TW201402917A - 塑膠地磚之製造方法 - Google Patents

Abstract

一種塑膠地磚之製造方法，其包含原料混配、塑化、押出、T型模押出、輥壓出片、第一、二次預熱、輥壓貼合、第一、二次冷卻、修邊處理、回火處理及沖切成型步驟。將底面層與基材原料分別藉由原料混配、塑化與押出後配合T型模押出粘合，接著利用輥壓出片以取得產品厚度之複合底面層。另外面料層經第一、二次預熱後，依序合併印刷層及複合底面層，藉由輥壓將三者貼合，利用具熱源之輥壓輪使面料層及複合底面層預熱到粘合溫度，經輥壓輪輥壓使面料層、印刷層及複合底面層三者緊密貼合，形成一塑膠地磚半成品。最後再經第一、二次冷卻、修邊、回火處理及沖切成型步驟，將膠塑地磚半成品進行成品定性並裁切成所需之成品尺寸規格。

Description

塑膠地磚之製造方法

本發明是有關於一種塑膠地磚之製造技術，特別是有關於可提高面料層厚度，增加產品耐壓、耐磨等效益之一種塑膠地磚製造方法。

目前塑膠地磚主要係由塑性材料製成，並可依市場需求提供不同飾紋，而塑膠地磚因其材料特性具有較佳之絕緣效果，且塑膠地磚具有低成本及可DIY施作的優點，加上具防水無需求特別保養等優點，故被廣泛運用於各種場合之地板。

習知塑膠地磚組成結構，請配合參閱第1圖所示，其係為習知塑膠地磚剖面示意圖。圖中，習知塑膠地磚1，其係於一基材11表面貼設有具飾紋之印刷膠布12，並於印刷膠布12表面覆設有一表面膠層13。其中塑膠地磚底面的基材11主要係用來吸收地面的不平處，故其材質會較軟，而印刷膠布13表面覆設之表面膠層13需抵抗人員或物品的踩踏與磨耗，故以耐壓性與耐磨性較佳的材質為主。由於兩者或因材質或因變形量不同，因此為了避免塑膠地磚1於使用過程中，發生扭曲變形或剝離的現象，故其表面膠層13的厚度受到相當之限制，連帶的亦無法提高塑膠地磚1表面膠層13的厚度，造成耐壓與耐磨性不足的現象，此為業界垢病已久。

為解決此一缺失，本案發明人亦曾提出解決方法，請參閱我國專利公告第I292005號專利，於前案中已提出自動化一貫作業生產之塑膠地磚方法，藉由此一方法提高塑膠地磚耐壓性與耐磨性，並兼具生產效率，降低相關生產成本。

但因應市場之需求，雖本案發明人曾於前案提出解決方案，使其表面膠層厚度提升至0.07~0.18mm遠優於習知之塑膠地磚。但市場需求與要求不斷的提升，前案之表面膠層厚度顯無法滿足高端消費者，為使塑膠地磚之表面膠層厚度更蓁完善，再次提出創新之製造方法。

有鑑於上述習知技藝之問題，本發明之目的其中之一就是在於提供一種塑膠地磚製造方法。藉此提供至少可達0.2mm~1mm高厚度面料層之膠塑地磚，使其膠塑地磚成品具有高厚度面料層，提供相較於習知膠塑地磚更耐壓、耐磨之效益並符合高端市場需求者。也因為面料層厚度增加，致使原有製程方法無法滿足需求，因而衍生出更高階之製程方法，藉以符合實際之生產需求者

根據本發明之目的，提出一種塑膠地磚之製造方法，其步驟包含：

原料混配：將底面層的原料依比例調整完成 後，投入一攪拌機內進行混合攪拌，使底面層的原料可完全的均勻混合。另將基材的原料依比例調整完成後，投入另一攪拌機內進行混合攪拌，使基材的原料可完全的均勻混合，以維持產品的穩定性。

塑化：將混配完成的底面層原料置入萬馬力機內，使底面層的原料得到初期的塑化效果。又將基材混配完成的基材原料置入高速攪拌機內攪拌，使基材的原料得到半膠化狀態的效果。

押出：將底面層經塑化步驟後的初期塑化原料由萬馬力機輸送至對應的押出機押出，使底面層原料達到完全塑化的效果，再者將基材經塑化步驟的半膠狀原料由高速攪拌機輸送至另一押出機押出，使基材原料達到完全塑化的效果。

T型模押出：將底面層與基材同步引入T型模押出，藉由高溫使其底面層與基材呈半溶狀，將底面層與基材的相對接觸面完全溶合成一體。

輥壓出片：將經T型模押出之複合狀底面層與基材的材料片經輥壓調整成預設之厚度。

第一次預熱：將面料層繞行於複數加熱輪，藉由加熱輪逐步對面料層預熱到第一預設溫度。

第二次預熱：將第一次預熱後之面料層，經紅外線高週波加熱裝置，將面料層再次預熱達第二預設溫度。

輥壓貼合：將第二次預熱後之面料層披覆於一印刷層上，且印刷層相對於面料層披覆面並披覆於經輥壓出片之複合狀底面層的頂面。將面料層、印刷層及複合狀底面層三者，藉由具熱源之輥壓輪輥壓，除使面料層又一次預熱達第三預設溫度外並對複合狀底面層預熱，將面料層、印刷層及複合狀底面層輥壓貼合。且對應面料層之輥壓輪上設有壓紋，於輥壓貼合面料層、印刷層及複合狀底面層的同時，亦對面料層進行壓紋，俾以形成一塑膠地磚半成品。

第一次冷卻，藉由冷卻液對塑膠地磚之半成品作第一次冷卻降溫，使各層材料的變化趨於緩和穩定，方便進行後續之加工製程。

第二次冷卻，藉由冷卻液對塑膠地磚之半成品再施以第二次冷卻降溫，使各層材料的變化趨於緩和穩定，方便進行後續之加工製程。

修邊處理，將塑膠地磚半成品進行毛邊料之修整，去除塑膠地磚半成品邊側之多餘殘料。

回火處理，在完成前述的製程步驟後，進一步利用回火裝置對塑膠地磚半成品進行回火處理，克服產品於製程中的應力，使塑膠地磚的物性穩定，提高產品品質的要求。

沖切成型，將回火處理步驟後之塑膠地磚半成品，先堆疊於室溫中冷卻至室溫使其物性更為穩定 後，再將膠塑地磚半成品進行沖切成客戶需求成品之尺寸規格。

藉此，本發明之塑膠地磚具有不易變形以及高厚度面料層之膠塑地磚，提供相較於習知膠塑地磚具有更耐壓、耐磨之效益，除符合高端市場需求外，更可大幅減化工序以及避免面料層、印刷層及複合底面層粘合不佳者。

承上所述，本發明塑膠地磚之製造方法，其至少具有下述優點：

1.本發明塑膠地磚之製造方法，可進一步精減生產工序，降低生產成本。

2.本發明塑膠地磚之製造方法，可進一步提高面料層厚度，使其至少可達0.2mm~1mm，遠優於習知塑膠地磚的0.07mm。

3.本發明塑膠地磚之製造方法，藉由複數次逐步預熱，使面料層、印刷層及複合底面層粘合更為緊密。

4.本發明塑膠地磚之製造方法，藉由輥壓時並同步對面料層進行壓紋，大幅減化生產工序與生產時間。

以下進一步說明本發明之塑膠地磚之製造方法實施例。請參照相關圖式與說明，為便於理解本發明實施方式，以下相同元件係採相同符號標示說明。

請參閱第2及5圖所示，圖2其係為本發明塑膠地磚之製造方法其流程示意圖、圖3其係為本發明塑膠地磚之製造方法其T型模押出實施例示意圖、圖4其係為本發明塑膠地磚之製造方法其實施例示意圖及圖5其係為本發明塑膠地磚之製造方法其成品剖面示意圖。圖中，本發明塑膠地磚之製造方法，至少包含：

S111、S211：原料混配，將底面層211的原料依比例調整完成後，投入一攪拌機內進行混合攪拌，使底面層211的原料可完全的均勻混合。另將基材212的原料依比例調整完成後，投入另一攪拌機內進行混合攪拌，使基材212的原料可完全的均勻混合，以維持產品的穩定性。

S112、S212：塑化，將混配完成的底面層211原料置入萬馬力機內，使底面層211的原料得到初期的塑化效果。又將基材212混配完成的基材原料置入高速攪拌機內攪拌，使該基 材212的原料得到半膠化狀態的效果。

S113、S213：押出，將底面層211經塑化S112步驟後的初期塑化原料由萬馬力機輸送至對應的押出機押出，使底面層211原料達到完全塑化的效果，再者將基材212經塑化S212步驟的半膠狀原料由高速攪拌機輸送至另一押出機押出，使基材212原料達到完全塑化的效果。

S3：T型模押出，將底面層211與基材212同步引入T型模押出，此時由於將底面層211與基材212的相對接觸面係藉由高溫使其底面層211與基材212呈半溶狀，故當以T型模押出後，可讓底面層211與基材212的相對接觸面完全溶合成一體，令底面層211與基材212在使用過程中不致發生剝離的現象。

S4：輥壓出片，經T型模押出之複合狀底面層211與基材212的材料片，經輥壓調整成預設厚度之複合狀底面層21。

S5：第一次預熱，將面料層23繞行於複數加熱輪 31作為第一次的先期預熱，藉由加熱輪31逐步對面料層23預熱到至少攝氏溫度100度之第一預設溫度。

S6：第二次預熱，將第一次預熱後之面料層23，再利用紅外線高週波加熱裝置32做第二次的預熱，將面料層23再次預熱到至少攝氏溫度110度之第二預設溫度。

S7：輥壓貼合，將第二次預熱後之面料層23披覆於一印刷層24上，且印刷層24相對於面料層23披覆面則披覆於經T型模押出之複合狀底面層21的頂面(底面層211)。將三者藉由具熱源之輥壓輪331、332輥壓，除使面料層23又一次預熱到至少130度之第三預設溫度外，並對複合狀底面層21預熱(印刷層24不作預熱，以避免變形)，而將面料層23、印刷層24及複合狀底面層21輥壓貼合。且對應面料層23之輥壓輪331上得設有壓紋3311，於輥壓貼合面料層23、印刷層24及複合狀底面層21的同時，亦對面料層23進行壓紋而形成一塑膠地磚半成品。

S8：第一次冷卻，藉由冷卻液對輥壓貼合之塑膠地磚半成品作第一次冷卻降溫，使各層材料的變化趨於緩和穩定，以便進行後續之加工製程。其中冷卻液溫度不能高於攝氏溫度30度。

S9：第二次冷卻，藉由冷卻液對輥壓貼合之塑膠地磚半成品再施以第二次冷卻降溫，使各層材料的變化趨於緩和穩定，以便進行後續之加工製程。其中冷卻液溫度不能高於攝氏溫度15度。

S10：修邊處理，將塑膠地磚半成品進行毛邊料之修整，去除塑膠地磚半成品邊側之多餘殘料。

S11：回火處理，在完成前述的製程步驟後，進一步利用回火裝置對塑膠地磚半成品進行回火處理，克服塑膠地磚半成品於製程中的應力，使塑膠地磚的物性穩定，提高產品品質的要求。

S12：沖切成型，將回火處理後之塑膠地磚半成品，先堆疊於室溫中冷卻至室溫使其物性更為穩定後，再將膠塑地磚半成品進行裁切成客戶需求的成品尺寸 規格。

藉由上述步驟將高厚度之面料層23逐步加溫避免焦化，使其達到溶粘溫度時，利用輥壓加以貼合印刷層24及複合狀底面層21，徹底解決膠塑地磚表面膠層(面料層)厚度無法提升的缺失，或塑膠地磚易扭曲變形的問題，並藉由第一、二次冷卻與回火處理等，使其塑膠地磚半成品藉由回火處理以克服產品於製程中的應力，避免塑膠地磚受環境影響而導致扭曲變形的問題使產品穩定性提升。如此，在相同的製造產能、效率下，進而可加厚其表面膠層(面料層)之厚度，而能提升塑膠地磚更具耐壓與耐磨效果，有效的延長使用壽命，增加其生產經濟效益者。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。

1‧‧‧塑膠地磚

11‧‧‧基材

12‧‧‧印刷膠布

13‧‧‧表面膠層

21‧‧‧複合狀底面層

211‧‧‧底面層

212‧‧‧基材

23‧‧‧面料層

24‧‧‧印刷層

31‧‧‧加熱輪

32‧‧‧紅外線高週波加熱裝置

331、332‧‧‧輥壓輪

3311‧‧‧壓紋

S3~S12‧‧‧步驟

S111~S113‧‧‧步驟

S211~S213‧‧‧步驟

第1圖 習知塑膠地磚剖面示意圖。

第2圖 本發明塑膠地磚之製造方法其流程示意圖。

第3圖 本發明塑膠地磚之製造方法其T型模押出實施例示意圖。

第4圖 本發明塑膠地磚之製造方法其實施例示意圖。

第5圖 本發明塑膠地磚之製造方法其成品剖面示意圖。

23‧‧‧面料層

24‧‧‧印刷層

S3~S12‧‧‧步驟

S111~S113‧‧‧步驟

S211~S213‧‧‧步驟

Claims (8)

1. 一種塑膠地磚之製造方法，其包含以下步驟，其中：(a)原料混配：將一底面層的原料依比例調整完成後，投入一攪拌機內進行混合攪拌，另將一基材的原料依比例調整完成後，投入另一攪拌機內進行混合攪拌；(b)塑化：將混配完成的該底面層原料置入一萬馬力機內，使該底面層的原料得到初期的塑化效果，另將混配完成之該基材原料置入一高速攪拌機內攪拌，使該基材的原料得到半膠化狀態的效果；(c)押出：將該底面層的初期塑化原料由該萬馬力機輸送至對應的一押出機押出，再者將該基材經塑化的半膠狀原料由該高速攪拌機輸送至另一押出機押出，使該底面層與該基材之原料達到完全塑化的效果；(d)T型模押出：將該底面層與該基材同步引入一T型模作押出，此時由於該底面層與該基材的相對接觸面藉由高溫使該底面層與該基材呈半溶狀，故當以該T型模押出後，可讓該底面層與該基材的相對接觸面完全溶合成一體，令該底面層與該基材在使用過程中不致發生剝離的現象； (e)輥壓出片：經T型模押出之一複合狀底面層與基材的材料片，經輥壓調整成預設之厚度；(f)第一次預熱：將一面料層繞行於複數加熱輪，做為第一次先期預熱，藉由各該加熱輪逐步對該面料層預熱到第一預設溫度；(g)第二次預熱：將第一次預熱後之該面料層，利用一加熱裝置做為第二次先期預熱，將該面料層再次預熱達第二預設溫度；(h)輥壓貼合：將第二次預熱後之該面料層披覆於一印刷層上，且該印刷層相對於該面料層披覆面則披覆於經T型模押出之該複合狀底面層的頂面，將三者藉由具熱源之複數輥壓輪輥壓，除使該面料層又一次預熱達第三預設溫度外並對該複合狀底面層預熱，而將該面料層、該印刷層及該複合狀底面層輥壓貼合，形成一塑膠地磚半成品；(i)第一次冷卻：藉由冷卻液對該塑膠地磚之半成品作第一次冷卻降溫，使各層材料的變化趨於緩和穩定，方便進行後續之加工製程；(j)第二次冷卻：藉由冷卻液對該塑膠地磚之半成品作第二次冷卻降溫，使各層材料的變化趨於緩和穩定，方便進行後續之加工製程；(k)回火處理：於第二次冷卻步驟後，將該塑膠地磚之半成品，利用回火裝置對該塑膠地磚半成 品進行回火處理，克服塑膠地磚半成品於製程中的應力；(l)沖切成型：將回火處理步驟後之該塑膠地磚半成品，堆疊於室溫中冷卻至室溫使其物性更為穩定後，再將該膠塑地磚半成品進行沖切成所需之成品尺寸規格；藉此形成一具有高厚度面料層之塑膠地磚，且兼具耐壓、耐磨及高生產效率之塑膠地磚者。
2. 如申請專利範圍第1項所述塑膠地磚之製造方法，其中該第一預設溫度至少為攝氏溫度100度。
3. 如申請專利範圍第1項所述塑膠地磚之製造方法，其中該第二預設溫度至少為攝氏溫度110度。
4. 如申請專利範圍第1項所述塑膠地磚之製造方法，其中該第三預設溫度至少為攝氏溫度130度。
5. 如申請專利範圍第1項所述塑膠地磚之製造方法，其中該輥壓輪對應面料層得設有一壓紋，於輥壓貼合面料層、印刷層及複合狀底面層的同時，亦對面料層進行壓紋。
6. 如申請專利範圍第1項所述塑膠地磚之製造方法，其中該加熱裝置為一紅外線高週波加熱裝置。
7. 如申請專利範圍第1項所述塑膠地磚之製造方法，其中該第一次冷卻步驟之冷卻液溫度，需低 於攝氏溫度30度。
8. 如申請專利範圍第1項所述塑膠地磚之製造方法，其中該第二次冷卻步驟之冷卻液溫度，需低於攝氏溫度15度。