TW201345725A - 層壓方法以及層壓裝置 - Google Patents

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TW201345725A
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Masato Kasahara
Katsuyuki Sakakibara
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Nisshinbo Mechatronics Inc
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Abstract

本發明的目的在於提供一種能夠使對太陽電池模組等被加工物進行層壓加工時的加熱時間比先前縮短的層壓方法。使層壓方法構成為如下：在包含抽真空步驟及加壓步驟的層壓步驟中，使下腔室內的真空度適當惡化。

Description

積層方法以及基層裝置
本發明是有關於一種對太陽電池模組(module)等被加工物進行層壓加工的層壓方法以及使用該層壓方法的層壓裝置。
作為用以製造太陽電池模組的層壓裝置，已知有專利文獻1(日本專利特開平9-141743)。現有的層壓裝置包括：具備朝向下方膨脹自如的膜片(diaphragm)的上腔室，以及具備加熱盤的下腔室。將利用搬送帶等所搬送的被加工物放置於加熱盤上，使上腔室與下腔室重合而密閉，利用真空泵對上下腔室內進行減壓。而且，對加熱盤進行加熱，並通過搬送帶來對被加工物進行加熱。在上下腔室內達到特定的真空度後，對上腔室內導入大氣。於是，膜片向下方膨脹，將被加工物強力地按壓至加熱盤。被加工物由加熱盤加熱，被加工物內的填充材料熔融而引起交聯反應，變得透明而硬化。
層壓裝置一般將例如在從製程開始後的1分鐘或2分鐘以內達到100 Pa~200 Pa以下作為真空性能的標準。下腔室從製程開始到結束為止儘可能地使真空度良好，藉此可防止氣泡產 生，因此根據真空泵的性能或腔室的密閉度，被加工物被暴露於100 Pa以下的高真空度中。
將下腔室保持為高真空，也許對防止氣泡產生有效，相反，真空度越佳，則因真空隔熱效果而從熱板向被加工物的熱傳遞速度便越低，而必需延長被加工物的加熱時間。在現行的製程及裝置中，熱傳遞下降的問題未被重視，並未將到達的真空度以不成為固定值以下的方式進行控制，且亦不具有此種控制功能。
而且，視被加工物而定，有時為了防止玻璃的破損而欲將加壓壓力控制為固定值。亦即，為了提高熱傳遞，在加壓步驟中進行使下腔室的真空度(壓力)惡化的控制時，有時亦會同時使上腔室的壓力同程度地惡化，而欲維持相同加壓力(上下腔室的差壓)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平9-141743
本發明根據上述實際情況而完成，目的在於提供一種層壓方法以及使用了該層壓方法的層壓裝置，上述層壓方法能夠使對太陽電池模組等被加工物進行層壓加工時的加熱時間比先前縮短。
用以達成上述目的的第1發明的層壓方法是用於層壓裝置的層壓方法，上述層壓裝置包括藉由按壓構件而隔開的上腔室 與下腔室，將被加工物載置於設置在上述下腔室的熱板上，使上述下腔室為真空而將大氣導入至上述上腔室中，並由上述熱板與上述按壓構件來夾壓藉由上述熱板而加熱的上述被加工物而進行層壓，上述層壓方法的特徵在於：在包含抽真空步驟及加壓步驟的層壓步驟中，使下腔室內的真空度適當惡化。
根據第1發明，能夠縮短層壓加工中的由加熱時間縮短而引起的層壓加工時間。而且，儘管在更換真空泵時抽真空性能提高，但并不會發生如下問題，即，因真空隔熱效果增強，而造成來自熱板的熱傳遞劣化，從而導致層壓加工時間延長的問題。
第2發明的層壓方法如第1發明，其特徵在於：在上述層壓步驟中，僅在加壓步驟中使上述下腔室的真空度適當惡化。
根據第2發明，不會使可能因真空度的惡化而成為氣泡產生的原因的抽真空步驟中的真空度惡化，從而可縮短層壓加工中的由加熱時間縮短而引起的層壓加工時間。
第3發明的層壓方法如第1發明或第2發明，其特徵在於：在上述層壓步驟中，一邊使加壓步驟的上述下腔室的真空度緩慢地惡化，同時一邊使上腔室的真空度以與下腔室的壓力增加量相同的量而惡化。
根據第3發明，可藉由加壓壓力的穩定化而實現被加工物品質的提高及穩定化。例如在以基板玻璃、填充材料、以及蓋玻璃作為層壓構造的薄膜式太陽電池模組的情況下，容易發生以下的問題。在加壓壓力不穩定化的情況下，因施加過度的壓力而 導致應力集中於蓋玻璃的端部，最終厚度變得不穩定，填充材料並不到達端部為止，或者進而導致玻璃破損。可藉由第3發明的層壓方法來防止該些問題。
第4發明的層壓裝置的特徵在於：使用如第1發明至第3發明中任一發明的層壓方法。
根據第4發明的層壓裝置，因使用如第1發明至第3發明中任一發明的層壓方法，故能夠縮短作為被加工物的太陽電池模組的層壓加工中的加熱時間，從而可提高層壓裝置的生產能力。
10‧‧‧被加工物(太陽電池模組)
11‧‧‧蓋玻璃
12‧‧‧背面材料
13、14‧‧‧填充材料
15‧‧‧電池串
16、17‧‧‧電極
18‧‧‧太陽電池單元
19‧‧‧導線
100‧‧‧層壓裝置
101‧‧‧層壓部
110‧‧‧上殼體
112‧‧‧膜片
113‧‧‧上腔室
114、123‧‧‧吸排氣口
120‧‧‧下殼體
121‧‧‧下腔室
122‧‧‧熱板
130‧‧‧搬送帶
140‧‧‧剝離片材
200‧‧‧搬入輸送機
300‧‧‧搬出輸送機
V1、V2、VE1、VE2‧‧‧閥門
V3、VE3‧‧‧漏閥門
圖1是表示作為被加工物的太陽電池模組的構成的剖面圖。
圖2是表示層壓裝置的整體構成的圖。
圖3是層壓裝置的層壓部的側剖面圖。
圖4是層壓裝置的層壓加工時的層壓部的側剖面圖。
圖5是真空度惡化裝置1的說明圖。
圖6是真空度惡化裝置2的說明圖。
圖7是藉由本發明的實施例1的層壓方法與藉由現有的層壓方法的層壓加工中的被加工物的溫度變化的差異的說明圖。
圖8是藉由本發明的實施例1的層壓方法與藉由現有的層壓方法的層壓加工中的被加工物的溫度變化的差異的說明圖。
圖9是藉由本發明的實施例2的層壓方法與藉由現有的層壓方法的層壓加工中的被加工物的溫度變化的差異的說明圖。
圖10是藉由本發明的實施例2的層壓方法與藉由現有的層壓方法的層壓加工中的被加工物的溫度變化的差異的說明圖。
以下，參照隨附圖式對本發明的實施的形態進行說明。
此處，首先，對由層壓裝置層壓的被加工物10進行說明。
圖1是表示使用結晶系單元(cell)來作為被加工物10的太陽電池模組的構成的剖面圖。太陽電池模組10如圖示般，具有如下構成：在透明的蓋玻璃11與背面材料12之間，隔著填充材料13、填充材料14而夾有電池串(string)15。背面材料12中使用聚乙烯樹脂等材料。而且，填充材料13、填充材料14中使用乙烯乙酸乙烯酯(ethylene vinyl acetate，EVA)樹脂等。電池串15為如下構成：在電極16、電極17之間經由導線19而連接有作為結晶系單元的太陽電池單元18。
而且，關於被加工物10，不僅可以上述太陽電池模組作為對象，亦可以一般被稱作薄膜式的太陽電池模組作為對象。該薄膜式太陽電池模組的代表構造例中，在透明的蓋玻璃上，預先蒸鍍有包含透明電極、半導體、背面電極的發電元件。此種薄膜式太陽電池模組中，將蓋玻璃(基板玻璃)朝下配置，且將填充材料覆蓋於蓋玻璃上的發電元件上。進而，成為將背面材料覆蓋於填充材料之上的構造。藉由在此種狀態下進行真空加熱層壓，薄膜式太陽電池模組的構成構件受到接著。亦即，薄膜式太陽電 池模組僅是上述太陽電池模組的結晶系單元變成經蒸鍍的發電元件。薄膜式太陽電池模組的基本密封構造與上述太陽電池模組相同。
另外，本發明的層壓方法亦可用於如下構成的薄膜式太陽電池模組，即，使填充材料覆蓋於蒸鍍著上述發電元件的基板玻璃，進而將蓋玻璃覆蓋於該填充材料上。
圖2是表示本實施形態的層壓裝置100的整體構成的圖。層壓裝置100包括上殼體110、下殼體120及用以搬送被加工物10的搬送帶130。搬送帶130在上殼體110與下殼體120之間搬送被加工物10。層壓裝置100中設置著用以將層壓前的被加工物10搬送至層壓裝置100的搬入輸送機200。而且，層壓裝置100中設置著用以將層壓後的被加工物10從層壓裝置100搬出的搬出輸送機300。搬入輸送機200與搬出輸送機300連續設置於層壓裝置。被加工物10自搬入輸送機200交接至搬送帶130，且自搬送帶130交接至搬出輸送機300。
層壓裝置100中設置著包含氣缸(cylinder)以及活塞桿(piston rod)等的未圖示的升降裝置。升降裝置可將上殼體110維持為水平狀態的情況下而使其相對於下殼體120升降。藉由升降裝置使上殼體110下降，而可使上殼體110與下殼體120的內部空間密閉。
然後，對本實施形態的層壓裝置100的層壓部101的構成進行更具體的說明。圖3是層壓裝置100中對被加工物10進行 層壓加工前的層壓部101的側剖面圖。圖4是層壓加工時的層壓部101的側剖面圖。
在上殼體110中形成著朝向下方向開口的空間。該空間內以將空間水平地隔開的方式設置著膜片112。膜片112由矽酮(silicone)系的橡膠等具有耐熱性的橡膠成形而成。如後述般，膜片112作為對被加工物10進行按壓的按壓構件而發揮功能，並進行層壓。在上殼體110內，形成著藉由膜片112而隔開的空間(上腔室113)。
而且，在上殼體110的上面設置著與上腔室113連通的吸排氣口114。在上腔室113中，可經由吸排氣口114，將上腔室113內藉由真空泵進行抽真空從而成為真空狀態，或可向上腔室113內導入大氣。
下殼體120中形成著朝向上方向開口的空間(下腔室121)。該空間內設置著熱板122(板狀的加熱器)。熱板122藉由立設於下殼體120的底面的支持構件，而以保持水平狀態的方式受到支持。該情況下，熱板122以其表面成為與下腔室121的開口面大致相同的高度的方式而受到支持。
而且，在下殼體120的下面，設置著與下腔室121連通的吸排氣口123。在下腔室121中，可經由吸排氣口123，將下腔室121內藉由真空泵進行抽真空從而成為真空狀態，或可向下腔室121內導入大氣。
在上殼體110與下殼體120之間、且在熱板122的上方， 搬送帶130移動自如地設置著。搬送帶130自圖2的搬入輸送機200接收層壓前的被加工物10，而正確地搬送到層壓部101的中央位置，亦即熱板122的中央部。而且，搬送帶130將層壓後的被加工物10交接至圖2的搬出輸送機300。
而且，在上殼體110與下殼體120之間、且在搬送帶130的上方，設置著剝離片材140。剝離片材140在被加工物10的填充材料13、填充材料14(參照圖1)熔融時，防止填充材料13、填充材料14附著在膜片112。
然後，對本實施形態的層壓裝置100的層壓步驟進行更具體的說明。首先，如圖3所示，搬送帶130將被加工物10搬送至層壓部101的中央位置。另外，此時，亦可藉由使配設於下腔室121或熱板122的可上下移動的未圖示的保持銷(pin)等上升，而將被加工物10保持在從熱板122上離開的位置。
然後，升降裝置使上殼體110下降。藉由使上殼體110下降，而如圖4所示，上殼體110與下殼體120的內部空間為密閉。亦即，在上殼體110與下殼體120的內部，上腔室113以及下腔室121可分別保持為密閉狀態。
然後，層壓裝置100經由上殼體110的吸排氣口114，將上腔室113內藉由真空泵而抽成真空。同樣地，層壓裝置100經由下殼體120的吸排氣口123，將下腔室121內藉由真空泵而抽成真空(以下稱作真空步驟)。藉由下腔室121的抽真空，被加工物10內所含的氣泡被送出至被加工物10外。另外，在藉由可上 下移動的未圖示的保持銷，將被加工物10保持在從熱板122上離開的位置的情況下，自真空步驟的大致後半程，使保持銷下降而將被加工物10載置於熱板122上。
被加工物10藉由熱板122而被加熱，該熱板122藉由後述的溫度控制裝置的溫度控制而被加熱，因而被加工物10的內部所含的填充材料13、填充材料14亦被加熱。
然後，層壓裝置100保持下腔室121的真空狀態，經由上殼體110的吸排氣口114向上腔室113導入大氣。藉此，在上腔室113與下腔室121之間產生氣壓差，藉此膜片112膨脹。因此，膜片112如圖4所示被朝向下方擠壓(以下稱作加壓步驟)。被加工物10由朝向下方受到擠壓的膜片112與熱板122夾壓，且藉由因加熱而熔融的填充材料13、填充材料14來將各構成構件接著。
如此層壓步驟結束後，層壓裝置100經由下殼體120的吸排氣口123，向下腔室121導入大氣。此時，升降裝置使上殼體110上升。藉由使上殼體110上升，而如圖3所示，可使搬送帶130移動。搬送帶130將層壓後的被加工物10交接至搬出輸送機300。
層壓加工如上述般來進行，但是若使在層壓加工中的抽真空步驟及加壓步驟中的真空度變得過好，則來自圖2至圖4的熱板的熱難以傳遞至被加工物10，而成為加熱時間延長、層壓加工時間延長的原因。
對縮短層壓加工時的被加工物的加熱時間從而縮短層壓加工時間的層壓方法進行說明。
本發明的層壓方法中，使層壓加工中的下腔室的真空度惡化(使真空度的數值增加)，使自熱板向被加工物的熱傳遞變得良好，從而縮短層壓加工時間。為此，層壓加工中的真空度的惡化如以下般來進行。
<真空度惡化裝置1>
藉由圖5來對真空度惡化裝置1進行說明。圖中V1、V2為現有的抽真空中所使用的切換閥門。在藉由真空泵而進行抽真空時，在下腔室的吸排氣口側的配管設置著閥門V3。該閥門V3為具有朝向大氣的路徑的漏閥門(leak valve)。可藉由視需要而開閉該閥門來使真空度惡化。而且，作為圖5的V3，可使用減少抽真空流路的剖面積的閥門。藉由使用此閥門，而能夠使下腔室內的真空度的數值不會成為固定值以下。
此處，真空度的數值減小表示真空度變得良好。此種真空度的控制可使用電性控制來實現，亦可僅由機械性控制閥門來實現。
<真空度惡化裝置2>
藉由圖6對真空度惡化裝置2進行說明。圖中VE1、VE2為相當於圖5的V1與V2且用於抽真空的切換閥門。在藉由真空泵進行抽真空時，在下腔室的吸排氣口側的配管設置著閥門VE3。閥門VE3具有與真空度惡化裝置1中的閥門相同的功能與 作用。
在為本裝置2的情況下，不僅使層壓加工中的抽真空惡化，而且在加壓步驟的任一階段中使上腔室與下腔室的真空度任意地惡化，亦進行加壓步驟中的由上腔室的按壓構件(膜片)所造成的加壓壓力(上下腔室的差壓)的固定控制。因此本裝置2中，該些閥門VE1、閥門VE2、閥門VE3均藉由電性控制信號而動作。此種真空度的惡化裝置2藉由與真空度惡化裝置1加以組合而能夠進行更高程度的真空度控制。
<應用了真空度惡化裝置的層壓方法>
使用上述真空度惡化裝置1以及真空度惡化裝置2，在層壓加工步驟中以如下般進行真空度控制。
在抽真空步驟中，使用上述真空度惡化裝置1，以例如300 Pa±50 Pa左右的值將真空度保持為固定水準。該真空度的值根據圖1的填充材料(密封材料)13、填充材料14的種類，及蓋玻璃11等透明基板的面積等而設定為最佳值。藉此，促進抽真空步驟中的圖1的太陽電池模組的構成構件的加熱。
層壓加工步驟若自抽真空步驟轉移至利用膜片112等按壓構件進行的按壓步驟，則一般而言，僅使上腔室的壓力劣化(例如大氣開放)，且利用與下腔室的差壓來對作為被加工物的太陽電池模組10進行加壓加工，在加壓並經過固定時間後，僅使下腔室的真空度惡化為適當值(例如5 kPa)，從而提高加壓加工時的熱傳遞。
視被加工物而定，由於有時必須使加壓壓力保持為固定水準，故同時上腔室的真空度亦受到惡化。例如欲將加壓壓力以30 kPa保持為固定水準的情況下，加壓時使下腔室壓力自300 Pa變為5 kPa，與此同時，使上腔室在加壓開始時自30 kPa變為35 kPa。在為了於加壓加工時進一步提高熱傳遞而欲使下腔室真空度階段性地惡化的情況下，亦以相同方式同樣地對上腔室真空度進行控制。
[實施例1]
對實施例1進行說明，該實施例1中藉由使用了本發明的真空度惡化裝置1或真空度惡化裝置2的層壓方法，對圖1的構成的太陽電池模組進行層壓加工。
本實施例的情況如下，將圖1的構成的太陽電池模組的構成構件搬入至圖2的層壓裝置，在使上殼體下降而與下殼體重合並閉合後，使下腔室的真空度自抽真空步驟開始時惡化。亦即，使下腔室的到達的真空度的設定自先前的100 Pa左右開始惡化。在被加工物的中央部X部與端部Y部，對使用此種本實施例的層壓方法的情況與使用現有的層壓方法的情況下的被加工物的溫度變化進行測定，將結果示於圖7與圖8中。
在表示被測定物的中央部X部的溫度變化的圖7與表示被測定物的端Y部的溫度變化的圖8中，比起現有的層壓方法，達到140℃的達到時間相對於現有的層壓方法的達到時間10分鐘，均以約一半的5分鐘而達到140℃。可知提前約5分鐘而達到 特定溫度。因此，藉由使用本實施例的層壓方法，層壓加工時間比先前縮短了5分鐘左右。可知通常的層壓加工時間約為15分鐘至20分鐘，而藉由本發明的層壓方法，層壓時間比先前縮短了20%至30%。
就本實施例的抽真空步驟中的下腔室的真空度的惡化的程度而言，可將真空度惡化至在層壓加工的製品的周邊部分不會殘存氣泡的程度為止。
[實施例2]
對實施例2進行說明，該實施例2中使用本發明的真空度惡化裝置2的層壓方法，對圖1的構成的太陽電池模組進行層壓加工。
將圖1的構成的太陽電池模組的構成構件搬入至圖2的層壓裝置，在使上殼體下降而與下殼體重合並閉合後，如以下般進行抽真空步驟與加壓步驟。
1)下腔室與上腔室開始進行抽真空而使真空度達到約100 Pa(在圖9與圖10中6分鐘後)。
2)使上腔室的真空度惡化為15 kPa而使作為按壓構件的膜片向下方膨脹，開始加壓步驟。
3)在加壓步驟開始30秒後使下腔室的真空度惡化為2 kPa，繼續進行加壓步驟。
在被加工物的中央部X部與端部Y部，對使用此種本發明的層壓方法的情況與使用了現有的層壓方法的情況下的被加 工物的溫度變化進行測定，將結果示於圖9與圖10中。
在表示被測定物的中央部X部的溫度變化的圖9與表示被測定物的端Y部的溫度變化的圖10中，可知比起現有的層壓方法，被加工物的溫度達到150℃的時間均提前了4分鐘至5分鐘。因此，藉由使用本發明的層壓方法，層壓加工時間比先前縮短了4分鐘至5分鐘左右。可知通常的層壓加工時間為約15分鐘至20分鐘，而藉由本發明的層壓方法，層壓時間比先前縮短了20%至30%。
藉由使用本實施例的層壓方法，自層壓加工中的熱板向被加工物的熱傳遞變得良好，可縮短層壓加工時間，從而可提高太陽電池模組的生產效率。
110‧‧‧上殼體
112‧‧‧膜片
113‧‧‧上腔室
114、123‧‧‧吸排氣口
120‧‧‧下殼體
121‧‧‧下腔室
122‧‧‧熱板
130‧‧‧搬送帶
V1、V2‧‧‧閥門
V3‧‧‧漏閥門

Claims (4)

  1. 一種層壓方法，用於層壓裝置，上述層壓裝置包括由按壓構件隔開的上腔室與下腔室，將被加工物載置於設置在上述下腔室的熱板上，將上述下腔室設為真空，並將大氣導入至上述上腔室中，以上述熱板與上述按壓構件夾壓經上述熱板加熱的上述被加工物而進行層壓，上述層壓方法中，在包含抽真空步驟及加壓步驟的層壓步驟中，使下腔室內的真空度適當惡化。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的層壓方法，其中在上述層壓步驟中，僅在抽真空步驟或加壓步驟中使上述下腔室的真空度適當惡化。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的層壓方法，其中在上述層壓步驟中，一邊使加壓步驟的上述下腔室的真空度緩慢地惡化，同時一邊使上腔室的真空度以與下腔室的壓力增加量相同的量而惡化。
  4. 一種層壓裝置，其特徵在於：使用如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的層壓方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105415858A (zh) * 2015-12-28 2016-03-23 合肥晶澳太阳能科技有限公司 一种具有报警提示功能的光伏组件用层压机

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015037135A1 (ja) * 2013-09-13 2015-03-19 株式会社エヌ・ピー・シー 曲面モジュールの積層化装置および積層化方法
CN104827742A (zh) * 2014-09-10 2015-08-12 安阳高新区生产力促进中心 一种光伏组件层压机及层压工艺
JP6403159B2 (ja) * 2015-02-26 2018-10-10 株式会社日立プラントメカニクス フィルムの真空ラミネート装置
CN107283988A (zh) * 2016-03-30 2017-10-24 上海渤明机电设备有限公司 一种太阳能电池层压工艺及层压阶段下腔充气***
CN107399140A (zh) * 2017-08-17 2017-11-28 衡水英利新能源有限公司 一种太阳能光伏组件的层压方法及层压机
CN107833942B (zh) * 2017-11-24 2024-01-23 河北羿珩科技有限责任公司 多功能层压机及其使用方法
WO2020121036A1 (en) * 2018-12-13 2020-06-18 Arcelormittal Lamination device and process thereof
CN109904267B (zh) * 2019-04-12 2020-12-08 来斯奥集成家居股份有限公司 一种真空层压机的层压结构

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6389327A (ja) * 1986-10-02 1988-04-20 Stanley Electric Co Ltd 熱圧着装置
JP2915327B2 (ja) * 1995-07-19 1999-07-05 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP4023961B2 (ja) * 1999-09-27 2007-12-19 日清紡績株式会社 太陽電池におけるラミネート方法及びそのラミネート装置
JP3890206B2 (ja) * 2001-05-22 2007-03-07 日清紡績株式会社 ラミネート装置におけるダイヤフラムの取付方法とこの方法を用いたラミネート装置
JP4401649B2 (ja) * 2002-12-13 2010-01-20 キヤノン株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
JP4250488B2 (ja) * 2003-09-16 2009-04-08 キヤノン株式会社 熱圧着方法
JP2008047765A (ja) * 2006-08-18 2008-02-28 Npc Inc ラミネート装置
JP5448728B2 (ja) * 2008-11-26 2014-03-19 京セラ株式会社 太陽電池モジュールのラミネータ及びこれにより製造された太陽電池モジュール
JP2011135068A (ja) * 2009-11-26 2011-07-07 Kyocera Corp 太陽電池モジュールの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105415858A (zh) * 2015-12-28 2016-03-23 合肥晶澳太阳能科技有限公司 一种具有报警提示功能的光伏组件用层压机

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