TW201334253A - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種顯示裝置，其包含位於基板上之第一絕緣層、位於第一絕緣層上的閘極線，閘極線以第一方向延伸、位於閘極線上之第二絕緣層、位於第二絕緣層上的資料線，資料線以與第一方向相交之第二方向延伸、分別位於閘極線與資料線之相交區域之像素，像素被連接於個別的閘極線與資料線、以及資料導向二極體，其具有島型且個別地連接至資料線，資料導向二極體係設置以當外部靜電力通過資料線時，誘發第一絕緣層之破裂。

Description

顯示裝置
本發明所描述的技術係關於一種顯示裝置，特別地，本發明所描述的技術係關於一種顯示裝置包含一有機發光二極體。
 顯示裝置是一種用於顯示影像之裝置。目前，具有有機發光二極體(OLED)顯示之顯示裝置已經眾所皆知。
與液晶顯示器(LCD)不同的是，有機發光二極體可自體發光，且不需要光源，因此整體顯示裝置之厚度及重量可被減少，以增進顯示裝置之可靈活變化之特性。同樣地，有機發光二極體顯示器具有高品質特性，例如低電損、高亮度以及高反應速度。
傳統有機發光二極體設置於基板上，且包含往一預定方向延伸之閘極線、延伸以交叉於閘極線之資料線且絕緣層設置於閘極線與資料線之間，以及連結至閘極線與資料線之具有有機發光二極體之像素。
於先前技術段落所揭露之上述資訊，其係僅作為使更加了解所述技術之背景，因此可包含不構成本領域具有通常知識者於本國所習知之先前技術之資訊。
對於所描述的技術，申請人努力做出以提供可藉由靜電力以控制閘極線與資料線交叉部分之絕緣層的破裂之一種顯示裝置。
一個例示性例示性實施例提供了一種顯示裝置，包含：位於基板上之第一絕緣層、位於第一絕緣層上的閘極線，且閘極線往第一方向延伸、位於閘極線上的第二絕緣層、位於第二絕緣層上的資料線，且資料線朝著與第一方向相交之第二方向延伸、個別地位於閘極線與資料線之相交區域的像素，像素係連接於個別的閘極線與資料線、以及具有島型且個別地連接至該資料線之資料導向二極體，資料導向二極體係設置以當外部靜電力通過資料線時，誘發第一絕緣層之破裂。
每個資料導向二極體可包含第一導向圖樣及第二導向圖樣，第一導向圖樣具有位於與閘極線相同的層的島型，且第一導向圖樣從複數個資料線之間被連接至其中一個別的資料線；第二導向圖樣具有島型且面向於第一導向圖樣，第一絕緣層位於第一導向圖樣與第二導向圖樣之間。
第一導向圖樣可包含與個別的資料線重疊之重疊區域，以及不與個別的資料線重疊之非重疊區域，第二導向圖樣重疊於第一導向圖樣之非重疊區域。
每一個像素可包含薄膜電晶體，薄膜電晶體可與從複數個閘極線中之個別的閘極線連接，以及從複數個資料線中之一個別應的資料線連接，有機發光二極體可連接至薄膜電晶體。
薄膜電晶體可包含位於與第二導向圖樣相同的層的主動層、位於與閘極線相同的層的閘極電極、以及位於與資料線相同的層的源極電極與汲極電極。
 顯示裝置可更包含複數個閘極導向二極體，閘極導向二極體可具有島型且個別地連接至閘極線，閘極導向二極體係設置以當外部靜電力通過閘極線時，誘發第一絕緣層之破裂。
每個閘極導向二極體可包含位於閘極線上且連接於閘極線的第三導向圖樣、以及重疊於第三導向圖樣的第四導向圖樣，第一絕緣層位於第三導向圖樣與第四導向圖樣之間。
第三導向圖樣可包含從閘極線延伸出之延伸區域，第四導向圖樣重疊於第三導向圖樣之延伸區域。
第一絕緣層之厚度可薄於第二絕緣層。
第二絕緣層可位於閘極線與資料線之間，且第一絕緣層之一部分可位於資料導向二極體之內部。
第二絕緣層可位於資料導向二極體與資料線之間，每個資料導向二極體可通過第二絕緣層而連接複數個資料線中之一個別的資料線。
一個例示性例示性實施例更提供了一種顯示裝置，其包含位於基板上之第一絕緣層；位於第一絕緣層上以第一方向延伸之閘極線；位於閘極線上之第二絕緣層；位於第二絕緣層上之與第一方向相交之第二方向延伸之資料線；分別位於閘極線與資料線之相交區域之像素，像素被連接於個別的閘極線與資料線；閘極導向二極體，其具有島型且個別地連接至閘極線，閘極導向二極體係設置以當外部靜電力通過閘極線時，誘發第一絕緣層之破裂。
第1圖繪示第一例示性實施例之顯示裝置之示意圖。
第2圖繪示第1圖A部分之詳細元件佈局之示意圖。
第3圖繪示第2圖所示之薄膜電晶體、電容以及有機發光二極體之剖示圖。
第4圖繪示沿著第2圖之VI-VI線段之剖示圖。
第5圖繪示第二例示性實施例之顯示裝置之示意圖。
第6圖繪示第5圖B部分之詳細元件佈局之示意圖。
第7圖繪示沿著第6圖之VII-VII線段之剖示圖。
第8圖繪示第三例示性實施例之顯示裝置之示意圖。
例示性例示性實施例在下文中將會參照圖式更完整的描述。本領域具有通常知識者應了解，例示性實施例可以以各種不脫離本發明的概念、精神或範圍的情況下，以不同的方式進行修改。與描述無關的部件，為了清楚起見可被省略，且相同的符號係表示在整個說明書中類似的元件。
於圖式中，層、薄膜、面板或區域等之厚度為了清楚起見可能被誇大。應被了解的是，當一個元件被定義為層、薄膜、區域或平板且被設置為在另一元件“上”，該元件係可以直接地設置在另一元件上或是該元件和另一元件之間也可能存在其他中間元件。
 此外，除非於說明書中有明確地描述或定義不同的態樣，用語“包含(comprise)”及其變化型“包括(comprises)”或包括(comprising)”應被理解為具有所述的元件但不排除任何其它元件。
進一步地，圖式所繪示之主動矩陣(AM)顯示裝置，其係包含具有兩個薄膜電晶體(TFT)及一個電容之像素之2Tr-1Cap結構。然，本發明並不以此態樣為侷限。因此，有機發光二極體(OLED)顯示器之每個像素可包含至少三個薄膜電晶體以及至少兩個電容，且更可包含用於其他配置之額外電線。在本發明中，像素代表了顯示影像之一個最小單元，且有機發光二極體顯示器藉由複數個像素以顯示影像。
本發明根據第一例示性實施例之顯示裝置將會參照第1圖至第4圖以進行描述。
第1圖繪示第一例示性實施例之顯示裝置之示意圖。如第1圖所示，顯示裝置1000包含基板(SUB)、閘極驅動器(GD)、閘極線(GW)、資料驅動器(DD)、資料線(DW)、像素(PE)以及資料導向二極體(DLD)。於此，像素(PE)代表了用以顯示影像之一個最小單元，且顯示裝置1000藉由複數個像素(PE)以顯示影像。
基板(SUB)可形成為透明絕緣基板，且可由例如：玻璃、石英、陶瓷或塑膠製成。然而，第一例示性實施例並不以該些材料為侷限，且基板(SUB)也可為由不銹鋼所形成之金屬基板。進一步地，當基板(SUB)係由塑膠所形成的，顯示裝置1000可以為可撓曲式或者是可滾捲式。
根據控制電路(未繪示於圖中)，舉例來說：時間控制器，提供的控制訊號，閘極驅動器(GD)順序性地提供掃描訊號給閘極線(GW)。像素(PE)根據掃描訊號被選擇以順序性地接收資料訊號。
閘極線(GW)設置於具有第一絕緣層140之基板(SUB)上(第3圖至第4圖)，且閘極線(GW)以第一方向延伸。閘極線(GW)包含掃描線S1-Sn，其連接至閘極驅動器(GD)以從閘極驅動器(GD)接收掃描訊號。
顯示裝置1000之閘極線(GW)包含掃描線(Sn)，且在其他例示性實施例中，顯示裝置1000之閘極線(GW)更可包含額外的掃描線、重置電源線以及發光控制線。在此態樣中，顯示裝置1000可為具有6Tr-2Cap結構之主動矩陣(AM)形式之有機發光二極體顯示器。
資料驅動器(DD)根據時間控制器提供之控制訊號，以從資料線(DW)其中之一提供資料訊號至數據線(Dm)。當每一次掃描訊號被提供至掃描線(Sn)時，像素(PE)可被掃描訊號選擇，以使提供至數據線(Dm)之資料訊號可被提供至被掃描訊號選擇之像素(PE)。像素(PE)可被充以相對應於資料訊號以及發光之相對亮度之電壓。
資料線(DW)被提供在閘極線(GW)上，且資料線(DW)與閘極線(GW)之間具有第二絕緣層170(第3圖至第4圖)，且資料線(DW)沿著與第一方向相交之第二方向延伸。資料線(DW)包含數據線(D1至Dm)以及驅動電力線(Un)。數據線(Dm)連接至資料驅動器(DD)且接收從資料驅動器(DD)來的資料訊號。驅動電力線(Un)連接至外部之第一電源(ELVDD)，且接收從第一電源(ELVDD)提供的驅動電力。
像素(PE)被提供於閘極線(GW)與資料線(DW)相交之之處，且像素(PE)連接至閘極線(GW)與資料線(DW)。每個像素(PE)可包含連接至第一電源(ELVDD)、閘極線(GW)及資料線(DW)之電容及薄膜電晶體，以及包含連接至薄膜電晶體與第二電源(ELVSS)之間之有機發光二極體。當掃描訊號經由掃描線(Sn)被提供時，像素(PE)可被選擇，像素(PE)係對應於掃描線(Sn)提供的掃描訊號以充有電壓，且像素(PE)可相對應已充有之電壓，發出預設亮度之光。有關像素（PE）詳細的配置將會在後面敘述。
資料導向二極體(DLD) 連接至資料線(DW)且具有島型，舉例來說，可為圓形或多邊形。當外部靜電力通過資料線(DW)資料導向二極體(DLD)可誘發第一絕緣層140的破裂。有關資料導向二極體(DLD) 詳細的配置將會在後面敘述。
像素(PE)的配置將會參照第2圖以進行描述。第2圖繪示第1圖A部分之詳細元件佈局之示意圖。
如第2圖所示，像素(PE)包含設置有有機發光二極體70、兩個薄膜電晶體10、20以及電容90之2Tr-1Cap結構。然而，在另一例示性實施例中，一個像素可包含設置有至少三個薄膜電晶體以及至少兩個電容之布局。
有機發光二極體70包含當做陽極作為電動注入層之第一電極、當作陰極作為電子注入層之第二電極，以及設置於第一電極與第二電極之間之有機發光層。
詳細的說，在第一例示性實施例中，顯示裝置之每個像素(PE)包含第一薄膜電晶體10以及第二薄膜電晶體20。第一薄膜電晶體10與第二薄膜電晶體20分別地包含閘極電極153、156，主動層133、136，源極電極184、187以及汲極電極185、188。
第一薄膜電晶體10的源極電極184連接至數據線(Dm)，且第一薄膜電晶體10的閘極電極153連接至掃描線(Sn)。節點被形成於第一薄膜電晶體10的汲極電極185與電容90之間，因此第一薄膜電晶體10的汲極電極185可連接至電容90之第一電容電極139。此外，第一薄膜電晶體10的汲極電極185連接至第二薄膜電晶體20之閘極電極156。驅動電力線(Un)連接至第二薄膜電晶體20之源極電極187，且作為有機發光二極體70陽極之第一電極連接至汲極電極188。
第一薄膜電晶體10可被當作開關，用以選擇要發光之像素(PE)。當第一薄膜電晶體10瞬間導通時，電容90瞬間被充電，且充電量之多寡係正比於從數據線(Dm)所施加之電壓。當第一薄膜電晶體10不導通時，第二薄膜電晶體20之閘極電位，會依照已充電之電容90之電位而提升。當第二薄膜電晶體20之閘極電位超過閥值時，第二薄膜電晶體20將會導通。施加在驅動電力線(Un)上之電壓係藉由第二薄膜電晶體20提供給有機發光二極體70，並使有機發光二極體70發光。
上述像素(PE)的配置並不僅限於上述之實施態樣，其可藉由本領域具有通常知識者在能夠輕易修改之範圍內，具有多個方面之不同實施態樣。
根據第一例示性實施例之第一薄膜電晶體10與第二薄膜電晶體20的配置、有機發光二極體70以及包含於顯示裝置1000內之像素(PE)內之電容90，現在將會根據參照第3圖之疊層順序進行詳盡的敘述。第3圖繪示第2圖所示之薄膜電晶體、電容以及有機發光二極體之剖示圖。
如第3圖所示，緩衝層120形成於基板(SUB)上。緩衝層120可形成為單層或包含至少一絕緣層之多層。絕緣層可以為藉由化學氣相沉積方法或物理氣相沉積方法而形成之氧化矽層或氮化矽層。緩衝層120可防止水分或雜質擴散或穿透進入基板(SUB)、可使表面光滑以及於形成主動層之結晶化過程中可控制熱傳導速度。緩衝層120可因著基板(SUB)的種類以及製造條件而被省略。
主動層133、136及第一電容電極139係形成於緩衝層120上。主動層133、136及第一電容電極139係藉由先形成非晶矽層於緩衝層120上，再對非晶矽層進行結晶化以形成多晶矽薄膜，再對多晶矽薄膜進行圖樣化而製成。然而，第一例示性實施例並不局限於此。若有其必要性，第一電容電極139可以使用與主動層133、136不同的材料而製成。
第一絕緣層140形成於主動層133、136以及第一電容電極139上。詳細的說，第一絕緣層140被形成以覆蓋在緩衝層120上之主動層133、136與第一電容電極139。第一絕緣層140被至少一個絕緣材料所形成，舉例來說，矽酸四乙酯(TEOS)、氮化矽(SiNx)及二氧化矽(SiO2)。
有機發光二極體70之閘極電極153、156及第一電極710可形成於同一層。舉例來說，直接地形成於同一層。舉例來說，形成於第一絕緣層140。值得注意的是，閘極電極153、156及第一電極710可形成於與掃描線(S1至Sn)同一層。舉例來說，直接地形成於同一層。因此，掃描線(S1至Sn)，例如：閘極線(GW)，可形成於第一絕緣層140上。舉例來說，直接地形成於其上。閘極電極153、156、第一電極710及閘極線(GW)可使用相同材料製成。
閘極電極153、156可形成於主動層133、136，以使其分別地可成為主動層133、136之重疊的通道區域1333、1366。主動層133、136包含不參雜有雜質之通道區域1333、1366以及分別設置於通道區域1333、1366相對的兩側且參雜有雜質之源極區域1334、1367和汲極區域1335、1368。當雜質參雜入源極區域1334、1367和汲極區域1335、1368時，閘極電極153、156可防止雜質被參雜進入通道區域1333、1366。此外，當雜質分別地參雜入主動層133、136之源極區域1334、1367和汲極區域1335、1368時，雜質也可被參雜入第一電容電極139。
 進一步的說，閘極電極153、156可形成為包含有閘極透明層與閘極金屬層之雙層結構。閘極金屬層形成於閘極透明層上。舉例來說，閘極金屬層可以至少一種金屬材料形成，例如鉬、鉻、鋁、銀、鈦、鉭及/或鎢。舉例來說，閘極透明層係可以至少一種透明導電材料形成，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅銦錫氧化物(ZITO)、鎵銦錫氧化物(GITO)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)、鎵銦鋅氧化物(GIZO)、鎵鋅氧化物(GZO)、氟錫氧化物(FTO)及鋁參雜之氧化鋅(AZO)。舉例來說，有機發光二極體70之第一電極710可與閘極電極153、156之閘極透明層形成於同一層且以相同的材料形成。
無機絕緣層160形成於閘極電極153、156上。無機絕緣層160包含至少一層氧化矽層或氮化矽層。也就是說，無機絕緣層160可藉由氧化矽層或氮化矽層形成單一層，或是藉由疊加氧化矽層及氮化矽層形成多層。進一步地說，無機絕緣層160可包含氫。特別地，氮化矽層可根據其製成條件而輕易地含有氫。當主動層133、136正在進行退火製程時，無機絕緣層160藉由提供氫至主動層133、136，以支持退火製程，此外也可提供絕緣功效。
然而，第一例示性實施例並不以此為侷限。因此，無機絕緣層160可被省略。因此，將要描述的第二絕緣層170可形成於閘極電極153、156上。
進一步的說，無機絕緣層160可不形成於第一電極710上。也就是說，無機絕緣層160形成以暴露第一電極710。
第二絕緣層170形成於無機絕緣層160絕緣層上。第二絕緣層170之可輕易地形成以使其厚度大於無機絕緣層160之厚度。因此，第二絕緣層170可以形成有足夠的厚度，以獲得穩定的層間絕緣功效。舉例來說，第二絕緣層170可以被形成為約3微米之厚度。
第二絕緣層170較第一絕緣層140厚，所以第一絕緣層140較第二絕緣層170薄。
此外，第二絕緣層170可以如無機絕緣層160不形成於第一電極710上之方法，以不形成於第一電極710上。亦即，第二絕緣層170形成以暴露第一電極710。
複數條導線，例如導線184、185、187、188及189形成於與數據線(D1至Dm)，即，資料線(DW)，相同的層以及相同的材料。導線，即，源極電極184、187、汲極電極185、188以及第二電容電極189，可以使用與資料線(DW)相同的材料製成，且設置於，例如直接地設置於，與資料線(DW)相同的層上，例如如同資料線(DW)一樣直接地設置於第二絕緣層170上。導線更可進一步包含數據線(Dm)以及驅動電力線(Un)。此外，導線184、185、187、188及189可藉由如製造閘極電極153、156一樣的至少一種金屬材料製成。
源極電極184、187以及汲極電極185、188可通過形成於無機絕緣層160與第二絕緣層170之接觸孔，以與主動層133、136之源極區域1334、1367及汲極區域1335、1368接觸。
此外，第二電容電極189形成於與源極電極184、187以及汲極電極185、188相同的位置，然第一例示性實施例並不以此為侷限。因此，第二電容電極189也可形成於與閘極電極153、156相同的層。
像素定義層190可形成於導線184、185、187、188及189。也就是說，像素定義層190可提供於數據線(D1至Dm)上。像素定義層190包含用以展現第一電極710之一部分之像素開孔195。像素定義層190可由任何適當的有機材料製成。舉例來說，像素定義層190可被圖樣化以形成光敏有機層，且其係在熱或光處理後才被製成。
有機發光層720可形成於第一電極710上，且第二電極730可形成於有機發光層720上。第一電極710、有機發光層720以及第二電極730形成有機發光二極體70。第一電極710、有機發光層720及第二電極730係順序性的疊加在像素定義層190之像素通孔195，以使像素通孔195形成有機發光二極體70之發光區域。
資料導向二極體(DLD)之配置將會參照第2圖及第4圖進行描述。第4圖繪示了沿著第2圖之IV-IV線段之剖示圖。
如第2圖及第4圖所示，資料導向二極體(DLD)係設置以島型連接至資料線(DW)。詳細來說，資料導向二極體(DLD)係連接於數據線(Dm)、資料線(DW)以及驅動電力線(Un)。
資料導向二極體(DLD)包含第一導向圖樣151以及第二導向圖樣131。
第一導向圖樣151係設置於與閘極線(GW)相同層之島型上，且連接至數據線(Dm)、資料線(DW)以及驅動電力線(Un)。第一導向圖樣151包含重疊區A1以與資料線(DW)重疊，以及包含非重疊區A2以不與資料線(DW)重疊。舉例來說，重疊區A1以及非重疊區A2係彼此鄰近且不可分割的。如第2圖所示，第一導向圖樣151可以相對於資料線(DW)之預設方向移動。舉例來說，第一導向圖樣151可被平移，例如沿著第一方向，相對於資料線(DW)具有偏移量，所以僅有一部份的第一導向圖樣151，例如重疊區A1，重疊其所對應之資料線(DW)。第一導向圖樣151可形成於與掃描線(S1至Sn)及閘極線(GW)相同的層且使用相同的材料。第一導向圖樣151可和閘極線(GW)在形成閘極線(GW)的過程中被形成，例如第一導向圖樣151可和閘極線(GW)同時形成。
第二導向圖樣131位於島型且朝向於第一導向圖樣151，且第二導向圖樣131與第一導向圖樣151之間具有第一絕緣層140。第二導向圖樣131朝向第一導向圖樣151之非重疊區A2，且與第一導向圖樣151之非重疊區A2重疊。舉例來說，第二導向圖樣131可僅與第一導向圖樣151之非重疊區A2重疊，所以第二導向圖樣131並不會重疊於資料線(DW)。因此，第一導向圖樣151之重疊區A1以及非重疊區A2可設置於相對於基板(SUB)之不同高度。第二導向圖樣131可形成於與主動層133、136相同的層且使用相同的材料。第二導向圖樣131可和主動層133、136在形成主動層133、136與第一電容電極139的過程中被形成。例如第二導向圖樣131可和主動層133、136同時形成。此外，當雜質被參雜入主動層133、136之源極區域1334、1367與汲極區域1335、1368時，第二導向圖樣131可參雜有雜質。舉例來說，第一導向圖樣151可設置於第二導向圖樣131與資料線(DW)之間。
如前述，關於顯示裝置1000，包含第一導向圖樣151以及第二導向圖樣131之資料導向二極體(DLD)連接至資料線(DW)，所以當靜電力通過資料線(DW)時，位於第一導向圖樣151及第二導向圖樣131之間之第一絕緣層140將會破裂，而非使位於閘極線(GW)與資料線(DW)之間之交叉區域之第二絕緣層170破裂。因此，可避免或實質上最小化閘極線(GW)與資料線(DW)之短路狀況。
相反地，傳統有機發光二極體顯示器，例如不具有連接至資料線之資料導向二極體之顯示器，可能包含有位於閘極線與資料線之間之絕緣層，以及位於絕緣層上閘極線與資料線交叉區域之電容。因此，當外部靜電力通過閘極線或資料線時，形成有電容之絕緣層可能會破裂而因此造成閘極線與資料線之間之短路狀況。
值得注意的是，根據第一實施例之顯示裝置1000，其係為有機發光二極體顯示器包含有機發光二極體。然而，例示性實施例並不以此為侷限。舉例來說，該顯示器也可包含具有閘極線交叉於資料線之LCD裝置，電漿顯示面板(PDP)或電泳顯示器(EPD)。
更值得注意的是，第一例示性實施例之顯示裝置1000之資料導向二極體(DLD)係鄰近最外層之像素(PE)。然而，例示性實施例並不以此為侷限。舉例來說，顯示裝置之資料導向二極體也可設置於鄰近的像素之間。
第二例示性實施例之顯示裝置，將會參照第5圖至第7圖進行描述。值得注意的是，僅有與第一例示性實施例不同的部分將會被描述，因此與第一例示性實施例所教示之等同之部分將會被省略。
第5圖繪示第二例示性實施例之顯示裝置之示意圖。如第5圖所示，顯示裝置1002包含基板(SUB)、閘極驅動器(GD)、閘極線(GW)、資料驅動器(DD)、資料線(DW)、像素(PE)、資料導向二極體(DLD)以及閘極導向二極體(GLD)。閘極導向二極體(GLD)係為島型且連接至相對應的閘極線(GW)，當外部靜電力通過閘極線(GW)時，閘極導向二極體(GLD)可誘發第一絕緣層140的破裂。
第6圖繪示第5圖B部分之詳細元件佈局之示意圖。第7圖繪示沿著第6圖之VII-VII線段之剖示圖。
如第6圖及第7圖所示，閘極導向二極體(GLD)包含第三導向圖樣152及第四導向圖樣132。第三導向圖樣152從相對應的閘極線(GW)延伸，且其係位於與閘極線(GW)相同的層並連接至閘極線(GW)的掃描線(Sn)。第三導向圖樣152包含延伸區域A3，其係從閘極線(GW)的掃描線(Sn)延伸。也就是說，如第6圖所示，第三導向圖樣152係以相較於閘極線(GW)的掃描線(Sn)之預設方向延伸。第三導向圖樣152形成於與掃描線(S1至Sn)及閘極線(GW)相同的層，且第三導向圖樣152係與掃描線(S1至Sn)及閘極線(GW)相同的材料製成。第三導向圖樣152與閘極線(GW)由同一個用於形成閘極線(GW)的製程而形成。舉例來說，第三導向圖樣152與閘極線(GW)可同時藉由用於形成閘極線(GW)的製程而形成。
第四導向圖樣132位於島型且朝向於第三導向圖樣152，且第一絕緣層140位於第四導向圖樣132與第三導向圖樣152之間。第四導向圖樣132朝向第三導向圖樣152之延伸區域A3，且與第三導向圖樣152之延伸區域A3。第四導向圖樣132可形成於與主動層133、136相同的層且使用相同的材料。第四導向圖樣132可和主動層133、136在形成主動層133、136與第一電容電極139的製程中被形成。例如第四導向圖樣132可和主動層133、136同時形成。此外，當雜質被參雜入主動層133、136之源極區域1334、1367與汲極區域1335、1368時，第四導向圖樣132可參雜有雜質。
如上述，對於顯示裝置1002，包含有第一導向圖樣151及第二導向圖樣131之資料導向二極體(DLD)可連接至資料線(DW)，且包含有第三導向圖樣152及第四導向圖樣132之閘極導向二極體(GLD)可連接至閘極線(GW)。因此當外部靜電力通過閘極線(GW)或資料線(DW)時，第一導向圖樣151與第二導向圖樣131之間或是第三導向圖樣152與第四導向圖樣132之間之第一絕緣層140將會破裂，而不會使設置於閘極線(GW)與資料線(DW)交叉區域之第二絕緣層170破裂。據此，設置於閘極線(GW)與資料線(DW)交叉區域之第二絕緣層170之潛在的破裂風險所導致之閘極線(GW)與資料線(DW)之短路，可被避免或實質上最小化。
此外，第二例示性實施例之顯示裝置1002之閘極導向二極體(GLD)係鄰近於最外部之像素(PE)。然而，閘極導向二極體(GLD)也可設置於兩個鄰近的像素之間。
根據第三例示性實施例之顯示裝置將參照第8圖以進行描述。值得注意的是，僅有與第一例示性實施例不同之部分會被描述，因此等同於第一例示性實施例已揭露之部分將會被省略。
第8圖繪示第三例示性實施例之顯示裝置之示意圖。如第8圖所示，顯示裝置1003包含基板(SUB)、閘極驅動器(GD)、閘極線(GW)、資料驅動器(DD)、資料線(DW)、像素(PE)以及閘極導向二極體(GLD)。閘極導向二極體(GLD)係為島型且連接至閘極線(GW)，當外部靜電力通過閘極線(GW)時，閘極導向二極體(GLD)可誘發第一絕緣層140的破裂。舉例來說，顯示裝置1003可僅包含閘極導向二極體(GLD)而不包含資料導向二極體(DLD)。
如上述，根據第三例示性實施例之顯示裝置1003，閘極導向二極體(GLD)可連接至閘極線(GW)。因此當外部靜電力通過閘極線(GW)時，相對應於閘極導向二極體(GLD)之第一絕緣層140將會破裂，而不會使設置於閘極線(GW)與資料線(DW)交叉區域之第二絕緣層170破裂。如此一來，設置於閘極線(GW)與資料線(DW)交叉區域之絕緣層之破裂問題以導致之閘極線(GW)與資料線(DW)之短路，可被控制。
儘管本發明已經描述了與目前被認為是實際上之示例性實施例有關的敘述，應被了解的是，本發明不應僅侷限於上述之實施例。相反地，本發明係包含在所附之申請專利範圍之精神與範疇之內的各種修改與等效組合。
10、20．．．薄膜電晶體
1000、1002、1003．．．顯示裝置
120．．．緩衝層
131．．．第二導向圖樣
132．．．第四導向圖樣
133、136．．．主動層
1333、1366．．．通道區域
1334、1367．．．源極區域
1335、1368．．．汲極區域
139．．．第一電容電極
140．．．第一絕緣層
151．．．第一導向圖樣
152．．．第三導向圖樣
153、156．．．閘極電極
160．．．無機絕緣層
170．．．第二絕緣層
184、185、187、188、189．．．導線
190．．．像素定義層
195．．．像素開孔
70．．．有機發光二極體
710．．．第一電極
720．．．有機發光層
730．．．第二電極
90．．．電容
A1．．．重疊區
A2．．．非重疊區
A3．．．延伸區域
D1~Dm．．．數據線
DD．．．資料驅動器
DLD．．．資料導向二極體
DW．．．資料線
ELVDD．．．第一電源
ELVSS．．．第二電源
GD．．．閘極驅動器
GLD．．．閘極導向二極體
GW．．．閘極線
PE．．．像素
S1~Sn．．．掃描線
SUB．．．基板
Un．．．驅動電力線
1000．．．顯示裝置
730．．．第二電極
D1~Dm．．．數據線
DD．．．資料驅動器
DLD．．．資料導向二極體
DW．．．資料線
ELVDD．．．第一電源
ELVSS．．．第二電源
GD．．．閘極驅動器
GW．．．閘極線
PE．．．像素
S1~Sn．．．掃描線
SUB．．．基板
Un．．．驅動電力線

Claims (12)

  1. 一種顯示裝置，包括：
    一第一絕緣層，位於一基板上；
    複數個閘極線，位於該第一絕緣層上，該複數個閘極線以一第一方向延伸；
    一第二絕緣層，位於該閘極線上；
    複數個資料線，位於該第二絕緣層上，該複數個資料線以與該第一方向相交之一第二方向延伸；
    複數個像素，分別位於該複數個閘極線與該複數個資料線之相交區域，該複數個像素連接於個別的該複數個閘極線與該複數個資料線；以及
    複數個資料導向二極體，其具有島型且個別地連接至該複數個資料線，該資料導向二極體係設置以當外部靜電力通過該複數個資料線時，誘發該第一絕緣層之破裂。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中每個該資料導向二極體包含：
    一第一導向圖樣，其具有位於與該複數個閘極線相同層的該島型，該第一導向圖樣從該複數個資料線之間被連接至一個別的該資料線；以及
    一第二導向圖樣，其具有該島型且面向於該第一導向圖樣，該第一絕緣層係位於該第一導向圖樣與該第二導向圖樣中間。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該第一導向圖樣包含：
    一重疊區域，其與該個別的資料線重疊；以及
    一非重疊區域，其不與該個別的資料線重疊，該第二導向圖樣重疊於該第一導向圖樣之該非重疊區域。
  4. 根據申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中每個該像素包含一薄膜電晶體，該薄膜電晶體從該複數個閘極線中連接一個別的閘極線及從該複數個資料線中連接一個別的資料線，且一有機發光二極體連接至該薄膜電晶體。
  5. 根據申請專利範圍第4項所述之顯示裝置，其中該薄膜電晶體包含：
    一主動層，位於與該第二導向圖樣相同的層；
    一閘極電極，位於與該複數個閘極線相同的層；以及
    一源極電極及一汲極電極，位於與該複數個資料線相同的層。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包含複數個閘極導向二極體，其具有島型且個別地連接至該複數個閘極線，該閘極導向二極體係設置以當外部靜電力通過該複數個閘極線時，誘發該第一絕緣層之破裂。
  7. 根據申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中每個該閘極導向二極體包含：
    一第三導向圖樣，其位於該複數個閘極線上且連結該複數個閘極線；以及
    一第四導向圖樣，其重疊於該第三導向圖樣，該第一絕緣層係位於該第三導向圖樣與該第四導向圖樣之間。
  8. 根據申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中該第三導向圖樣包含從該複數個閘極線延伸出之一延伸區域，該第四導向圖樣重疊於該第三導向圖樣之該延伸區域。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一絕緣層比該第二絕緣層薄。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第二絕緣層係位於該複數個閘極線與該資料線之間，且該第一絕緣層之一部分係位於該資料導向二極體之內部。
  11. 根據申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第二絕緣層係位於該資料導向二極體與該複數個資料線之間，每個該資料導向二極體係通過該第二絕緣層而連接該複數個資料線中之一個別的資料線。
  12. 一種顯示裝置，包括：
    一第一絕緣層，位於一基板上；
    複數個閘極線，位於該第一絕緣層上，該複數個閘極線以一第一方向延伸；
    一第二絕緣層，位於該複數個閘極線上；
    複數個資料線，位於該第二絕緣層上，該複數個資料線以與該第一方向相交之一第二方向延伸；
    複數個像素，分別位於該複數個閘極線與該複數個資料線之相交區域，該複數個像素連接於個別的該複數個閘極線與該複數個資料線；以及
    複數個閘極導向二極體，具有島型且個別地連接至該複數個閘極線，該閘極導向二極體係設置以當外部靜電力通過該複數個閘極線時，誘發該第一絕緣層之破裂。
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