TW201327904A - 利用應變緩衝層實現優秀的發光效率的氮化物類發光器件 - Google Patents

利用應變緩衝層實現優秀的發光效率的氮化物類發光器件 Download PDF

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Abstract

一種在活性層的下方利用應變緩衝層實現優秀的發光效率的氮化物類發光器件。本發明的氮化物類發光器件，其包括：第一氮化物半導體層，其摻雜有第一導電型雜質；應變緩衝層，其包含氮化銦鎵而形成於第一氮化物半導體層上；活性層，形成於應變緩衝層上，並具有由量子阱層和量子勢壘層交替層疊的多重量子阱結構；以及第二氮化物半導體層，形成於活性層上，並摻雜與第一導電型雜質相反的第二導電型雜質，在應變緩衝層以及活性層中，將各自的銦的平均組合和各層的厚度的乘積分別定義為A、B時，B/A的比率為1.4＜B/A＜6.1。。

Description

利用應變緩衝層實現優秀的發光效率的氮化物類發光器件
本發明關於一種氮化物類發光器件，特別是關於通過緩衝在活性層產生的應變(Strain)來提高發光效率的氮化物類發光器件。
一般而言，氮化物半導體發光器件具有包括紫外線、藍色及綠色區域的發光區域。尤其，氮化鎵(GaN)類氮化物半導體發光器件在其應用領域上，應用於藍色或者綠色發光二極體(LED，Light Emitting Diode)的光電器件以及金屬半導體場效應電晶體(MESFET，Metal Semiconductor Field Effect Transistor)、異質結場效應電晶體(HFET，Hetero junction Field Effect Transistors)等的高速交換器件、高功率器件。
這種氮化物半導體發光器件具有混雜(Hetero)結構，該混雜(Hetero)結構中，具有由氮化銦鎵(InGaN)組成的量子阱層的多重量子阱(MQW，Multi-Quantum-Well)結構的活性層位於n型氮化物半導體與p型氮化物半導體之間。藍色、綠色等的發光波長主要藉由增減氮化銦鎵量子阱層的銦(In)的組合比來決定。
多重量子阱結構活性層主要以氮化銦鎵量子阱層/氮化鎵量子勢壘層為一對(pair)，形成多對。但是，多 重量子阱結構活性層因氮化銦鎵和氮化鎵的晶格常數的差異，會在氮化銦鎵阱層和氮化鎵勢壘層之間產生大應變(strain)。該應變藉由在活性層產生大壓電區域(piezoelectic field)來降低活性層的內部量子效率。
並且，氮化銦鎵量子阱層與氮化鎵量子勢壘層之間的應變將成為在活性層內生成V型缺陷(V-pits)的原因，由於在將活性層堆積層疊時阱層和勢壘層之間的介面(interface)變得粗糙，使活性層的結晶質降低，會對製造高效率發光器件造成問題。
與本發明相關的現有文獻有韓國公開專利第10-2009-0002567號(2009.01.09公開)，上述文獻公開一種在n型接觸層與活性層之間形成銦成分高的氮化銦鎵起伏層，來在活性層內緩解阱層與勢壘層之間的應變，由此提高發光效率的氮化物半導體發光器件。
本發明的主要目的在於提供一種通過在活性層緩解因量子阱層與量子勢壘層之間的格子常數差異等發生的應變來能夠提高發光效率的氮化物類發光器件。
為達成上述目的，本發明一實施例提供一種氮化物類發光器件，其包括：第一氮化物半導體層，摻雜有第一導電型雜質；應變緩衝層，包含氮化銦鎵而形成於該第一氮化物半導體層上；活性層，形成於該應變緩衝層上，並具有由量子阱層和量子勢壘層交替層疊的多重量 子阱結構；以及第二氮化物半導體層，形成於該活性層上，並摻雜有與該第一導電型雜質相反的第二導電型雜質，在該應變緩衝層以及該活性層中，將各自的銦的平均組合和各層的厚度的乘積分別定義為A、B時，B/A的比率為1.4<B/A<6.1。
根據本發明的氮化物類發光器件，在活性層的下方形成一層以上的應變緩衝層(strain buffer layer)，並藉由調整包含在各層的銦(In)的平均組合以及各層的厚度來使活性層的應變最小化的比率，由此能夠緩解活性層的應變。
透過上述方法，根據本發明的氮化物類發光器件可提高活性層的內部量子效率而提高發光效率。
以下實施例請參照附圖詳細說明，使得本發明的優點和特徵以及實現這些優點和特徵的方法更加明確。但是，本發明不局限於以下所公開的實施例，能夠以互不相同的各種方式實施，本實施例只用於使本發明的公開內容更加完整，有助於本發明所屬技術領域的技術人員完整地理解本發明的範疇，本發明根據權利要求書的範圍而定義。在說明書全文中，相同的附圖標記表示相同的結構部件。
第1圖是根據本發明的實施例的氮化物類發光器件的剖視圖，第2圖是根據第1圖的活性層以及應變緩衝 層的一實施例的銦的側視(In profile)圖，第3圖是根據第1圖的活性層以及應變緩衝層的另一實施例的銦的側視圖。
請參照第1至3圖，根據本發明的一實施例的氮化物類發光器件100包括：第一氮化物半導體層120；第二氮化物半導體層150；活性層140，介於該第一氮化物半導體層120與該第二氮化物半導體層150之間；以及應變緩衝層130，介於該第一氮化物半導體層120與該活性層140之間。
在此基礎上，氮化物類發光器件100可包括：第一電極160，與第一氮化物半導體層120電性連接；第二電極170，與第二氮化物半導體層150電性連接。
並且，氮化物類發光器件100還可包括基板110，該基板110位於第一氮化物半導體層120的下側。並且，雖然未圖示，但在該基板110與該第一氮化物半導體層120之間還可形成緩衝層、未摻雜的氮化物層等。
如第1至第3圖所示，氮化物類發光器件100為包括依次形成在基板110上的第一氮化物半導體層120、應變緩衝層130、活性層140、第二氮化物半導體層150、第二電極170的層壓膜，以及形成在該第一氮化物半導體層120的暴露面的第一電極160的發光結構物。
這種氮化物類發光器件100利用半導體的p-n接合結構注入的少數載波(電子或者電洞)，並利用通過它 們的再結合而發光的現象。
在此，基板110可以是半導體生長用基板。例如，作為基板110可以使用藍寶石(sapphire)、碳化矽(SiC)、尖晶石(MgAl2O4)、氯化鎂(MgO)、氧化鋰鋁(LiAlO2)、氧化鋰鎵(LiGaO2)、氮化鎵(GaN)等的物質形成的基板。藍寶石基板為具有六角-菱形(Hexa-Rhombo R3c)對稱性的結晶體，c軸以及a軸方向的晶格常數分別為13.001Å(埃)和4.758Å，並具有C(0001)面、A(1120)面、R(1102)面等。在這種情況下，由於C面比較容易使氮化物薄膜生長，並在高溫下穩定，因而主要使用為氮化物生長用基板。為了提高光效率，基板110可使用圖案化藍寶石基板(PSS，Patterned Sapphire Substrate)。
第一氮化物半導體層120可用結構式AlxInyGa(1-x-y)N(在這裡，0x1、0y1、0x+y1)來表示，例如，可以是摻雜n型雜質的氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化銦鎵等。包含在第一氮化物半導體層120的第一導電型雜質例如可以是n型雜質，作為n型雜質可以使用矽(Si)、鍺(Ge)、硒(Se)、碲(Te)等。
第二氮化物半導體層150與第一氮化物半導體層120相同地可以用結構式AlxInyGa(1-x-y)N(在這裡，0x1、0y1、0x+y1)來表示，例如可以是摻雜p型雜質的氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化銦鎵等。第二氮化物半導體層150的第二導電型雜質例如可以是p型雜質， 作為p型雜質可以使用鎂(Mg)、鋅(Zn)、鈹(Be)等。
這種第一氮化物半導體層120以及第二氮化物半導體層150可藉由在該技術領域已知的金屬有機化合物化學氣相沉澱(MOCVD，Metal Organic Chemical Vapor Deposition)方法、分子束外延(MBE，Molecular Beam Epitaxy)方法、氫化物氣相外延(HVPE，Hydride Vapor Phase Epitaxy)方法等來生長。在第一氮化物半導體層120為n型，第二氮化物半導體層150為p型的情況下接通電壓，第一氮化物半導體層120可放出電子，第二氮化物半導體層150可放出電洞。
活性層140形成於第一氮化物半導體層120與第二氮化物半導體層150之間，透過電子和空穴的再結合，放出具有規定的能量的光。活性層140可具有多個量子阱層和量子勢壘層交替層疊的多重量子阱(MQW，Multiple Quantum Well)結構。
活性層140選擇具有所發出的光的波長的帶隙能量的材料，在發出波長為460nm(奈米)~470nm的藍色光的情況下，將氮化銦鎵阱層/氮化鎵勢壘層作為一個週期(或者一對(pair))，可形成多重量子阱結構。在這裡，阱層的InxGa1-xN可以在0<x1的範圍進行調整。
例如，多重量子阱結構的活性層140，在發出波長為440nm(奈米)~470nm的藍色光的情況下，可通過使用銦的平均組合比在10原子至15原子(atomic)%的 氮化銦鎵來形成。
但是，在具有將氮化銦鎵阱層/氮化鎵勢壘層作為一個週期(pair)的多重量子阱結構的活性層140的情況下，由於氮化銦鎵和氮化鎵的晶格常數的差異，將在氮化銦鎵阱層與氮化鎵勢壘層之間形成大應變(strain)。
該應變藉由在活性層140產生大壓電區域(piezoelectic field)來降低活性層140的內部量子效率。因此，為了提高氮化物類發光器件100的發光效率，需要能夠緩解活性層140內的應變的方法。
在本發明的一實施例中，活性層140的下方形成應變緩衝層130。這種應變緩衝層130介於n型半導體層120與活性層140之間。
根據本發明的一實施例，應變緩衝層130用於緩解活性層140的應變，並將應變緩衝層130定義為包含小於活性層140的銦的平均組合比的銦的所有層。
具體來講，應變緩衝層130包含氮化銦鎵。而且，應變緩衝層130的銦的平均組合比低於活性層140的銦的平均組合比。在這裡，InxGa1-xN可以在0<x1的範圍進行調整。
活性層140的應變的最小化，可通過調整應變緩衝層130以及活性層140之間的各層的厚度和銦的組合來達成。在這裡利用量子勢壘層的厚度變窄，銦的平均組合將上升的原理。但是，應變緩衝層130中的銦的組合過高，則有可能會降低活性層140的應變特性。
尤其，本發明的一實施例，提出以下表1為基準，將活性層140的應變最小化，來達成接近100%的發光效率的條件。此實施例在各個應變緩衝層130以及活性層140中，將銦的平均組合和各層的厚度的乘積分別定義為A、B時，B/A的比率(Ratio)滿足1.4<B/A<6.1。
實驗結果顯示，在1.4<B/A<6.1的範圍內光功率高，在脫離上述範圍的情況下，光功率則相對降低。
以下，將對根據本發明的一實施例的應變緩衝層130進行說明，並對應變緩衝層130與活性層140之間的銦的側面進行圖示說明，但只要滿足1.4<B/A<6.1的範圍，本發明並非被限定於以下所述的內容。
為了緩解活性層140的應變，應變緩衝層130透過使用銦的組合比率低於活性層140的銦的組合比率的氮化銦鎵來形成。在這裡，阱層的InxGa1-xN可以在0<x1的範圍中調整。
應變緩衝層130可以與活性層140相同，具有多個量子阱層和量子勢壘層交替層疊的多重量子阱結構。在這種情況下，能夠以氮化銦鎵阱層/氮化鎵勢壘層為一個週期來形成為多重量子阱結構。
如第2圖所示，根據本發明的一實施例的氮化物發光器件，在第2圖中的a的情況下可包括由量子勢壘層和量子阱層交替層疊的3對(pair)的應變緩衝層，上述量子勢壘層由銦的組合比為0原子%、厚度為100Å(埃)的氮化鎵形成，上述量子阱層由銦的組合比為 10原子%、厚度為30Å(埃)的氮化銦鎵形成。並且，在第2圖中的b情況下可包括由量子勢壘層和量子阱層交替層疊的6對(pair)的活性層，該量子勢壘層由銦的組合比為0原子%、厚度為100Å(埃)的氮化鎵形成，該量子阱層由銦的組合比為12原子%、厚度為30Å(埃)的氮化銦鎵形成。
在這種情況下，可使用多種對數的變化。特別是只要在a中，應變緩衝層的銦的平均組合比率滿足2.7原子%，在b中，活性層的銦的平均組合比率滿足3.5原子%至5.7原子%，如第3圖所示，分別在a以及b當中，對應變緩衝層以及活性層的銦的組合比率可任意(random)進行變化。雖未圖示上述內容，但在a中，即使任一個的銦的組合比率相對來講非常低，也能夠包括應變緩衝層的平均組合比滿足2.7原子%。
接著請參照第4圖，第一電極160以及第二電極170分別與外部電源裝置(未圖示)電性連接，是為了向第一氮化物半導體層120以及第二氮化物半導體層150接通電壓。此處，圖示為第一電極160和第二電極170水平配置的水平結構的發光器件。
第一電極160與第一氮化物半導體層120電性接觸。更具體地，第一電極160形成第二氮化物半導體層150後經過蝕刻使第一氮化物半導體層120暴露之後，可在暴露的第一氮化物半導體層120上進行圖案化而形成。
第二電極170與第二氮化物半導體層150電性連接。第二電極170可在第二氮化物半導體層150上進行圖案化而形成。
第一電極160以及第二電極170可利用金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎢(W)、鎳(Ni)、矽(Si)、鋁(Al)、鉬(Mo)等的金屬或者這些金屬元素的合金。
因此，根據本發明的一實施例的氮化物類發光器件100在活性層140的下方形成應變緩衝層130，並適用能夠將應變緩衝層130與活性層140之間的活性層140的應變最小化的1.4<B/A<6.1的範圍，來緩解活性層140的應變。
由此，藉著減少活性層140的壓電區域，而且活性層140的結晶品質得到改善，來提高活性層140內的電洞和電子的再結合效率，進而能夠提高活性層140的發光效率。
另一方面，在本發明中，雖然已說明第一氮化物半導體層120形成為n型氮化物半導體層，第二氮化物半導體層150形成為p型氮化物半導體層，但是並不限定於此，還可以將它們顛倒形成。
第4圖是表示根據本發明的另一實施例的氮化物類發光器件的剖視圖，第5圖是表示根據第4圖的活性層以及應變緩衝層的一實施例的銦的側視圖，第6圖是表示根據第4圖的活性層以及應變緩衝層的另一實施例 的銦的側視圖。
請參照第4至第6圖，根據本發明的另一實施例的氮化物類發光器件100’包括；第一氮化物半導體層120；第二氮化物半導體層150；活性層140，介於該第一氮化物半導體層120與該第二氮化物半導體層150之間；以及應變緩衝層130，介於該第一氮化物半導體層120與該活性層140之間，呈多層結構。
在此基礎上，氮化物類發光器件100’可包括：第一電極160，與第一氮化物半導體層120電性連接；第二電極170，與第二氮化物半導體層150電性連接。
並且，氮化物類發光器件100’還可包括基板110，該基板110位於第一氮化物半導體層120的下方。並且，雖然未圖示，但在基板110與第一氮化物半導體層120之間還可形成緩衝層、未摻雜氮化物層等。
氮化物類發光器件100’的第一應變緩衝層130a以及第二應變緩衝層130b用於緩解活性層140的階段性應變，將該應變緩衝層定義為包含小於活性層140的銦的平均組合比率的銦的所有層。
由於根據本發明的另一實施例的氮化物類發光器件100’，除了該應變緩衝層130形成多層結構之外，可與根據本發明的一實施例的氮化物類發光器件100相同，因而省略重複的內容，在這裡將僅對多層結構的該應變緩衝層130進行說明。
氮化物類發光器件100’的應變緩衝層130自下而 上由第一應變緩衝層130a和第二應變緩衝層130b依次層疊形成。
實質性地，該第二應變緩衝層130b可與根據本發明的一實施例的氮化物類發光器件100的應變緩衝層130相同，因而將省略對該第二應變緩衝層130b的說明。
氮化物類發光器件100’為了階段性地緩解活性層140的應變，包含越往第一應變緩衝層130a、第二應變緩衝層130b以及活性層140，銦的平均組合比率將逐漸增加的氮化銦鎵。
即，第一應變緩衝層130a可以是包含氮化銦鎵的、厚度為100Å(埃)至5000Å的主體層(bulk layer)，為了緩解活性層140的階段性應變，包含銦的平均組合比率低於第二應變緩衝層130b的銦的平均組合比率的氮化銦鎵。在這裡，InxGa1-xN可以在0<x1的範圍進行調整。
第一應變緩衝層130a可由包含氮化銦鎵的厚度為100Å(埃)至5000Å的主體層的單層或者多層形成，或者具有由多個量子阱層和量子勢壘層交替層疊的多重量子阱結構。在此情況下，能夠以氮化銦鎵阱層/氮化鎵勢壘層為一個週期來形成為多重量子阱結構。
因此，第二應變緩衝層130b的銦的平均組合比率高於第一應變緩衝層130a的銦的平均組合比率，第二應變緩衝層130b的銦的平均組合比率低於活性層140的銦的平均組合比率。
活性層140的應變的最小化，可透過調整第一應變緩衝層130a、第二應變緩衝層130b以及活性層140之間的各層的厚度和銦的組合來達成。在這裡利用使量子勢壘層的厚度變窄，銦的平均組合將上升的原理。但是，分別在第一應變緩衝層130a以及第二應變緩衝層130b中，銦的組合過高，則有可能會降低應變特性。
尤其，本發明的另一實施例，提出以下表1為基準，將活性層140的應變最小化，來達成接近100%的發光效率的條件。上述實施例的特徵在於，分別在第一應變緩衝層130a、第二應變緩衝層130b以及活性層140中，將銦的平均組合和各層的厚度的乘積分別定義為C、A、B時，A/C的比率滿足0.3<A/C<1.8，B/A的比率滿足1.4<B/A<6.1。
實驗結果顯示，在包括第一應變緩衝層130a以及第二應變緩衝層130b來形成應變緩衝層130時，在滿足上述0.3<A/C<1.8的範圍和上述1.4<B/A<6.1的範圍的情況下，光功率高，在脫離上述範圍的情況下，光功率相對低。
以下，將對根據本發明的另一實施例的包括第一應變緩衝層130a以及第二應變緩衝層130b的應變緩衝層130的一例進行說明，並圖示第一應變緩衝層130a以及第二應變緩衝層130b與活性層140之間的銦的側視圖的一例，但只要滿足上述0.3<A/C<1.8的範圍以及1.4<B/A<6.1的範圍，本發明就不會被限定於以下所 述的內容。
如第5圖所示，根據本發明的另一實施例的氮化物發光器件，在第5圖中的a的情況下可包括第一應變緩衝層，第一應變緩衝層是通過使用銦的組合比率為1原子%以下的氮化銦鎵來形成的厚度為3000Å(埃)的應變緩衝層。並且，在第5圖中的b的情況下可包括由量子勢壘層和量子阱層交替層疊的3對(pair)的第二應變緩衝層，上述量子勢壘層由銦的組合比為0原子%、厚度為100Å(埃)的氮化鎵形成，上述量子阱層由銦的組合比為10原子%、厚度為30Å(埃)的氮化鎵形成。並且，在第5圖中的c的情況下可包括由量子勢壘層和量子阱層交替層疊的6對(pair)的活性層，上述量子勢壘層由銦的組合比為0原子%、厚度為100Å(埃)的氮化鎵形成，上述量子阱層由銦的組合比為12原子%、厚度為30Å(埃)的氮化銦鎵形成。
在這種情況下，可適用多種對數的變化。特別是，只要在a中，第一應變緩衝層的銦的平均組合比率滿足0.2原子%至1.2原子%，在b中，第二應變緩衝層的銦的平均組合比率滿足2.7原子%，在c中，活性層的銦的平均組合比率滿足3.5原子%至5.7原子%，如第6圖所示，分別在a、b以及c當中，對第一應變緩衝層、第二應變緩衝層以及活性層的銦的組合比率任意進行變化。雖然未圖示，但在b中，即使任一個的銦的組合比率相對來說非常低，也能夠包括第二應變緩衝層的平 均組合比滿足2.7原子%的。
因此，根據本發明的另一實施例的氮化物類發光器件100’，在活性層140的下方形成包括第一應變緩衝層130a以及第二應變緩衝層130b的多層的應變緩衝層130，並且，透過調整各個層中銦的平均組合以及層的厚度，在層之間利用能夠使活性層140的應變最小化的比率，即，上述的0.3<A/C<1.8的範圍以及1.4<B/A<6.1的範圍，就能夠階段性地緩解活性層140的應變。
由此，透過減少活性層140的壓電區域，而且活性層140的結晶質得到改善，來提高活性層140內的電洞和電子的再結合效率，進而能夠提高活性層140的發光效率。
以下分別在根據本發明的第一應變緩衝層、第二應變緩衝層以及活性層中，變更銦的平均組合比率和各層的厚度，來評價光功率，並將其顯示在下面的表1中。其中，第二應變緩衝層與根據本發明的一實施例的應變緩衝層實質上相同。
在這裡，銦組合代表銦和鎵的整體原子中銦的平均組合(原子%)，ref.代表將第一應變緩衝層的平均組合/厚度設為0.4原子%/300nm(奈米)作為第二應變緩衝層使用氮化銦鎵/氮化鎵超晶格(將銦組合設為10原子%、1對的厚度設為135 Å(埃)，來形成6對)，活性層為氮化銦鎵/氮化鎵(將銦組合設為12原子%、1對的厚度設為135 Å(埃)，來形成6對)。
參照表1，能夠確認，當A/C的比率為0.6或者0.9時，光功率分別高達100%和99%，但是當A/C的比率為0.3和1.8時，光功率分別相對降低為95%和94%。
並且，能夠確認，當A/C的比率為0.6~0.7時，B/A的比率為1.4時的光功率和6.1時的光功率分別為87%和92%，與當B/A的比率為2.5、3.5、4.3、5.2時的光功率99%~100%相比，相對降低。
從實驗結果可以得出，包括氮化銦鎵/氮化鎵結構的活性層的氮化物類發光器件，在為了提高光功率效率，而形成第二應變層和活性層的情況下，較佳地，B/A的比率滿足1.4<B/A<6.1的範圍。並且，較佳地，在形成第一應變層以及第二應變層和活性層的情況下，A/C的比率滿足0.3<A/C<1.8的範圍，B/A的比率滿足1.4<B/A<6.1的範圍。在滿足上述的範圍時，通過緩解發光器件中的活性層的應變，來提高活性層的內部量子效率，進而能夠提高光功率。
雖然本發明已以較佳實施例揭露，然其並非用以限制本發明，任何熟習此項技藝之人士，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種更動與修飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、100’‧‧‧氮化物類半導體器件
110‧‧‧基板
120‧‧‧第一氮化物半導體層
130‧‧‧應變緩衝層
130a‧‧‧第一應變緩衝層
130b‧‧‧第二應變緩衝層
140‧‧‧活性層
150‧‧‧第二氮化物半導體層
160‧‧‧第一電極
170‧‧‧第二電極
第1圖：本發明的一實施例的氮化物類發光器件的剖視圖。
第2圖：根據第1圖的活性層以及應變緩衝層的一實施例的銦的側視圖。
第3圖：根據第1圖的活性層以及應變緩衝層的另一實施例的銦的側視圖。
第4圖：本發明的另一實施例的氮化物類發光器件的剖視圖。
第5圖：根據第4圖的活性層以及應變緩衝層的一實施例的銦的側視圖。
第6圖：根據第4圖的活性層以及應變緩衝層的另一實施例的銦的側視圖。
100‧‧‧氮化物類半導體器件
110‧‧‧基板
120‧‧‧第一氮化物半導體層
130‧‧‧應變緩衝層
140‧‧‧活性層
150‧‧‧第二氮化物半導體層
160‧‧‧第一電極
170‧‧‧第二電極

Claims (10)

  1. 一種氮化物類發光器件，其包括：第一氮化物半導體層，摻雜有第一導電型雜質；應變緩衝層，包含氮化銦鎵而形成於該第一氮化物半導體層上；活性層，形成於該應變緩衝層上，並具有由量子阱層和量子勢壘層交替層疊的多重量子阱結構；以及第二氮化物半導體層，形成於該活性層上，並摻雜有與該第一導電型雜質相反的第二導電型雜質；在該應變緩衝層以及該活性層中，將各自的銦的平均組合和各層的厚度的乘積分別定義為A、B時，B/A的比率為1.4<B/A<6.1。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之氮化物類發光器件，其中該應變緩衝層的銦的平均組合比低於該活性層的銦的平均組合比。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之氮化物類發光器件，其中該量子阱層包含氮化銦鎵；該量子勢壘層包含氮化鎵。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之氮化物類發光器件，其中該應變緩衝層由量子阱層和量子勢壘層交替層疊而成。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之氮化物類發光器件，其中該應變緩衝層的量子阱層包含氮化銦鎵；該應變緩衝層的量子勢壘層包含氮化鎵。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之氮化物類發光器件，其中該應變緩衝層包括：第一應變緩衝層，第二應變緩衝層，形成於該第一應變緩衝層的下方；該第一應變緩衝層的B/A的比率為1.4<B/A<6.1，將該第二應變緩衝層的銦的平均組合和各層的厚度的乘積定義為C時，A/C的比率為0.3<A/C<1.8。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之氮化物類發光器件，其中該第二應變緩衝層的銦的平均組合比低於該第一應變緩衝層的銦的平均組合比。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之氮化物類發光器件，其中該第二應變緩衝層的量子阱層包含氮化銦鎵；該第二應變緩衝層的量子勢壘層包含氮化鎵。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之氮化物類發光器件，其中該第二應變緩衝層的厚度為100埃至5000埃。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之氮化物類發光器件，其中該第一氮化物半導體層摻雜有n型雜質；該第二氮化物半導體層摻雜有p型雜質。
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