TW201331614A - 抗反射塗佈層及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種具有透明無色度的抗反射塗佈層，其包含一基板以及一抗反射層，該抗反射層包含複數個高反射層以及複數個低反射層，其交替地設置在基板上，在可見光線之波長範圍中，抗反射層的反射係數係介於0.01%至1.2%之間。

Description

抗反射塗佈層及其製造方法
相關申請案之交互參照

本申請案主張於2012年01月09日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0002633號之優先權及效益，其全部內容係於此併入作為參考。

下列技術主要係涉及一種抗反射塗佈層及其製造方法。
一般而言，在戶內觀看一螢幕顯示裝置並不困難，然而，在戶外觀看顯示裝置之螢幕時，由於存在有外在光線，所以能見度因為外在光線的亮度而惡化，而可讀性則因為螢幕的反射而惡化。
本發明之至少一實施例可提供一種透明無色度之抗反射塗佈層，包含一基板以及一抗反射層，該抗反射層包含交替地設置在基板上之複數個高反射層以及複數個低反射層，在可見光線之波長範圍中抗反射層之反射係數係介於0.01%至1.2%之間。

交替地設置在基板上的複數個高反射層以及複數個低反射層可包含位於基板上之第一高反射層，位於第一高反射層上之第一低反射層，位於第一低反射層上之第二高反射層，位於第二高反射層上之第二低反射層，位於第二低反射層上之第三高反射層，以及位於第三高反射層上第三低反射層。

第一高反射層的厚度可介於14.9 nm至17.5 nm之間，第一低反射層的厚度可介於31.9 nm至37.5 nm之間，第二高反射層的厚度可介於56.5 nm至66.3 nm之間，第二低反射層的厚度可介於8.6 nm至10.2 nm之間，第三高反射層的厚度可介於51.4 nm至60.4 nm之間，且第三低反射層的厚度可介於80.0 nm至94.0 nm之間。

第一高反射層、第二高反射層以及第三高反射層可具有大於1.9的折射率。

第一高反射層、第二高反射層以及第三高反射層可包含鈦氧化物以及鑭氧化物。

第一低反射層、第二低反射層以及第三低反射層可具有少於1.6的折射率。

第一低反射層、第二低反射層以及第三低反射層可包含二氧化矽。

本發明之抗反射塗佈層可進一步包含位於第三低反射層上之防指紋層。

防指紋層的厚度可介於18.4 nm至21.6 nm之間。

本發明之至少一實施例可提供一種製造抗反射塗佈層之方法，該方法包含下列步驟：交替地沉積複數個高反射層以及複數個低反射層在基板上，以形成抗反射層；選擇性地使用晶體厚度控制方法(QCM)以及光學厚度控制方法(OPM)來控制高反射層的厚度以及低反射層的厚度。

交替地沉積複數個高反射層以及複數個低反射層在該基板上可包含：形成第一高反射層在基板上; 形成第一低反射層在第一高反射層上；形成第二高反射層在第一低反射層上；形成第二低反射層在第二高反射層上；形成第三高反射層在第二低反射層上；形成第三低反射層在第三高反射層上。

控制高反射層以及低反射層的厚度可包含：使用光學厚度控制方法(OPM)來維持高反射層的厚度大於λp/4n或低反射層的厚度大於λp/4n，其中λp為光學厚度控制方法(OPM)中所發射的控制光線之參考波長，以及n為高反射層或低反射層的折射率。

晶體厚度控制方法(QCM)可用以維持高反射層或低反射層的厚度少於     λp/4n。

第一高反射層的厚度可介於14.9 nm至17.5 nm之間，第一低反射層的厚度可介於31.9 nm至37.5 nm之間，第二高反射層的厚度可介於56.5 nm至66.3 nm之間，第二低反射層的厚度可介於8.6 nm至10.2 nm之間，第三高反射層的厚度可介於51.4 nm至60.4 nm之間，以及第三低反射層的厚度可介於80.0 nm至94.0 nm之間。

當參考波長為430 nm時，光學厚度控制方法(OPM)可用以維持高反射層的厚度大於51 nm；當參考波長係為430 nm時，晶體厚度控制方法(QCM)可用以維持高反射層的厚度少於51 nm。

當參考波長為430 nm時，光學厚度控制方法(OPM)可用以維持低反射層的厚度大於73 nm；當參考波長為430 nm時，晶體厚度控制方法(QCM)可用以維持低反射層的厚度少於73 nm。

第一高反射層、第一低反射層以及第二低反射層之厚度可藉由晶體厚度控制方法(QCM)所控制，且第二高反射層、第三高反射層以及第三低反射層可藉由光學厚度控制方法(OPM)所控制。

本發明之方法可進一步包含在第三低反射層上形成防指紋層。

防指紋層可形成具有介於18.4 nm至21.6 nm之間的厚度。

防指紋層的厚度可藉由晶體厚度控制方法(QCM)所控制。
第1圖係為根據本發明之例示性實施例之抗反射塗佈層之剖面圖。
第2圖係為一圖表，其顯示根據本發明之例示性實施例之抗反射塗佈層的顏色的反射係數，以及傳統的藍色抗反射塗佈層的顏色的反射係數。
第3圖係繪示本發明之例示性實施例之抗反射塗佈層的製造方法之連續階段之流程圖。
第4圖係繪示本發明之例示性實施例之抗反射塗佈層之透射係數圖表。
第5圖係繪示本發明之例示性實施例之抗反射塗佈層之反射係數圖表。
以下將參考附隨的圖式對實施例做更完整的描述，其中該圖式係顯示本發明之例示性實施例。以熟悉此領域之技術者可實現的各種不同方法來修改所述實施例者，皆不脫離該實施例之精神或範圍。圖示中相似的元件係以相似的參考號碼來表示。為了方便容易的理解，圖示中的結構元件之尺寸及厚度係大略地繪製或誇張地繪製，而實施例並不以所繪示之內容為限。

為了較好理解以及方便描述，圖式中每一層、薄膜、面板、區域的厚度係為誇張顯示。應瞭解的是，當一元件(例如一層、薄膜、區域或基板)係被稱為“在另一元件之上”時，該元件係可直接在其他元件之上，或兩者之間有一仲介元件。

以下，將參考第1圖與第2圖來描述本發明之一例示性實施例之抗反射塗佈層。

第1圖係繪示本發明之例示性實施例之抗反射塗佈層之剖面圖。

如第1圖所示，根據例示性實施例之抗反射塗佈層包含基板10以及抗反射層100。抗反射層100可包含複數個高反射層20以及複數個低反射層30，其交替地形成在基板10上。複數個高反射層20可包含第一高反射層20a、第二高反射層20b以及第三高反射層20c。複數個低反射層可包含第一低反射層30a、第二低反射層30b以及第三低反射層30c。在所示實施例中，三個高反射層20以及三個低反射層30係交替地形成。然而，複數個高反射層20以及複數個低反射層30可包含任何合適數量之反射層。

基板10係附著在顯示裝置，例如有機發光二極體(OLED)顯示器。基板10包含透明的強化玻璃板或高分子材料。

抗反射層100包含形成在基板上10的第一高反射層20a、形成在第一高反射層20a之上的第一低反射層30a、形成在第一低反射層30a之上的第二高反射層20b、形成在第二高反射層20b之上的第二低反射層30b、形成在第二低反射層30b之上的第三高反射層20c以及形成在第三高反射層20c之上的第三低反射層30c。

第一高反射層20a、第二高反射層20b以及第三高反射層20c可為高反射性材料，例如鈦氧化物或鑭氧化物。

第一低反射層30a、第二低反射層30b以及第三低反射層30c可為包含二氧化矽(SiO2)之低反射性材料。

第一高反射層20a的厚度可介於14.9 nm至17.5 nm之間，第一低反射層30a的厚度可介於31.9 nm至37.5 nm之間，第二高反射層20b的厚度可介於56.5 nm至66.3 nm之間，第二低反射層30b的厚度可介於8.6 nm至10.2 nm之間，第三高反射層20c的厚度可介於51.4 nm至60.4 nm之間，以及第三低反射層30c的厚度可介於80.0 nm至94.0 nm之間。

第一高反射層20a、第二高反射層20b以及第三高反射層20c之全部區域的厚度係為一致的，如此第一高反射層20a、第二高反射層20b以及第三高反射層20c之全部區域的折射率係為一致的。因此，第一高反射層20a、第二高反射層20b以及第三高反射層20c對於顏色的反射係數係為一致的。第一高反射層20a、第二高反射層20b以及第三高反射層20c的折射率可大於1.9。

第一低反射層30a、第二低反射層30b以及第三低反射層30c之全部區域的厚度該係為一致的，如此，第一低反射層30a、第二低反射層30b以及第三低反射層30c之全部區域的折射率係為一致的。因此，第一低反射層30a、第二低反射層30b以及第三低反射層30c對於顏色的反射係數係為一致的。第一低反射層30a、第二低反射層30b以及第三低反射層30c的折射率可小於1.6。

第2圖係本發明之實施例之抗反射塗佈層之顏色的反射係數以及一般藍色抗反射塗佈層之顏色的反射係數的圖表。

如第2圖所示，在少於450 nm的藍色波長區域中，一般的藍色抗反射塗佈層的反射係數R1係增加，然而本實施例之抗反射塗佈層的反射係數R2在大部分的波長區域中係介於0.01%至1.2%之範圍內，特別是全部的可見光線波長區域，如此反射係數R2具一致性。

如上所述，本實施例之抗反射塗佈層的反射係數R2在所述的波長區域中係為一致的，所以該抗反射塗佈層可不實現出顏色，從而可實現透明無色度。

因此，實施例可以提供具有透明的無色度且沒有任何顏色的抗反射塗佈層。抗反射塗佈層的反射係數可為最小。就其真正的意義來說，顯示裝置之螢幕的能見度可不被任意的顏色或反射影響而失真，以及其在戶外的可讀性可提升成如同在戶內一樣。

根據一實施例，一旦顯示裝置具有與貼附於其上之抗反射塗佈層，則可提供充分的能見度以及低亮度，如此可減少電池的電力消耗量。因此，顯示裝置可長時間使用。於是，與使用一般的顯示裝置相比，本實施例之顯示裝置可更方便使用。進一步地，因為電池消耗較少電力，所以本實施例之具有抗反射塗佈層之顯示裝置較為經濟且環保。

在第三低反射層30c之上可形成防指紋層40。防指紋層40可由有機材料、無機材料以及聚合物之至少一種所製成，且具有不同的硬度的多種材料可相混合或沉積。舉例而言，防指紋層40可包含氟(F)。因此，亦可同時保護抗反射層100避免從外部施予至抗反射層100之干擾，例如，從外部物件或物質之物理性接觸後的殘留物，以及附著之的外部污染材料。例如，防指紋層40可防止抗反射層100受損害以及被污染。防指紋層40的厚度可介於18.4 nm至21.6 nm之間。

接著，根據一實施例之抗反射塗佈層的製造方法將參考第3圖而描述。

在實施例之抗反射塗佈層的製造方法中，複數個高反射層以及複數個低反射層係交替地沉積在基板10上以形成抗反射層100。選擇性的使用晶體厚度控制方法(石英水晶監測法，QCM)以及光學厚度控制方法(光學監測法，OPM)來控制高反射層以及低反射層的厚度。

晶體厚度控制方法(QCM)係相對地簡單，且其電子束速度控制係可實現的。然而，使用晶體厚度控制方法(QCM)之即時監測係有困難的。在此情形下，會增加缺陷率且降低厚度控制之可再現性。

相比之下，用光學厚度控制方法(OPM)來測量光學厚度(nd)(其中，n係指高反射層以及低反射層的折射率，而d係指高反射層以及低反射層的物理厚度)，以根據腔室內部細微折射率之改變，而針對物理性厚度之數值進行即時補償，如此可提升再現性。

當形成高反射層以及低反射層時，即時監測係可能的。在此情形下，可加快波長改變之原因分析以及隨後的處理。

晶體厚度控制方法(QCM)可能無法測量光學厚度之即時改變。在此情形下，必須在抗反射塗佈層之所有製造流程完成後且測量抗反射塗佈層的厚度才能決定出抗反射塗佈層之缺陷。然而，光學厚度控制方法(OPM) 在抗反射塗佈層之製造流程期間，即可即時監測任何一層(例如一層或更多層)之形成流程，如此，可即時測量光學厚度(nd)。因此，可預先避免隨後製造流程中可能發生的不必要的缺陷，如此可減少時間以及成本。

然而，光學厚度控制方法(OPM)係相對地複雜的，電子束速度之控制更為困難，且薄膜之監測更為困難。

因此，根據實施例之抗反射塗佈層之製造方法，根據待形成之高反射層以及低反射層，來選擇晶體厚度控制方法(QCM)以及光學厚度控制方法(OPM)。在此情形下，在指定厚度範圍內，高反射層以及低反射層之全部區域可達成一致的厚度。

當高反射層或低反射層欲達到厚度大於λp/4n (其中λp係指光學厚度控制方法(OPM)中所發出的控制光線之參考波長，n係指高反射層或低反射層之折射率，而d係指高反射層或低反射層之物理厚度)，以光學厚度控制方法(OPM)來控制高反射層或低反射層。

當光學厚度控制方法(OPM)所控制的高反射層或低反射層之的厚度少於   λp/4n時，可能不會產生控制光線之參考波長(λp)之轉折點，如此可能會惡化厚度測量之可靠性。

此外，控制光線之參考波長(λp)可由下列的公式來決定：λp=nd。如果高反射層或低反射層之折射率(n)改變，高反射層或低反射層之物理厚度(d)也會改變。同樣地，適用於使用光學厚度控制方法(OPM)之高反射層或低反射層的厚度(d)係根據高反射層或低反射層之折射率(n)而改變。

因此，在第一高反射層20a、第二高反射層20b以及第三高反射層20c包含折射率大於1.9的高反射性材料之例子中，當欲使用430 nm的參考波長(  λp)之控制光線以控制大於51 nm的厚度，則使用光學厚度控制方法(OPM)。當控制小於51 nm的厚度時，則使用晶體厚度控制方法(QCM)。

此外，在第一低反射層30a、第二低反射層30b以及該第三低反射層30c包含折射率少於1.6的低反射性材料之例子中，當欲使用430 nm的參考波長(λp)之控制光線以控制大於73 nm的厚度時，則使用光學厚度控制方法(OPM)。而當控制小於73 nm的厚度時，則使用晶體厚度控制方法(QCM)。

如第3圖所示，透明的基板10係位於真空沉積器之內部。接著，將第一高反射層20a形成在基板上10。例如，高反射性材料IV-H(產品名稱，DON CO, LTD製造)可作為第一高反射層20a。IV-H(產品名稱)係為固溶材料，其係將鈦氧化物以及鑭氧化物混合、加工以及加熱處理而成，且係為具有高折射率之材料。一般而言，在高反射性材料之例子中，其折射率在連續的沉積之下可能會改變。然而，上述材料的折射率之改變係非常輕微的。第一高反射層20a的厚度係由晶體厚度控制方法(QCM)所控制以形成介於14.9 nm至17.5 nm的厚度(S100)。

接著，將第一低反射層30a形成在第一高反射層20a之上。例如，可使用IV-L(產品名稱，DON CO, LTD製造)作為第一低反射層30a。IV-L(產品名稱)係99.9%為二氧化矽的材料所製成，其亦稱為未結晶之熔矽石(fused silica)。該材料在電子束中係大部分融化以及蒸發而形成在塗佈目標的表面上，且透過磨光該表面來抑制電子束之反射藉此來抑制微細粒子融化或產生時可能發生的電子束散射，如此可提升塗佈的一致性，且該微細粒子的影響可降到最小。第一低反射層30a的厚度係由晶體厚度控制方法(QCM)所控制以形成介於31.9 nm至37.5 nm之間的厚度(S200)。

接著，將第二高反射層20b，例如IV-H(產品名稱)高反射性材料，形成在具有56.5 nm至66.3 nm之間的厚度(S300)的第一低反射層30a之上。使用具有430 nm參考波長(λp)之控制光線時，可透過光學厚度控制方法(OPM)來控制出具有大於1.9的折射率以及大於51 nm(如同λp/4n)厚度的第二高反射層20b。

光學厚度控制方法(OPM)係即時測量光學厚度(nd)以精確地控制第二高反射層20b的厚度，如此該第二高反射層20b全部區域的厚度係一致的。因此，全部區域的折射率可為一致的。

接著，將第二低反射層30b，例如IV-L(產品名稱)低反射性材料，形成在第二高反射層20b之上。第二低反射層30b的厚度係藉由晶體厚度控制方法(QCM)控制以形成介於8.6 nm至10.2 nm之間的厚度(S400)。

接著，將第三高反射層20c，例如IV-H(產品名稱)高反射性材料，形成在具有51.4 nm至60.4 nm之間的厚度(S500)的第二低反射層30b之上。使用具有430 nm參考波長(λp)之控制光線時，可透過光學厚度控制方法(OPM)來控制出具有大於1.9的折射率以及大於51 nm(如同λp/4n)的厚度的第三高反射層20c。

光學厚度控制方法(OPM)係即時測量光學厚度(nd)以精確地控制第三高反射層20c的厚度，如此第三高反射層20c的厚度係為一致的，從而全部區域之的折射率可為一致的。

接著，將第三低反射層30c，例如IV-L(產品名稱)低反射性材料，形成在具有80.0 nm至94.0 nm之間的厚度(S600)的第三高反射層20c之上。使用具有430 nm參考波長(λp)之控制光時，可透過光學厚度控制方法(OPM)來控制出具有少於1.6的折射率以及大於73 nm(如同λp/4n)的厚度的第三低反射層30c。

光學厚度控制方法(OPM)係即時測量光學厚度(nd)以精確地控制第三低反射層30c的厚度，如此第三低反射層30c全部區域的厚度係為一致的。因此，全部區域的折射率可為一致的。

接著，將防指紋層40，例如一IV-AF(產品名稱，DON CO, LTD所製造)防指紋材料，形成在第三低反射層30c之上。防指紋層40的厚度係由晶體厚度控制方法(QCM)控制以形成介於18.4 nm至21.6 nm之間的厚度(S700)。

如上所述，當交替地沉積複數個高反射層以及複數個低反射層以形成抗反射層100時，高反射層的厚度以及低反射層的厚度選擇性的使用晶體厚度控制方法(QCM)以及光學厚度控制方法(OPM)來控制，如此高反射層以及低反射層可連續地形成指定之厚度範圍內之一致的厚度。因此，可達到良好的品質且提高生產率。

表格1顯示本發明之實施例之抗反射塗佈層之製造方法中每一層的材料、厚度以及厚度控制方法。

(表格1)

參考表格1中具有確保的可再現性的厚度，每一層的厚度之範圍係設定在8%錯誤範圍內。

第4圖係根據一實施例之抗反射塗佈層之透射係數圖表，而第5圖係根據一實施例之抗反射塗佈層之反射係數圖表。透過HITACHI的分光光度計U-4100(型號名稱)，在400 nm至700 nm之間可見光線波長區域，第4圖以及第5圖係分別測量根據表格1所示實施例之抗反射塗佈層的製造方法所製造的抗反射塗佈層之透射係數以及反射係數之圖表。

如第4圖以及第5圖所示，在可見光線區域中，根據實施例之抗反射塗佈層之光透射係數係大約為95%，而反射係數係小於1.2%。在此，可透射大量的光線且反射係數同時降到最小。

綜上所述，可使用增加光透射係數的抗反射塗佈層。可使用適合各種材料的多種塗佈方法於抗反射塗佈層。抗反射塗佈層通常會因為表面反射而有任意的顏色，所以要達成沒有顏色的抗反射塗佈層係困難的。再進一步地說，製造沒有顏色的抗反射塗佈層也是相當困難的。因此，此抗反射塗佈層之生產量可能較低，其可能造成商品化較為困難。

在根據本發明之實施例之抗反射塗佈層中，抗反射層之全部區域之每一層的折射率可為一致的，如此該抗反射塗佈層的反射係數在所需的波長區域內可為一致的，從而可實現出沒有顏色、透明無色度的抗反射塗佈層。因此，本發明之實施例之抗反射塗佈層可為無色度、沒有任意顏色、透明的塗佈層。根據該實施例，抗反射塗佈層之反射係數降到最小，如此可避免因為顏色或反射而造成的失真，且可提升在戶內以及在戶外的可讀性。

此外，當顯示裝置上貼附本實施例之抗反射塗佈層貼時，在低亮度下亦可提供充分的能見度。在此，亦可減少電池之電力消耗量，從而使顯示裝置可長時間使用。因此，具有本實施例之抗反射塗佈層之顯示裝置可較為經濟與環保，且相對於一般顯示裝置，該顯示裝置可以提供使用者更大的便利。

進一步地，當交替地設置複數個高反射層以及複數個低反射層以形成抗反射層時，可選擇性的使用晶體厚度控制方法(QCM)以及光學厚度控制方法(OPM)來控制高反射層以及低反射層的厚度。如此，高反射層以及低反射層可連續地形成一致的厚度。如此亦可達成極好的品質以及提升生產率。

雖然本發明已參照其例示性實施例而特別地顯示及描述，將為所屬技術領域具通常知識者所理解的是，於不脫離以下申請專利範圍及其等效物所定義之本發明之精神與範疇下可對其進行形式與細節上之各種變更。
10．．．基板
100．．．抗反射層
20．．．複數個高反射層
20a．．．第一高反射層
20b．．．第二高反射層
20c．．．第三高反射層
30．．．複數個低反射層
30a．．．第一低反射層
30b．．．第二低反射層
30c．．．第三低反射層
40．．．防指紋層
S100~S700．．．步驟流程
10．．．基板
100．．．抗反射層
20．．．複數個高反射層
20a．．．第一高反射層
20b．．．第二高反射層
20c．．．第三高反射層
30．．．複數個低反射層
30a．．．第一低反射層
30b．．．第二低反射層
30c．．．第三低反射層

Claims (20)

  1. 一種具有透明無色度之抗反射塗佈層，其包含：
    一基板；以及
    一抗反射層，該抗反射層包含交替地設置在該基板上之複數個高反射層以及複數個低反射層，在可見光線之波長範圍中該抗反射層之反射係數係介於0.01%至1.2%之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之抗反射塗佈層，其中交替地設置在該基板上的該複數個高反射層以及該複數個低反射層係包含：
    一第一高反射層，位在該基板上；
    一第一低反射層，位在該第一高反射層上；
    一第二高反射層，位在該第一低反射層上；
    一第二低反射層，位在該第二高反射層上；
    一第三高反射層，位在該第二低反射層上；以及
    一第三低反射層，位在該第三高反射層上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之抗反射塗佈層，其中該第一高反射層的厚度係介於14.9 nm至17.5 nm之間，該第一低反射層的厚度係介於31.9 nm至37.5 nm之間，該第二高反射層的厚度係介於56.5 nm至66.3 nm之間，該第二低反射層的厚度係介於8.6 nm至10.2 nm之間，該第三高反射層的厚度係介於51.4 nm至60.4 nm之間，以及該第三低反射層的厚度係介於80.0 nm至94.0 nm之間。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之抗反射塗佈層，其中該第一高反射層、該第二高反射層以及該第三高反射層具有大於1.9的折射率。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之抗反射塗佈層，其中該第一高反射層、該第二高反射層以及該第三高反射層係包含鈦氧化物以及鑭氧化物。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之抗反射塗佈層，其中該第一低反射層、該第二低反射層以及該第三低反射層具有少於1.6的折射率。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之抗反射塗佈層，其中該第一低反射層、該第二低反射層以及該第三低反射層係包含二氧化矽。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之抗反射塗佈層，進一步包含一防指紋層，其位於該第三低反射層上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之抗反射塗佈層，其中該防指紋層的厚度係介於18.4 nm至21.6 nm之間。
  10. 一種製造抗反射塗佈層之方法，該方法包含下列步驟：
    交替地沉積複數個高反射層以及複數個低反射層在一基板上，以形成一抗反射層；以及
    選擇性地使用一晶體厚度控制方法(QCM)以及一光學厚度控制方法(OPM)來控制各該高反射層的厚度以及各該低反射層的厚度。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中交替地沉積該複數個高反射層以及該複數個低反射層在該基板上的步驟包含：
    形成一第一高反射層在該基板上；
    形成一第一低反射層在該第一高反射層上；
    形成一第二高反射層在該第一低反射層上；
    形成一第二低反射層在該第二高反射層上；
    形成一第三高反射層在該第二低反射層上；以及
    形成一第三低反射層在該第三高反射層上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中控制各該高反射層以及各該低反射層的厚度包含使用該光學厚度控制方法(OPM)來維持各該高反射層的厚度大於λp/4n或各該低反射層的厚度大於λp/4n，其中λp係為該光學厚度控制方法(OPM)中所發射的控制光線之參考波長，以及n係為各該高反射層或各該低反射層的折射率。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該晶體厚度控制方法(QCM)係用以維持各該高反射層或各該低反射層的厚度少於λp/4n。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該第一高反射層的厚度係介於14.9 nm至17.5 nm之間，該第一低反射層的厚度係介於31.9 nm至37.5 nm之間，該第二高反射層的厚度係介於56.5 nm至66.3 nm之間，該第二低反射層的厚度係介於8.6 nm至10.2 nm之間，該第三高反射層的厚度係介於51.4 nm至60.4 nm之間，以及該第三低反射層的厚度係介於80.0 nm至94.0 nm之間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中：
    當該參考波長係為430 nm時，該光學厚度控制方法(OPM)係用以維持各該高反射層的厚度大於51 nm；以及
    當該參考波長係為430 nm時，該晶體厚度控制方法(QCM)係用以維持各該高反射層的厚度少於51 nm。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中：
    當該參考波長係為430 nm時，該光學厚度控制方法(OPM)係用以維持各該低反射層的厚度大於73nm；以及
    當該參考波長係為430 nm時，該晶體厚度控制方法(QCM)係用以維持各該低反射層的厚度少於73 nm。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第一高反射層、該第一低反射層以及該第二低反射層之厚度係藉由該晶體厚度控制方法(QCM)所控制，而該第二高反射層、該第三高反射層以及該第三低反射層係藉由該光學厚度控制方法(OPM)所控制。
  18. 如申請專利範圍第12項所述之方法，進一步包含在該第三低反射層上形成一防指紋層。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該防指紋層係形成具有介於18.4 nm至21.6 nm之間的厚度。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該防指紋層的厚度係藉由該晶體厚度控制方法(QCM)所控制。
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