TW201351483A - 改質層形成方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種即使脈衝雷射光線之聚光點被定位於被加工物表面，也不會引起剝離的改質層形成方法。本發明係一種改質層形成方法，將對於被加工物具有透過性之波長的脈衝雷射光線，將聚光點從預定的照射面於內部定位而進行照射，於被加工物內部形成所需的改質層，該方法是在與被加工物之該照射面鄰接的面被定位於脈衝雷射光線之照射位置時，使脈衝雷射光線的輸出降低至無法將被加工物加工之輸出。

Description

改質層形成方法 發明領域
本發明係有關於一種改質層形成方法，把對於被加工物有透過性之波長的脈衝雷射光線，將聚光點定位於被加工物的內部而進行照射，而在被加工物的內部形成改質層。
發明背景
由透明或半透明體所形成的被加工物，把對於該被加工物具有透過性之波長的脈衝雷射光線的聚光點定位於被加工物的內部而照射該脈衝雷射光線，於被加工物內部形成改質層而描繪模樣、圖形、文字，如此之內部加工技術已被實用化(例如，參照專利文獻1)。
又，在藉由格子狀的分割預定線所區劃的表面形成有IC、LSI、LED等複數元件的矽晶圓、藍寶石晶圓，把對於該等晶圓有透過性之波長的脈衝雷射光線，將聚光點定位於晶圓內部而沿著分割預定線照射，於矽晶圓、藍寶石晶圓內部沿著分割預定線形成成為分割起點，如此的內部加工技術已被實用化(例如，參照專利文獻2)。
先前技術文獻
專利文獻1：日本發明公開公報特開平7-76167號
專利文獻2：日本發明專利公報特許第3408805號
發明概要
然而，在上述內部加工技術中，當脈衝雷射光線的聚光點定位於被加工物的表面時，會引起剝離(ablation)而妨礙內部加工的進行。
本發明係有鑑於上述事實而成者，主要的技術課題在於：提供一種改質層形成方法，可使得即使脈衝雷射光線的聚光點被定位於被加工物表面，也不會引起剝離。
為了解決上述主要技術課題，根據本發明，把對於被加工物具有透過性之波長的脈衝雷射光線，照射於被加工物，於被加工物內部形成改質層，其特徵在於包含有以下步驟：改質層形成步驟，在將聚光點定位於被加工物內部的狀態下，透過與脈衝雷射光線之光路正交的照射面，將脈衝雷射光線照射於被加工物，藉此，在被加工物內部形成改質層；及輸出降低步驟，當與被加工物之該照射面鄰接的面被定位於脈衝雷射光線之照射位置時，使脈衝雷射光線的輸出降低至無法將被加工物加工之輸出。
輸出降低步驟中的輸出包含輸出0。
在本發明之改質層形成方法中，當與被加工物之 照射面鄰接的面被定位於脈衝雷射光線之照射位置時，使脈衝雷射光線的輸出降低至無法將被加工物加工之輸出，故即使脈衝雷射光線的聚光點被定位於與照射面鄰接的面，也不會引起剝離。
1‧‧‧雷射加工裝置
2‧‧‧靜止基台
3‧‧‧夾盤台機構
4‧‧‧雷射光線照射單元支持機構
5‧‧‧雷射光線照射單元
6‧‧‧拍攝手段
7‧‧‧控制手段
10‧‧‧半導體晶圓
10a‧‧‧表面
10b‧‧‧背面
10c‧‧‧圓弧面
11‧‧‧切割道
12‧‧‧元件
20‧‧‧被加工物
21‧‧‧基體
31、31‧‧‧引導軌
32‧‧‧第1滑動塊
33‧‧‧第2滑動塊
35‧‧‧罩台
34‧‧‧圓筒構件
36‧‧‧夾盤台
37‧‧‧加工送進手段
38‧‧‧第1分度送進手段
41、41‧‧‧引導軌
42‧‧‧可動支持基台
43‧‧‧第2分度送進手段
51‧‧‧單元持具
52‧‧‧雷射光線照射手段
53‧‧‧聚光點位置調整手段
54‧‧‧Z軸方向位置檢測手段
54a‧‧‧線性尺規
54b‧‧‧讀取頭
71‧‧‧中央處理裝置(CPU)
72‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
73‧‧‧隨機存取記憶體(RAM)
74‧‧‧計數器
75‧‧‧輸入介面
76‧‧‧輸出介面
100‧‧‧改質層
200‧‧‧圖案
201‧‧‧下面
202‧‧‧上面
203‧‧‧傾斜側面
321、321‧‧‧被引導溝
322、322‧‧‧引導軌
331、331‧‧‧被引導溝
361‧‧‧吸附夾
362‧‧‧夾具
371‧‧‧公螺桿
372‧‧‧脈衝馬達
373‧‧‧軸承塊
374‧‧‧X軸方向位置檢測手段
374a‧‧‧線性尺規
374b‧‧‧讀取頭
381‧‧‧公螺桿
382‧‧‧脈衝馬達
383‧‧‧軸承塊
384‧‧‧Y軸方向位置檢測手段
384a‧‧‧線性尺規
384b‧‧‧讀取頭
421‧‧‧移動支持部
422‧‧‧裝接部
423、423‧‧‧引導軌
431‧‧‧公螺桿
432‧‧‧脈衝馬達
511、511‧‧‧被引導溝
521‧‧‧套筒
522‧‧‧脈衝雷射光線振盪手段
522a‧‧‧脈衝雷射光線振盪器
522b‧‧‧重複頻率設定手段
523‧‧‧輸出調整手段
524‧‧‧聚光器
524a‧‧‧方向變換鏡
524b‧‧‧聚光透鏡
532‧‧‧脈衝馬達
A1‧‧‧送進開始位置座標值
B1‧‧‧送進終了位置座標值
E1,E2,E3,E4‧‧‧4角
F‧‧‧環狀框
P‧‧‧聚光點
T‧‧‧切割膠帶
W‧‧‧被加工物
X1‧‧‧加工送進方向
圖1係用以實施本發明之改質層形成方法的雷射加工裝置的立體圖。
圖2係裝備於圖1所示之雷射加工裝置的控制手段的方塊構成圖。
圖3係裝備於圖1所示之雷射加工裝置的控制手段的方塊構成圖。
圖4(a)、(b)係藉由本發明之改質層形成方法所加工的半導體晶圓的立體圖以及將重要部分放大顯示的截面圖。
圖5係顯示將圖4所示之半導體晶圓貼附於安裝在環狀框上的切割膠帶之狀態的立體圖。
圖6(a)、(b)係顯示圖4所示之半導體晶圓被保持在圖1所示之雷射加工裝置之夾盤台預定位置的狀態下，座標位置間之關係的說明圖。
圖7(a)、(b)係顯示本發明之改質層形成方法中改質層形成工程之第1實施形態的說明圖。
圖8係顯示藉由本發明之改質層形成方法所加工的被加工物安裝於基體表面之狀態的立體圖。
圖9(a)、(b)係顯示本發明之改質層形成方法中改質層形成工程之第2實施形態的說明圖。
用以實施發明之形態
以下，參照附圖更詳細地說明本發明之改質層形成方法的較佳實施形態。
圖1顯示了用以實施本發明之改質層形成方法的雷射加工裝置的立體圖。圖1所示之雷射加工裝置1具備有：靜止基台2；夾盤台機構3，可朝箭號X所示之加工送進方向(X軸方向)移動地配設於該靜止基台2，且可保持被加工物；雷射光線照射單元支持機構4，可朝與X軸方向正交、以箭號Y顯示的分度送進方向(Y軸方向)移動地配設於靜止基台2上；及雷射光線照射單元5，可朝以箭號Z所示之聚光點位置調整方向(Z軸方向)移動地配設在該雷射光線照射單元支持機構4。
上述夾盤台機構3具備有：一對引導軌31、31，沿著X軸方向平行地配設於靜止基台2上；第1滑動塊32，可朝X軸方向移動地配設於該等引導軌31、31上；第2滑動塊33，可朝Y軸方向移動地配設於該第1滑動塊32上；罩台35，藉由圓筒構件34支持於該第2滑動塊33上；及夾盤台36，作為被加工物保持手段。該夾盤台36具備有由多孔性材料所形成的吸附夾361，且藉由未圖示之吸引手段將作為被加工物之例如圓盤狀半導體晶圓保持在吸附夾361上。如此所構成的夾盤台36係藉由配設在圓筒構件34內之未圖示的脈衝馬達來旋轉。另外，在夾盤台36，配設有用以固定後述之環狀框的夾具362。
上述第1滑動塊32，在其下面設有與上述一對引導軌31、31嵌合的一對被引導溝321、321；並且，在其上面設有沿著Y軸方向平行地形成的一對引導軌322、322。如此所構成的第1滑動塊32係構成為：藉由被引導溝321、321與一對引導軌31、31嵌合，可沿著一對引導軌31、31而朝X軸方向移動。在圖示之實施形態中的夾盤台機構3具備有加工送進手段37，用以使第1滑動塊32沿著一對引導軌31、31朝X軸方向移動。此加工送進手段37包含有：公螺桿371，與上述一對引導軌31、31平行地配設於其之間；及脈衝馬達372等之驅動源，用以旋轉驅動該公螺桿371。公螺桿371其一端係可自由旋轉地支持於固定在上述靜止基台2的軸承塊373上，其另一端則與上述脈衝馬達372的輸出軸傳動連結。另外，公螺桿371與貫通母螺孔螺合，該貫通母螺孔形成在突出設置於第1滑動塊32中央部下面的未圖示之母螺塊上。因此，藉由脈衝馬達372將公螺桿371正轉及逆轉驅動，藉此，可使第1滑動塊32沿著引導軌31、31朝X軸方向移動。
雷射加工裝置1具備有X軸方向位置檢測手段374，用來檢測上述夾盤台36的加工送進量，即X軸方向位置。X軸方向位置檢測手段374由以下所構成：沿著引導軌31配設的線性尺規374a；及讀取頭374b，配設於第1滑動塊32，與第1滑動塊32一起沿著線性尺規374a移動。此X軸方向位置檢測手段374的讀取頭374b在圖示之實施形態中，依每1μm將1脈衝的脈衝訊號送至後述之控制手段。然後，後 述之控制手段藉由計數已輸入之脈衝訊號，來檢測夾盤台36的加工送進量，即X軸方向的位置。另外，當使用脈衝馬達372作為上述加工送進手段37的驅動源時，藉由將輸出驅動訊號至脈衝馬達372的後述控制手段之驅動脈衝計數，亦可檢測夾盤台36的加工送進量，即X軸方向的位置。
上述第2滑動塊33，在其下面設有與設在上述第1滑動塊32上面之一對引導軌322、322相嵌合的一對被引導溝331、331，且構成為：藉由將該等被引導溝331、331嵌合於一對引導軌322、322，可朝Y軸方向移動。夾盤台機構3具備有第1分度送進手段38，用以使第2滑動塊33沿著設於第1滑動塊32之一對引導軌322、322朝Y軸方向移動。此第1分度送進手段38包含有：公螺桿381，與上述一對引導軌322與322平行地配設於其之間；及脈衝馬達382等之驅動源，用以旋轉驅動該公螺桿381。公螺桿381其一端係可自由旋轉地支持於固定在上述第1滑動塊32上面的軸承塊383上，其另一端則與上述脈衝馬達382的輸出軸傳動連結。另外，公螺桿381與貫通母螺孔螺合，該貫通母螺孔形成在突出設置於第2滑動塊33中央部下面的未圖示之母螺塊上。因此，藉由脈衝馬達382將公螺桿381正轉及逆轉驅動，藉此，可使第2滑動塊33沿著引導軌322、322朝Y軸方向移動。
雷射加工裝置1具備有Y軸方向位置檢測手段384，用來檢測上述第2滑動塊33的分度加工送進量，即Y軸方向位置。此Y軸方向位置檢測手段384由以下所構成：沿著引導軌322配設的線性尺規384a；及讀取頭384b，配設 於第2滑動塊33，與第2滑動塊33一起沿著線性尺規384a移動。此Y軸方向位置檢測手段384的讀取頭384b在圖示之實施形態中，依每1μm將1脈衝的脈衝訊號送至後述之控制手段。然後，後述之控制手段藉由計數已輸入之脈衝訊號，來檢測夾盤台36的分度送進量，即Y軸方向的位置。另外，當使用脈衝馬達382作為上述第1分度送進手段38的驅動源時，藉由將輸出驅動訊號至脈衝馬達382的後述控制手段之驅動脈衝計數，亦可檢測夾盤台36的分度送進量，即Y軸方向的位置。
上述雷射光線照射單元支持機構4具備有：沿著Y軸方向平行地配設於靜止基台2上的一對引導軌41、41；可朝箭號Y所示之方向移動地配設在該等引導軌41、41上的可動支持基台42。此可動支持基台42係由以下所構成：可移動地配設於引導軌41、41上的移動支持部421；及安裝於該移動支持部421的裝接部422。裝接部422在其中一側面，平行地設有朝Z軸方向延伸的一對引導軌423、423。雷射光線照射單元支持機構4具備有第2分度送進手段43，用以使可動支持基台42沿著一對引導軌41、41朝Y軸方向移動。此第2分度送進手段43包含有：公螺桿431，與上述一對引導軌41、41平行地配設於其之間；及脈衝馬達432等之驅動源，用以旋轉驅動該公螺桿431。公螺桿431其一端係可自由旋轉地支持於固定在上述靜止基台2的未圖示之軸承塊上，其另一端則與上述脈衝馬達432的輸出軸傳動連結。另外，公螺桿431與母螺孔螺合，該母螺孔形成在突出設置於 構成可動支持基台42之移動支持部421中央部下面的未圖示之母螺塊上。因此，藉由脈衝馬達432將公螺桿431正轉及逆轉驅動，藉此，可使可動支持基台42沿著引導軌41、41朝Y軸方向移動。
雷射光線照射單元5具備有：單元持具51、及安裝於該單元持具51的雷射光線照射手段52。單元持具51設有一對被引導溝511、511，該等一對被引導溝511、511可滑動地嵌合於設在上述裝接部422之一對引導軌423、423，且藉由將該等被引導溝511、511嵌合於上述引導軌423、423，單元持具51可朝Z軸方向移動地被支持著。
雷射光線照射單元5具備有聚光點位置調整手段53，用以使單元持具51沿著一對引導軌423、423朝Z軸方向移動。聚光點位置調整手段53包含有：配設於一對引導軌423、423之間的公螺桿(未圖示)、及用以旋轉驅動該公螺桿之脈衝馬達532等驅動源，藉由脈衝馬達532將未圖示之公螺桿正轉及逆轉驅動，藉此可使單元持具51及雷射光線照射手段52沿著引導軌423、423朝Z軸方向移動。另外，在圖示之實施形態中，藉由正轉驅動脈衝馬達532，可使雷射光線照射手段52朝上方移動，而藉由逆轉驅動脈衝馬達532，則可使雷射光線照射手段52朝下方移動。
雷射光線照射單元5具備Z軸方向位置檢測手段54，用來檢測雷射光線照射手段52的Z軸方向位置。Z軸方向位置檢測手段54由以下所構成：線性尺規54a，與上述引導軌423、423平行地配設；及讀取頭57b，配設於上述單元 持具51，與單元持具51一起沿著線性尺規54a移動。此Z軸方向位置檢測手段54的讀取頭54b在圖示之實施形態中，依每0.1μm將1脈衝的脈衝訊號送至後述之控制手段。
雷射光線照射手段52包含有圓筒形狀之套筒521，該套筒521固定於上述單元持具51且實質上朝水平延伸出。關於此雷射光線照射手段52，參照圖2進行說明。雷射光線照射手段52具備有：脈衝雷射光線振盪手段522，配設於上述套管521內；輸出調整手段523，將藉由該脈衝雷射光線振盪手段522所振盪出之脈衝雷射光線的輸出進行調整；及聚光器524，將藉由該輸出調整手段523調整了輸出之脈衝雷射光線，照射於保持在上述夾盤台36之保持面的被加工物W。
上述脈衝雷射光線振盪手段522係由以下所構成：脈衝雷射光線振盪器522a，振盪脈衝雷射光線；及重複頻率設定手段522b，設定脈衝雷射光線振盪器522a所振盪之脈衝雷射光線的重複頻率。上述輸出調整手段523將脈衝雷射光線振盪手段522所振盪出之脈衝雷射光線的輸出，調整為預定之輸出。該等脈衝雷射光線振盪手段522之脈衝雷射光線振盪器522a、重複頻率設定手段522b、及輸出調整手段523係藉由未圖示之後述控制手段來控制。
上述聚光器524具備有：方向變換鏡524a，使由脈衝雷射光線振盪手段522所振盪、藉由輸出調整手段523調整了輸出的脈衝雷射光線，朝向夾盤台36之保持面而進行方向變換；及聚光透鏡524b，將藉由該方向變換鏡524a 進行了方向變換的脈衝雷射光線聚光，而照射於被保持在夾盤台36之被加工物W。如此構成之聚光器524係如圖1所示般裝接於套筒521的前端。
回到圖1繼續說明，在構成上述雷射光線照射手段52的套筒521之前端部，配設有拍攝手段6，可檢測應藉由雷射光線照射手段52進行雷射加工之加工區域。此拍攝手段6除了藉由可視光線進行拍攝之通常的拍攝元件(CCD)之外，由以下等設備所構成：紅外線照明手段，將紅外線照射於被加工物；光學系統，捕捉藉由該紅外線照明手段所照射出之紅外線；及拍攝元件(紅外線CCD)，輸出與藉由該光學系統所捕捉到的紅外線對應的電氣訊號；又，前述拍攝機構6將所拍攝到的圖像訊號送至後述之控制手段。
雷射加工裝置1具備有如圖3所示之控制手段7。控制手段7由電腦所構成，具備有：中央處理裝置(CPU)71，依照控制程式進行運算處理；唯讀記憶體(ROM)72，儲存控制程式等；可讀取之隨機存取記憶體(RAM)73，儲存後述之被加工物的設計值資料或運算結果等；計數器74；輸入介面75；及輸出介面76。對於控制手段7之輸入介面75，輸入來自於上述X軸方向位置檢測手段374、Y軸方向位置檢測手段384、Z軸方向位置檢測手段54及拍攝手段6等的檢測訊號。並且，從控制手段7之輸出介面86，對於上述脈衝馬達372、脈衝馬達382、脈衝馬達432、脈衝馬達532、雷射光線照射手段52之脈衝雷射光線振盪器522a、重複頻率設定手段522b及輸出調整手段523等，輸出控制訊號。
接著，說明使用上述雷射加工裝置1實施的改質層形成方法之第1實施形態。圖4之(a)及(b)顯示了作為被加工物之半導體晶圓的立體圖及放大重要部分而顯示的截面圖。圖4之(a)及(b)所示之半導體晶圓10，例如：在厚度為200μm的矽基板之表面10a，有複數之切割道11配列成格子狀，並且，在藉由該等複數之切割道11所區劃出的複數區域，形成有IC、LSI等元件12。如此所形成之半導體晶圓10，為了防止外周端部因不小心受到撞擊而發生破裂或缺陷，於外周部從表面10a到背面10b實施去角，形成圓弧面10c。
上述圖4所示之半導體晶圓10，如圖5所示，其表面10a貼附在裝接於環狀框F的切割膠帶T表面(晶圓貼附工程)。因此，貼附於切割膠帶T表面的半導體晶圓10，係背面10b為上側。
若實施了上述之晶圓貼附工程，則將半導體晶圓10之切割膠帶T側載置於圖1所示之雷射加工裝置1的夾盤台36上。然後，藉由使未圖示之吸引手段作動，透過切割膠帶T將半導體晶圓10吸引保持於夾盤台36上(晶圓保持工程)。因此，被保持在夾盤台36的半導體晶圓10，係背面10b為上側。
如上述般將半導體晶圓10吸引保持之夾盤台36，藉由加工送進手段37而定位於拍攝手段6的正下方。當如此使夾盤台36位於拍攝手段6的正下方，則藉由拍攝手段6及控制手段7執行校準作業，將半導體晶圓10之應進行雷射加工的加工區域進行檢測。亦即，拍攝手段6及控制手段 7執行用以將半導體晶圓10之形成於預定方向的切割道11、與沿著切割道11照射雷射光線的構成雷射光線照射手段52之聚光器524間進行定位的型樣匹配等圖像處理，來進行雷射光線照射位置的校準。又，形成於半導體晶圓10之延伸於相對上述預定方向為正交之方向的切割道11，對於此種切割道11也同樣地進行雷射光線照射位置的校準。此時，半導體晶圓10形成有切割道11的表面10a雖位於下側，但由於拍攝手段6如上所述具有由紅外線照明手段、捕捉紅外線之光學系統、及輸出對應於紅外線之電氣訊號的拍攝元件(紅外線CCD)等所構成的拍攝手段，故可從背面10b透過而拍攝切割道11。
如上所述進行校準，則夾盤台上36之半導體晶圓10會成為定位於如圖6(a)所示之座標位置的狀態。另外，圖6(b)係顯示將夾盤台36、即半導體晶圓10從圖6(a)所示之狀態旋轉90度後的狀態。
另外，被定位於圖6(a)及圖6(b)所示之座標位置之狀態的半導體晶圓10，形成在該半導體晶圓10之各切割道11的送進開始位置座標值(A1,A2,A3,...An)與送進終了位置座標值(B1,B2,B3...Bn)、以及送進開始位置座標值(C1,C2,C3,...Cn)與送進終了位置座標值(D1,D2,D3...Dn)，其設計值之資料係儲存於控制手段7之隨機存取記憶體(RAM)83。此送進開始位置座標值(A1,A2,A3,...An)與送進終了位置座標值(B1,B2,B3...Bn)、以及送進開始位置座標值(C1,C2,C3,...Cn)與送進終了位置座標值 (D1,D2,D3...Dn)，係設定於半導體晶圓10中作為脈衝雷射光線之照射面的背面10b與鄰接的圓弧面2c間的境界。
如上述般實施了校準工程，則將夾盤台36移動，使圖6(a)中最上面的切割道11定位於構成雷射光線照射單元5的雷射光線照射手段52之聚光器524正下方。然後，更如圖7(a)所示般，將切割道11的送進開始位置座標值(A1)定位於聚光器524的正下方。並且，使聚光點位置調整53作動，使從聚光器524照射的雷射光線之聚光點P配合在半導體晶圓10之厚度方向中間部。接著，從雷射光線照射手段52之聚光器524，照射對於構成半導體晶圓10之矽基板具有透過性的波長之脈衝雷射光線，一面使夾盤台36以預定之加工送進速度朝圖7(a)中以箭號X1所示之加工送進方向移動。然後，如圖7(b)所示，切割道11之送進終了位置座標值(B1)已到達雷射光線照射手段52之聚光器524的照射位置，則控制手段7輸出控制訊號至輸出調整手段523，使由脈衝雷射光線振盪手段522所振盪出之脈衝雷射光線的輸出降低。此輸出係無法將作為被加工物之半導體晶圓10加工的輸出，包含輸出0。因此，夾盤台36朝以箭號X1所示之方向移動，半導體晶圓10外周部的圓弧面2c即使通過聚光器524正下方的脈衝雷射光線照射位置，而使脈衝雷射光線的聚光點定位於圓弧面2c，也不會引起剝離。結果，在半導體晶圓10會如圖7(b)所示，於內部在圓弧面2c內側的範圍，沿著切割道11形成適當的改質層100。
上述改質層形成工程中之加工條件例如設定如 下。
光源：半導體激發固態脈衝雷射(Nd：YAG)
波長：1064nm
重複頻率：100kHz
平均輸出：0.2W
聚光點徑：φ1μm
加工送進速度：100mm/秒
如以上，沿著朝半導體晶圓10之第1方向延伸的所有切割道11實施了上述改質層形成工程，則使夾盤台36旋動90度，沿著形成在對於上述第1方向為正交之第2方向上的各切割道11，實施上述改質層形成工程。然後，實施了改質層形成工程的半導體晶圓10，搬送至分割工程，沿著於內部形成改質層100的切割道11進行分割。
接著，說明使用上述雷射加工裝置1而實施的改質層形成方法之第2實施形態。圖8顯示了藉由蠟將由玻璃形成為四角錐梯形的被加工物20裝接於基體21表面的立體圖。被加工物20具有：正方形的下面201、較該下面201小的正方形之上面202、以及分別連接下面201與上面202之各4邊的4個傾斜側面203、203、203、203。
在上述被加工物20的內部形成改質層而形成預定的圖案，須將裝接有被加工物20的基體21載置於圖1所示之雷射加工裝置1的夾盤台36上。然後，藉由使未圖示之吸引手段作動，透過基體21將被加工物20吸引保持於夾盤台36上(被加工物保持工程)。
如上所述，吸引保持有被加工物20的夾盤台36，藉由加工送進手段37定位於拍攝手段6的正下方。接著，拍攝手段6拍攝圖8所示之被加工物20的上面202的4角E1,E2,E3,E4中之E1與E2，將拍攝的圖像訊號送至控制手段7。然後，控制手段7根據由拍攝手段6所送來的圖像訊號，確認連結E1與E2的邊是否與X軸方向平行。如果連結E1與E2的邊不與X軸方向平行，則旋動夾盤台36，進行調整使連結E1與E2的邊與X軸方向平行。然後，再度拍攝被加工物20的上面202的4角E1,E2,E3,E4，將拍攝的圖像訊號送至控制手段7。接著，控制手段7根據拍攝手段6所送來的圖像訊號，求出4角E1,E2,E3,E4的座標值，將該等座標值儲存於隨機存取記憶體(RAM)83(校準工程)。
實施了上述校準工程，則使加工送進手段37及第1分度送進手段38作動而移動夾盤台36，使保持於夾盤台36之被加工物20的上面202如圖9(a)所示般定位於聚光器524的正下方。然後，使聚光點位置調整手段53作動，使由聚光器524所照射的雷射光線之聚光點P配合在被加工物20內部的預定位置。接著，使雷射光線照射手段52作動，從聚光器524使對於被加工物20具有透過性波長的脈衝雷射光線由作為照射面之上面202照射，一面將夾盤台36朝X軸方向及Y軸方向依照設定好的程式移動，並且，使聚光點位置調整手段53作動，使聚光點位置依照設定好的程式移動(改質層形成工程)。此時，當因為某掃描錯誤，如圖9(b)所示，與作為照射面之上面202鄰接的傾斜側面203被定位於聚光 器524正下方的脈衝雷射光線照射位置時，控制手段7在脈衝雷射光線之照射位置超過上述E2的時點，將控制訊號輸出至輸出調整手段523，使脈衝雷射光線振盪手段522所振盪出的脈衝雷射光線之輸出降低。此輸出係無法將被加工物20加工的輸出，包含輸出0。因此，即使脈衝雷射光線的聚光點被定位於傾斜側面203，也不會引起剝離。結果，在被加工物20，如圖9(b)所示，在內部，藉由通過作為照射面之上面202而照射的脈衝雷射光線，形成改質層之預定圖案200。
10‧‧‧半導體晶圓
10b‧‧‧背面
10c‧‧‧圓弧面
11‧‧‧切割道
36‧‧‧夾盤台
100‧‧‧改質層
524‧‧‧聚光器
A1‧‧‧送進開始位置座標值
B1‧‧‧送進終了位置座標值
P‧‧‧聚光點
T‧‧‧切割膠帶
X1‧‧‧加工送進方向

Claims (2)

  1. 一種改質層形成方法，可將對於被加工物具有透過性之波長的脈衝雷射光線照射於被加工物，於被加工物內部形成改質層，其特徵在於包含有以下步驟：改質層形成步驟，在將聚光點定位於被加工物內部的狀態下，透過與脈衝雷射光線之光路正交的照射面將脈衝雷射光線照射於被加工物，藉此在被加工物內部形成改質層；及輸出降低步驟，當與被加工物之該照射面鄰接的面被定位於脈衝雷射光線之照射位置時，使脈衝雷射光線的輸出降低至無法將被加工物加工的輸出。
  2. 如申請專利範圍第1項之改質層形成方法，其中該輸出降低步驟中的輸出包含輸出0。
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