該封裝蓋
15可以保護該外部下電極區121與該外部上電極區141不受外界的濕氣與氧氣所氧化。然而，該外部下電極區121與該外部上電極區141仍有部分區域是裸露於該封裝蓋15之外。因此，裸露於該封裝蓋15之外的外部下電極區121與該外部上電極區141仍避免不了氧化等問題，從而影響其電性。再者，一旦該有機發光二極體燈1之一生產製造者在完成製作程序之後，需進一步地透過分析設備的探針來偵測該有機發光二極體燈1之電性性能時，前述探針也容易在測試電性的過程中破壞該外部下電極區121與該外部上電極區141。因此，整體元件的使用壽命亦將因氧化甚或是損壞等問題而相對縮減。
為解決上述問題，美國專利第7,026,660 B2核准公告號發明專利案則是在一OLED的一外部電極上覆蓋一聚醯胺(polyimide)層，藉以隔絕外部電極遭濕氣或氧氣的破壞。其相關實施方式，可參前述核准公告案之說明書的公開內容。然而，根據前揭核准公告案的實施方式，其外部電極仍避免不了遭濕氣或氧氣的破壞。
經上述說明可知，改善發光二極體之外部電極的膜層結構設計，使外部電極免於遭受外界分析設備或外界水氧環境所破壞，並從而提升元件的使用壽命，是此技術領域者所需改進的課題。
因此，本發明之目的，即在提供一種發光二極體平面照明單元的製法。
本發明之另一目的，即在提供一種發光二極體平面照明單元。
本發明之又一目的，即在提供一種發光二極體平面照明裝置。
於是，本發明發光二極體平面照明單元的製法，包含以下步驟：(a)於一個基板的一表面上形成一個發光膜層結構；(b)於該基板表面的一外圍部形成至少一外部電極墊，該外部電極墊是電性接觸該發光膜層結構的至少一內部電極層；(c)於該步驟(b)後，形成至少一覆蓋該外部電極墊的絕緣層，該絕緣層是局部裸露出該外部電極墊；(d)於該步驟(c)後，形成至少一覆蓋該絕緣層的導電性氧化層，以與局部被裸露於該絕緣層外的該外部電極墊相互接觸；及(e)於該步驟(d)後，以一個封裝蓋體遮蔽該發光膜層結構。
此外，本發明發光二極體平面照明單元，包含：一個基板、一個發光膜層結構、至少一個外部電極引腳及一個遮蔽該發光膜層結構的封裝蓋體。該發光膜層結構形成於該基板的一表面，並具有至少一內部電極層。該外部電極引腳形成於該基板表面的一外圍部，並具有一外部電極墊、一覆蓋該外部電極墊的絕緣層及一覆蓋該絕緣層的導電性氧化層。該外部電極墊是電性接觸該發光膜層結構的
內部電極層，該絕緣層是局部裸露出該外部電極墊，以使該導電性氧化層與局部被裸露於該絕緣層外的該外部電極墊相互接觸。
又，本發明發光二極體平面照明裝置，是電連接於一外部電源供應器。該發光二極體平面照明裝置包含：一個發光二極體平面照明單元，及一個插座。該發光二極體平面照明單元包括一個基板、一個發光膜層結構、至少一個外部電極引腳及一個遮蔽該發光膜層結構的封裝蓋體。該發光膜層結構形成於該基板的一表面，並具有至少一內部電極層。該外部電極引腳形成於該基板表面的一外圍部，並具有一外部電極墊、一覆蓋該外部電極墊的絕緣層及一覆蓋該絕緣層的導電性氧化層。該外部電極墊是電性接觸該發光膜層結構的內部電極層，該絕緣層是局部裸露出該外部電極墊，以使該導電性氧化層與局部被裸露於該絕緣層外的該外部電極墊相互接觸。該插座具有一個外殼及至少一個金屬接腳。該外殼具有一個圍壁，並由該圍壁界定出一個空間。該金屬接腳具有相互連接的一個輸入端部及一個輸出端部。該金屬接腳的輸入端部位在該空間外部。該金屬接腳的輸出端部位在該空間內部，並具有一個金屬舌片。該金屬舌片是設置在該外殼的圍壁。
其中，該外部電源供應器是連接於該插座的金屬接腳的輸入端部，該發光二極體平面照明單元的外部電極引腳是設置在該插座外殼的空間內，且挾持於該金屬接腳的金屬舌片與該圍壁之間，並透過該外部電源供應器提供一電
源給該金屬接腳的輸入端部以傳遞該電源至該發光二極體平面照明單元的外部電極引腳。
本發明之功效在於：藉該絕緣層與導電性氧化層的結構設計，以有效地阻絕濕氣及氧氣所造成的氧化問題，亦防止該外部電極引腳的外部電極墊遭外界分析設備甚或該插座之金屬接腳所損害，從而有效地提升元件的使用壽命。
有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一個較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。
參閱圖2、圖3與圖4，本發明發光二極體平面照明單元6的製法的一較佳實施例，包含以下步驟：(a)於一個基板2的一表面21上形成一個發光膜層結構3；(b)於該基板2表面21的一外圍部211形成至少兩個相互間隔設置的外部電極墊41，該等外部電極墊41是分別電性接觸該發光膜層結構3的兩內部電極層31；(c)於該步驟(b)後，形成至少兩分別覆蓋該等外部電極墊41的絕緣層42，該等絕緣層42是分別局部裸露出該等外部電極墊41；(d)於該步驟(c)後，形成至少兩分別覆蓋該等絕緣層42的導電性氧化層43，以分別與局部被裸露於該
等絕緣層外42的該等外部電極墊41相互接觸；及(e)於該步驟(d)後，以一個封裝蓋體5遮蔽該發光膜層結構3，並利用封裝膠51以使該封裝蓋體5膠合於該等導電性氧化層43上。
較佳地，該步驟(b)的外部電極墊41具有一介於20 mm2至100 mm2之間的面積。
在本發明該較佳實施例中，該發光膜層結構3的該兩內部電極層31分別是該發光膜層結構3的一下電極層及一上電極層，毎一對應之外部電極墊41、絕緣層42及導電性氧化層43共同構成至少兩個分別相互間隔設置地形成在該基板2表面21之外圍部211的外部電極引腳4。
此處需補充說明的是，本發明該較佳實施例之製法的步驟(e)於封裝膠合過程中，是以該封裝膠51膠合於該等導電性氧化層43上來說明。然而，熟悉OLED技術領域的相關技術人員應知，該封裝膠51一般是被形成在該封裝蓋體5之一下表面的周圍；因此，該基板2與該封裝膠51相互膠合的區域，一般是位在該基板2表面21，且鄰近於該表面21的外圍部211並介於該發光膜層結構3與各外部電極引腳4之間。有關於OLED的封裝技術並非本發明之技術重點，申請人於此不再多加贅述。
較佳地，該步驟(a)的發光膜層結構3是由一有機材料所構成。此處需補充說明的是，本發明該較佳實施例之發光膜層結構3是一個有機發光二極體(OLED)，且該OLED自該基板2表面21由下向上依序具有該下電極層(即，ITO
陽極層)、一電洞注入層(hole injection layer)、一電洞傳輸層(hole transfer layer)、一發光層(emissive layer)、一電子傳輸層(electron transfer layer)、一電子注入層(electron injection layer)，及該上電極層。
此外，在本發明該較佳實施例之製作流程中，該發光膜層結構3的其中一內部電極層(即，該下電極層)31與該等外部電極墊41是最先完成，並與鄰近該其中一內部電極層(即，該下電極層)31的外部電極墊41彼此相互電性接觸；其次，是以蒸鍍法(evaporation)依序完成前述電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層；接著，蒸鍍其中另一內部電極層(即，該上電極層)31，以同時與鄰近該其中另一內部電極層(即，該上電極層)31的外部電極墊41彼此相互電性接觸；進一步地，依序形成該等絕緣層42及該等導電性氧化層42，並完成封裝。
由於該等外部電極墊41一般是由導電率較高的金屬材料所構成，而覆蓋於該等外部電極墊41上方的各絕緣層42則多半是由SiOx或SiNx等絕緣材料所構成；因此，各外部電極墊41與各絕緣層42上下界面間存在有界面應力。為增加各外部電極墊41與其對應之絕緣層42上下界面間的附著性(adhesion)，並提升各絕緣層42對其下方之外部電極墊41的覆蓋率(coverage)；較佳地，該步驟(c)的絕緣層42是以化學氣相沉積法(chemical vapor deposition，CVD)來實施，並具有一個如圖4所示之網格狀圖案以局部裸露出該外部電極墊41。此外，各絕緣層42之網格狀圖案是以透
過微影(photolithography)與蝕刻(etching)等製程所取得，且各絕緣層42之網格狀圖案內的各網格絕緣材料是與該基板2表面21間夾一小於75°的夾角，以藉此避免各絕緣層42上方的導電性氧化層43無法有效地覆蓋住各網格絕緣材料。較佳地，前述夾角是介於45°至75°之間。
該絕緣層42的網格狀圖案的相鄰網格間具有一間距D，該間距D是介於50 μm至500 μm之間，換言之，各網格能使得面積約30 μm×30 μm至300 μm×300 μm的外部電極墊41裸露於各網格外。較佳地，該間距D是介於200 μm至300 μm之間，換言之，各網格能使得面積約100 μm×100 μm至200μm×200 μm的外部電極墊41裸露於各網格外；該絕緣層42的厚度是介於250 nm至500 nm之間。
較佳地，該步驟(d)的導電性氧化層43的厚度是介於40 nm至100 nm之間。
參圖5與圖6，由本發明該較佳實施例之製法所製得的發光二極體平面照明單元6及由其照明單元6所構成的發光二極體平面照明裝置，是電連接於一外部電源供應器(圖未示)。該發光二極體平面照明裝置包含：該發光二極體平面照明單元6，及一個插座7。
該發光二極體平面照明單元6包括該基板2、該發光膜層結構3、該等外部電極引腳4及該遮蔽該發光膜層結構3的封裝蓋體5。本發明該發光二極體平面照明單元6的細部結構已說明於前，於此不再多加贅述。
該插座7具有一個外殼71及一對金屬接腳72。該外殼71具有一個圍壁711，並由該圍壁711界定出一個空間710。毎一金屬接腳72具有相互連接的一個輸入端部721及一個輸出端部722。每一金屬接腳72的輸入端部721位在該空間710外部。每一金屬接腳72的輸出端部722位在該空間710內部，並具有一個金屬舌片723。該插座7的該對金屬接腳72的金屬舌片723是分別相互間隔地設置在該外殼71的圍壁711，以分別對應於該發光二極體平面照明單元6的該等外部電極引腳4。
在本發明該較佳實施例中，該外部電源供應器(圖未示)是連接於該插座7的金屬接腳72的輸入端部721，該發光二極體平面照明單元6的各外部電極引腳4是設置在該插座7外殼71的空間710內，且挾持於各金屬接腳72的金屬舌片723與該圍壁711之間，並透過該外部電源供應器提供一電源給該金屬接腳72的輸入端部721以傳遞該電源至該發光二極體平面照明單元6的外部電極引腳4。
此處需補充說明的是，本發明的主要技術特徵是在於，增加各外部電極墊41的面積，使各外部電極墊41的面積介於20 mm2至100 mm2之間；同時配合呈網格狀圖案的各絕緣層42以使各導電性氧化層73能與其下方所對應的外部電極墊41相互接觸；此外，各網格狀圖案的相鄰網格間的間距D是控制在200 μm至300 μm之間，以使得各導電性氧化層43具有足夠大的面積，能與被裸露於各絕緣層42之各網格外的外部電極墊41相互上下接觸。
本發明該較佳實施例將各外部電極墊41的面積增加至20 mm2至100 mm2之間，並使各絕緣層42之相鄰網格的間距D維持在200 μm至300 μm之間。因此，就製程的角度而言，本案於製作發光二極體平面照明單元6時，無需使用到精密製程，製作程序簡易且有助於提升製品良率。
此外，再參圖5與圖6，本發明該較佳實施例之各外部電極墊41一方面是受其所對應的絕緣層42所保護，另一方面亦因網格狀圖案的絕緣層42而得以與其所對應的各導電性氧化層43相互上下接觸。當該發光二極體平面照明單元6的一生產製造者在使用探針(圖未示)來對其進行電性測試，亦或是一後端製品使用者將該發光二極體平面照明單元6裝設至該插座7使用，且各導電性氧化層43不慎遭探針或該插座7之金屬接腳72的金屬舌片723所破壞時，也僅是局部地破壞到上方的導電性氧化層43，而未遭破壞的導電性氧化層43區域仍具有足夠大的接觸面積以與其下方的外部電極墊41產生電性連接。因此，就製品的角度而言，本發明該較佳實施例之各外部電極引腳4的絕緣層42與導電性氧化層43整體，可有效地阻絕濕氣及氧氣對其下方外部電極墊41的氧化問題，且各絕緣層42呈網格狀圖案的結構設計，亦可使外部電源供應器(圖未示)所提供的電源透過各金屬舌片723，以有效地依序傳遞至其所對應的各導電性氧化層43、各外部電極墊41及各內部電極層31，並藉此提升元件的使用壽命。
此處需進一步補充說明的是，本發明前述各外部電極
墊41是根據該插座7之各金屬接腳72的尺寸而調整；因此，本發明前述各外部電極墊41的面積並非僅侷限於20 mm2至100 mm2之間。
綜上所述，本發明發光二極體平面照明單元的製法、其製品及由其製品所構成的裝置，可藉各絕緣層42與導電性氧化層43的結構設計，以有效地阻絕濕氣及氧氣所造成的氧化問題，亦藉各絕緣層42之呈網格狀圖案的結構設計，以防止各外部電極引腳4的外部電極墊41遭外界分析設備甚或該插座7之金屬接腳72所損害，從而有效地提升元件的使用壽命，故確實能達成本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例與具體例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
2‧‧‧基板
21‧‧‧表面
211‧‧‧外圍部
3‧‧‧發光膜層結構
31‧‧‧內部電極層
4‧‧‧外部電極引腳
41‧‧‧外部電極墊
42‧‧‧絕緣層
43‧‧‧導電性氧化層
5‧‧‧封裝蓋體
51‧‧‧封裝膠
6‧‧‧發光二極體平面照明單元
7‧‧‧插座
71‧‧‧外殼
710‧‧‧空間
711‧‧‧圍壁
72‧‧‧金屬接腳
721‧‧‧輸入端部
722‧‧‧輸出端部
723‧‧‧金屬舌片
D‧‧‧相鄰網格間的間距
圖1是一剖視示意圖，說明中華民國第I307559證書號發明專利案所公開的有機發光二極體燈；圖2是一元件製作流程圖，說明本發明發光二極體平面照明單元的製法的一較佳實施例；圖3是一元件製作流程圖，說明延續於圖2之後的流程；圖4是一俯視示意圖，說明本發明該較佳實施例之一呈網格狀圖案的絕緣層及位於該絕緣層下方之一外部電極墊間的細部關係；
圖5是一正視示意圖，說明由本發明該較佳實施例之製法所製得之一發光二極體平面照明單元；及圖6是一局部剖視示意圖，說明由本發明該較佳實施例之發光二極體平面照明單元所構成的一裝置。
2‧‧‧基板
21‧‧‧表面
211‧‧‧外圍部
3‧‧‧發光膜層結構
31‧‧‧內部電極層
4‧‧‧外部電極引腳
41‧‧‧外部電極墊
42‧‧‧絕緣層
43‧‧‧導電性氧化層
5‧‧‧封裝蓋體
6‧‧‧發光二極體平面照明單元
Claims (18)
- 一種發光二極體平面照明單元的製法，包含以下步驟：(a)於一個基板的一表面上形成一個發光膜層結構；(b)於該基板表面的一外圍部形成至少一外部電極墊，該外部電極墊是電性接觸該發光膜層結構的至少一內部電極層；(c)於該步驟(b)後，形成至少一覆蓋該外部電極墊的絕緣層，該絕緣層是局部裸露出該外部電極墊；(d)於該步驟(c)後，形成至少一覆蓋該絕緣層的導電性氧化層，以與局部被裸露於該絕緣層外的該外部電極墊相互接觸；及(e)於該步驟(d)後，以一個封裝蓋體遮蔽該發光膜層結構。
- 依據申請專利範圍第1項所述之發光二極體平面照明單元的製法，其中，該步驟(b)的外部電極墊具有一介於20 mm2至100 mm2之間的面積。
- 依據申請專利範圍第2項所述之發光二極體平面照明單元的製法，其中，該步驟(b)是於該基板表面的外圍部形成至少兩個相互間隔設置的外部電極墊；該步驟(c)是形成至少兩分別覆蓋該等外部電極墊的絕緣層，該等絕緣層是分別局部裸露出該等外部電極墊；該步驟(d)是形成至少兩分別覆蓋該等絕緣層的導電性氧化層，以分別與局部被裸露於該等絕緣層外的該等外部電極墊相互接觸；該等外部電極墊是分別電性接觸該發光膜層結構的 兩內部電極層，該發光膜層結構的該兩內部電極層分別是該發光膜層結構的一下電極層及一上電極層。
- 依據申請專利範圍第2項所述之發光二極體平面照明單元的製法，其中，該步驟(a)的發光膜層結構是由一有機材料所構成；該步驟(c)的絕緣層是以化學氣相沉積法來實施，並具有一個網格狀圖案以局部裸露出該外部電極墊，該絕緣層的網格狀圖案的相鄰網格間具有一間距D，該間距D是介於50 μm至500 μm之間。
- 依據申請專利範圍第4項所述之發光二極體平面照明單元的製法，其中，該間距D是介於200 μm至300 μm之間；該絕緣層的厚度是介於250 nm至500 nm之間。
- 依據申請專利範圍第5項所述之發光二極體平面照明單元的製法，其中，該步驟(d)的導電性氧化層的厚度是介於40 nm至100 nm之間。
- 一種發光二極體平面照明單元，包含：一個基板；一個發光膜層結構，形成於該基板的一表面並具有至少一內部電極層；至少一個外部電極引腳，形成於該基板表面的一外圍部，並具有一外部電極墊、一覆蓋該外部電極墊的絕緣層及一覆蓋該絕緣層的導電性氧化層，該外部電極墊是電性接觸該發光膜層結構的內部電極層，該絕緣層是局部裸露出該外部電極墊，以使該導電性氧化層與局部被裸露於該絕緣層外的該外部電極墊相互接觸；及 一個封裝蓋體，遮蔽該發光膜層結構。
- 依據申請專利範圍第7項所述之發光二極體平面照明單元，其中，該外部電極墊具有一介於20 mm2至100 mm2之間的面積。
- 依據申請專利範圍第8項所述之發光二極體平面照明單元，包含至少兩個外部電極引腳，且該發光膜層結構具有兩內部電極層，該等外部電極引腳是分別相互間隔設置地形成在該基板表面的外圍部，該等外部電極墊是分別電性接觸該發光膜層結構的該兩內部電極層，該發光膜層結構的該兩內部電極層分別是該發光膜層結構的一下電極層及一上電極層。
- 依據申請專利範圍第8項所述之發光二極體平面照明單元，其中，該發光膜層結構是由一有機材料所構成；該絕緣層是以化學氣相沉積法來實施，並具有一個網格狀圖案以局部裸露出該外部電極墊，該絕緣層的網格狀圖案的相鄰網格間具有一間距D，該間距D是介於50 μm至500 μm之間。
- 依據申請專利範圍第10項所述之發光二極體平面照明單元，其中，該間距D是介於200 μm至300 μm之間；該絕緣層的厚度是介於250 nm至500 nm之間。
- 依據申請專利範圍第11項所述之發光二極體平面照明單元，其中，該導電性氧化層的厚度是介於40 nm至100 nm之間。
- 一種發光二極體平面照明裝置，是電連接於一外部電源 供應器，該發光二極體平面照明裝置包含：一個發光二極體平面照明單元，包括：一個基板，一個發光膜層結構，形成於該基板的一表面並具有至少一內部電極層，至少一個外部電極引腳，形成於該基板表面的一外圍部，並具有一外部電極墊、一覆蓋該外部電極墊的絕緣層及一覆蓋該絕緣層的導電性氧化層，該外部電極墊是電性接觸該發光膜層結構的內部電極層，該絕緣層是局部裸露出該外部電極墊，以使該導電性氧化層與局部被裸露於該絕緣層外的該外部電極墊相互接觸，及一個封裝蓋體，遮蔽該發光膜層結構；及一個插座，具有一個外殼及至少一個金屬接腳，該外殼具有一個圍壁，並由該圍壁界定出一個空間，該金屬接腳具有相互連接的一個輸入端部及一個輸出端部，該金屬接腳的輸入端部位在該空間外部，該金屬接腳的輸出端部位在該空間內部，並具有一個金屬舌片，該金屬舌片是設置在該外殼的圍壁；其中，該外部電源供應器是連接於該插座的金屬接腳的輸入端部，該發光二極體平面照明單元的外部電極引腳是設置在該插座外殼的空間內，且挾持於該金屬接腳的金屬舌片與該圍壁之間，並透過該外部電源供應器提供一電源給該金屬接腳的輸入端部以傳遞該電源至該 發光二極體平面照明單元的外部電極引腳。
- 依據申請專利範圍第13項所述之發光二極體平面照明裝置，其中，該外部電極墊具有一介於20 mm2至100 mm2之間的面積。
- 依據申請專利範圍第14項所述之發光二極體平面照明裝置，其中，該發光二極體平面照明單元包括至少兩個外部電極引腳，該發光膜層結構具有兩內部電極層，且該插座具有一對金屬接腳；該等外部電極引腳是分別相互間隔設置地形成在該基板表面的外圍部，該等外部電極墊是分別電性接觸該發光膜層結構的該兩內部電極層，該發光膜層結構的該兩內部電極層分別是該發光膜層結構的一下電極層及一上電極層；該插座的該對金屬接腳的金屬舌片是分別相互間隔地設置在該外殼的圍壁，以分別對應於該發光二極體平面照明單元的該等外部電極引腳。
- 依據申請專利範圍第14項所述之發光二極體平面照明裝置，其中，該發光膜層結構是由一有機材料所構成；該絕緣層是以化學氣相沉積法來實施，並具有一個網格狀圖案以局部裸露出該外部電極墊，該絕緣層的網格狀圖案的相鄰網格間具有一間距D，該間距D是介於50 μm至500 μm之間。
- 依據申請專利範圍第16項所述之發光二極體平面照明裝置，其中，該間距D是介於200 μm至300 μm之間；該絕緣層的厚度是介於250 nm至500 nm之間。
- 依據申請專利範圍第17項所述之發光二極體平面照明裝置，其中，該導電性氧化層的厚度是介於40 nm至100 nm之間。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101126616A TW201405905A (zh) | 2012-07-24 | 2012-07-24 | 發光二極體平面照明單元的製法、其製品及其製品所構成的裝置 |
| CN201310242127.XA CN103579534B (zh) | 2012-07-24 | 2013-06-18 | Oled平面照明单元的制法、其制品及其装置 |
| US13/945,164 US8921845B2 (en) | 2012-07-24 | 2013-07-18 | OLED unit, method for making the same, and OLED illuminating device comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101126616A TW201405905A (zh) | 2012-07-24 | 2012-07-24 | 發光二極體平面照明單元的製法、其製品及其製品所構成的裝置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201405905A true TW201405905A (zh) | 2014-02-01 |
| TWI487159B TWI487159B (zh) | 2015-06-01 |
Family
ID=49994016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101126616A TW201405905A (zh) | 2012-07-24 | 2012-07-24 | 發光二極體平面照明單元的製法、其製品及其製品所構成的裝置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8921845B2 (zh) |
| CN (1) | CN103579534B (zh) |
| TW (1) | TW201405905A (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014204807A1 (en) * | 2013-06-19 | 2014-12-24 | Aga Medical Corporation | Collapsible valve having paravalvular leak protection |
| CN104733504A (zh) | 2015-03-18 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled基板及制备方法、oled面板及显示装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359426A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Hitachi Ltd | 光モジュール及び光通信システム |
| JP2003272834A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | Denso Corp | 表示装置 |
| TWI338528B (zh) * | 2002-07-19 | 2011-03-01 | Au Optronics Corp | |
| KR100579184B1 (ko) * | 2003-11-24 | 2006-05-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| JP2005183209A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Asahi Glass Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| EP1566838A3 (en) * | 2004-02-20 | 2010-09-01 | LG Electronics, Inc. | Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof |
| JP2006278576A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法および光ピックアップ装置 |
| KR101839954B1 (ko) * | 2010-12-17 | 2018-03-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
| TWM425290U (en) * | 2011-08-19 | 2012-03-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Liquid crystal display panel |
-
2012
- 2012-07-24 TW TW101126616A patent/TW201405905A/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-06-18 CN CN201310242127.XA patent/CN103579534B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-18 US US13/945,164 patent/US8921845B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI487159B (zh) | 2015-06-01 |
| CN103579534A (zh) | 2014-02-12 |
| US8921845B2 (en) | 2014-12-30 |
| US20140027742A1 (en) | 2014-01-30 |
| CN103579534B (zh) | 2016-01-20 |
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|---|---|---|---|
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