TW201350906A

TW201350906A - 電潤濕顯示裝置及其製造方法

Info

Publication number: TW201350906A
Application number: TW102107825A
Authority: TW
Inventors: Dae-Jin Park; Jung-Hun Noh; Bo-Ram Lee; Joon-Youp Kim; Dong-Hwa Shin
Original assignee: Liquavista Bv
Priority date: 2012-06-05
Filing date: 2013-03-06
Publication date: 2013-12-16
Also published as: US9411152B2; US20150277102A1; TWI596376B; US20130321894A1; CN103472578B; CN103472578A; KR20130136849A; US8780435B2; KR101941712B1

Abstract

一電潤濕顯示裝置包括一基本基體、具有彼此不能相溶混的第一及第二流體之一電潤濕層、界定一像素區的一壁、在該像素區內的一斥水層、及控制該電潤濕層之一電子裝置。也提出一種製造該電潤濕顯示裝置之方法。

Description

電潤濕顯示裝置及其製造方法

參考相關申請案

本美國非臨時專利申請案請求韓國專利申請案第10-2012-0060573號，申請日2012年6月5日的依據35 U.S.C.§ 119(a)之優先權，該案全文內容爰引於此並融入本說明書的揭示。

發明領域

本文揭示係有關於使用電潤濕效應之電潤濕顯示裝置及製造該電潤濕顯示裝置之方法。

發明背景

多種平板顯示器諸如液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)顯示器、有機發光顯示器(OLED)、場效顯示器(FED)、電泳顯示器(EPD)、或電潤濕顯示器(EWD)廣為人使用。

該等電潤濕顯示器提供一電壓給一水性液態電解質以改變該水性液態電解質之一表面張力，及反射或透射來自一外部光源的光，藉此顯示影像。

發明概要

本文揭示之實施例提出一種電潤濕顯示裝置具有增高的顯示品質及一種製造該電潤濕顯示裝置之方法具有簡化的製程及減低的製造時間及成本，及增高的顯示品質。

本發明構想之一具體實施例提出一種電潤濕顯示裝置包含一基本基體；於一像素區的一電潤濕層其係包含一第一流體及與該第一流體不能相溶混的一第二流體；於該基本基體上之一壁以劃分該像素區及限制該第一及第二流體中之至少一者之流動範圍；在該像素區上之一斥水層；及經組配以施加一電場至該電潤濕層以控制該電潤濕層的一電子裝置。該第二流體具有電氣傳導性或極性。該壁係包含實質上平行於該基本基體之一頂表面及連結該基本基體與該頂表面之一側表面。該斥水層覆蓋該基本基體及該側表面。

本發明構想之一具體實施例提出一種電潤濕顯示裝置其製造方式係經由於一基本基體上形成一壁以界定一像素區；形成一斥水層，其係覆蓋該基本基體之一頂表面及該壁之一側表面且其暴露出該壁之一頂表面；於該像素區內形成一電潤濕層；及形成組配以控制該電潤濕層的一電子裝置。

該斥水層之形成方式係經由在該基本基體上於該壁被形成之處形成一前置斥水層；收縮該壁以從該壁分離出該前置斥水層之一部分；及去除已分離的該前置斥水層以暴露該壁之該頂表面。

當形成該斥水層時，一紫外光射線可照射至該前置斥水層以在收縮該壁前形成一裂縫於該前置斥水層。

該壁之形成方式可經由於該基本基體上塗覆一有機材料以形成一有機層；在該有機層上形成一犧牲圖樣；使用該犧牲圖樣作為一遮罩，將該有機層製作圖樣。該犧牲圖樣係包含一負型光阻劑、一正型光阻劑、或一金屬。當該犧牲圖樣係包含一負型光阻劑或一金屬時，於一剖面圖中，該犧牲圖樣包括一頂表面具有比該壁之一寬度更大的一寬度，及一底表面具有與該壁之該寬度相等的一寬度。當該犧牲圖樣係包含一正型光阻劑時，於一剖面圖中，該犧牲圖樣包括一底表面具有比該壁之一寬度更大的一寬度，及一頂表面具有比該底表面之一寬度更小的一寬度。該斥水層之形成方式可經由在該基本基體上於該犧牲圖樣被形成之處形成該前置斥水層；及剝離該犧牲圖樣及於該犧牲圖樣上的該前置斥水層以暴露該壁之該頂表面。

依據一實施例，提出一種製造一電潤濕層之方法，該方法係包括在一基本基體之一表面上形成一壁，在該壁及該基本基體之該表面上形成一斥水層，及從該壁之一頂表面去除該斥水層。

從該壁之該頂表面去除該斥水層可包括以預定波長之一紫外光(UV)射線照射該壁，收縮該壁，及從該壁的頂面洗除該斥水層。

在該基本基體之該表面上形成該壁可包括循序地在基本基體之表面上形成一有機層及一犧牲層，及圖案化該有機層及犧牲層以形成該壁及一犧牲圖樣。

將該有機層及犧牲層製作圖樣可包括同時蝕刻該有機層及犧牲層。

在該基本基體之該表面上形成該壁可包括循序地在基本基體之表面上形成一有機層及一犧牲層，及循序地分別在該犧牲層及該有機層上進行微影術及蝕刻。

從該壁的頂表面去除該斥水層可包括從該壁的頂表面剝離該犧牲圖樣及該斥水層。

BRL‧‧‧障壁層

BS1-2‧‧‧基體

CAP1-2‧‧‧電容器

CH‧‧‧接點孔

CRK‧‧‧裂縫

D1‧‧‧列方向

D2‧‧‧行方向

DE‧‧‧汲極電極

DL、DL1‧‧‧資料線

DOT1-2‧‧‧虛線

EL1-2‧‧‧電極

EWL‧‧‧電潤濕層

FL1-2‧‧‧流體

GE‧‧‧閘極電極

GI‧‧‧閘極絕緣體

GL‧‧‧閘極線

H1-2‧‧‧高度

HPL‧‧‧斥水層

OGL‧‧‧有機層

PA‧‧‧像素區

P_HPL‧‧‧前置斥水層

PSV‧‧‧鈍化層

S111-181、S113-193‧‧‧步驟

SCL1‧‧‧犧牲層

SCP1-2‧‧‧犧牲圖樣

SE‧‧‧源極電極

SM‧‧‧半導體層

STE‧‧‧儲存電極

STL‧‧‧儲存線

TR‧‧‧切換裝置

Vcom‧‧‧共通電壓

W1-4‧‧‧寬度

WL‧‧‧壁

藉參考後文詳細說明部分結合附圖一起考慮，本發明之實施例將更為彰顯，附圖中：圖1為剖面圖顯示依據本發明之一實施例一電潤濕顯示裝置之一部分；圖2為等效電路圖顯示含括於圖1所示的電潤濕顯示裝置的一像素；圖3為平面圖顯示圖1所示的電潤濕顯示裝置；圖4為沿圖3所示一線I-I’的剖面圖；圖5為流程圖顯示圖1所示的電潤濕顯示裝置之一種製造方法；圖6A至6G為剖面圖顯示圖1所示的電潤濕顯示裝置之製造方法；圖7A及7B為掃描電子顯微鏡(SEM)照片顯示在照射紫外光至該前置斥水層之該前置斥水層；圖8為流程圖顯示圖1所示的電潤濕顯示裝置之一種製造方法；圖9A至9G為剖面圖顯示圖8所示的電潤濕顯示裝置之製造方法；圖10A至10G為剖面圖顯示圖1所示的電潤濕顯示裝置之製造方法。

詳細說明

須瞭解當一元件或層係稱作為「在其上」、「連結至」或「耦接至」另一個元件或層時，其可直接地位在其上、連結至或耦接至另一個元件或層或可存在有介入的元件或層。如此處使用，「及/或」一詞包括所列舉的相聯結項目中之一或多者的任何及全部組合。

如此處使用，除非上下文另行明白指示，否則單數形「一(a)」、「一(an)」、及「該」意圖也包括複數形。

後文將參考附圖詳細解說本發明，其中相同的元件符號可用以表示圖式及說明書全文中的相同或實質上相同的元件。

圖1為剖面圖顯示依據本發明之一實施例一電潤濕顯示裝置之一部分。電潤濕顯示裝置包括排列成一矩陣形之複數個像素，該等像素中之一者係顯示於圖1。如圖1所示，該像素之一範圍係以兩條第一虛線DOT1表示。

參考圖1，各個像素包括一陣列基體、一相對基體、及一電潤濕層EWL。該陣列基體包括一第一基體BS1 一第一電極EL1、一切換裝置、一壁WL、及一斥水層HPL。該相對基體包括一第二基體BS2及一第二電極EL2。該第一電極EL1、切換裝置、及第二電極EL2組成控制該電潤濕層EWL之一電子裝置。

該電潤濕顯示裝置包括一前表面，在其上顯示一影像及與該前表面相對的一後表面。在該前表面前方之一觀看者可感知顯示在該電潤濕顯示裝置上的影像。於一具體實施例中，該第二基體BS2之一外表面(例如圖1中第二基體BS2之一頂表面)係稱作為該電潤濕顯示裝置之前表面或頂表面，而該第一基體BS1之一外表面(例如圖1中第一基體BS1之一底表面)係稱作為該電潤濕顯示裝置之後表面或底表面。但前表面及後表面之位置不應受此所限或藉此受限。前表面及後表面之位置可取決於作業模式而改變，諸如電潤濕顯示裝置的反射模式、透射模式、或透射反射模式。依據一實施例，該電潤濕顯示裝置採用一分節顯示型，其形成含括複數個像素的每個節段一個影像。

依據一實施例，該第一基體BS1及第二基體BS2各自係形成於由該等像素所共享的單一本體，或係形成於複數個可分割成員，其各自係用作為各個像素之至少一部分。依據一實施例，該第一基體BS1及/或第二基體BS2係包括但非僅限於透明絕緣體，諸如玻璃或聚合物，例如塑膠。舉例言之，依據一實施例，該第一基體BS1及/或第二基體BS2係由聚對苯二甲酸伸乙酯(PET)、纖維強化塑膠(FRP)、或聚萘二甲酸伸乙酯(PEN)製成。依據一實施例，該第一基體BS1及/或第二基體BS2係為剛性或可撓性。

該電潤濕層EWL係設置於由該第一基體BS1、該第二基體BS2、及該壁所界定之一空間。該電潤濕層EWL包括一第一流體FL1及一第二流體FL2。該第一流體FL1與第二流體FL2係為彼此不能相溶混。

第一流體FL1具有非導電性。依據一實施例，該第一流體FL1包括烷諸如十六烷、或油諸如聚矽氧油。

第二流體FL2具有導電性或極性且包括其中溶解氯化鉀的水與乙醇之混合物，或氯化鈉水溶液。依據一實施例，第二流體FL2為透明或有色。舉個實例，第二流體FL2為白色且吸收或反射來自外部來源的光。

後文中，為了描述目的，第一流體FL1為非傳導性油，及第二流體FL2為傳導性電解質。但第一流體FL1或第二流體FL2之材料並非囿限於此。

第一流體FL1可吸收光之至少若干光譜及透射光之若干其它光譜，結果導致呈色。第一流體FL1包括顏料粒子或染料以呈色。另外，第一流體FL1為黑色，使得第一流體FL1可吸收實質上全部光譜的可見光。依據一實施例，第二流體FL2反射光之光譜。

壁WL藉由劃分個別地相對應於該等像素的像素區PA而界定像素區PA。像素區PA之一範圍係藉圖1顯示的第一虛線DOT1表示。壁WL係設在第一基體BS1上。壁WL係從第一基體BS1突出。壁WL係包括平行或實質上平行第一基體BS1的一頂表面，及連結該壁WL的頂表面至第一基體BS1的一側表面。依據一實施例，當另一層係形成於第一基體BS1上時，該側表面連結該壁WL的頂表面至其它層。該壁WL連同第一基體BS1界定針對各個像素區PA的一個像素空間。

斥水層HPL係設置於該第一基體BS1上及該壁WL在該像素區PA內的某些表面上。斥水層HPL實質上覆蓋該像素區PA，但該壁WL之相對應於各個像素的頂表面除外。舉例言之，斥水層HPL係設置於該第一基體BS1之頂表面上及該壁WL之側表面上。斥水層HPL並非設置於該壁WL的頂表面上而暴露出該壁WL的頂表面。因此，各個像素之斥水層HPL係以該壁WL的頂表面而與一相鄰像素的該斥水層HPL分開，於該壁WL的頂表面上不形成斥水層HPL。依據一實施例，斥水層HPL覆蓋該壁WL之側表面的至少一部分。

依據一實施例，一障壁層BRL係設於第一基體BS1與斥水層HPL間及於第一基體BS1與壁WL間。依據一實施例，障壁層BRL具有多層結構，例如雙層結構。另外，刪除障壁層BRL。

斥水層HPL包括具有斥水性質之材料，例如含氟化合物。依據一實施例，該化合物包括如下化學式表示之聚合化合物，諸如-CxFy-、-CxFyHz-、-CxFyCzHp-、-CxFyO-、或-CxFyN(H)-，於該處x、y、x、p、n、及m各自為等冷或大於1的整數，或非晶形氟化合物，例如杜邦(DuPont)出品的AF1600具有如下化學式1：

依據一實施例，斥水層HPL具有光透射性質或光反射性質。當斥水層HPL具有光反射性質時，來自外在來源的光可由斥水層HPL反射。依據一實施例，斥水層HPL為白色，或另外，斥水層HPL吸收特定波長光而反射另一特定波長光以呈現白色以外的顏色。

壁WL連同斥水層HPL約束第一及第二流體FL1及FL2中之至少一者移動至該像素空間內部的移動範圍。於一具體實施例中，壁WL之全部表面或部分表面具有親水性質，使用壁WL可允許第一流體FL1位在像素空間。其上未形成斥水層HPL的壁WL的暴露頂表面具有親水性質。當壁WL的頂表面具有斥水性質，第一流體FL1可沿其頂表面通過壁WL，結果導致電潤濕顯示裝置的功能異常。壁WL係由親水性有機化合物製成，使得壁WL的全體表面具有親水性質。

即便當壁WL具有親水性質時，第一流體FL1可流經壁WL及到達相鄰像素區PA。依據一實施例，壁WL具有高度夠高以防止第一流體FL1流經壁WL而到達相鄰像素區PA。依據一實施例，壁WL之高度可等冷或小於第一流體FL1的最大高度。

電子裝置係設於各個像素，及藉施加電位至電潤濕層EWL而控制電潤濕層EWL。第一電極EL1位在第一基體BS1上。切換裝置係位在第一基體BS1上且係連結第一電極EL1。第二電極EL2係位在第二基體BS2上。

第一電極EL1係設於第一基體BS1與斥水層HPL間。依據一實施例，一障壁層BRL係設於第一電極EL1與斥水層HPL間。該障壁層BRL防止第二流體FL2直接接觸第一電極EL1。

第一電極EL1係藉斥水層HPL而與電潤濕層EWL分開。依據一實施例，第一電極EL1具有預定形狀。第一電極EL1係藉切換裝置而施加電壓信號。該切換裝置係設於各個像素，結果導致在第一基體BS1上的一切換裝置陣列。

依據一實施例，第二電極EL2係形成為單一電極以覆蓋全部像素。另外，第二電極EL2係分割成複數個子電極其分別地相對應於該等像素。當第二電極EL2係分割成複數個子電極時，該等分割子電極係彼此電連接。依據一實施例，第二電極EL2係直接接觸第二流體FL2。

於一具體實施例中，第一電極EL1及第二電極EL2係個別地位在第一基體BS1及第二基體BS2上，但不應受此所限或藉此受限。舉例言之，另外，第一及第二電極EL1及EL2可位在第一基體BS1上。依據一實施例，第二電極EL2可設於第一電極EL1的至少一個側部，及與第一電極EL1電絕緣。舉例言之，依據一實施例，第一電極EL1係位在像素區PA的由壁WL所環繞的一部分上，及第二電極EL2係位在像素區PA的其餘部分上且與第一電極EL1隔開。另外，第一電極EL1可設在像素區PA的由壁WL所環繞，及第二電極EL2可設在壁WL的形成區，諸如壁WL的底表面或側表面而與第一電極EL1隔開。

當具有彼此不同位準的二電壓係分別地施加至第一電極EL1及第二電極EL2時，該像素被導通。靜電力例如由二電壓間的電壓差所造成的斥力或吸力移動第二流體FL2至第一電極EL1，及第一流體FL1係從該斥水層HPL的至少一部分推出至壁WL。被推出的第一流體FL1可具有液滴形狀，如第二虛線DOT2所示。當像素被導通時，第一流體FL1具有最大高度。當第一流體FL1被推送至壁WL時，該像素的斥水層HPL暴露出。

當該第一電極EL1及第二電極EL2間之電壓差約為零伏特或接近零伏特時，像素關閉，由電壓差引起的靜電力消失，及第一流體FL1再度覆蓋斥水層HPL。如此，第一流體FL1用作為光開關，可在各個像素內藉電氣控制。

圖2為等效電路圖顯示圖1所示的電潤濕顯示裝置之一像素。

該像素包括一切換裝置TR、一第一電容器CAP1及一第二電容器CAP2。於圖2中，該像素包括一個切換裝置。但本發明之實施例非受如此所限。另外，電潤濕顯示裝置的各個像素可包括多於一個切換裝置。

切換裝置TR包括一閘極電極、一源極電極、及一汲極電極。該切換裝置TR係連結一接線部件。該接線部件包括連結至切換裝置TR的一閘極線GL及一資料線DL，及一儲存線STL。閘極電極係連結至閘極線GL，源極電極係連結至資料線DL，及汲極電極係連結至第一及第二電容器CAP1及CAP2。第一電容器CAP1又稱電潤濕電容器，包括一第一電極EL1、一第二電極EL2、及設於該第一電極EL1及第二電極EL2間的流體。第二電極EL2接觸第二流體FL2以接收施加至第二流體FL2的共通電壓Vcom。第二電容器CAP2又稱儲存電容器，包括該汲極電極(及/或第一電極EL1)、一儲存電極、及位在該汲極電極與儲存電極間的一絕緣層。該儲存電極係連結至儲存線STL。

當閘極線GL被施加一閘極信號時，切換裝置TR被導通，如此施加至資料線DL的電壓透過已導通的切換裝置TR而施加至第一及第二電容器CAP1及CAP2。施加至第一電極EL1的資料電壓係藉第一及第二電容器CAP1及CAP2的耦合電容與漏電流而維持於第一及第二電容器CAP1及CAP2內充電，藉此驅動該像素直至資料電壓被再新為止。

圖3為平面圖顯示圖1所示電潤濕顯示裝置。圖4為沿圖3所示線I-I’所取的剖面圖。電潤濕顯示裝置包括排列成矩陣形的複數個像素，及該等像素中之一者已經顯示於圖3及圖4。

參考圖3及4，電潤濕顯示裝置包括一陣列基體、面對該陣列基體之一相對基體、及位在該陣列基體與該相對基體間之一電潤濕層EWL。

該陣列基體包括一第一基體BS1、一接線部件、一第一電極EL1、一切換裝置TR、一壁WL、及一斥水層HPL。

依據一實施例，該第一基體BS1具有矩形，有二長邊及二短邊。

該接線部件移轉信號至切換裝置TR，及包括複數個閘極線GL、複數個資料線DL、複數個儲存電極STE、及複數個儲存線STL。

閘極線GL係位在第一基體BS1上且於一列方向D1延伸。儲存電極STE係與閘極線GL隔開。儲存線STL係於該列方向D1延伸且實質上平行閘極線GL。儲存線STL係連結儲存電極STE。資料線DL係於交叉列方向D1的一行方向D2延伸。資料線DL係位在第一基體BS1上，及閘極絕緣體GI係位在資料線DL與第一基體BS1間。依據一實施例，閘極絕緣體GI包括氧化矽及氮化矽。

切換裝置TR係連結閘極線GL中之相對應者及資料線DL中之相對應者。該切換裝置TR係包括一閘極電極GE、一半導體層SM、一源極電極SE、及一汲極電極DE。

閘極電極GE從閘極線GL突起。閘極電極GE包括傳導性材料，諸如金屬例如，銅(Cu)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鎢(W)、鉻(Cr)、鈦(Ti)，或含括其中之至少一者的合金。

閘極絕緣體GI係位在第一基體BS1上方且覆蓋閘極線GL及閘極電極GE。

半導體層SM係位在閘極電極GE上，及閘極絕緣體GI係位在半導體層SM與閘極電極GE間。依據一實施例，半導體層SM包括氧化物半導體、非晶矽半導體、或結晶或多晶矽半導體。

半導體層SM包括位在閘極絕緣體GI上的一活動層，及位在該活動層上的一歐姆接觸層。當於平面圖觀看時，該活動層係位在其中形成源極電極SE及汲極電極DE的一區及位在源極電極SE與汲極電極DE間的一區。該歐姆接觸層係位在該活動層與源極電極SE間及在活動層與汲極電極DE間。

源極電極SE係從資料線DL分支，及汲極電極DE係與源極電極SE隔開。當於平面圖觀看時，部分源極電極SE及汲極電極DE重疊閘極電極GE。

源極電極SE及汲極電極DE包括傳導性材料，諸如銅、鉬、鋁、鎢、鉻、鈦、或包括其中之至少一者的合金。

於一具體實施例中，源極電極SE及汲極電極DE重疊半導體層SM之部分於一區，但源極電極SE與汲極電極DE間之一區除外。相對應於源極電極SE與汲極電極DE間之該區的半導體層SM部分係用作為通道部分。當切換裝置TR被導通時，在源極電極SE與汲極電極DE間流動的電流係流經該通道部分。

一鈍化層PSV係位在該通道部分上以覆蓋與保護通道部分。依據一實施例，鈍化層PSV包括氮化矽或氧化矽。

第一電極EL1係透過形成貫穿鈍化層PSV的一接點孔CH而連結至汲極電極DE。部分汲極電極DE係經由接點孔CH暴露，及第一電極EL1係經由接點孔CH而連結至汲極電極DE的暴露部。

於一具體實施例中，當電潤濕顯示裝置具有透射型結構時，第一電極EL1包括透明傳導性材料，諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、及氧化銦錫鋅(ITZO)。於一替代具體實施例中，當電潤濕顯示裝置具有反射型結構時，第一電極EL1包括具有光反射性質的傳導性材料，諸如金屬例如鋁。依據一實施例，第一電極EL1具有多層結構包括透明傳導性材料及具有光反射性質的傳導性材料。又復，當電潤濕顯示裝置具有透射反射型結構時，第一電極EL1包括具有一反射部以反射外部光及一透射部以透射外部光。依據一實施例，該第一電極EL1具有透明傳導性材料及/或反射光的傳導性材料之單層結構或多層結構。

依據一實施例，一濾色器係位在該汲極電極DE與鈍化層PSV間。該濾色器許可光通過各個像素PX以呈現一色彩。依據一實施例，該濾色器包括一紅濾色器、一綠濾色器、及一藍濾色器，其個自相對應於某些像素。設有紅濾色器的一像素稱作為一紅色像素，設有綠濾色器的一像素稱作為一綠色像素，及設有藍濾色器的一像素稱作為一藍色像素。另外，濾色器進一步包括與諸如紅、綠及藍等色不同的一色。

一障壁層BRL係位在第一基體BS1上，於該處形成第一電極EL1。障壁層BRL防止組成電潤濕層EWL的某些材料，例如極性材料或傳導性材料穿透或擴散入第一電極EL1。當該等極性材料或傳導性材料到達第一電極EL1時，第一電極EL1及電潤濕層EWL透過具有極性或傳導性的材料可彼此導電。

壁WL係位在第一基體BS1上，於該處形成障壁層BRL。壁WL從第一基體BS1突起且在各個像素區PA形成一像素空間。該像素空間係由第一基體BS1及壁WL環繞。該壁WL限制第一流體FL1及第二流體FL2中之至少一者的移動範圍。

斥水層HPL覆蓋第一基體BS1之一頂表面及該壁WL之一側表面。由斥水層HPL所暴露的壁WL之一頂表面具有親水性質。如此，第一流體FL1係壁WL的頂表面驅離，故第一流體FL1的移動限於該像素空間而不流過壁WL。

相對基體包括面對該第一基體BS1的一第二基體BS2及位在該第二基體BS2上的一第二電極EL2。

第二電極EL2係形成為單一電極以覆蓋全部像素。另外，第二電極EL2可分割成複數個子電極，其分別地相對應於該等像素。當第二電極EL2被分割成複數個子電極時，分割子電極係彼此電連結。第二電極EL2直接接觸第二流體FL2。

第二電極EL2包括一透明傳導性材料，諸如氧化銦錫、氧化銦鋅、或氧化銦錫鋅。

圖5為流程圖顯示一種製造圖1所示電潤濕顯示裝置之方法。圖6A至6G為剖面圖顯示一種製造圖1所示電潤濕顯示裝置之方法。

參考圖5，藉由形成一陣列基體及一相對基體，及藉耦合該陣列基體與該相對基體製造。

形成該陣列基體包括於第一基體上形成第一電極(S111)，形成一壁以界定一像素空間(S121)，在該像素空間形成一前置斥水層(S131)，收縮該壁以分開該前置斥水層之一部分與該壁(S141)，去除已分開的前置斥水層(S151)，及形成一電潤濕層(S161)。形成該相對基體包括於第二基體上形成第二極(S171)。該陣列基體與該相對基體係彼此耦合，有該電潤濕層配置於該陣列基體與該相對基體間(S151)。

電潤濕顯示裝置之製造方法係參考圖1、3、4、5及6A至6G以進一步細節說明。

參考圖6A，製造第一基體BS1，及一切換裝置及一第一電極EL1係形成於該第一基體BS1上。

閘極線圖樣係由一傳導性材料在一透明絕緣材料的第一基體BS1上形成。該閘極線圖樣係係包括一閘極電極GE、一閘極線GL、一儲存電極STE、及一儲存線STL。

閘極線圖樣之形成係經由在第一基體BS1上形成第一傳導性材料諸如金，及使用第一遮罩，透過微影術處理而將該第一傳導性材料製作圖樣。依據一實施例，該第一傳導性材料包括一金屬，諸如銅(Cu)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鎢(W)、鉻(Cr)、鈦(Ti)，或含括其中之至少一者的合金。依據一實施例，該閘極線圖樣係以形成單層或多層結構。依據一實施例，該閘極線圖樣包括使用金屬之一合金層。舉例言之，依據一實施例，該閘極線圖樣包括一三重金屬層，含括鉬、鋁、及鉬循序地堆疊，或包括一鉬-鋁合金層。

然後，閘極絕緣體GI係形成於閘極線圖樣上。半導體層SM係形成於閘極絕緣體GI上。依據一實施例，半導體層SM包括經摻雜之或未經摻雜之矽或氧化物半導體。半導體層SM係設於閘極電極GE上方，及於平面圖中重疊該閘極電極GE之至少部分。

一資料線圖樣係形成於半導體層SM上。該資料線圖樣包括一資料線DL、一源極電極SE、及一汲極電極DE。

依據一實施例，半導體層SM及資料線圖樣係使用第二遮罩透過單一微影術處理製成。依據一實施例，該第二遮罩包括一開縫遮罩或半調性遮罩或繞射遮罩。依據一實施例，使用開縫遮罩的微影術處理容後詳述。

閘極電極GE、半導體、及第二傳導層係循序地堆疊在第一基體BS1上，於其上形成閘極線圖樣。第二傳導層係由第二傳導材料製成，諸如銅(Cu)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鎢(W)、鉻(Cr)、鈦(Ti)，或含括其中之至少一者的合金。依據一實施例，該第二傳導層包括單層或多層結構。依據一實施例，該第二傳導層包括第二傳導材料形成之一合金層。

其次，一光阻劑劑形成於第一基體BS1上及然後該光阻劑劑透過該第二遮罩曝光，諸如紫外光。該第二遮罩包括阻擋光照光的第一區、其中形成一開縫圖樣以部分透射及部分阻擋光照光的第二區，及透射光照光的第三區。當透過該第二遮罩曝光的光阻劑劑被顯影時，具有預定厚度的光阻劑劑圖樣留在第二區及第三區，於該處該光照光係由第二遮罩全部或部分地阻擋。光阻劑劑係實質上完全從第一區去除，於該處光被透射使得第二傳導層表面從外部暴露。因第二區比第一區更加曝光，相對應於第二區的光阻劑劑圖樣具有小於相對應於第一區的光阻劑劑圖樣的厚度。其次，半導體薄膜及第二傳導層係使用光阻劑劑圖樣作為遮罩而選擇性地製作圖樣。據此，半導體層SM及第二傳導材料之第二傳導圖樣係形成於閘極線GL的預定區上。然後，透過灰化法或回蝕刻法進行光阻劑圖樣的半調性蝕刻，半導體層SM上相對應於第二區於該處形成開縫圖樣的該光阻劑圖樣係完全被去除，使得第二傳導圖樣係部分曝光。已曝光的第二傳導圖樣及半導體層SM之相對應於已曝光圖樣的上部係使用其餘光阻劑圖樣作為遮罩去除，及去除其餘光阻劑圖樣。據此，形成半導體層SM、源極電極SE、汲極電極DE、及資料線DL及源極電極SE與汲極電極DE間的通道部。於一具體實施例中，使用正型光阻劑但非囿限於此。於一替代具體實施例中可使用負型光阻劑。

形成半導體層SM及資料線圖樣之方法非僅限於前述單一微影術處理。另外，半導體層SM及資料線圖樣可透過彼此相異的兩項微影術處理形成。

鈍化層PSV係形成於第一基體BS1上，於其上形成資料線圖樣。鈍化層PSV係配置於第一基體BS1上及覆蓋切換裝置。依據一實施例，一濾色器係形成於鈍化層PSV上。依據一實施例，該濾色器包括紅濾色器、綠濾色器、及藍濾色器中之一者。該紅濾色器、綠濾色器、及藍濾色器個別地係藉單一微影術處理形成，包括以彩色塗覆一感光有機材料，及使用一遮罩曝光及顯影該感光有機材料。依據一實施例，感光有機材料含有特定顏色的顏料或染料，諸如紅、綠、或藍。

接點孔CH係形成貫穿部分鈍化層PSV以暴露該切換裝置之汲極電極DE。依據一實施例，該接點孔CH係藉微影術處理形成。

其次，第一電極EL1係形成於第一基體BS1上。第一電極EL1係藉使用傳導性材料形成一傳導層及使用微影術處理圖樣化該傳導層製成。

第一電極EL1包括透明傳導性材料，諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、及氧化銦錫鋅(ITZO)。於一替代具體實施例中，當電潤濕顯示裝置具有反射型結構時，第一電極EL1包括具有光反射性質的傳導性材料，諸如金屬例如鋁。依據一實施例，第一電極EL1具有多層結構使用透明傳導性材料及具有光反射性質的傳導性材料。又復，當電潤濕顯示裝置具有透射反射型結構時，第一電極EL1包括具有一反射部以反射外部光及一透射部以透射外部光。依據一實施例，該第一電極EL1具有透明傳導性材料及/或反射性傳導性材料之單層結構或多層結構。

第一電極EL1係透過接點孔CH連結汲極電極DE。

然後，障壁層BRL係形成於其上形成第一電極EL1的該第一基體BS1上。依據一實施例，障壁層BRL係藉沈積方案使用陰影罩或微影術處理製成。依據一實施例，障壁層BRL具有單層結構或多層結構。

其次，參考圖6B，壁WL形成於第一基體BS1上，於其上形成障壁層BRL。壁WL係藉微影術處理製成，例如包括塗覆具有感光有機聚合物的感光層於第一基體BS1上，及曝光及顯影該感光層。依據一實施例，感光有機聚合物包括親水性材料或親水性官能基以形成具有親水性的壁WL。

感光層初步於第一溫度烤乾。在曝光及顯影處理期間，感光層係從第一基體BS1突起且經圖樣化而形成壁WL，包括平行第一基體BS1之一頂表面的一頂表面及一側表面，其連結該壁WL的頂表面至該第一基體BS1之頂表面(或形成於該第一基體BS1上另一層之頂表面)。在初步烤乾期間，壁WL經預烤乾至非完全固化且具有第一高度H1。依據一實施例，第一溫度係低於感光層的固化溫度，且可依據感光層的型別、性質、或固化時間改變。舉例言之，依據一實施例，第一溫度係於約110℃至約140℃之範圍，例如約130℃。

參考圖6C，前置斥水層P_HPL係形成於第一基體BS1頂表面上於其上形成壁WL。前置斥水層P_HPL係形成於第一基體BS1的頂表面上使得前置斥水層P_HPL覆蓋第一基體BS1頂表面的一部分及壁WL的頂及側表面。依據一實施例，前置斥水層P_HPL包括含氟化合物使得前置斥水層P_HPL表面具有斥水性質。依據一實施例，前置斥水層P_HPL可藉沈積或塗覆斥水性材料於第一基體BS1上但非囿限於此或受此所限。舉例言之，前置斥水層P_HPL係藉噴墨法製成。

參考圖6D，紫外(UV)線(UV)係照射至前置斥水層P_HPL。紫外光具有可打斷前置斥水層P_HPL的分子間鍵結的波長帶。當前置斥水層P_HPL包括非晶氟化合物時，前置斥水層P_HPL透射具有約200奈米或以上波長的大部分紫外光而吸收具有小於約200奈米波長的部分紫外光。非晶氟化合物的前置斥水層P_HPL具有約170奈米或以下的波長，藉此打斷前置斥水層P_HPL的分子間部分鍵結。如此，具有小於約200奈米波長的部分紫外光例如約170奈米或以下可照射前置斥水層P_HPL。氧原子及/或臭氧可生成為氧分子及/或臭氧藉UV***，如此所產生的氧原子可與前置斥水層P_HPL中的材料反應，如此導致揮發性分子。揮發性分子可從前置斥水層P_HPL去除至空氣。因此，在前置斥水層P_HPL內及上，例如在前置斥水層P_HPL的表面上可形成裂縫CRK。依據一實施例，紫外光可具有波長足夠在前置斥水層P_HPL的表面上形成儘可能地多的裂縫CRK。

圖7A及7B為掃描電子顯微鏡(SEM)照片顯示照射紫外光至前置斥水層P_HPL後的前置斥水層。參考圖7A及7B，裂縫CRK係形成於覆蓋壁WL的前置斥水層P_HPL之內及之上。

其次，參考圖6E，壁WL係在第二溫度二次烤。隨著二次烤乾的進行，壁WL收縮。因此，壁WL高度減至小於第一高度H1的第二高度H2。二次烤乾法係於高於一次烤乾法採用的溫度進行，使得壁WL可充分硬化，但該溫度係低於前置斥水層P_HPL的玻璃變換溫度(Tg)，因而防止前置斥水層P_HPL被熔解。舉例言之，依據一實施例，第二溫度係於約115至約160℃之範圍。

於二次烤乾法處理期間，前置斥水層P_HPL不會收縮或收縮少於壁WL。因此，部分前置斥水層P_HPL從壁WL頂表面分離。部分前置斥水層P_HPL可收縮或消失，使得裂縫CRK可加寬。

然後，參考圖6F，相對應於壁WL頂表面的該部分前置斥水層P_HPL係透過清潔處理去除，形成覆蓋第一基體BS1之頂表面及壁WL之側表面的一斥水層HPL。當二次烤乾處理時，部分前置斥水層P_HPL容易藉裂縫加寬去除。斥水層HPL係不設在壁WL之頂表面上，及壁WL之頂表面暴露至外部。據此，第一基體BS1之頂表面及壁WL之側表面具有斥水性質，及壁WL之頂表面具有親水性質。

依據一實施例，額外紫外光可照射至壁WL之頂表面以去除在清潔處理後可能留在壁WL之頂表面上的前置斥水層P_HPL的碎屑。紫外光可具有約200奈米或以下，例如約170奈米或以下的波長。額外紫外光提供能給碎屑，使得碎屑分子彼此反應，或碎屑與其它材料諸如氧氣或臭氧反應，結果導致碎屑的去除。

然後，壁WL係於第三溫度硬烤乾且完全固化。依據一實施例，第三溫度約為200℃或以上。

其次，電潤濕層EWL係形成於其上形成有該斥水層HPL及該壁WL的該第一基體BS1上。電潤濕層EWL係藉塗覆一第一流體FL1及一第二流體FL2於該第一基體BS1上而形成。該第一流體FL1及第二流體FL2可以多種方式塗覆，例如藉將該第一基體BS1浸漬入該第一流體FL1及/或第二流體FL2內。

第二電極EL2係形成於與該第一基體BS1相對的一第二基體BS2上。

然後，參考圖6G，具有電潤濕層EWL的第一基體BS1例如陣列基體係耦接至具有第二電極EL2的第二基體BS2例如相對基體，如此形成電潤濕顯示裝置。

圖8為流程圖顯示製造圖1所示電潤濕顯示裝置之一種方法。圖9A至9G為剖面圖顯示圖8所示電潤濕顯示裝置之一種製造方法。

參考圖8，電潤濕顯示裝置係藉由形成陣列基體及相對基體，以及藉耦合該陣列基體與該相對基體製造。

形成該陣列基體包括形成第一電極於第一基體上(S113)，形成一有機層(S123)，在有機層上形成一犧牲圖樣(S133)，使用犧牲圖樣作為遮罩而圖樣化該有機層以形成一壁(S143)，在該第一基體上形成一前置斥水層(S153)，剝離該犧牲圖樣及部分前置斥水層(S163)、及形成電潤濕層(S173)。形成該相對基體包括形成第二電極於第二基體上(S183)。該陣列基體與該相對基體係面對面耦接，有該電潤濕層介於該陣列基體與該相對基體間(S193)。

後文中將參考圖1、8及9A至9G，以進一步細節描述電潤濕顯示裝置之製法。

參考圖9A，製造第一基體BS1，及一切換裝置及第一電極EL1係形成於第一基體BS1上。該切換裝置係連結第一電極EL1。

依據一實施例，一障壁層BRL係形成於其上形成第一電極EL1的該第一基體BS1上。依據一實施例，該障壁層BRL具有單層結構及多層結構。

其次，參考圖9B，一有機層OGL及一犧牲層SCL1循序地堆疊在障壁層BRL上。該有機層OGL及該犧牲層SCL1包括具有就蝕刻條件而言，諸如蝕刻劑型別、蝕刻溫度、或耗用的蝕刻時間而言為彼此相異的蝕刻速率之不同材料。

依據一實施例，有機層OGL包括有機聚合物。依據一實施例，該有機聚合物含有親水材料或親水官能基以形成具有親水性質之壁WL。依據一實施例，犧牲層SCL1包括感光有機聚合物。於一具體實施例中，一正型光阻劑係用作為該感光有機聚合物。

參考圖9C，一犧牲圖樣SCP1係形成於有機層OGL上。犧牲圖樣SCP1係藉使用微影術法將犧牲層SCL1製作圖樣而形成。舉例言之，犧牲圖樣SCP1係藉曝光與顯影含感光有機聚合物的犧牲層SCL1製成。

因犧牲層SCL1包括正型光阻劑，已曝光部分係在曝光與顯影處理後去除。犧牲圖樣SCP1具有頂表面具有小於底表面面積之一面積。當在剖面圖中頂表面之寬度係稱作為第一寬度W1而底表面之寬度係稱作為第二寬度W2時，第一寬度W1係小於第二寬度W2。

參考圖9D，藉將有機層OGL圖樣化而形成壁WL。有機層OGL係藉乾蝕刻方案或濕蝕刻方案而製作圖樣。舉例言之，乾蝕刻方案使用犧牲圖樣SCP1作為遮罩。犧牲圖樣SCP1形成的一區以外的壁WL部分係經蝕刻，使得壁WL頂表面係由犧牲圖樣SCP1覆蓋，而壁WL之側表面係暴露於外部。依據壁WL與犧牲圖樣SCP1間之蝕刻速率差異及/或壁WL與犧牲圖樣SCP1間之蝕刻方向差異，壁WL頂表面具有比壁WL之側表面面積更小的面積。據此，壁WL之寬度係小於犧牲圖樣SCP1的第二寬度W2。

其次，參考圖9E，前置斥水層P_HPL係形成於其上形成壁WL的第一基體BS1上。前置斥水層P_HPL覆蓋第一基體BS1之頂表面之一部分、壁WL之側表面、及犧牲圖樣SCP1之頂及側表面。因於剖面圖中壁WL之寬度係小於犧牲圖樣SCP1的第二寬度W2，部分犧牲圖樣SCP1之底表面係暴露於外部，及據此，前置斥水層P_HPL可能不形成於犧牲圖樣SCP1下方向壁WL之側壁上或形成得相當薄。

前置斥水層P_HPL可包括一種含氟化合物使得前置斥水層P_HPL表面具有斥水性質。前置斥水層P_HPL可藉沈積或塗覆斥水性材料至第一基體BS1上形成但非囿限於此或受此所限。舉例言之，依據一實施例，前置斥水層P_HPL可藉噴墨方案製成。

然後，參考圖9F，於其上形成前置斥水層P_HPL的第一基體BS1係浸漬入去除液內，使得犧牲圖樣SCP1及前置斥水層P_HPL之形成於犧牲圖樣SCP1的頂表面及側表面上的該部分係被剝離及去除，藉此獲得一斥水層HPL。因去除液容易滲透入壁WL表面在前置斥水層P_HPL未形成的或形成得相當薄區域，故犧牲圖樣SCP1容易從壁WL之頂表面剝離。於剝離處理後，斥水層HPL留在壁WL之側表面上，及壁WL之頂表面暴露至外部。

其次，電潤濕層EWL係形成於其上形成斥水層HPL及壁WL的第一基體BS1上。電潤濕層EWL可藉塗覆第一流體FL1及第二流體FL2於第一基體BS1上形成。第一流體FL1及第二流體FL2可藉多種方式塗覆，例如藉將第一基體BS1浸漬於第一流體FL1及/或第二流體FL2。

第二流體FL2係形成於面對第一基體BS1的第二基體BS2上。

然後，參考圖9G，具有電潤濕層EWL的第一基體BS1例如陣列基體係耦合具有第二電極EL2的第二基體 BS2，例如相對基體，藉此形成該電潤濕顯示裝置。

圖10A至10G為剖面圖顯示圖1所示電潤濕顯示裝置之製造方法。

後文中將參考圖8及10A至10G以細節描述電潤濕顯示裝置之製造方法。

參考圖10A，製備一第一基體BS1，及切換裝置及第一電極EL1係形成於第一基體BS1上。該切換裝置係連結第一電極EL1。

依據一實施例，障壁層BRL係形成於其上形成第一電極EL1的第一基體BS1上。依據一實施例，障壁層BRL為單層結構或多層結構。

其次，參考圖10B，一有機層OGL及一犧牲層SCL2循序地堆疊在障壁層BRL上。該有機層OGL及該犧牲層SCL2包括具有就蝕刻條件而言，諸如蝕刻劑型別、蝕刻溫度、或耗用的蝕刻時間而言為彼此相異的蝕刻速率之不同材料。

依據一實施例，有機層OGL包括有機聚合物。依據一實施例，該有機聚合物含有親水材料或親水官能基以形成具有親水性質之壁WL。依據一實施例，犧牲層SCL2包括感光有機聚合物。於一具體實施例中，一負型光阻劑係用作為該感光有機聚合物。

參考圖10C，一犧牲圖樣SCP2係形成於有機層OGL上。犧牲圖樣SCP2係藉使用微影術法將犧牲層SCL2製作圖樣而形成。舉例言之，犧牲圖樣SCP2係藉曝光與顯影含感光有機聚合物的犧牲層SCL2製成。

因犧牲層SCL2包括負型光阻劑，已曝光部分係在曝光與顯影處理後去除。犧牲圖樣SCP2具有頂表面具有大於底表面面積之一面積。當在剖面圖中頂表面之寬度係稱作為第三寬度W3而底表面之寬度係稱作為第四寬度W4時，第三寬度W3係大於第四寬度W4。

參考圖10D，藉將有機層OGL圖樣化而形成壁WL。有機層OGL係藉乾蝕刻方案或濕蝕刻方案而製作圖樣。舉例言之，乾蝕刻方案使用犧牲圖樣SCP2作為遮罩。犧牲圖樣SCP2形成的一區以外的壁WL部分係經蝕刻，使得壁WL頂表面係由犧牲圖樣SCP2覆蓋，而壁WL之側表面係暴露於外部。依據一實施例，依據壁WL與犧牲圖樣SCP2間之蝕刻速率差異及/或壁WL與犧牲圖樣SCP2間之蝕刻方向差異，壁WL頂表面具有比壁WL之側表面面積更小的面積。據此，壁WL之寬度係小於犧牲圖樣SCP2的第三寬度W3。

其次，參考圖10E，前置斥水層P_HPL係形成於其上形成壁WL的第一基體BS1上。前置斥水層P_HPL覆蓋第一基體BS1之頂表面之一部分、壁WL之側表面、及犧牲圖樣SCP2之頂表面。因於犧牲圖樣SCP2之第三寬度W3係大於犧牲圖樣SCP2的第四寬度W4，前置斥水層P_HPL可能不形成於犧牲圖樣SCP2之側壁上或形成得相當薄。因於壁WL之寬度係小於犧牲圖樣SCP2的第三寬度W3，前置斥水層P_HPL可能不形成於犧牲圖樣SCP2之側壁上或形成得相當薄。

依據一實施例，前置斥水層P_HPL可包括一種含氟化合物使得前置斥水層P_HPL表面具有斥水性質。依據一實施例，前置斥水層P_HPL可藉沈積或塗覆斥水性材料至第一基體BS1上形成但非囿限於此或受此所限。舉例言之，依據一實施例，前置斥水層P_HPL可藉噴墨方案製成。

然後，參考圖10F，於其上形成前置斥水層P_HPL的第一基體BS1係浸漬入去除液內，使得犧牲圖樣SCP2及前置斥水層P_HPL之形成於犧牲圖樣SCP2的頂表面上的該部分係被剝離及去除，藉此獲得一斥水層HPL。因去除液容易滲透入壁WL表面在前置斥水層P_HPL未形成的或形成得相當薄區域，故犧牲圖樣SCP2容易從壁WL之頂表面剝離。於剝離處理後，斥水層HPL留在壁WL之側表面上，及壁WL之頂表面暴露至外部。

其次，電潤濕層EWL係形成於其上形成斥水層HPL及壁WL的第一基體BS1上。依據一實施例，電潤濕層EWL可藉塗覆第一流體FL1及第二流體FL2於第一基體BS1上形成。第一流體FL1及第二流體FL2可藉多種方式塗覆，例如藉將第一基體BS1浸漬於第一流體FL1及/或第二流體FL2。

第二流體FL2係形成於面對第一基體BS1的第二基體BS2上。

然後，參考圖10G，具有電潤濕層EWL的第一基體BS1例如陣列基體係耦合具有第二電極EL2的第二基體 BS2，例如相對基體，藉此形成該電潤濕顯示裝置。

形成壁WL的有機層OGL係非感光材料，但非囿限於此。依據一具體實施例，該有機層OGL包括負型感光有機材料。於一個實施例中，該犧牲圖樣SCP2連同壁WL可經由單步驟式方法製造。

後文中將參考圖8、圖10A、圖10B、及圖10D至10G以細節描述依據一具體實施例的電潤濕顯示裝置之製法。

其次，參考圖10B，一有機層OGL及一犧牲層SCL2循序地堆疊在障壁層BRL上。依據一實施例，該有機層OGL及該犧牲層SCL2包括具有就蝕刻條件而言為彼此相異的蝕刻速率之不同材料。

該有機層OGL包括一負型感光有機聚合物。依據一實施例，該負型感光有機聚合物含有一親水性材料或親水性官能基以形成具有親水性質之一壁WL。犧牲層SCL2包括一負型感光有機聚合物。於一具體實施例中，當用於該有機層OGL的該負型感光有機聚合物係稱作為第一感光有機聚合物，而用於犧牲層SCL2的負型感光有機聚合物係稱作為第二感光有機聚合物時，該等第一及第二感光有機聚合物可個別地含括彼此不同材料及個別地具有依據蝕刻條件彼此相異的蝕刻速率。

參考圖10D，該有機層OGL及犧牲層SCL2係同時製作圖樣以形成該壁WL及一犧牲圖樣SCP2。據此可刪除連結圖10C描述的步驟。

該壁WL及犧牲圖樣SCP2係藉微影術法製成。舉例言之，該壁WL及犧牲圖樣SCP2係藉係藉同時曝光與顯影分別具有第一及第二感光有機聚合物的該有機層OGL及犧牲層SCL2製造。因該有機層OGL及犧牲層SCL2包括負型光阻劑，故未經曝光的該有機層OGL及犧牲層SCL2之該等部分係被去除。因該有機層OGL及犧牲層SCL2係藉該單一方法製造，故可節省電潤濕顯示裝置的製造時間及成本。

犧牲圖樣SCP2含括一頂面表具有比其底表面之面積更大的面積。當該犧牲圖樣SCP2及該壁WL含有具不同蝕刻速率的不同材料時，該犧牲圖樣SCP2及該壁WL可經製作圖樣而藉由控制蝕刻條件而具有彼此不同蝕刻程度的不同形狀。

其次，參考圖10E，前置斥水層P_HPL係形成於其上形成壁WL及犧牲圖樣SCP2的第一基體BS1上。前置斥水層P_HPL覆蓋第一基體BS1之頂表面之一部分、壁WL之側表面、及犧牲圖樣SCP2之頂表面。於一剖面圖中前置斥水層P_HPL可能不形成於犧牲圖樣SCP2之側壁上或形成得相當薄。因於壁WL之寬度係小於犧牲圖樣SCP2的第三寬度 W3，前置斥水層P_HPL可能不形成於犧牲圖樣SCP2之側表面下方的壁WL之側表面上或形成得相當薄。

然後，參考圖10F，於其上形成前置斥水層P_HPL的第一基體BS1係浸漬入去除液內，使得犧牲圖樣SCP2及前置斥水層P_HPL之形成於犧牲圖樣SCP2的頂表面上的該部分係被剝離及去除，藉此獲得該壁WL。因去除液容易滲透入壁WL表面在前置斥水層P_HPL未形成的或形成得相當薄區域，故犧牲圖樣SCP2容易從壁WL之頂表面剝離。於剝離處理後，斥水層HPL留在壁WL之側表面上，及壁WL之頂表面暴露至外部。

第二流體FL2係形成於面對第一基體BS1的第二基體BS2上。

然後，參考圖10G，具有電潤濕層EWL的第一基體BS1例如陣列基體係耦合具有第二電極EL2的第二基體BS2，例如相對基體，藉此形成該電潤濕顯示裝置。

依據一具體實施例，一金屬層係用以替代負型感光有機聚合物用以形成該犧牲圖樣。後文中將參考圖8、及圖10A至10G以細節描述依據一具體實施例的電潤濕顯示裝置之製法。

其次，參考圖10B，一有機層OGL及一犧牲層SCL2係循序地堆疊在障壁層BRL上。

該有機層OGL包括有機聚合物。依據一實施例，該有機聚合物含有親水材料或親水官能基以形成具有親水性質之壁WL。該犧牲層SCL2包括一金屬及具有小於有機層OGL之厚度之一厚度。

參考圖10C，一犧牲層SCL2係形成於該有機層OGL上。依據一實施例，該犧牲層SCL2係使用微影術法藉將犧牲層SCL2製作圖樣而形成。舉例言之，該犧牲層SCL2之形成方式係藉於犧牲圖樣SCP2上形成一額外光阻劑，曝光與顯影該額外光阻劑以形成一額外光阻圖樣，使用該額外光阻圖樣作為遮罩而將犧牲層SCL2製作圖樣，及藉去除而移除該額外光阻圖樣。據此，形成含括一頂表面具有比其底表面面積更大面積的犧牲層SCL2，如圖10C所示。

參考圖10D，藉將有機層OGL圖樣化而形成壁WL。有機層OGL係藉乾蝕刻方案或濕蝕刻方案而製作圖樣。舉例言之，乾蝕刻方案使用犧牲圖樣SCP2。犧牲圖樣 SCP2形成的一區以外的壁WL部分係經蝕刻，使得壁WL頂表面係由犧牲圖樣SCP2覆蓋，而壁WL之側表面係暴露於外部。

其次，參考圖10E，前置斥水層P_HPL係形成於其上形成壁WL及犧牲圖樣SCP2的第一基體BS1上。前置斥水層P_HPL覆蓋第一基體BS1之頂表面之一部分、壁WL之側表面、及犧牲圖樣SCP2之頂表面。

前置斥水層P_HPL可能不形成於犧牲圖樣SCP2之側壁上或形成得相當薄。前置斥水層P_HPL可能不形成於犧牲圖樣SCP2之側表面下方的壁WL之側表面上或形成得相當薄。

第二流體FL2係形成於面對第一基體BS1的第二基體BS2上。

依據本發明之一具體實施例，當製造電潤濕顯示裝置時電漿處理程序係被刪除。概略言之，在一習知電潤濕顯示裝置內形成一斥水層後形成一壁。但因該斥水層具有斥水性質而該壁具有親水性質，故該斥水層與該壁間之黏著性可能減低。如此，為了提高該斥水層與該壁間之黏著性，可在該斥水層之表面上進行電漿處理。在形成該壁後可進行再流處理以去除藉電漿處理而在該斥水層之表面上產生的親水性官能基。在進行該再流處理及電漿處理後可能出現非閉合缺陷。非閉合缺陷表示當施加或不施加電壓至各個像素且通常不呈現黑態時，第一流體不會完全覆蓋該斥水層。非閉合缺陷可由在斥水層形成後進行處理期間產生的殘餘物造成，或由未從斥水層去除的親水性官能基造成。非閉合缺陷可由藉電漿處理期間在斥水層上產生的親水性官能基與該壁上的材料之官能基間的反應所產生的親水性官能基造成。舉例言之，當斥水層經電漿處理時，-OH基或-COOH基可被吸附在聚合物梢端上，-OH基或-COOH基與該壁的其它官能基反應，藉此產生其它親水性官能基。因此，電潤濕顯示裝置的顯示品質降級及其耐用性減低。

於本發明之實施例中刪除電漿處理及再流處理，使得不僅可減少缺陷同時也可縮短製造時間及減低成本。

雖然已經描述本發明之具體實施例，但須瞭解本發明不應限於此等具體實施例，反而可由熟諳技藝人士在落入於後文申請專利部分的本發明之精髓及範圍內做出各項變化及修正。

BRL‧‧‧障壁層

BS1-2‧‧‧基體

DOT1-2‧‧‧虛線

EL1-2‧‧‧電極

EWL‧‧‧電潤濕層

FL1-2‧‧‧流體

HPL‧‧‧斥水層

PA‧‧‧像素區

WL‧‧‧壁

Claims

一種電潤濕顯示裝置，其係包含：一基本基體；一電潤濕層，其係包含一第一流體及與該第一流體不能相溶混的一第二流體，該第二流體具有電氣傳導性或極性；於該基本基體上劃分一像素區的一壁；於該像素區內的一斥水層(hydrophobic layer)；及經組配以施加一電場至該電潤濕層的一電子裝置，其中該壁係包含實質上平行於該基本基體之一頂表面及連結該基本基體與該頂表面之一側表面，及其中該斥水層覆蓋該基本基體及該壁之該側表面。
一種製造一電潤濕顯示裝置之方法，該方法係包含下列步驟：於一基本基體上形成一壁，其中該壁界定一像素區；形成一斥水層，其係覆蓋該基本基體之一頂表面及該壁之一側表面且其暴露出該壁之一頂表面；於該像素區內形成一電潤濕層；及形成組配以控制該電潤濕層的一電子裝置。
如申請專利範圍第2項之方法，其中形成該斥水層之步驟係包含：在該基本基體上於該壁被形成之處形成一前置斥水層；收縮該壁以從該壁分離出該前置斥水層之一部分；及去除已分離的該前置斥水層以暴露該壁之該頂表面。
如申請專利範圍第3項之方法，其中收縮該壁係藉由於一第一溫度加熱該壁而被進行。
如申請專利範圍第4項之方法，其中該第一溫度係於約115。℃至約160℃之範圍內。
如申請專利範圍第4項之方法，其係進一步包含下列步驟：照射一紫外光射線(UV ray)至該前置斥水層以在該前置斥水層形成一裂縫。
如申請專利範圍第6項之方法，其中該紫外光射線具有約170奈米或以下之波長。
如申請專利範圍第4項之方法，其中形成該壁之步驟係包含：於該基本基體上塗覆一有機材料以形成一有機層；將該有機層製作圖樣以形成該壁；及於一第二溫度預烤乾該壁。
如申請專利範圍第4項之方法，其係進一步包含下列步驟：在去除已分離的該前置斥水層後，照射一紫外光射線至該前置斥水層的碎屑(debris)。
如申請專利範圍第2項之方法，其中形成該壁之步驟係包含：於該基本基體上塗覆一有機材料以形成一有機層；在該有機層上形成一犧牲圖樣；及使用該犧牲圖樣作為一遮罩，將該有機層製作圖樣以形成該壁。
如申請專利範圍第10項之方法，其中該壁係藉由乾蝕刻該有機層而形成。
如申請專利範圍第10項之方法，其中該犧牲圖樣係包含一負型光阻劑、一正型光阻劑、或一金屬中之至少一者。
如申請專利範圍第12項之方法，其中該犧牲圖樣係包含該負型光阻劑或該金屬，及其中該犧牲圖樣之一頂表面係具有比該壁之一寬度更大的一寬度，且該犧牲圖樣之一底表面係具有與該壁之該寬度相等的一寬度。
如申請專利範圍第12項之方法，其中該犧牲圖樣係包含該正型光阻劑，及其中該犧牲圖樣之一底表面係具有比該壁之一寬度更大的一寬度，且該犧牲圖樣之一頂表面係具有比該底表面之該寬度更小的一寬度。
如申請專利範圍第10項之方法，其中形成該斥水層之步驟係包含：在該基本基體上於該犧牲圖樣被形成之處形成該前置斥水層；及剝離(lifting off)該犧牲圖樣及於該犧牲圖樣上的該前置斥水層以暴露該壁之該頂表面。
如申請專利範圍第2項之方法，其中形成該壁之步驟係包含：於該基本基體上塗覆一有機材料以形成一有機層；在該有機層上形成一犧牲層；及將該有機層及該犧牲層製作圖樣以形成該壁。
如申請專利範圍第16項之方法，其中該有機層或該犧牲層中之至少一者係包含一負型光阻劑。
如申請專利範圍第2項之方法，其中形成該電子裝置之步驟係包含：在該基本基體上形成一切換裝置；形成與該切換裝置連結的一第一電極；及形成與該第一電極分開的一第二電極。
如申請專利範圍第18項之方法，其中該第一電極係配置於該基本基體上。
如申請專利範圍第18項之方法，其係進一步包含形成面對該基本基體之一相對基體，其中該第二電極係形成於該相對基體上。