TW201400407A

TW201400407A - 用於形成碳同素異形體之觸媒的製造

Info

Publication number: TW201400407A
Application number: TW102110504A
Authority: TW
Inventors: Jr Russell John Koveal; Dallas Noyes; Terry A Ring
Original assignee: Exxonmobil Upstream Res Co; Solid Carbon Prod Llc
Priority date: 2012-04-18
Filing date: 2013-03-25
Publication date: 2014-01-01
Also published as: WO2013158439A3; US20150093323A1; AR090719A1; US9504998B2; WO2013158439A2

Abstract

本發明揭示一種形成碳同素異形體之系統及方法。該系統包括建構成使用觸媒於博希(Bosch)反應中以自進料形成碳同素異形體的反應器。該觸媒包括粗糙化的金屬表面。

Description

用於形成碳同素異形體之觸媒的製造

相關申請案

本臨時申請案係關於Noyes在2011年10月6日所提出的美國專利申請案號13/263,311，名稱為「將碳的氧化物還原供製造固體碳的方法」，其根據Noyes在2010年4月5日所提出的國際專利申請案號PCT/US2010/029934名稱為「將碳的氧化物還原供製造固體碳的方法」主張優先權，其又以2009年4月17日所提出的美國臨時專利申請案號61/170,199且名稱為「將碳的氧化物還原供製造固體碳的方法」主張優先權，以上所有申請案內容均以引用方式納入本文。

本技術係關於形成碳同素異形體之工業規模的方法。更特別的是，有關產生可用以形成例如奈米碳管之碳同素異形體的觸媒之技術。

本節要介紹可與本技術的示範性具體實例結合之先前技藝的各種觀點。相信此討論有助於提供促進對本技術特殊觀點更加瞭解之架構。因此，應理解為本節應以此觀點解讀，且不需先前技藝的授允。

多年來在許多產品中，絕大多數已使用固體或元素碳所形成的物質。例如，碳黑為高碳含量的物質，其於例如汽車輪胎之橡膠與塑膠產品中用作為顏料及增強性化合物。碳黑通常係以烴的不完全熱裂解而形成，例如甲烷或重質芳族油。以天然氣裂解而形成的熱黑包括大的未黏聚顆粒，例如尤其是尺寸在200至500nm的範圍內。以重油裂解而形成的爐黑包括尺寸在10至100nm範圍內之更小的顆粒，黏聚或沾黏在一起而形成結構物。在該二種情形中，可由具有開放的末端或邊緣的石墨片層而形成顆粒。在化學上，開放的邊緣形成反應性面積，可用於吸收、與基質鍵結等。

已發展之更近以來的元素碳形式，例如富勒烯(fullerene)，並開始發展商業應用。與碳黑較開放的結構相反，富勒烯係以密閉的石墨烯結構的碳所形成，亦即其邊緣與其他邊緣鍵結而形成球體、管狀物等。奈米碳纖維及奈米碳管此二種結構具有多種可能的應用，涵蓋電池與電子產品至使用於營建工業中的水泥。奈米碳物質可具有石墨烯的單一壁或石墨烯的多重網形壁，或以杯形或平板形的層疊薄片組而形成的纖維結構。奈米碳管的末端常以類似富勒烯的構形而覆蓋著半球形的結構。與碳黑不同的是，尚未實現對奈米碳物質之大規模的製造方法。然而，對許多建議的製造方法已進行研究。

電弧系、雷射系削切技術及化學蒸氣沈積傳統上已用於由碳表面產生奈米碳管。例如，Karthikeyan等人之E-Journal of Chemistry,2009,6(1),1-12「奈米碳管的大規模合成」中，回顧產生奈米碳管的技術。在所述及的一種技術，係在金屬觸媒存在下，使用電弧將電極的石墨汽化，達到約1克/分鐘的產率。另一述及的技術係使用雷射削切，在惰性氣流中，將目標電極的碳汽化。然而，雷射技術使用高純度的石墨及高能量雷射，但提供的奈米碳管產量低，使其對大規模的合成並不實際。該作者述及的第三種技術係以化學蒸氣沈積(CVD)為基礎，其中在觸媒存在下將烴熱分解。在有些研究中，這些技術在70%純度水準下，已達到產率達數公斤/小時。然而，述及的方法對大規模的商業製造皆不實際。

烴裂解係使用於碳黑及各種奈米碳管與富勒烯產品的製造。對於產生及獲得各式的固體碳之現有的各種方法係使用溫度、壓力及在觸媒存在下將烴裂解，以控制所得的固體碳形貌。例如，Kauffman等人(US專利No.2,796,331)揭示在過量氫的存在下，使用硫化氫作為觸媒，以烴製造各種形式纖維碳之方法，及收集固體表面上的纖維碳之方法。Kauffman也申請使用煉焦爐氣作為烴來源的專利範圍。

在另一研究中，Vander Wal,R.L.等人於2003年八月之第七屆微重力燃燒及化學反應系統國際研討會論文集第73至76頁之「單壁奈米碳管及奈米纖維的火焰合成」(NASA研究出版：NASA/CP-2003-212376/REV1)中描述火焰系的技術。所使用的技術係連同觸媒將CO或CO/C₂H₂混合物導入火焰中，以形成奈米碳管。該作者注意到對於碳黑的製造，使用火焰系技術可達到高產率。然而，該作者注意到要放大火焰合成的規模存在許多挑戰。特別是，觸媒顆粒的形成、奈米碳管的誘發、及奈米碳管生長之總時間限制為約100ms。

Noyes所提出的國際專利申請案公告WO/2010/120581，揭示以還原劑在觸媒存在下將碳氧化物還原以製造各種形貌的固體碳產物之方法。碳氧化物通常為一氧化碳或二氧化碳。還原劑通常為烴氣體或氫。可由使用於還原反應中之特定觸媒、反應條件及隨意的添加劑，加以控制固體碳產物希望的形貌。該方法在低壓下進行，且使用低溫冷卻方法，以自進料流中將水移除。

所述的所有技術皆可用以形成奈米碳管，但無任一方法提供大量或工業規模製造的實用方法。特別是，所形成的量及方法效率皆很低。

在此討論的具體實例提供製造碳同素異形體之系統。該系統包括建構成使用觸媒於博希(Bosch)反應中以自進料形成碳同素異形體的反應器。該觸媒包括粗糙化的金屬表面。

另一具體實例提供形成觸媒之方法，而該觸媒係用於形成奈米碳管，該方法包括產生具有粗糙化的金屬表面之觸媒。

另一具體實例提供形成奈米碳管之方法。該方法包括於反應器中利用博希反應在觸媒上形成奈米碳管，其中該觸媒包括經粉碎的金屬表面。自反應器流出物中分離出該奈米碳管，而形成廢棄流。以來自該廢棄流的廢熱將進料氣體、乾的廢氣流、或二者加熱。以周溫熱交換器將廢棄流冷卻，而凝結水蒸氣，形成乾的廢氣流。

102‧‧‧進料氣體

104‧‧‧熱交換器

106‧‧‧熱

108‧‧‧經加熱的進料氣體

110‧‧‧反應器

112‧‧‧奈米碳管

114‧‧‧流動的流

116‧‧‧廢氣流

118‧‧‧水冷卻器

120‧‧‧水

122‧‧‧廢氣流

124‧‧‧氣體分餾系統

126‧‧‧循環流

128‧‧‧過量進料

202‧‧‧碳

204‧‧‧氫

206‧‧‧氧

208‧‧‧C-H邊緣

210‧‧‧C-O邊緣

212‧‧‧H-O邊緣

214‧‧‧曲線

216‧‧‧區域

218‧‧‧第一條線

220‧‧‧第二條線

222‧‧‧第一條線

224‧‧‧點

226‧‧‧第二條線

228‧‧‧波達區域

230‧‧‧博希反應區域

302‧‧‧觸媒珠

304‧‧‧起始反應

306‧‧‧熱氣體進料流

308‧‧‧奈米碳管

310‧‧‧觸媒顆粒

312‧‧‧微粒

314‧‧‧微粒邊界

316‧‧‧活性觸媒顆粒

318‧‧‧水

320‧‧‧叢集

402‧‧‧金屬珠

404‧‧‧表面

406‧‧‧金屬顆粒

408‧‧‧觸媒顆粒

410‧‧‧合金

412‧‧‧催化性金屬

414‧‧‧鋁

416‧‧‧箭號

418‧‧‧多孔結構

420‧‧‧箭號

422‧‧‧觸媒顆粒

424‧‧‧金屬顆粒

426‧‧‧酸

428‧‧‧觸媒顆粒

430‧‧‧顆粒

432‧‧‧氧化方法

434‧‧‧部分氧化的顆粒

436‧‧‧還原方法

502‧‧‧奈米碳管

504‧‧‧熱氣體進料流

506‧‧‧管線

508‧‧‧控制閥

510‧‧‧分佈板

512‧‧‧觸媒顆粒

514‧‧‧反應器壁

516‧‧‧塔頂管線

518‧‧‧觸媒分離器

520‧‧‧反應器流出物流

522‧‧‧循環管線

524‧‧‧觸媒槽

526‧‧‧管線

528‧‧‧閥

530‧‧‧顆粒

602‧‧‧進料氣體

604‧‧‧循環氣體

606‧‧‧靜態混合器

608‧‧‧混合氣流

610‧‧‧熱交換器

612‧‧‧經加熱的氣流

614‧‧‧包封加熱器

616‧‧‧熱氣流

618‧‧‧流體化床反應器

620‧‧‧反應器流出物流

622‧‧‧分離裝置

624‧‧‧奈米碳管

626‧‧‧廢氣流

628‧‧‧經冷卻的廢棄流

630‧‧‧周溫熱交換器

632‧‧‧分離槽

634‧‧‧水

636‧‧‧水純化系統

638‧‧‧經純化的水流

640‧‧‧廢棄流

642‧‧‧氣流

644‧‧‧壓縮機

646‧‧‧高壓流

648‧‧‧周溫熱交換器

650‧‧‧分離槽

652‧‧‧乾氣流

654‧‧‧氣體分餾系統

656‧‧‧過量進料

700‧‧‧單反應器系統

702‧‧‧多殼管熱交換器

704‧‧‧第二熱交換器

706‧‧‧第一陶瓷塊熱交換器

708‧‧‧箭號

710‧‧‧第二陶瓷塊熱交換器

712‧‧‧箭號

714‧‧‧入口閥

716‧‧‧出口閥

718‧‧‧分離系統

720‧‧‧旋風分離器

722‧‧‧活底料斗

724‧‧‧過濾器

726‧‧‧廢氣流

728‧‧‧燃料氣流

730‧‧‧吹掃氣流

758‧‧‧壓縮機

762‧‧‧周溫熱交換器

800‧‧‧氣體分餾系統

802‧‧‧進料氣體

804‧‧‧乾燥機

806‧‧‧乾進料氣體

808‧‧‧冷凍冷卻器

810‧‧‧多階段冷卻系統

812‧‧‧熱回收系統

814‧‧‧冷凍劑系統

816‧‧‧經冷卻的進料

818‧‧‧分離槽

820‧‧‧液體流

822‧‧‧蒸氣流

824‧‧‧膨脹機

826‧‧‧機械功

828‧‧‧發電機

830‧‧‧二相流

832‧‧‧分離塔

834‧‧‧再熱器

836‧‧‧熱交換器

838‧‧‧塔底流

840‧‧‧部份

842‧‧‧出口流

844‧‧‧CO₂產物

846‧‧‧部份

848‧‧‧塔頂流

850‧‧‧循環氣體

本技術的優點較佳為參考以下詳細說明及所附圖形而瞭解，其中：圖1為產生碳同素異形體之反應系統的方塊圖，例如為二氧化碳隔離反應的副產物；圖2為鑑別在該條件下會形成固體碳產物之平衡圖；圖3為在觸媒顆粒上形成碳同素異形體，例如奈米碳管(CNT)的催化性反應之示意圖；圖4A為顯示以金屬表面的粉碎產生觸媒顆粒的示意圖；圖4B為顯示以雷尼方法產生觸媒顆粒的示意圖；圖4C為顯示以酸處理產生觸媒顆粒的示意圖；圖4D為以氧化/還原方法產生觸媒顆粒的技術示意圖；圖5為形成碳同素異形體、例如奈米碳管的流體化床反應器圖；圖6為以包括二氧化碳及甲烷的氣體進料，製造碳同素異形體之單一反應器系統的簡化方法流程圖；圖7為以包括二氧化碳及甲烷的氣體進料，製造CNT之單一反應器系統的另一簡化方法流程圖，其中二氧化碳為過量；圖8為可使用於製造奈米碳管之反應器系統的氣體分餾系統之簡化方法流程圖；及圖9為以包括甲烷及二氧化碳的進料氣體產生例如奈米碳管之碳同素異形體的方法。

在以下詳細說明的章節中，說明本技術的特定具體實例。然而，以下說明所達的程度係對本技術的特別具體實例或特別用途為特定的，此係要僅作為示範用途且單純提供示範性具體實例的說明。因此，本技術並不受限於下述的特定具體實例，而是包括落於申請專利範圍的精神與範圍之內的所有替代方案、變化及等同體。

首先，為了容易參考，說明本申請案使用的特定詞語及在本文中使用的意義。在此所用詞語所達的程度未在以下定義者，則應如熟悉本技藝者對於在至少一種印刷出版品或提出的專利呈現之詞語所給予的最寬定義。而且，本技術不受以下所示的詞語用法所限制，因作為相同或類似用途的所有均等、同義詞、新發展、及詞語或技術皆視為在本申請專利範圍之內。

碳的纖維、奈米纖維、及奈米管為具有圓柱形結構的碳同素異形體，可在奈米範圍內。碳的奈米纖維及奈米管為富勒烯結構群的成員，其包括稱為「巴克敏斯特-富勒烯」(buckminister fullerene)的球形碳球。奈米碳管壁係以石墨烯結構的碳薄片所形成。如在此所用，奈米管可包括任何長度的單壁奈米管及多壁奈米管。可瞭解在此及本申請專利範圍中所用的詞語「碳同素異形體」包括所有的碳同素異形體，例如碳纖維、奈米碳纖維、及其他的碳奈米結構。

「壓縮機」為將包括氣體蒸氣混合物或廢氣之工作氣體壓縮之裝置，且包括泵浦、壓縮機渦輪、往復式壓縮機、活塞壓縮機、轉輪式真空(rotary vane)或螺旋式壓縮機，及能夠將工作氣體加以壓縮的裝置與組合。在一些具體實例中，較佳為例如壓縮機渦輪之特別類型的壓縮機。在此可使用的活塞壓縮機包括螺旋式壓縮機、轉輪式真空壓縮機等。

如在此所用，「設備」為化學或能量產物在其中加以處理或傳送之整套的物理性裝置。以其最廣泛的意義，設備此詞語係使用於可用以製造能量或形成化學產品的任何裝置。設施的實例包括聚合設備、碳黑設備、天然氣設備、及發電設備。

「烴」為主要包括氫及碳元素的有機化合物，雖然可含有少量的氮、硫、氧、金屬、或任何數量的其他元素。如在此所用，烴通常係指天然氣、油、或化學處理設施中所發現的成份。

如在此所用，詞語「天然氣」係指自原油井或自岩層下的含氣層所獲得的多成份氣體。天然氣的組成及壓力可有很大變化。一般的天然氣流含有的甲烷(CH₄)為主要成份，亦即大於50莫耳%的天然氣流為甲烷。天然氣流也可含有乙烷(C₂H₆)、較高分子量的烴(例如C₃-C₂₀烴)、一種或多種酸性氣體(例如硫化氫)、或其任何組合。天然氣也可含有微量的雜質，例如水、氮、硫化鐵、蠟、原油或其任何組合。天然氣流在具體實例中於使用前可實質地純化，以移除可能成為毒物的化合物。

「低BTU天然氣」為由貯存區獲取之含有實質比例CO₂的氣體。例如，低BTU天然氣可包括10莫耳%或更高的CO₂，再加上烴及其他成份。在一些情況下，低BTU天然氣可主要包括CO₂。

綜觀

在此所述的具體實例提供觸媒及製造觸媒的系統與方法，以供製造碳同素異形體，包括碳的纖維、奈米纖維、及奈米管(CNT)。該製造方法使用的進料可包括或形成碳氧化物及烴的混合物，尤其是例如CO₂及甲烷。在一些具體實例中，進料中的烴類含量較高，而在其他具體實例中，進料中的碳氧化物含量較高。亦可使用其他進料，包括H₂、CO、CO₂、及其他烴類的混合物。該方法係以博希反應及/或逆向氣化反應在高溫及壓力條件下進行，如關於圖2的討論。

該方法可略為放熱、能量中和、或略為吸熱。因此，在連續工作，提供一部份由方法所使用的熱，便可回收至少一部份來自反應的熱，並用以將進料氣體加熱。因使用高壓的方法，周溫熱交換器便足以自產物流中移除水蒸氣，無需使用冷凍冷卻器。在將產物與反應時形成的水分離後，使用氣體分餾系統，以自廢氣混合物中分離任何殘留量之有限的試劑，並將該試劑循環至方法中。

如在此所用，周溫熱交換器可包括水冷卻器、空氣冷卻器、或以實質上為周溫的來源將熱交換之任何其他冷卻系統。可瞭解周溫實質上為位於設施處外部的空氣溫度，視設施的位置而定，例如自範圍自約-40℃至約+40℃。而且，視當時的周溫而定，可使用不同類型的周溫熱交換器。例如，在夏季使用水冷卻器的設備可在冬季使用空氣冷卻器。可瞭解當本文提及任何有關使用周溫熱交換器時，可使用適當類型的熱交換器。視所需冷卻的量而定，周溫熱交換器在整個設備中可有不同的類型。

在此所述的具體實例中形成的觸媒可用以製造工業產量的碳產物，例如富勒烯、奈米碳管、奈米碳纖維、碳纖維、石墨、碳黑、及石墨烯，尤其是使用碳氧化物作為主要的碳源。可能產物的平衡可由反應中所使用的條件加以調整，包括觸媒組成份及用以製造觸媒的技術、以及反應溫度、壓力、進料等。在反應器系統中，碳的氧化物催化性地轉化成固體碳及水。碳的氧化物可得自許多來源，包括大氣、燃燒氣體、製程的排氣、井氣體、及其他天然和工業來源。

本方法使用二種進料，碳的氧化物例如二氧化碳(CO₂)或一氧化碳(CO)，及還原劑例如甲烷(CH₄)或其他烴、氫(H₂)、或其組合。還原劑可包括其他烴氣體、氫(H₂)或其混合物。烴氣體可同時作為外加的碳源及作為碳氧化物的還原劑。進料氣體可直接使用於反應器中，或可由其他碳系化合物形成。例如，合成氣可為方法中所產生的中間化合物或可包含於進料中。合成氣或「合成的氣體」包括一氧化碳(CO)及氫(H₂)，且因此在單一混合物中同時包括碳氧化物及還原性氣體。

在此所述的系統可納入發電及將碳氧化物隔離的工業方法中，使其轉化成固體的碳產物。例如，燃燒或方法排氣中的碳氧化物可分離並濃縮成為本方法的進料。在一些情況，這些方法可直接納入方法流而無分離及濃縮，例如作為多階段氣體渦輪發電站的中間步驟。

如在此所用，工業規模的方法可在短的時間期程中提供大量的碳同素異形體。例如，在此使用的技術可提供碳同素異形體的量大於約0.5Kg/hr、大於約1Kg/hr、大於約2Kg/hr、大於約5Kg/hr、大於約10Kg/hr、大於約100Kg/hr、或大於1000Kg/hr。所製造的量視設備的規模及選用的觸媒而定。

圖1為產生碳同素異形體例如為二氧化碳隔離反應的副產物之反應系統100的方塊圖。反應系統100提供進料氣體102，其例如特別是可為CO₂及CH₄的混合物。進料氣體102中可含有其他成份，例如C₂H₆、C₂H₄、含氧化合物等。在一具體實例中，進料氣體102已經過處理以除出這些成份，例如以產品流的形式以供販售。

進料氣體102通過熱交換器104以加熱以供反應使用。在連續操作時，部分的加熱係使用回收自反應的熱106所提供。其餘反應用的熱可由如下述的輔助加熱器提供。在啟動時，輔助加熱器係用以提供總熱，使進料達適當的反應溫度，例如約500至1000℃(約930至1832℉)。在一具體實例中，進料加熱至介於約500℃(約932℉)至約550℃(約1022℉)。在另一具體實例中，進料加熱至介於約700℃(約1292℉)至約750℃(約1382℉)。在另一具體實例中，進料加熱至介於約800℃(約1472℉)至約850℃(約1562℉)。在一具體實例中，將進料加熱至約600℃(約1112℉)。經加熱的進料氣體108饋入反應器110。

在反應器110中，利用博希反應，觸媒與部分經加熱的進料氣體108反應，而形成例如奈米碳管112之碳同素異形體。如下更詳細的說明，反應器110可為使用任何數量的不同觸媒之流體化床反應器。觸媒可具有任何數量的組成物，包括金屬及非活性物質，如以關於圖3及4的更詳細討論。而且，在各種具體實例中，觸媒可具有粗糙化的金屬表面，包括尤其是例如經酸處理的表面或經粉碎的表面。

奈米碳管112與流出反應器110之流動的流114分離，留下含有過量試劑與水蒸氣的廢氣流116。在流動的流114以廢氣流116進入冷卻器之前，使用至少一部份來自流動的流114的熱，以形成經加熱的進料氣體108。

廢氣流116通過周溫熱交換器，例如水冷卻器118，將水120冷凝出來。所得的乾廢氣流122用作為氣體分餾系統124的進料流。可瞭解在此所用的乾廢氣流122已移除大部分的水，但能仍含有少量的水蒸氣。例如，乾廢氣流122的露點可大於約-5℃、大於約0℃、大於約5℃、大於約10℃、大於約20℃、或更高。在氣體分餾之前，可使用乾燥器以降低露點，例如至約-50℃、約-70℃或更低。

氣體分餾系統124移出進料氣體102中部份較低濃度的試劑，並將其循環至方法中，例如藉由將循環流126與進料氣體102摻雜。進料氣體102中較高濃度的氣體可作為過量進料128加以棄置，例如銷售給下游使用者。作為實例，若在與CH₄的摻雜物中，CO₂為最高濃度的氣體，氣體分餾系統124可用以移出殘留在廢氣流中的CH₄，並以循環126將其送回方法中。該方法作用為在試劑與固體碳之間的平衡反應，如進一步關於圖2的討論。

當烴例如CH₄為過量時，可不需要氣體分餾系統124，因許多的碳氧化物例如CO₂可在反應中消耗。因此，含有CH₄且也可能含有H₂、CO、及其他氣體的過量進料128可使用以在發電廠中產生電力，而無需進一步的純化或氣體分離。而且，可將一部份的該過量進料128循環而無需進一步的處理或分餾。

圖2為鑑別會形成固體碳產物之條件的平衡圖。此圖為具有位於三角形頂點的元素C 202、H 204、及O 206的三角圖200。當自任何位置往頂點移動時，C 202、H 204、及O 206元素的莫耳比增加。以此方式，此三種元素所有可能的組成份可繪製在該三角圖200上。

具有任何二者或所有該三種元素之任何化學化合物或混合物可繪製在該三角圖200上，如示範的點所指示。一些化學化合物包括例如烷、烯、及炔的烴類，以及許多其他類型的烴類。烴位於連接C 202及H 204的C-H邊緣208上。僅包括元素C 202及O 206的化學化合物包括一氧化碳(CO)及二氧化碳(CO₂)，沿著連接C 202及O 206的C-O邊緣210發生。僅包括元素H 204及O 206的化學化合物，例如水(H₂O)，沿著連接H 204及O 206的H-O邊緣212發生。

在三角圖200的中間區域為具有所有三種元素C 202、H 204、及O 206的化學化合物及混合物。例如，這些化學化合物可包括很大數目的個別成份，例如醇、醛、醚，及更複雜結構的物質，例如碳水化合物。而且，也可含有化合物的混合物，例如氫、碳氧化物、及烴。

一些首批形成富勒烯、C₆₀及C₇₀、以及奈米碳管(CNT)的實驗係以碳電極的雷射削切進行，在質譜儀中捕捉碳物質。圖2中顯示的曲線214顯示在各種溫度的碳產量限制。這些曲線214係以進行受化學計量限制的吉布斯(Gibbs)最小化而決定，其以碳、氧、及氫的量在反應前後皆相同的限制為基礎，將所得化合物的吉布斯自由能最小化。固體碳的形成在第一次發生的點以組成物自三角圖200上的第一組成物點移動至第二組成物點的方式提及。

以熱力學而言，曲線214鑑別碳的活性為約1.0處的點。在碳的活性約1.0以上處，固體碳在中間區域中形成，而在碳的活性約1.0以下處，無固體碳形成。三角圖200可用於鑑別碳同素異形體、例如奈米碳管(CNT)之可能的製造條件，以及決定可用以彼之製造的化合物及混合物。

在圖2所指示的溫度處，大多數的烴、及其他有機化合物進行熱分解，以製造小的、熱力學穩定的氣體分子，例如CO、CO₂、CH₄、H₂O、H₂等。在特定的反應條件下，這些小的氣體分子可反應製造碳同素異形體。在一些情況下，碳同素異形體會是CNT的形式。各種維度及對掌性的單壁及多壁CNT皆可以這些方式製造。

形成碳同素異形體的反應途徑

視氧的濃度而定，烴以二種方式進行熱分解。在無氧存在下，大的烴分子會熱分解成較小的烴，例如甲烷、乙烷、丙烷、及氫。這些小的烴會進一步分解成碳及更多的氫，給予總反應如反應1所示。此反應稱為裂解反應，沿著C-H邊緣208發生。

代表性情況為甲烷的熱分解，如反應2所示。

當存在低量的氧時，烴會反應形成一氧化碳與二氧化碳及水以及碳同素異形體與氫，如反應3所示的反應。此反應稱為博希反應，且發生在三角圖200的中間區域。

反應後CO對H₂O的比例可不同，視系統的溫度而定。而且，視氧的量而定，在產物氣體中可有一些二氧化碳。製造的任何一氧化碳或二氧化碳在高溫的條件下，可反應而形成碳同素異形體。較高濃度的O₂通常導致較高的溫度，因為燃燒導致產生更多CO和CO₂及較少的固體碳和氫。因此，反應系統必須限制存在於系統中的氧量，以製造更大量的碳同素異形體。

包括有少量氧的有機化合物也可用於碳同素異形體的製造。這些化合物熱分解而形成小的、熱力學穩定的氣體分子，其可進一步在觸媒表面上反應，以製造碳同素異形體及水，如反應4所示的總反應，其為博希反應的另一實例。

所製造的任何一氧化碳或二氧化碳在這些高溫條件下具有反應成碳的趨勢，因而增加整體的產量。這些反應形成博希反應的最簡單具體實例，如反應5所示。

博希反應可機械地寫成二個分別的反應，其中CO以中間產物產生，如反應6及7所示。

第一個反應6快速且容易趨於平衡。第二個反應7則緩慢。可製造碳同素異形體的另一反應為波達(Boudouard)反應，如反應8所示。波達反應在C-O邊緣210上發生，且由一氧化碳製造碳同素異形體及二氧化碳。

除了直接在反應器中形成小分子，可使用許多其他方法提供反應物，以形成碳同素異形體。例如，可使用烴及其他有機化學物質的蒸汽精煉。在這些反應中，如反應9及10所示，形成名為合成氣的CO及氫的混合物。

在三角圖200中所示的反應溫度下，合成氣經由博希反應機構的第二步驟形成碳同素異形體，如反應7所示。

由上文所示反應明顯可見，有許多開始的點可供製造碳同素異形體，例如CNT。然而，聚焦於進料化合物轉換成小的、熱力學穩定的氣體混合物上，可將反應簡化。然後這些氣體可在觸媒的存在下，反應以形成碳同素異形體。藉由注意給定的烴與氧或與蒸汽反應，會轉化成一氧化碳、二氧化碳、水蒸氣、及氫，可進行此簡化。同樣地，給定的含氧化合物與其本身、或與氧或蒸汽反應，也會轉化成一氧化碳、二氧化碳、水蒸氣、及氫。小的、熱力學穩定的氣體之最終混合物可由對上述反應進行平衡計算而加以決定。

氣體混合物可於如反應8所示的波達反應、反應7所示的博希反應的步驟二、反應2所示的甲烷裂解反應、或該等的一些組合，再轉化成碳同素異形體。因所有這些反應製造碳同素異形體，故其可用以預測作為一些前述的熱分解反應所製造的一氧化碳、二氧化碳、氫、水蒸氣、甲烷等組成物之函數的碳活性。

金屬觸媒的氧化毒化

催化性反應以製造碳同素異形體之另一觀點為特定的氣體組成份及溫度會氧化使用於反應中的金屬觸媒，使其對進一步的催化反應無效，如反應11所示。氧導致金屬或合金氧化的點視其性質而定。對元素的金屬而言，此由形成氧化物的吉布斯自由能所決定。

若觸媒包括鐵，則可形成多種氧化物。最常見者包括方鐵體(Wüstite)(FeO)、磁鐵礦(Fe₃O₄)、及赤鐵礦(Fe₂O₃)。如圖2所示，方鐵體在這些溫度及壓力為熱力學有利的，並以如反應12所示的反應形成。

反應12的平衡常數K_FeO可由等式4所示的方程式加以決定。

K_FeO=exp[-△G_FeO/(R_gT)]=[P_O2/P_T]^-1/2 等式4

在等式4中，△G_FeO為鐵氧化成方鐵體的吉布斯自由能，其為溫度的函數，R_g為氣體常數，T為絕對溫度，P_O2為氧(O₂)的分壓，且P_T為系統的總壓力。P_O2/P_T的比例單純為O₂在系統中的莫耳分率。使用此方程式，可鑑別會啟動任何溫度下鐵的氧化之氧分壓。

可自等式5及6所呈現的任一個快速反應平衡而獲得氧的分壓。

在這些平衡計算中，K_i為氣體i分解的平衡常數，為溫度的函數。如等式5及6所示，氧的分壓受給定溫度下之水蒸氣對氫的莫耳分率比或二氧化碳對一氧化碳的莫耳分率比所控制。

如等式1至6所示，莫耳分率的比例對於決定氧的分壓及對於波達及博希反應機構的碳活性定義很重要。例如，莫耳分率的比例設定碳的活性及氧的分壓，使得會有將啟動金屬觸媒的氧化反應之給定的碳活性。

因為裂解反應為吸熱，其影響區域接近三角圖200的H 204頂點，溫度曲線在該處彎曲，溫度序列隨著系統中的碳量增加而反轉。結果，可以在接近H頂點的三角形內描述出接近C-H邊緣208的區域216，裂解反應在該處支配博希反應。因為轉換點隨系統的溫度改變而改變，視溫度而定，二條線218及220可用以指出區域216 的邊緣。第一條線218描述於約1173.45K(約900℃)的區域216，而第二條線220描述於約973.15K(約700℃)的區域216。裂解反應在線218或220與C-H邊緣208之間的區域內支配博希反應。

而且，自博希第二步驟及波達反應二者產生的Ac，基於熱力學學，以任一反應所製造的第一固體碳同素異形體有相同的機率處，可鑑別接近C-O邊緣210的區域。此區域的一邊可由三角圖200中的第一條線222所描述。而且，如上的討論，存在有博希反應的第二步驟產生足夠的水而導致氧分壓足夠高以使鐵觸媒會氧化成方鐵體之點。在此點224處，第一條線222變成點狀，且第二條線226在對FeO的固定氫(H)含量約0.14之情況下，限制波達區域在約1atm的系統壓力。在反應條件位於第一條線222的上方及至右方，及至第二條線222(FeO氧化)的右方，波達區域228支配博希反應。

結論

關於圖2所討論的計算，鑑別碳的活性為製造碳同素異形體例如CNT的驅動力。因此，在C-H-O系統中的各種反應混合物可被降低至使用三個的碳形成反應之碳活性的預測，該反應可應用在C-H邊緣208、C-O邊緣210及C-H-O系統的三角圖中間部份。大於約1.0的碳活性係以該三個的碳形成反應之每一者製造碳。在一些情況下，碳的活性為鐵轉變成方鐵體(FeO)的預測者。在這些情況下，鐵氧化的碳活性會限制碳可形成之碳活性的範圍至大於約1.0的值。就於約973.15K(約700℃)具等莫耳CO：H₂進料的博希第二步驟反應而言，碳活性受限制至例如大於約35的值。

而且，該計算清楚顯示描述的區域，其中裂解(區域216)及波達反應(區域228)分別在三角圖200的C-H邊緣208及C-O邊緣210上支配。此也顯示C-H-O系統的三角圖中間部份中的實驗條件界定博希反應區域230，其提供最大的反應器轉換率，使得比三角圖200的C-H邊緣208或C-O邊緣210上的反應有更快的製造及更高的產率。在此區域中，碳的濃度以Ac設定，且大於約10%。而且，氧含量大於約10%，且氫濃度大於約20%。

圖3為在觸媒珠302上形成碳同素異形體、例如奈米碳管(CNT)的催化性反應300之示意圖。在一部份熱氣體進料流306中、例如在CO₂及CH₄混合物中的起始反應304，導致CO及H₂以化學計量的量形成。過量的來源氣體306繼續流經反應器，幫助床的流體化，並將CNT 308及觸媒顆粒310帶離。

形成CNT 308的反應在觸媒珠302或觸媒顆粒310上發生。可由微粒312的尺寸，控制CNT 308的尺寸及CNT 308的類型，例如單壁或多壁CNT 308。不需受理論所限制，雖然反應可在微粒邊界314以外的其他點發生，足夠尺寸的鐵原子的核在微粒邊界314形成結核點，供碳產物在觸媒珠302上生長。可使用其他參數，同樣也影響最終產物的形貌，包括反應溫度、壓力、及進料氣體流量。CO及H₂在觸媒表面上反應，例如在微粒邊界314，抬升活性觸媒顆粒316離開觸媒珠302，且形成H₂O 318及CNT 308的固體碳。CNT 308與觸媒珠302及觸媒顆粒310***。可捕捉較大的觸媒顆粒310並返回反應器，例如，以關於圖4所討論的觸媒分離器，而很細的觸媒顆粒310會隨著CNT 308帶出。

最終產物會包括約70莫耳%的固體碳及約15莫耳%的金屬、約80莫耳%的固體碳及約10莫耳%的金屬、約90莫耳%的固體碳及約7莫耳%的金屬、或約95莫耳%的固體碳及約5莫耳%的金屬。CNT 308常會團聚而形成叢集320，為最終產物常見的形式。少量的CO及H₂通過反應器而未反應，且為反應器流出物流中的雜質。

隨著反應的進行，觸媒珠302及觸媒顆粒310劣化且最終會消耗。於是，反應可描述為金屬的粉塵反應。在一些具體實例中，以例如陶瓷或金的保護性內襯保護金屬表面以防受攻擊，因為金屬表面與反應條件的接觸不僅會劣化，而也會導致品質較差的產物形成。

觸媒珠302可包括來自週期表上不同IUPAC族之任何數量的金屬，例如尤其是第十族(例如鎳)、第八族(例如鐵或釕)、第九族(例如鈷)、或第六族(例如鉻或鉬)。其他可存在的金屬包括尤其是第七族金屬 (例如錳)、或第五族金屬(例如鈷)。可瞭解上列金屬僅為提及的族之示範，且可包括來自該族的其他金屬。然而，觸媒珠302上的催化性位址可主要含有鐵原子，例如具有鐵原子的莫耳比大於約50%、大於約60%、大於約70%、大於約80%、或大於約90%。在一具體實例中，觸媒珠302包括金屬射出，例如用於噴擊之約25至50網目的金屬珠。在各個具體實例中，觸媒包括顆粒尺寸介於約25μm至600μm。在許多具體實例中，觸媒包含顆粒尺寸介於約250至589微米。在一些具體實例中，觸媒包含顆粒尺寸介於約450至550微米。

在一具體實例中，觸媒可包括不銹鋼。不銹鋼中的鎳可降低鈍化(其為金屬氧化產生的結果)的量，而在方法中提供較高的活性。例如，在使用於觸媒的不銹鋼顆粒中，鎳含量可為約1%、約3%、約5%、或更高。雖然較高量的鎳可促使觸媒顆粒較低的鈍化，較高量的鎳也可降低觸媒的活性。同樣地，觸媒顆粒也可包括鉻。例如，鉻含量可為約0%、0.5%、1%、或更高。如同鎳，較高量的鉻可降低活性。觸媒不必須為金屬或金屬合金，但可包括其他物質。例如，觸媒可為鐵的氧化物，例如赤鐵礦、磁鐵礦、或方鐵體、或其任何組合。而且，觸媒可為鐵的碳化物或其他的鐵化合物。

形成觸媒顆粒

圖4A至4D提供製造具有粗糙化金屬表面的觸媒顆粒(其可用以製造碳同素異形體，例如奈米碳管)之技術的實例。例如，可將金屬冷加工而形成觸媒，以暴露粗糙化的金屬表面，如關於圖4A所討論。

圖4A為顯示將金屬表面粉碎產生觸媒顆粒的示意圖。在此實例中，金屬珠402以高速度在珠擊(shot peening)方法中衝擊於硬表面404處。金屬珠402與表面404的衝擊將金屬珠402碎裂，產生金屬顆粒406，其可被捕捉並使用作為觸媒顆粒。硬表面404也可為金屬，而且增加因此衝擊而產生的顆粒。

也可使用其他將金屬粉碎的技術以產生觸媒。例如，可將金屬研磨而形成金屬碎屑。在另一實例中，可自表面刮削金屬而形成金屬刨屑、及金屬纖維例如鋼毛。也可使用供產生粗糙化、或受壓的金屬表面之其他技術。例如，以低溫破碎金屬的方式可形成觸媒顆粒。熔融金屬的液滴可滴進水淬中，形成粗糙化的顆粒。

圖4B為顯示使用雷尼(Rainey)方法產生觸媒顆粒408的示意圖。在此實例中，以鋁414形成催化性金屬412的合金410，例如鐵、鋼、或其他合金。使用氫氧化鈉的濃縮溶液將鋁414蝕刻去除，如箭號416所指示。蝕刻形成催化性金屬412的多孔結構418。此可直接提供觸媒顆粒408，例如，若催化性金屬412比鋁的濃度更低。或是，可將多孔結構418破碎，以形成觸媒顆粒408，如箭號420所指示。而且，可將觸媒顆粒408進行酸處理，以增強活性。

也可使用供形成粗糙化表面的化學技術。圖4C顯示以酸處理產生觸媒顆粒422的示意圖。該酸處理係取金屬顆粒424進行，例如鋼珠、觸媒顆粒406或408等，並將金屬顆粒424暴露於酸426中。酸426容許蝕刻金屬顆粒424的部分表面，但在溶解發生之前便停止，形成經酸蝕刻的觸媒顆粒422。

圖4D為以氧化/還原方法產生觸媒顆粒428的技術示意圖。在此方法中，顆粒430的金屬表面可在氧化方法432中處理，例如，暴露於氧中，以形成部分氧化的顆粒434。可再於還原方法436中處理部分氧化的顆粒434，例如，暴露於氫中，以移除氧化層，形成觸媒顆粒428上的粗糙化表面。

這些技術可單獨使用，或可組合以增加觸媒的活性。例如，以圖4B中的雷尼方法所產生的觸媒顆粒408可進行關於圖4C所討論的酸處理，或進行關於圖4D所討論的氧化/還原方法。

反應器系統

圖5為形成例如奈米碳管502之碳同素異形體的流體化床反應器500的圖。熱氣體進料流504經由管線506饋入流體化床反應器500的底部。可使用控制閥508，以調節熱氣體進料流504流入反應器中。熱氣體進料流504流經分佈板510，且會將維持在反應器壁514的觸媒顆粒512的床流體化。如在此所用，「流體化」意為觸媒顆粒512會在彼此附近流過而使氣泡通過，提供似流體流的行為。

觸媒顆粒512並不限於活性金屬顆粒，也可包括活性金屬顆粒及非活性顆粒的混合物。非活性顆粒可包括氧化鋁、鈰的氧化物、氧化鈦、氧化鋯或Cr₂O₃、或其任何組合。非活性顆粒可減緩碳同素異形體的生成速率，增進想要的碳同素異形體之生成，例如奈米碳管，同時降低較不想要的碳同素異形體的量，例如非晶質碳。而且，非活性顆粒在反應期間可磨蝕活性金屬顆粒，而暴露新鮮的表面。活性顆粒對非活性顆粒的比例可為約5：1、約4：1、約3：1、約2：1、約1：1、約1：2、約1：3、或任何數目的其他比例。對特定觸媒、非活性顆粒、及所用的進料以實驗完成活性顆粒及非活性顆粒之間的比例決定。可用奈米碳管在反應中形成的量為基礎進行測量。

流體化床反應器500可使用任何數目的顆粒尺寸以改變流體化的動力。例如，觸媒顆粒512可在傑達(Geldhart)A級的尺寸範圍內，例如自約20至約100μm，提供常與粉末觸媒有關的氣泡流體化。而且，觸媒顆粒512可在傑達(Geldhart)B級的尺寸範圍內，例如自約40至約500μm，其也可提供氣泡流體化。在一些具體實例中，觸媒顆粒512可在傑達(Geldhart)D級的尺寸範圍內，例如在約500μm以上，提供噴流床流體化。

如在此討論，反應條件對任何暴露的金屬表面非常嚴苛，因為金屬表面會成為反應的觸媒。因此，反應會導致暴露的金屬表面緩慢的劣化。於是，反應器的內表面、包括反應器壁514及頭部515、以及分佈板510、及其他部件，可用保護性材料所製，例如陶瓷或金，以保護該表面。

當熱氣體進料流504流經觸媒顆粒512的流體化床時，會由觸媒顆粒512形成CNT 502及其他碳同素異形體。流動的熱氣體進料流504將CNT 502及其他碳同素異形體帶入塔頂管線516，在此將其自反應器500移出。視流量而定，例如以控制閥508加以調整，少量的觸媒顆粒512、或觸媒顆粒512碎裂的較小顆粒可帶入塔頂管線516中。於是，觸媒分離器518可用以將觸媒顆粒512與反應器流出物流520的較大碎片分離，並使其經由循環管線522返回反應器500。對觸媒分離器518可使用任何數目的結構，包括旋風分離器、沈降槽、料斗等。

因活性觸媒顆粒512在反應期間連續地劣化，一部份隨奈米碳管502而帶出。因此，更多的活性觸媒顆粒512添加至流體化床反應器500，以維持流體化床反應器500中實質上為等量的觸媒顆粒512。此可由具有管線526引導入流體化床反應器500的觸媒槽524所進行。管線526可使用閥528以計量該流。觸媒槽524中的顆粒530可僅包括活性觸媒，因流體化床反應器500中的非活性顆粒在反應期間可能不會劣化。

圖6為單反應器系統600的簡化方法流程圖，以包含二氧化碳及甲烷的氣體進料製造碳同素異形體。如所示，單反應器系統600可使用於CO₂量較高或CH₄量較高的進料氣體602。在反應系統600中，進料氣體602與循環氣604(該較少量的氣體之濃度已被提升)混合。可使用靜態混合器606進行該混合。

混合氣流608通過熱交換器610，以反應器的流出物流加熱。對經加熱的氣流612，溫度可自如本文所定義之接近周溫上升至適當的反應溫度，例如約500℃(930℉)、約600℃(約1112℉)、約700℃(約1292℉)、約800℃(約1472℉)、或約900℃(約1652℉)。該溫度可足以維持連續操作時的反應。然而，部分的熱可由包封加熱器614所提供，其可特別用於加入熱，使反應物提高至開始時的溫度。再將熱氣流616導入流體化床反應器618，例如關於圖5所討論的流體化床反應器500。進料並不限於氣態進料，但可包括可氣化及直接注射進流體化床反應器618中的液體進料。

碳同素異形體於反應器流出物流620中自流體化床反應器618帶出。反應器流出物流620可處於高溫，例如約600℃(約1112℉)、約700℃(約1292℉)、約800℃(約1472℉)、或約900℃(約1652℉)，且可由與混合氣流608交換熱而冷卻，例如，提供一些或全部的熱用以將反應物加熱。不論在冷卻前或後，反應器流出物流620通過例如旋風分離器之分離裝置622，以移出碳同素異形體，例如CNT 624。所得的廢氣流626可用以對熱交換器610內的混合氣流608提供熱。也可在比廢氣流626溫度更低的第二分離裝置(未示出)中移出碳同素異形體。

在對混合氣流608提供熱之後，經冷卻的廢棄流628通過周溫熱交換器630，且然後再饋入分離槽632。水634在分離槽632中沈降，並自底部移除。然後可將水634輸送進水純化系統636。水純化系統636可製造經純化的水流638，以及廢棄流640。

水純化系統636可藉由許多的分離技術，用以將經冷卻的廢棄流628的碳同素異形體移出。例如，水純化系統636可配置以水634中的碳同素異形體製造碳氧化物。在另一實例中，可使用空氣曝氣方法，使有效分離水634中的碳同素異形體。

來自分離槽632之所形成的氣流642可明顯較冷的，例如為約30℃、約38℃(約100℉)、或約40℃，且壓力約2500仟帕斯卡(kPa)、約3000kPa、約3720kPa(約240psia)、或約4000kPa。在一具體實例中，於乾燥器中(未示出)再將該氣體乾燥至低的露點。該流進入壓縮機644，將氣流642的壓力提高，例如至約5000kPa、約6000kPa、約7000kPa、約7,240kPa(約1050psia)、或約8000kPa，形成高壓流646，通過另一周溫熱交換器648。例如若未使用乾燥器時，自周溫熱交換器648，高壓流646饋入分離槽650，以移除任何殘留的水634。如圖6所示，水634可與來自分離槽632的水 634混合，並饋入水純化系統636。

在具體實例中，其中進料氣體602中的CO₂為過量，可將乾氣流652送至氣體分餾系統654，在此分離過量進料656與循環氣604。在以成比例過量的CO₂為基礎的反應系統600中，過量進料656可主要包括CO₂，且循環氣604可主要包括CH₄。在以成比例過量的CH₄為基礎的反應系統600中，過量進料656不具有實質的CO₂含量，且其一部分可無需進一步純化而加以循環，例如，以岐管取代氣體分餾系統654。在一些具體實例中，如圖7所示，部分的過量進料656、循環氣604、或二者，可用以提供燃料氣流、吹掃氣流、或二者以供使用於設備中。

圖7為以包括二氧化碳及甲烷的氣體進料，製造CNT的單反應器系統700之另一簡化方法流程圖，其中二氧化碳為過量。圖7中，相同的編號項目如圖6所述。如關於圖6所述，進料氣體602通過靜態混合器606，在該處與高甲烷含量的循環氣604混合。混合氣流608通過熱交換器610，例如包括多重殼及管狀熱交換器702。圖7與圖6更詳細的方法流程圖之間的主要差異為在將碳同素異形體自反應器流出物流620分離出來之前，使用熱交換器將反應器流出物流620冷卻。

在此具體實例中，經加熱的氣流612在流經第二熱交換器704之前，於熱交換器610中提高至溫度約300℃、約400℃、約427℃(約800℉)、或約500℃。在第二熱交換器704中，經加熱的氣流612流經第一陶瓷塊熱交換器706，如箭號708所示。儲存在第一陶瓷塊熱交換器706中的熱交換至經加熱的氣流612，並可增加溫度至介於約500℃(約932℉)至約550℃(約1022℉)。在另一具體實例中，將該進料加熱至介於約700℃(約1292℉)至約750℃(約1382℉)。在另一具體實例中，將該進料加熱至介於約800℃(約1472℉)至約850℃(約1562℉)。

雖然第一陶瓷塊熱交換器706係用以將經加熱的氣流612加熱，但第二陶瓷塊加熱器710係藉由將反應器流出物流620流經第二陶瓷塊加熱器710而將此流冷卻，如箭號712所示。當第二陶瓷塊熱交換器710達到選定的溫度時，或第一陶瓷塊熱交換器706掉至選定的溫度時，入口閥714及出口閥716的位置會交換。易言之，關閉打開的閥且打開關閉的閥。閥位置的改變會改變那一個陶瓷塊熱交換器(706或710)被來自反應器618的流加熱，以及那一個陶瓷塊熱交換器(706或710)被用於將經加熱的氣流612加熱。熱交換器610及704也可用以將製備供注入反應器618的液體進料氣化。例如，在第二熱交換器704中的每一陶瓷塊熱交換器706及710的一部份可具有專屬於將液體進料驟沸成蒸氣的流體通道。

熱可能不足以將經加熱的氣流612的溫度增加至足供反應。因此，如關於圖6的敘述，可使用包封加熱器614，進一步提升經加熱的氣流612的溫度，形成可饋入流體化床反應器618的熱氣流616。碳同素異形體在流體化床反應器618中形成，且在反應器流出物流620中帶出。

在流經第二陶瓷塊加熱器710之後，反應器流出物620流至分離系統718，其係用以將例如CNT 624的碳同素異形體自反應器流出物620移出。在此具體實例中，碳同素異形體的分離系統718包括旋風分離器720、活底料斗722、及過濾器724。大多數的碳同素異形體在以旋風分離器720移出並沈積進入活底料斗722之後，使用過濾器724移出廢氣流726中剩餘的碳同素異形體。此可幫助預防阻塞，或因廢氣流726中殘留的碳同素異形體導致的其他問題。過濾器724除了其他類型之外，還可包括袋式過濾器、燒結金屬過濾器、及陶瓷過濾器。可將例如CNT 624的碳同素異形體自分離系統718導引至包封系統。在過濾器724之後，廢氣流726在流至周溫熱交換器630之前，流經熱交換器610，且再饋入分離槽632，以分離出水634。在流經分離槽632之後，該流由圖6加以敘述。

個別的流604及656可用於供應其他氣體至製程。例如，可自高甲烷循環氣604移出燃料氣流728，並使用於發電渦輪機、鍋爐、或其他設備，以對系統700或對電網提供電力。而且，可自CO₂廢棄流656移除吹掃氣流730。吹掃氣流730可在包封時用於冷卻及吹掃CNT。吹掃氣體也可使用於設備中的各種清潔功能，例如當流反向時，將殘留的碳同素異形體吹離陶瓷熱交換器706或710。

類似的設備配置可使用於高甲烷進料氣體。然而，在此情況下，可不需要氣體分餾系統，因為所得的氣體可直接循環而無需進一步的處理。而且，循環及流出物廢棄流可含有實質量的氫及一氧化碳，例如每一成份分別為大於約1莫耳%、分別為約5莫耳%、分別為約10莫耳%、或分別為約20莫耳%。這些成份通常會存在於進料及所有非CO₂的產物流中，亦即該循環甲烷總是含有一些CO及H₂。

氣體分餾系統

圖8為氣體分餾系統800的簡化方法流程圖，可使用於製造奈米碳管的反應器系統。氣體分餾系統800為大量分餾方法，可使用於高CO₂反應器系統，例如關於圖3的討論。而且，氣體分餾系統800可用以將氣化機中所形成的氣流純化，例如關於圖3所討論的系統。

在氣體分餾系統800中，將進料氣體802(例如關於圖6及7所討論的乾氣流652)饋入乾燥機804，以將露點降低至約-40℃、約-50℃、約-56.7℃(約-70℉)、約-60℃、約-70℃、約-80℃、或更低。乾燥機804可為固定或流體化乾燥機床，含有例如分子篩、乾燥劑等的吸附劑。也可使用其他乾燥機技術，例如冷凍乾燥機系統。在一些具體實例中，乾燥機可位在壓縮機644之前，可免除周溫熱交換器648之需求。

乾氣體進料806接著饋入通過冷凍冷卻器808，以降低準備分離的溫度。因CO₂會在約-61℃(約-77℉)自氣體凝結出，故可使用多階段冷卻系統810，以將溫度降低至大約此水準。多階段冷卻系統810可包括熱回收系統812，用於利用來自乾進料氣體806的能量813來加熱出口氣體。多階段冷卻系統810也可包括其他的冷凍劑系統814，例如中等壓力的丙烷系統或高壓的丙烷系統。

將冷卻的進料816饋入分離槽818，以分離液體流820及蒸氣流822。蒸氣流822通過膨脹機824，藉由以絕熱膨脹方法產生機械功826而降低溫度。在一具體實例中，機械功826係用以驅動發電機828，可提供設備中所使用的部份電力。在另一具體實例中，機械功826係用以驅動壓縮機，例如將多階段冷卻系統810的冷凍劑流壓縮。膨脹可導致二相流830。

液體流820及二相流830例如沿著分離塔832的不同點，饋入分離塔832。以再熱器834將熱供應至分離塔832。以來自熱交換器836的流將再熱器832加熱。熱交換器836可為冷卻系統的一部份，其雖然低於周溫，但較分離塔832暖和。塔底流838通過再熱器834，且一部份840在受熱後重新注入。再熱器834的出口流842提供CO₂產物844。CO₂產物844的一部份846可循環通過熱交換器836，以將能量帶至再熱器834。

分離塔832的塔頂流848為甲烷的強化流，例如包括約55莫耳%的CH₄及約40莫耳%的CO₂、約60莫耳%的CH₄及約35莫耳%的CO₂、約70莫耳%的CH₄及約25莫耳%的CO₂、約73莫耳%的CH₄及約23莫耳%的CO₂、或約80莫耳%的CH₄及約15莫耳%的CO₂。應注意的是，可在冷卻器系統812中使用塔頂流848，藉由與乾氣體進料806交換熱能813，而將乾氣體進料806冷卻，將塔頂流848加熱以形成循環氣850。循環氣850中可存在其他成份，包括例如約1莫耳% CO及H₂、約2莫耳% CO及H₂、約3.5莫耳% CO及H₂、約4莫耳% CO及H₂、或約5莫耳% CO及H₂。

關於圖8討論的配置及單元僅為示範性質。可對這些系統作任何數目的變化。而且，在具體實例中可使用其他的氣體分離系統，只要可達到流量及純度水準。

形成碳同素異形體及觸媒的方法

圖9為自包括甲烷及二氧化碳的進料氣體產生碳同素異形體例如奈米碳管的方法900。方法900以方塊902開始，以其獲得進料。該進料可為氣體的混合物，例如CO₂/CH₄，且可得自任何數量的來源。如所提及，進料可包括採自地表下貯存區的天然氣、發電設備的廢氣、或來自烴貯存區、碳系物質、或設備來源的任何數量的其他氣體。而且，具體實例中可使用其他進料，包括其他物質，例如合成氣、CO、H₂、其他烴等。

方塊904中，進料與得自方法中所產生的廢氣之循環氣混合。如在此所述，循環氣可得自冷凍氣體分餾、以及任何數量的其他技術的廢氣。在方塊906中，以回收自反應方法的廢熱將混合的氣流加熱。加熱之後，方塊908中，混合的氣流與反應器中的金屬觸媒反應，以形成CNT。如關於圖4A至4D所討論，可使用可產生粗糙化表面之任何數目的技術，形成該觸媒。方塊909中，對方法添加補充的觸媒，以維持觸媒量相對的穩定。

方塊910中，自廢氣分離出碳同素異形體例如CNT。方塊912中，將經分離的CNT吹掃、冷卻、並包封以送至市場。廢氣經冷卻以移除反應時形成的過量水。當方法在高溫及高壓下進行時，周溫熱交換器提供足夠的冷卻，以將水蒸氣凝結出來。反應系統中之每一系列的反應器可重複方塊906至914中所述的方法。

方塊916中，將廢氣分餾成富CO₂流及富CH₄流。方塊918中，任一含有過量試劑的流皆可銷售，而其他流可循環至方塊904，以待使用於方法中。

本申請專利範圍主題文件的更進一步其他具體實例可包括以下編號的段落中所列的任何元素組合：

1、一種製造碳同素異形體的系統，其包括：反應器，而其係建構成使用觸媒於博希(Bosch)反應中以自進料形成碳同素異形體；及觸媒，其中該觸媒包括粗糙化的金屬表面。

2、如第1段之系統，其中該進料包括至少約10莫耳 %的氧。

3、如第1或2段之系統，其中該觸媒包括經粉碎的金屬碎片。

4、如第1至3段中任一段之系統，其中該觸媒包括金屬噴擊珠。

5、如第1至4段中任一段之系統，其中該觸媒包括尺寸介於約25μm至600μm的顆粒。

6、如第1至5段中任一段之系統，其中該觸媒包括介於約250至589微米的顆粒。

7、如第1至6段中任一段之系統，其中該觸媒包括鐵。

8、如第7段之系統，其中該觸媒包括鎳、鉻、或其任何組合。

9、如第1至8段中任一段之系統，其中該觸媒包括金屬刨屑。

10、如第1至9段中任一段之系統，其中該觸媒包括金屬纖維。

11、如第1至10段中任一段之系統，其中該觸媒包括金屬顆粒。

12、如第1至11段中任一段之系統，其中該觸媒包括赤鐵礦、磁鐵礦、或方鐵體(Wüstite)、或其任何組合。

13、如第1至12段中任一段之系統，其中該觸媒包括碳化鐵。

14、如第1至13段中任一段之系統，其中該觸媒包括活性金屬顆粒及非活性顆粒的混合物。

15、如第14段之系統，其中該非活性顆粒減緩碳同素異形體的形成速率。

16、如第14段之系統，其中該非活性顆粒包括氧化鋁、鈰氧化物、氧化鈦、氧化鋯、或Cr₂O₃、或其任何組合。

17、如第14段之系統，其中該非活性顆粒在反應期間磨蝕活性金屬顆粒以暴露出活性表面。

18、如第1至17段中任一段之系統，其中該碳同素異形體包括奈米碳管。

19、如第1至18段中任一段之系統，其中該反應器為流體化床反應器，且係使用進料氣體的逆向流將觸媒流體化。

20、如第1至19段中任一段之系統，其中：該觸媒包括在傑達(Geldart)D級尺寸範圍內的顆粒；且該反應器具有噴流床。

21、一種形成觸媒之方法，而該觸媒係用於形成奈米碳管，該方法包括產生具有粗糙化的金屬表面之觸媒。

22、如第21段之方法，其包括將金屬進行粉碎，以形成該觸媒。

23、如第21或22段之方法，其包括將金屬進行珠擊(shot peening)，以形成經粉碎的金屬碎片。

24、如第21至23段中任一段之方法，其包括將金屬研磨，以形成經粉碎的金屬碎片。

25、如第21至24段中任一段之方法，其包括自金屬表面將金屬刮削出刨屑，以形成經粉碎的金屬。

26、如第21至25段中任一段之方法，其包括利用低溫破碎金屬的方式形成該觸媒。

27、如第21至26段中任一段之方法，其包括藉由自熔融金屬形成液滴的方式形成該觸媒。

28、如第21至27段中任一段之方法，其包括將該液滴於液體中驟冷。

29、如第21至28段中任一段之方法，其包括藉由下列步驟形成該觸媒：將金屬表面部份氧化，以形成部份氧化的金屬表面；及將該部份氧化的金屬表面還原，以形成粗糙的表面。

30、如第21至29段中任一段之方法，其包括藉由下列步驟形成該觸媒：以鋁產生催化性金屬的合金；及蝕刻去除該鋁，而留下粗糙化的金屬表面。

31、如第21至30段中任一段之方法，其包括藉由以酸處理金屬表面而形成觸媒。

32、一種形成奈米碳管之方法，其包括：於反應器中利用博希反應在觸媒上形成奈米碳管，其中該觸媒包括經粉碎的金屬表面；自反應器流出物中分離出該奈米碳管，而形成廢棄流；以來自該廢棄流的廢熱將進料氣體、乾的廢氣流、或二者加熱；及以周溫熱交換器將廢棄流冷卻，而凝結水蒸氣，形成乾的廢氣流。

33、如第32段之方法，其包括藉由將金屬冷加工以暴露出粗糙化的金屬表面，而形成該觸媒。

34、如第32或33段之方法，其包括將至少一部份的乾廢氣流循環至該反應器。

35、如第32至34段中任一段之方法，其包括將觸媒添加至該反應器，以保持反應器中具有實質上為等量的觸媒。

本技術可接受各種變化及替代形式，上述討論的具體實例僅以範例顯示。然而，應再次瞭解本技術並非受在此揭示的特殊具體實例所限制。實際上，本技術包括落在申請專利範圍的真正精神與範圍內之所有替代方案、變化、及均等。