TW201350929A - 光學薄膜之製造方法及吸收型多層膜ｎｄ濾光器 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種對作為要求薄型化之相機模組用而較佳之吸收型多層膜ND濾光器等光學薄膜進行成膜之方法，即便於在較薄之透明樹脂膜基板上形成光學薄膜之情形時亦不會產生熱皺褶。於透明樹脂膜基板1之第1面貼附具有黏著力為0.03~1.20N/cm之黏著層之保護帶20a，於未貼附有保護帶20a之第2面藉由真空成膜法形成光學薄膜。其後，於形成有光學薄膜之第2面貼附具有黏著層之保護帶並且剝離貼附於第1面之保護帶，於已剝離該保護帶之透明樹脂膜基板之第1面藉由真空成膜法形成光學薄膜。

Description

光學薄膜之製造方法及吸收型多層膜ND濾光器

本發明係關於一種用於光學性之各種濾光器等之光學薄膜、尤其是於較薄之透明樹脂膜基板上以連續式之濺鍍法形成之光學薄膜之製造方法、以及以該方法製造之吸收型多層膜ND濾光器。

於數位靜態相機或視訊攝影機等中，使用有IR截止濾光器、抗反射膜、遮光膜等各種光學薄膜。尤其是於快門組件(shutter unit)內，為防止因入射過量之光導致作為攝像元件之CCD或CMOS元件飽和，而使用有使光衰減之ND濾光器(Neutral Density Filter，中性密度濾光器)。尤其是於上述數位靜態相機或視訊攝影機等相機系統中，相機內部之反射光被視為問題，故而於將ND濾光器組入透鏡光學系統中之情形時，通常使用有吸收型ND濾光器。

上述吸收型ND濾光器存在如下類型，即：於基板本身混入有吸收物質之類型(有色玻璃ND濾光器)或於基板上塗佈有吸收物質之類型；及基板本身不具有吸收但形成於其表面之薄膜具有吸收之類型。又，於後者之情形時，為防止薄膜表面之反射，而以吸收型多層膜構成上述薄膜，從而具有使透過光衰減之功能並且具有抗反射之效果。作為以吸收型多層膜構成上述薄膜之吸收型多層膜ND濾光器，例如於專利文獻1中，揭示有於玻璃基板上交替積層如SiO₂之類之氧化物介電質膜層與由Ti或Cr 等金屬所構成之吸收膜而成的構造之ND濾光器。

又，於組入小型且薄型之數位相機等中之吸收型多層膜ND濾光器中，由於組入空間狹小故而必須使濾光器之基板本身變薄，因此，具有可撓性之樹脂膜被設為最佳之基板。於在該具有可撓性之樹脂膜基板上形成吸收型多層膜之情形時，若考慮樹脂膜基板之翹曲、吸收型多層膜之破裂、成膜時間等，則有利的是採用可將膜厚設定為薄於金屬氧化物膜之金屬膜作為吸收膜層。

作為使用有此種具有可撓性之樹脂膜基板之吸收型多層膜ND濾光器，於專利文獻2中，記載有於樹脂膜等薄膜基板上交替積層SiO₂或Al₂O₃之氧化物介電質膜層與由Ni單質或Ni合金所構成之吸收膜而成的構造之ND濾光器。又，於專利文獻3中，記載有於樹脂膜基板上交替積層SiO₂之氧化物介電質膜層、與由選自Ti、Cr、Ni、NiCr、NiFe及NiTi之金屬所構成之吸收膜層而成的構造之ND濾光器。

而且，作為以樹脂膜為基板之吸收型多層膜ND濾光器之製造方法，進行如下步驟：於聚對酞酸乙二酯(PET，polyethylene terephthalate)或聚碳酸酯(PC，polycarbonate)等透明樹脂膜基板上，使用真空蒸鍍法或濺鍍法等物理氣相沈積法(真空成膜法)，對由氧化物介電質膜層與金屬膜所構成之吸收型多層膜進行成膜。再者，以此種方式製造之吸收型多層膜ND濾光器係裁斷為特定之形狀及尺寸而製成ND濾光器片組入上述數位相機等中。

專利文獻1：日本特開平05-093811號公報

專利文獻2：日本特開2006-178395號公報

專利文獻3：日本特開2006-091694號公報

最近，隨著數位靜態相機之小型化或照相手機之薄型化，相機模組之低高度化之要求增強，尤其是因智慧型手機之出現而對搭載於行動電話上之相機模組有更強之薄型化之要求。具體而言，有使先前具有8~9mm左右之相機模組之厚度為6mm以下之要求，故而用於薄型化之相機模組之快門組件亦研究有以0.1mm為單位削減厚度。因此，雖於先前之ND濾光器中大多使用超過100μm之厚度之透明樹脂膜基板，但期待使用更薄之透明樹脂膜基板。

另一方面，於ND濾光器之製造方法中，於在透明樹脂膜基板上形成吸收型多層膜時，有效的是一面使樹脂膜基板以捲對捲(roll to roll)方式連續地移動，一面使用生產性較高之濺鍍法作為真空成膜法進行成膜的方法。然而，尤其是於濺鍍法之情形時於成膜時對透明樹脂膜基板施加熱負荷，故而若使用較薄之膜或楊氏模數較低之膜作為基板，則因表面之溫度上升之影響而有於透明樹脂膜基板上產生皺褶之問題。

本發明係鑒於此種先前之情況而完成者，其目的在於提供一種即便於在較薄之透明樹脂膜基板上形成光學薄膜之情形時，亦不會產生熱皺褶而可進行成膜的光學薄膜之製造方法。又，其目的在於藉由使用該光學薄膜之製造方法，而提供一種較先前厚度更薄且作為要求薄型化之相機模組中所使用之快門組件用而較佳之吸收型多層膜ND濾光器。

為達成上述目的，本發明人對較高之透明樹脂膜基板以生產 性較高之濺鍍法等真空成膜法與捲對捲方式之組合製作光學薄膜，為此，對抑制因熱產生之皺褶之方法進行了潛心研究，其結果發現，藉由將具有特定之黏著力之保護帶貼附並保持於透明樹脂膜基板之一面上，而可大幅抑制於對未貼附保護帶之另一面進行濺鍍時產生熱皺褶，以至完成本發明。

即，本發明提供之光學薄膜之製造方法之特徵在於：於透明樹脂膜基板之一面(第1面)上貼附具有黏著力為0.03~1.20N/cm之黏著層之保護帶，且於未貼附有保護帶之另一面(第2面)上藉由真空成膜法形成光學薄膜，其後，於形成有該光學薄膜之另一面(第2面)貼附具有上述黏著層之保護帶並且剝離貼附於上述一面(第1面)上之保護帶，於已剝離該保護帶之透明樹脂膜基板之一面(第1面)上藉由真空成膜法形成光學薄膜。

又，本發明提供之吸收型多層膜ND濾光器係於透明樹脂膜基板之兩面設置有由交替積層氧化物介電質膜層與吸收膜層而成之多層膜所構成之吸收型多層膜者，其特徵在於：透明樹脂膜基板之楊氏模數與厚度之積為200kN/m以下，且直徑50mm之圓形切割試樣之曲率為0.003/mm以下。

於上述本發明之吸收型多層膜ND濾光器中，透明樹脂膜基板較佳為厚度50μm以下之聚對酞酸乙二酯，或者透明樹脂膜基板較佳為厚度100μm以下之聚碳酸酯。

根據本發明，於在較薄之透明樹脂膜基板上藉由濺鍍法等真空成膜法形成光學薄膜時，不產生因熱之影響所致之皺褶即可進行成膜。尤其是藉由利用濺鍍法與捲對捲法之組合連續於透明樹脂膜基板上成膜， 而可以較高之生產性製作無熱皺褶且翹曲較小之光學薄膜。因此，可低價地提供一種儘管較先前厚度更薄但皺褶較少且翹曲較小、作為隨著最近之數位靜態相機或照相手機之薄型化而薄型化之相機模組用而較佳的吸收型多層膜ND濾光器。

1‧‧‧透明樹脂膜基板

2‧‧‧氧化物介電質膜層

3‧‧‧吸收膜層

11‧‧‧捲出旋轉軸

12‧‧‧捲取旋轉軸

13‧‧‧捲出旋轉軸

14‧‧‧捲取旋轉軸

15‧‧‧導輥

20‧‧‧附隔離膜之保護帶

20a‧‧‧保護帶

20b‧‧‧隔離膜

21‧‧‧附保護帶之透明樹脂膜基板

31‧‧‧濺鍍室

32‧‧‧第1輥

33‧‧‧第2輥

34‧‧‧水冷罐輥

35a‧‧‧導輥

35b‧‧‧導輥

35c‧‧‧導輥

35d‧‧‧導輥

36‧‧‧濺鍍靶

37‧‧‧濺鍍靶

圖1係表示於捲繞成捲筒狀之透明樹脂膜基板上貼附保護帶之步驟之一具體例之概念圖。

圖2係表示於實施例中所使用之利用捲對捲方式之濺鍍成膜裝置之構成的概略之說明圖。

圖3係表示吸收型多層膜ND濾光器之一具體例之概略之剖面圖。

於本發明中，於在透明樹脂膜基板上藉由真空成膜法形成光學薄膜時，首先，於透明樹脂膜基板之第1面貼附具有特定之黏著力之黏著層之保護帶，於未貼附有該保護帶之第2面上形成光學薄膜。其後，於形成有光學薄膜之第2面貼附具有特定之黏著力之黏著層之保護帶，並且剝離在上述成膜前貼附於第1面之保護帶，於已剝離該保護帶之第1面上形成光學薄膜。再者，上述保護帶之貼附步驟與剝離步驟及各成膜步驟較佳為一面使透明樹脂膜基板以捲對捲方式移動一面進行。

上述保護帶必須於基材上具有黏著力為0.03~1.20N/cm之黏著層。若黏著層之黏著力小於0.03N/cm，則對透明樹脂膜基板之保持力變弱，成膜時之熱皺褶之抑制效果不充分。又，若黏著力大於1.20N /cm，則有於自透明樹脂膜基板剝離時黏著層之殘餘附著於基板表面，或者對透明樹脂膜基板給予損害之可能性。再者，保護帶之黏著力可藉由JISZ0237中規定之方法測定。

又，具有上述黏著層之保護帶之基材之材質較理想為聚對酞酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二酯(PEN，polyethylene naphthalate)等剛性較高之膜，但只要為可確保對輥之捲取性、不會對成膜裝置之真空槽內之環境產生影響之材料則並無特別限定。又，保護帶之厚度係就剛性與捲取性之觀點而言較理想為50~150μm之範圍。於薄於50μm之情形時，保護帶之剛性變小，抑制成膜之時產生於透明樹脂膜基板上之熱皺褶之能力變小。又，於厚於150μm之情形時，由於剛性過大而使得於捲取時對透明樹脂膜基板施加較大之應力，從而容易產生翹曲等變形。

作為具有上述黏著層之保護帶，例如，可使用Panac(股)製造之ST-75(商品名)、或積水化學工業(股)之622E(商品名)等市售之微黏著帶。又，藉由於透明樹脂膜基板上塗佈固化後具有微黏著性之樹脂，並於其上貼附上述PET或PEN等保護帶之基材，其後使樹脂固化，而亦可構成貼附有具有上述0.03~1.20N/cm之黏著力之黏著層之保護帶的透明樹脂膜基板。於該情形時，較理想為預先對保護帶實施常壓之電暈放電處理而提高保護帶與微黏著性樹脂之親和性，以於自透明樹脂膜基板剝離保護帶時，作為黏著層之微黏著性樹脂不會殘留於透明樹脂膜基板側。

關於用以形成光學薄膜之透明樹脂膜基板，材質並無特別限定，但於考慮量產性之情形時，較佳為能夠利用捲對捲方式進行成膜之可撓性基板。可撓性基板係與先前之玻璃基板等相比低價，且於輕量且富有 變形性等方面亦優異。具體而言，可列舉：選自聚對酞酸乙二酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、及降莰烯等樹脂材料之單一種樹脂膜；或者選自上述樹脂材料之樹脂膜與覆蓋其單面或兩面之丙烯酸系有機膜之複合體。再者，關於降莰烯樹脂材料，作為代表性者有日本Zeon(股)製造之Zeonor(商品名)或JSR(股)製造之Arton(商品名)等。

又，透明樹脂膜基板之厚度與楊氏模數會影響因成膜時之熱所致之透明樹脂膜基板之皺褶之產生。例如，於透明樹脂膜基板為PET之情形時，PET係由於楊氏模數相對較大(楊氏模數：~4.0GPa)且具有剛性，故而於厚度50μm以下之膜中若未貼附保護帶則無法抑制皺褶之產生。又，PC係與PET相比楊氏模數較小(楊氏模數：~1.1GPa)且剛性較低，故而亦於厚度100μm以下之膜中若未貼附保護帶則無法抑制皺褶之產生。為了藉由貼附具有黏著層之保護帶而防止透明樹脂膜基板之皺褶之產生，而透明樹脂膜基板之楊氏模數與厚度之積較佳為200kN/m以下。

於在透明樹脂膜基板上形成光學薄膜時，於透明樹脂膜基板之與應成膜之面相反側之面貼附具有上述黏著層之保護帶，於該狀態下於透明樹脂膜基板之未貼附保護帶之面上成膜。於透明樹脂膜基板上貼附具有黏著層之保護帶之方法並無特別限定，但於在捲繞成捲筒狀之透明樹脂膜基板上貼附具有黏著層之保護帶之情形時，可採用例如圖1所示之方法。

即，將捲繞成捲筒狀之透明樹脂膜基板1安裝於捲出旋轉軸11上，將以隔離膜覆蓋表面之黏著層之附隔離膜之保護帶20安裝於捲出旋轉軸13上。透明樹脂膜基板1係自捲出旋轉軸11抽出，輸送至對向之一對導輥15、15。另一方面，附隔離膜之保護帶20係自捲出旋轉軸13抽出， 一面將隔離膜20b剝離並以捲取旋轉軸14捲取，一面僅保護帶20a被輸送至導輥15、15。於導輥15、15中於透明樹脂膜基板1之一面貼附保護帶20a，且貼附有保護帶之透明樹脂膜基板(附保護帶之透明樹脂膜基板)21係捲取於捲取旋轉軸12上。

關於在上述附保護帶之透明樹脂膜基板上形成光學薄膜之真空成膜法，例如於對交替積層有氧化物介電質膜層與吸收膜層之吸收型多層膜進行成膜之情形時，氧化物介電質膜層係以使SiC及Si為主成分之靶作為原料，並藉由例如離子束濺鍍法或磁控濺鍍法而成膜。又，吸收膜層係以金屬作為原料，並藉由例如真空蒸鍍法、離子束濺鍍法、磁控濺鍍法或離子電鍍法而成膜。再者，於交替積層氧化物介電質膜層與吸收膜層而形成吸收型多層膜之情形時，有效率地有利的是使用利用捲對捲方式之離子束濺鍍法或磁控濺鍍法。

參照圖2所示之濺鍍成膜裝置，對用以實施上述利用捲對捲方式之離子束濺鍍法或磁控濺鍍法的濺鍍成膜裝置與成膜方法進行說明。即，該利用捲對捲方式之濺鍍成膜裝置具備：濺鍍室31，其具備真空泵；第1輥32及第2輥33，其等進行設置於濺鍍室31內之長條狀之附保護帶之透明樹脂膜基板21之捲取與捲出；水冷罐輥34，其設置於第1輥32與第2輥33之間之搬送路徑上；以及複數個導輥35a、35b、35c、35d。

再者，第1輥32與第2輥33係藉由粉末離合器(powder clutch)而保持附保護帶之透明樹脂膜基板21之張力平衡。又，藉由水冷罐輥34之旋轉而決定附保護帶之透明樹脂膜基板21之搬送方向，於本說明書中，將附保護帶之透明樹脂膜基板21自第1輥32向第2輥33側搬送時之 水冷罐輥34之旋轉方向定義為正轉方向，將自第2輥33向第1輥32側搬送時之水冷罐輥34之旋轉方向定義為反轉方向。

又，於上述濺鍍室31內，沿水冷罐輥34之外周面配置有濺鍍陰極(雙磁控濺鍍陰極)36、36與濺鍍陰極37。於一濺鍍陰極36、36上安裝有用以形成氧化物介電質膜層(例如SiO_x膜層)之靶(未圖示)，於另一濺鍍陰極37上安裝有用以形成金屬之吸收膜層(例如Ni合金膜層)之靶(未圖示)。

繼而，使用上述圖2之利用捲對捲方式之濺鍍成膜裝置，對在附保護帶之透明樹脂膜基板之兩面上對交替積層氧化物介電質膜層與吸收膜層而成之吸收型多層膜進行成膜的本發明方法進行具體說明。

首先，一面使第1面貼附有保護帶之附保護帶之透明樹脂膜基板21自第1輥32向第2輥33於正轉方向上搬送，一面對沿水冷罐輥34之外周面移動之附保護帶之透明樹脂膜基板21之未貼附有保護帶之第2面藉由濺鍍陰極36、36成膜氧化物介電質膜層。其後，一面使成膜有氧化物介電質膜層而成之附保護帶透明樹脂膜基板21自第2輥33向第1輥32側於反轉方向上搬送，一面對沿水冷罐輥34之外周面移動之附保護帶之透明樹脂膜基板21在成膜於第2面上之氧化物介電質膜層上藉由濺鍍陰極37而形成吸收膜層。

以下，藉由重複該等步驟，而可於附保護帶之透明樹脂膜基板之未貼附有保護帶之第2面上形成交替積層氧化物介電質膜層(例如SiO_x膜層)與吸收膜層(例如Ni合金層)而成之吸收型多層膜。再者，吸收型多層膜之膜厚可藉由調整長條狀之附保護帶之透明樹脂膜基板之搬送速度 而控制。

如上所述於附保護帶之透明樹脂膜基板之未貼附有保護帶之第2面上形成吸收型多層膜之後，將該附保護帶之透明樹脂膜基板自成膜裝置取出，於已成膜之第2面之吸收型多層膜上重新貼附保護帶，進而剝離最初貼附於第1面之保護帶。其後，使附保護帶之透明樹脂膜基板之正背反轉並設置於第1輥上，重複上述步驟並亦於第1面上形成交替積層氧化物介電質膜層與吸收膜層而成之吸收型多層膜，藉此，可於透明樹脂膜基板之兩面形成吸收型多層膜。

作為藉由上述本發明方法製作而成之光學薄膜之例，將ND濾光器之一具體例示於圖3。於透明樹脂膜基板1之兩面設置有吸收型多層膜，自透明樹脂膜基板1數起第1層、第3層及第5層為氧化物介電質膜層2，第2層與第4層為吸收膜層3。吸收膜層係由金屬所構成，400nm時之折射率為1.5~3.0，且消光係數為1.5~6.0。

作為構成上述吸收膜層之金屬，較佳為由Ni單質或Ni系合金所構成，具體而言，較佳為含有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si中之至少1種元素之Ni系合金。又，作為較佳之Ni系合金，存在含有5~15質量%之Ti、3~8質量%之Al、3~9質量%之V、18~32質量%之W、5~12質量%之Ta、2~6質量%之Si之Ni系合金。再者，氧化物介電質膜層係由SiO₂或Al₂O₃等所構成。

藉由本發明所獲得之ND濾光器係為了消除因成膜時之熱所致之皺褶之產生並且消除彎曲且使整體之厚度變薄，而成為於透明樹脂膜基板之兩面上設置有吸收型多層膜之構造。而且，透明樹脂膜基板之楊 氏模數與厚度之積為200kN/m以下，直徑50mm之圓形切割試樣之曲率為0.003/mm以下。因此，於透明樹脂膜基板由聚對酞酸乙二酯(PET)所構成之情形時即便基板之厚度為50μm以下，又，於透明樹脂膜基板由聚碳酸酯(PC)所構成之情形時即便基板之厚度為100μm以下，亦可提供一種無皺褶或彎曲之ND濾光器。

再者，實際之組入數位相機之快門機構等之ND濾光器成為直徑為5mm左右之大小，故而若曲率為0.003/mm以下則厚度方向之應變成為10μm以下，從而可防止快門機構之運行故障。

[實施例]

[實施例1]

使用圖2所示之利用捲對捲方式之物理氣相沈積之真空成膜裝置，於長條狀之透明樹脂膜基板之兩面形成由交替積層氧化物介電質膜層與吸收膜層而成之多層膜所構成之吸收型多層膜，製造吸收型多層膜ND濾光器。藉由圖1所示之方法，於上述透明樹脂膜基板之第1面上預先貼附具有黏著層之保護帶。

作為透明樹脂膜基板，使用有PET膜(楊氏模數：4.0GPa，熱膨脹係數：1.5×10^-5)、與PC膜(楊氏模數：1.1GPa，熱膨脹係數：7.0×10^-5)。又，作為保護帶，使用有於厚度75μm之PET膜之單面具有黏著力為0.040~0.140N/cm之黏著層的Panac(股)製造之ST-75(商品名)。

對用以成膜Ni系合金之吸收膜層之靶使用有Ni-7.5質量%Ti合金之Ni-Ti合金靶(住友金屬礦山(股)製造)，對用以成膜SiO_x之氧化物介電質膜層之靶使用有Si靶(住友金屬礦山(股)製造)。又，於 Ni-Ti合金靶中藉由導入氬氣之DC磁控濺鍍而成膜，於一Si靶中藉由導入氬氣之雙磁控濺鍍，而以阻抗監視器(impedance monitor)控制氧導入量並自Si成膜SiO_x且亦進行消光係數之調整。

此處，所謂雙磁控濺鍍，係為了高速成膜氧化物介電質膜層而對兩個靶交替施加中頻(40kHz)脈衝從而抑制弧光放電(arcing)之產生並防止靶表面之絕緣層之形成的濺鍍方法。又，阻抗監視器係應用靶電極間之阻抗根據氧導入量而發生變化之現象，以形成之膜成為處於金屬模式與氧化物模式之間之過渡區域之所需之模式之膜的方式控制且監控氧導入量，從而用以高速成膜氧化物介電質膜層。

再者，利用上述成膜法之膜厚係由透明樹脂膜基板之搬送速度與濺鍍電力所決定，但將氧化物介電質膜層中之成膜時之濺鍍電力固定於7.5kW及將吸收膜層中之成膜時之濺鍍電力固定於1kW，且以成為目標之物理膜厚之方式調整透明樹脂膜基板之搬送速度。

具體而言，藉由以下成膜步驟而於透明樹脂膜基板之兩面進行吸收型多層膜之成膜。

[成膜步驟]

(1)將利用捲對捲方式之真空成膜裝置之濺鍍室排氣至1×10^-4 Pa左右為止。

(2)將長條狀之透明樹脂膜基板之搬送速度調整為1.50m/min，將第1面貼附有保護帶之透明樹脂膜基板自第1輥朝向第2輥於正轉方向上搬送。

(3)對安裝有Si靶之濺鍍陰極側導入150sccm之氬氣將氬氣壓設為 0.3 Pa，一面藉由阻抗監視器控制氧導入量，一面於未貼附有保護帶之第2面上以濺鍍輸出7.5kW成膜SiO_x之氧化物介電質膜層。

(4)將長條狀之透明樹脂膜基板之搬送速度調節為1.49m/min，將第1面貼附有保護帶之透明樹脂膜基板自第2輥朝向第1輥於反轉方向上搬送。

(5)對安裝有Ni-Ti合金靶之濺鍍陰極側導入150sccm之氬氣，於未貼附有保護帶之第2面上以濺鍍輸出1kW成膜Ni合金之吸收膜層。

(6)將長條狀之透明樹脂膜基板之搬送速度調整為0.53m/min，將第1面貼附有保護帶之透明樹脂膜基板自第1輥朝向第2輥於正轉方向上搬送。

(7)對安裝有Si靶之濺鍍陰極側導入150sccm之氬氣將氬氣壓設為0.3 Pa，一面藉由阻抗監視器控制氧導入量，一面對未貼附有保護帶之第2面以濺鍍輸出7.5kW成膜SiO_x之氧化物介電質膜層。

(8)將長條狀之透明樹脂膜基板之搬送速度調節為1.17m/min，將第1面貼附有保護帶之透明樹脂膜基板自第2輥朝向第1輥於反轉方向上搬送。

(9)對安裝有Ni-Ti合金靶之濺鍍陰極側導入150sccm之氬氣，於未貼附有保護帶之第2面上以濺鍍輸出1kW成膜Ni合金之吸收膜層。

(10)將長條狀之透明樹脂膜基板31之搬送速度調整為0.41m/min，將第1面貼附有保護帶之透明樹脂膜基板自第1輥朝向第2輥於正轉方向上搬送。

(11)對安裝有Si靶之濺鍍陰極側導入150sccm之氬氣將氬氣壓設為 0.3 Pa，一面藉由阻抗監視器控制氧導入量，一面於未貼附有保護帶之第2面上以濺鍍輸出7.5kW成膜SiO_x之氧化物介電質膜層。

(12)取出已對未貼附有保護帶之第2面完成吸收型多層膜之成膜的長條狀之透明樹脂膜基板，在形成於第2面上之吸收型多層膜上重新貼附上述保護帶，其後，剝離貼附於第1面之保護帶。使該透明樹脂膜基板之正背反轉並設置於第一輥上，重複上述(1)~(11)之步驟，藉此，於透明樹脂膜基板之未貼附有保護帶之第1面上形成吸收型多層膜。

(13)自濺鍍室取出正背兩面(第1面與第2面)上形成有吸收型多層膜之長條狀之透明樹脂膜基板，剝離貼附於第2面之保護帶。再者，於所獲得之透明樹脂膜基板之兩面上形成有圖3所示之ND濾光器之膜構造。

藉由上述成膜步驟而於試樣1~10之各透明樹脂膜基板之兩面上形成吸收型多層膜之後，分別製作20片直徑50mm之各ND濾光器之圓形切割試樣。對所獲得之試樣1~10之各ND濾光器之圓形切割試樣評價皺褶產生狀況與曲率，並與透明樹脂膜基板之材質、厚度及成膜步驟中之保護帶貼附之有無一起集中示於下述表1中。再者，圓形切割試樣之曲率係將圓形切割試樣載置於壓盤上，由距離載置面之上浮高度測定翹曲，由該值算出曲率，每個試樣以20個最大值進行評價。又，皺褶產生狀況係藉由目視而評價。

再者，作為測定反射物之曲率之方法，於JISD5705中規定有試驗方法。JISD5705係接觸式之測定方法，故而若用於使用有樹脂膜之本發明之ND濾光器則樹脂膜發生變形，因此，無法直接應用。然而，亦可使用能夠避免樹脂膜之變形之非接觸之測距計，並依據JISD5705測定曲率。

根據表1之結果可知，於透明樹脂膜基板為PET之情形時當厚度為50μm以下時，又，於PC之情形時當厚度為100μm以下時，若無保護帶之貼附進行成膜則產生皺褶，但若於透明樹脂膜基板之與應成膜之面相反側之面貼附保護帶進行成膜則可防止皺褶之產生，直徑50mm之圓形切割試樣之曲率亦變小至0.003/mm以下。

又，藉由上述各透明樹脂膜基板之楊氏模數與厚度之積之值而對上述表1之各ND濾光器之圓形切割試樣中之皺褶產生狀況進行整理並於下述表2中表示。再者，於下述表2中之皺褶產生狀況之評價中，將無皺褶者表示為○、稍有皺褶者表示為△、有皺褶者表示為×。根據該結果可知，若透明樹脂膜基板之楊氏模數與厚度之積為200kN/m以下，則不管透明樹脂膜基板之材質如何，藉由保護帶之貼附而表現皺褶防止效果。

[實施例2]

於厚度75μm之PET膜之單面使用具有於0.01~1.50N/cm之範圍內調整黏著力之黏著層的保護帶，依據上述實施例1之成膜步驟於厚度50μm之由PC所構成之透明樹脂膜基板之兩面形成吸收型多層膜，藉此，製造試樣11~15之各ND濾光器。每個所獲得之試樣11~15之各ND濾光器針對直徑50mm之圓形切割試樣，與上述實施例1同樣地研究皺褶之產生狀況與曲率並示於下述表3中。

根據上述表3之結果可知，於保護帶之黏著力為0.03~1.20N/cm之範圍內，完全不會產生皺褶等不良狀況，且圓形切割試樣之曲率為0.003/mm以下。然而，若保護帶之黏著力未達0.03N/cm，則樹脂膜 基板之保持不充分，故而可看到皺褶之產生，且圓形切割試樣之曲率大於0.003/mm。又，若保護帶之黏著力超過1.20N/cm，則產生皺褶，並且圓形切割試樣之曲率亦大於0.003/mm，而且於剝離保護帶後之透明樹脂膜基板之表面產生黏著層之糊殘餘。

1‧‧‧透明樹脂膜基板

11‧‧‧捲出旋轉軸

12‧‧‧捲取旋轉軸

13‧‧‧捲出旋轉軸

14‧‧‧捲取旋轉軸

15‧‧‧導輥

20‧‧‧附隔離膜之保護帶

20a‧‧‧保護帶

20b‧‧‧隔離膜

21‧‧‧附保護帶之透明樹脂膜基板

Claims (15)

1. 一種光學薄膜之製造方法：於透明樹脂膜基板之第1面貼附具有黏著力為0.03~1.20N/cm之黏著層的保護帶，於未貼附有保護帶之第2面藉由真空成膜法形成光學薄膜，其後，於形成有該光學薄膜之第2面貼附具有該黏著層之保護帶並且剝離貼附於該第1面之保護帶，於已剝離該保護帶之透明樹脂膜基板之第1面藉由真空成膜法形成光學薄膜。
2. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜之製造方法，其中，該保護帶之厚度為50~150μm。
3. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜之製造方法，其中，該透明樹脂膜基板之楊氏模數與厚度之積為200kN/m以下。
4. 如申請專利範圍第2項之光學薄膜之製造方法，其中，該透明樹脂膜基板之楊氏模數與厚度之積為200kN/m以下。
5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之光學薄膜之製造方法，其中，該透明樹脂膜基板係由聚對酞酸乙二酯構成，該透明樹脂膜基板之厚度為50μm以下。
6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之光學薄膜之製造方法，其中，該透明樹脂膜基板係由聚碳酸酯構成，該透明樹脂膜基板之厚度為100μm以下。
7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之光學薄膜之製造方法，其中，該透明樹脂膜基板係以捲對捲(roll to roll)方式移動，該真空成膜法為離子束濺鍍法或磁控濺鍍法。
8. 如申請專利範圍第5項之光學薄膜之製造方法，其中，該透明樹脂膜基 板係以捲對捲方式移動，該真空成膜法為離子束濺鍍法或磁控濺鍍法。
9. 如申請專利範圍第6項之光學薄膜之製造方法，其中，該透明樹脂膜基板係以捲對捲方式移動，該真空成膜法為離子束濺鍍法或磁控濺鍍法。
10. 一種吸收型多層膜ND濾光器，其係於透明樹脂膜基板之兩面設置有吸收型多層膜者，該吸收型多層膜係由交替積層氧化物介電質膜層與吸收膜層而成之多層膜構成，其特徵在於：透明樹脂膜基板之楊氏模數與厚度之積為200kN/m以下，直徑50mm之圓形切割試樣之曲率為0.003/mm以下。
11. 如申請專利範圍第10項之吸收型多層膜ND濾光器，其中，該透明樹脂膜基板為厚度50μm以下之聚對酞酸乙二酯。
12. 如申請專利範圍第10項之吸收型多層膜ND濾光器，其中，該透明樹脂膜基板為厚度100μm以下之聚碳酸酯。
13. 如申請專利範圍第10項之吸收型多層膜ND濾光器，其中，形成該吸收膜層之金屬係由Ni單質或Ni系合金構成。
14. 如申請專利範圍第13項之吸收型多層膜ND濾光器，其中，該Ni系合金係含有選自Ti、Al、V、W、Ta、Si中之至少1種元素者。
15. 如申請專利範圍第14項之吸收型多層膜ND濾光器，其中，該Ni系合金含有5~15質量%之Ti、3~8質量%之Al、3~9質量%之V、18~32質量%之W、5~12質量%之Ta、2~6質量%之Si。