TW201324029A - 光罩 - Google Patents

Abstract

本發明在提供一種用以改善半導體設計元件微影製程空間(Process window)的光罩，包含一透光基板、複數個間隔設置於該透光基板表面，可阻隔該曝光光源穿透的遮光圖案，及複數個允許該曝光光源通過並由該些遮光圖案界定出的透光區，特別的是該些遮光圖案具有不同厚度，利用具有至少兩種厚度之遮光層的光罩，令曝光光源於通過該光罩的透光區時因光行經路徑長度不同產生不同的光學現象而在該光阻層形成不同深度的聚焦平面，用以改善該光阻層於曝光顯影後形成之光阻圖案變形失真的問題，而可擴大微影製程空間。

Description

光罩

本發明是有關於一種光罩，特別是指一種針對不同的半導體設計圖形尺寸或半導體設計圖形密集度(pattern loading)之具有不同遮光層厚度，以提升微影製程空間的光罩。

隨著電子產品電路元件的密集度不斷提高，半導體微影成像技術也不斷地隨之演進，以符合製作出更微細化影像的需求。擴大焦距深度(Depth of focus，DOF)以增加微影製程空間(Process window)有助減少產品的重工率與良率損失，而改善解析度也是微影技術中重要的課題。提昇解析度的方式有許多種，例如：使用較大數值孔徑(Numerical aperture)的透鏡、或使用更短波長的曝光光源，從過去的I-line(波長=365奈米)，轉換到現今已廣泛使用的深紫外光KrF(波長=248奈米)，及ArF(波長=193奈米)，另外，相位移光罩、偏軸式照射(Off-axis illumination)等技術也可增強解析能力。

一般，在半導體元件的製作過程中，需要分別利用多道的光罩製程使晶圓上之光阻圖案化，並成為例如：蝕刻或離子植入步驟前之遮罩。參閱圖1、圖2，圖1顯示一種目前用於形成不同線路密度的二元式光罩1及經該光罩1曝光後在一晶圓100上形成的光阻線路圖案102，圖2則是一微影曝光系統200及與該光罩1相對位置示意圖。該光罩1的結構包含一片基板11及一預設圖案12，該預設圖案12具有多數個彼此交錯設置且厚度實質相同的金屬遮光層121及多數個由相鄰兩遮光層121共同界定出之透光區122。當在該光罩1上設計並製作出該預設圖案12後，利用如圖2所示的微影曝光系統200，將該光罩1置放於該微影曝光系統200中，並經一曝光光源201照射，便可將該預設圖案12轉移至晶圓100上的光阻層101，之後再將曝光後的光阻層101經過曝光後烘烤(post exposure bake，以下簡稱PEB)、顯影等後續步驟即可將該晶圓100上的光阻層101成型出特定之光阻圖案102，該光阻圖案102具有與該光罩1之遮光層121形狀相似的線路103(line)及對應該透光區122的間隙104(space)。

其中，該光罩1上的預設圖案12經曝光光源照射後會在透鏡之相反側的一聚焦平面(Focal plane)成像，當該聚焦平面與一最佳的光阻平面重疊時，經過後硬化及顯影步驟後會得到解析度最佳的光阻圖案102。然而，由於聚焦透鏡的品質不佳或是曝光光源通過該些透光區122而照射至該光阻層101時，會因為該些透光區122密度不同、或是經曝光後的光阻於PEB等後續製程時，會因為氫離子擴散程度的差異令該光阻層101在同一聚焦平面產生不同濃度的光酸，使得在不同線路密度區域形成的光阻圖案會有光阻行為表現不一致的解析度問題；或是因為光線在通過該些透光區122時，於鄰近該些遮光層121邊緣產生的繞射現象，使得該些透光區122與該遮光層121之間的光強度對比降低，造成顯影後圖案失真；或是因為該晶圓表面凹凸不平使得形成於該晶圓上的光阻厚度不均勻，而曝光後因為通過該光罩的曝光光源會聚焦在該光阻的同一水平面上，因此，對不同厚度的光阻層101而言，也容易造成顯影後形成之光阻圖案表現不一致的解析度問題，或是局部圖案在對準時會產生聚焦深度變化或失焦(Defocus)而產生線寬變異超過規格範圍、邊緣粗糙度變差，或光阻截面輪廓變差的問題，而導致例如，如圖3A所示在高線路密度區域形成之線路103有頂部面積過小、高度不足，或是如圖3B、3C所示在線路103的末端有圓弧化(rounding)的現象、或是末端產生足部(footing profile)，或是因為形成之間隙104的關鍵尺寸誤差導致該間隙104產生頸縮(necking)等顯影圖案失真問題。

傳統在解決失焦所造成的顯影後圖案失真的努力上，有的針對微影設備改良，有的將曝光過程可能造成失焦的因子建構出即時偵測並回饋修正的系統，另外，目前在半導體製程中，當確定進行微影曝光前，會先挑選產品晶圓進行對焦曝光矩(Focus Exposure Matrix)的量測來決定最佳的製程焦距值。然而，已揭露的眾多方法中，對於在同一晶片上因線路密度差異或是結構之平坦度不均等問題造成的顯影解析度不佳或是微區域失焦等問題仍然沒有較好的改善方式。

因此，本發明之目的，即在提供一種針對不同的半導體設計圖形尺寸或半導體設計圖形密集度(pattern loading)設計，而可提升微影製程空間的光罩。

此外，本發明之另一目的，即在提供一種用以改善光阻層於曝光顯影後形成之光阻圖案變形失真問題的光罩。

於是，本發明之光罩用以形成與一半導體元件線路相對應的光阻圖案，包含一透光基板、複數個遮光圖案，及複數個透光區。

該透光基板允許該曝光光源通過，該些遮光圖案間隔設置於該透光基板表面，可阻隔該曝光光源而令穿透過該等遮光圖案之光的能量低於光阻的感光能量，該些透光區是由該些遮光圖案界定出，允許該曝光光源通過而令該光阻感光，該些遮光圖案共同構成預計形成之該光阻圖案，並具有至少兩種厚度。

此外，本發明之光罩包含一透光基板、一個遮光單元，及複數個透光區。

該透光基板允許該曝光光源通過，該遮光單元設置於該透光基板表面，可阻隔該曝光光源而令穿透過該遮光單元之光的能量低於光阻的感光能量，該些透光區由該遮光單元界定出並允許該曝光光源通過而令該光阻感光，其中，該遮光單元具有多個彼此間隔排列的第一遮光圖案，且該每一個第一遮光圖案具有至少兩種不同的厚度。

本發明之功效在於：利用具有至少兩種厚度之遮光圖案的光罩，令曝光光源於通過該光罩的透光區時產生不同的光學現象並在該光阻層形成不同深度的聚焦平面，用以改善該光阻層於曝光顯影後形成之光阻圖案變形失真的問題，而可擴大微影製程空間。

有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之三個較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。

在本發明被詳細描述之前，要注意的是，在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

本發明的光罩可以是一種倍縮式光罩，即光罩上之線路圖案可以5:1或4:1的比例微縮轉移至一如圖1所示具有一光阻層101的晶圓100上，並經由顯影製程後令該光阻層101形成與後續欲轉移在該晶圓100上之電路結構相同之光阻圖案。要說明的是，該光罩的圖案係依據最終形成在該晶圓100的線路圖案設計，例如線路密度不同，或是再依據該晶圓100的構成材料差異、表面形態差異等，而製作形成具不同密集度(Proximity)或線寬分佈(linearity)之遮光圖案，因此不以圖中所示為限制。

該光阻圖案係利用該微影曝光系統200，將該光罩置放於該微影曝光系統200中，並經一曝光光源201照射，令通過該光罩的曝光光源201令該光阻層101的局部區域感光，最後再將該感光後之光阻101層經過顯影製程後即可得到。

該微影曝光系統200是利用光學投影技術之步進機或掃描步進機，包括將該曝光光源201聚集至光罩的聚焦透鏡202，以及令光罩上圖案成像至該晶圓100上之投影透鏡203等等組件，該曝光光源201可使用波長為248奈米或193奈米之深紫外光(DUV)，甚至是極深紫外光(EUV)。於下述實施例中的光罩均是以4:1方式微縮轉移至該晶圓100作說明。

參閱圖4，本發明的一第一較佳實施例是提供一種光罩3，用以令一蓋覆在一晶圓上之光阻層形成具有相同之線路密度的光阻圖案為例作說明。

該預定形成之光阻圖案為具有多條彼此間隔設置並由光阻材料構成的線路(Line)及多個由該些線路界定之間隙(Space)，該光罩3具有與該光阻圖案相對應之遮光圖案32，且於圖4中所示之該光罩3僅為顯示部分結構。

該光罩3包含一透光基板31、多個遮光圖案32，及多個透光區33。

所述遮光圖案32具有多條彼此相間隔並交錯地形成於該透光基板31上的第一遮光層321及第二遮光層322，可阻隔該曝光光源201而令穿透過該等第一、二遮光圖案321、322之光的能量低於該光阻層的感光能量，該每一透光區33是由相鄰的一第一遮光層321及一第二遮光層322所共同界定，允許該曝光光源201通過而令該光阻層感光，且所述第一遮光層321與第二遮光層322具有不同厚度。

要說明的是，間距的定義是指該形成的光阻圖案的一條線(Line)的寬度加上其相鄰近的一個間隙(Space)的寬度，在本實施例中，在該晶圓上所欲成型之線路圖案(Pattern)之間的間距(Pitch)是小於140奈米，因此，在4倍光罩的圖案設計下，每一個第一遮光層321及每一個第二遮光層322與各自相鄰的一透光區33所定義出的間距小於560奈米。

進一步地說明，該些遮光圖案32可完全或部份阻隔該曝光光源201穿透，其材料可選自：MoSi、ToSi₂、Nb₂O₅、MoO₃、MoN、Cr₂O₃、TiN、ZrN、TiO₂、TaN、Ta₂O₅、SiO₂、NbN、Si₃N₄、ZrN、Al₂O₃N、MoSi、MoSiN、MoSiON、MoSiO、CrOC、CrONC、Cr、Mo、Ti、Ta、鐵氧化物、無機材料，或此等之一組合。

該透光基板31是由允許深紫外光照射穿透的材料構成，例如由石英玻璃(Quartz)所製成，而由於光罩製程中對於該些遮光圖案32的尺寸，例如：線寬一致性(CD uniformity)、鉻膜厚度一致性(Chromium thickness uniformity)或鉻膜截面輪廓(Edge profile)等皆需要嚴密控制在規格範圍內，較佳地，所述遮光圖案32的高度是介於5~200奈米(nm)之間，且所述第一遮光層321與第二遮光層322的厚度差不小於20。

當該曝光光源201通過該光罩3時，由於該些透光區是由具有不同厚度之第一、二遮光層321、322所界定出，因此，當光線通過該每一透光區33時，鄰近該第一、二遮光層321、322的邊緣會產生不同的繞射現象，而可改變該透光區33及與該透光區33相鄰之第一、二遮光層321、322區域的光強度對比，而可藉此修正習知該曝光光源201於通過具有相同厚度之遮光圖案121的光罩後因繞射現象而容易在高密度線路區造成形成的線路圖案產生頂部表面積不足，或是有高度不足(shortening)的問題，可讓形成之光阻圖案得到修正，而提升曝光顯影製程容許程度。

值得一提的是，該些遮光圖案32亦可結合輔助線或利用光學近階修正技術(Optical proximity correction)進行設計修正，而該光罩3也可是一種相位移光罩或是二元式光罩。

此外，要再說明的是，由於該光阻圖案的線(Line)及間隙(Space)的寬度會依據預計成形在該晶圓上之電路結構的線路密度(pattern density)不同而有所不同，換言之，該光罩3的遮光圖案32及透光區33也會對應欲形成之該光阻圖案而設計成具有不同寬度，且該些遮光圖案32則可對應不同寬度的透光區33而呈現不同的厚度表現，而可藉此讓形成之不同線路密度的圖案得到修正。

本發明的一第二較佳實施例是提供一種光罩4，用以令一蓋覆在一晶圓上之光阻層形成預定的光阻圖案。於本較佳實施例中該光阻圖案為具有多條彼此間隔設置並由光阻材料構成的線路(Line)及多個由該些線路界定之間隙(Space)。

參閱圖5，圖5所示為該第二較佳實施例之光罩4的仰視立體圖。

該光罩4包含一透光基板41，多個遮光圖案42，及多個透光區43。

所述遮光圖案42為相間隔地設置於該透光基板41上，可阻隔該曝光光源201而令穿透過所述遮光圖案42之光的能量低於該光阻層的感光能量，由於該透光基板41及該些遮光圖案42的構成材料與該第一較佳實施例相同因此不再贅述。

其中，該每一遮光圖案42具有一與該透光基板41表面連接的第一遮光層421，及一實質自該第一遮光層421表面的中央位置向遠離該透光基板41方向延伸的第二遮光層422，所述透光區43是由所述遮光圖案42所共同界定，允許該曝光光源201通過而令該光阻層感光；較佳地，該每一個遮光圖案42與相鄰的一透光區43所定義出的間距是小於560奈米。

而在製程便利性的考量下該第二遮光層422可選用與該第一遮光層421不同蝕刻選擇比的材料，例如：該第一遮光層421可選自鉻，該第二遮光層422可選自氮化鉭(TaN)。如此，則可經由適當的蝕刻反應氣體的選用，當進行該第一遮光層421的圖案化蝕刻時，該第二遮光層422可作為硬質遮罩，而當進行第二遮光層422之圖案化蝕刻時，其下之第一遮光層421可為蝕刻訊號的終止層。此外，所述第二遮光層422的材質亦可使用與該第一遮光層421相同的材質，例如：皆是金屬鉻膜，但在蝕刻過程中便需要精密的蝕刻時間控制，以成型出所需的厚度與立體型態。而由於光罩製程中對於該些遮光圖案42的尺寸，例如：線寬一致性(CD uniformity)、鉻膜厚度一致性(Chromium thickness uniformity)或鉻膜截面輪廓(Edge profile)等皆需要嚴密控制在規格範圍內，較佳地，該些遮光圖案42的高度是介於5~200奈米(nm)之間，且所述第一遮光層421與第二遮光層422的厚度差不小於20。

當該曝光光源201通過該光罩4時，會將所述遮光圖案42轉移至該光阻層，之後再經過PEB及顯影步驟後即可令該光阻層形成具有多條與所述第一遮光圖案42對應的線路(line)，及多個對應該些透光區43且無光阻材料存在的間隙(space)的光阻圖案。

本案利用該遮光圖案42的第一遮光層421與第二遮光層422的厚度差異，讓通過所述透光區43的光線在鄰近該第一、二遮光層421、422的邊緣產生不同的繞射現象，增加光強度的對比，並用以微調該光罩4與該投影透鏡203之間的距離，令光線在該光阻層產生不同深度的聚焦平面，而可藉以改善習知光線通過所述透光區122時，因為繞射影響造成所述遮光層121與透光區122的光強度對比降低，及因為該光阻層在於PEB等後續製程時，會因為光酸擴散程度的差異，令該光阻層在同一聚焦平面產生不同濃度的光酸，導致該形成之間隙產生頸縮(necking)的顯影圖案失真問題，而可提升曝光顯影製程容許程度。

參閱圖6，要說明的是，該些第一遮光圖案42還可具有至少一自該第一遮光層421的兩端部423延伸的第三遮光層424，而形成如圖6所示具有不同態樣的遮光單元42a、42b、42c，該些遮光單元42a~42c為配合半導體線路設計而可單獨或混合存在，如此可令該遮光圖案42藉由該些遮光單元42a、42b、42c厚度的差異性，改善習知該光阻層於曝光顯影後形成之不同線路因為繞射造成光強度對比降低所產生的顯影圖案失真的問題。

此外，參閱圖7，當欲利用一光罩上之遮光圖案於一光阻層形成一凹槽時，則可結合前述圖5及圖6所示之該些遮光圖案42，得到一具有如圖7所示之遮光圖案42’的光罩4’，圖7所示為該光罩4’的仰視立體圖。

該光罩4’具有一呈矩形的透光區43’，該遮光圖案42’具有一與該透光基板41連接並環圍該透光區43’的第一遮光層421’、一環圍該第一遮光層421’的兩對邊的第三遮光層424’，及一自該第一遮光層421’對應該透光區43’的中間位置延伸的第二遮光層422’，而讓該遮光圖案42’的中央及兩對邊具有較大厚度，藉以改善曝光形成後之凹槽的關鍵尺寸誤差及形成之凹槽的周緣圓化(rounding)的問題。要說明的是，當預計形成的凹槽尺寸較小時，則可不需再形成該第二遮光層422’，即只需令該遮光圖案42’於對應該透光區43’的其中兩對邊具有較大厚度即可。

參閱圖8，本發明的一第三較佳實施例是提供一種光罩5，包含一透光基板51、多個遮光圖案52，及多個透光區53。

該每一個遮光圖案52具有一與該透光基板51表面連接並具有一第一厚度T1的第一遮光層521及一自該第一遮光層521鄰近該透光基板51的其中一側邊延伸並與該透光基板51表面連接的第二遮光層522，該第二遮光層具有一第二厚度T2且該第二厚度T2小於該第一厚度T1，該些透光區53具有複數個第一透光區531及複數個第二透光區532，且該每一個第一透光區531是由相鄰的兩個第一遮光層521共同界定出，該每一個第二透光區532是由相鄰的兩個第二遮光層522共同界定出，任一個遮光圖案52與相鄰的一第一透光區531定義出一第一間距S1，任一個遮光圖案52與相鄰的一第二透光區532定義出一第二間距S2，該第一間距S1不同於該第二間距S2，且該第一、二間距S1、S2不大於560奈米。較佳地，該些遮光圖案52的高度是介於5~200奈米(nm)之間，且所述第一遮光圖案521與第二遮光圖案522的厚度差不小於20。

利用該些遮光圖案52的第一遮光層521及第二遮光層522的厚度差異，讓通過該些具有不同寬度的第一、二透光區531、532的光線在鄰近該第一遮光層521及第二遮光層522的邊緣產生不同的繞射效應，使光線在該第一、二透光區531、532與第一、二遮光層521、522之間的強度對比值產生差異，而可改善習知因為光線通過透光區122的繞射影響，導致該光阻層於對應所述遮光層121位置的區域也吸收到光線曝光而使後續對應形成的該些線路產生頂部變形，表面積不足或是有高度不足(shorting)的問題，可讓形成之線路圖案得到修正，而提升曝光顯影製程容許程度。

此外，要說明的是，圖5所示的該些遮光圖案42與圖8所示的該些遮光圖案52可針對光阻圖案線路的佈局設計而同時應用於同一光罩。

綜上所述，本發明該光罩主要藉由形成具有至少兩種厚度之遮光圖案(第一、二遮光層)，不僅可微調光罩與投影透鏡之間的距離來達到產生不同深度的聚焦平面的目的，以修正形成之光阻圖案的顯影解析度差異問題，並同時利用該些遮光圖案的厚度差異，讓通過所述透光區的光線在鄰近該些透光區的邊緣產生不同的繞射效應，使光線在該每一透光區及與該透光區相鄰之遮光圖案之間的光強度對比值產生差異，而可改善習知因為光線通過透光區122的繞射影響，所導致的顯影圖樣失真的問題，而可提升曝光顯影製程容許程度並可擴大對焦製程空間。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

200．．．微影曝光系統

201．．．曝光光源

202．．．晶圓

203．．．聚焦透鏡

204．．．投影透鏡

3．．．光罩

31．．．透光基板

32．．．遮光圖案

321．．．第一遮光層

322．．．第二遮光層

33．．．透光區

4．．．光罩

41．．．透光基板

42．．．遮光圖案

421．．．第一遮光層

422．．．第二遮光層

423．．．端部

424．．．第三遮光層

43．．．透光區

4’．．．光罩

42’．．．遮光圖案

421’．．．第一遮光層

422’．．．第二遮光層

424’．．．第三遮光層

43’．．．透光區

5．．．光罩

51．．．透光基板

52．．．遮光圖案

521．．．第一遮光層

522．．．第二遮光層

53．．．透光區

531．．．第一透光區

532．．．第二透光區

T1．．．第一厚度

T2．．．第二厚度

S1．．．第一間距

S2．．．第二間距

圖1是一局部剖面示意圖，顯示習知的二元式光罩結構；

圖2是一示意圖，說明該微影曝光系統及其與光罩的相對關係；

圖3A~3C是一示意圖，說明利用習知二元式光罩形成之光阻圖案顯影失真的態樣；

圖4是一局部剖面示意圖，說明本發明光罩之第一較佳實施例；

圖5是一仰視立體示意圖，說明本發明光罩之第二較佳實施例；

圖6是一局部立體示意圖，說明圖4中該遮光圖案的不同實施態樣；

圖7是一仰視立體示意圖，說明用於形成一凹槽的光罩態樣；及

圖8是一局部剖面示意圖，說明本發明之第三較佳實施例。

3．．．光罩

31．．．透光基板

32．．．遮光圖案

321．．．第一遮光層

322．．．第二遮光層

33．．．透光區

Claims (18)

1. 一種光罩，用以形成與一半導體元件線路對應的光阻圖案，包含：一透光基板，允許該曝光光源通過；複數個遮光圖案，間隔排列設置於該透光基板表面，可阻隔該曝光光源而令穿透過該等遮光圖案之光的能量低於光阻的感光能量，該些遮光圖案共同構成預計形成之該光阻圖案，並具有至少兩種厚度；及複數個透光區，由該些遮光圖案界定出，允許該曝光光源通過而令該光阻感光。
2. 依據申請專利範圍第1項所述之光罩，其中，兩相鄰的遮光圖案具有不同厚度且厚度差不小於20 。
3. 依據申請專利範圍第1或2項所述之光罩，其中，該些遮光圖案的厚度介於5~200nm。
4. 依據申請專利範圍第1項所述之光罩，其中，任一個遮光圖案與相鄰一透光區的寬度共同定義出一間距，且該間距不大於560奈米。
5. 依據申請專利範圍第1或2項所述之光罩，其中，該些遮光圖案其中至少一個具有至少兩種厚度，且其厚度差不小於20 。
6. 依據申請專利範圍第1所述之光罩，其中，該光罩為一種相位移光罩。
7. 依據申請專利範圍第1所述之光罩，其中，該光罩為一種二元式光罩。
8. 一種光罩，包含：一透光基板，允許一曝光光源通過；一個遮光單元，設置於該透光基板表面，可阻隔該曝光光源而令穿透過該遮光單元之光的能量低於光阻的感光能量，該遮光單元具有多個彼此間隔排列的第一遮光圖案，且該每一個第一遮光圖案具有至少兩種不同的厚度：及複數個透光區，由該遮光單元界定出並允許該曝光光源通過而令該光阻感光。
9. 依據申請專利範圍第8項所述之光罩，其中，該每一個第一遮光圖案具有一層與該透光基板表面連接的第一遮光層，及一層自該第一遮光層遠離該基板的部分表面向遠離該基板方向延伸的第二遮光層，該第二遮光層是自該第一遮光層表面的中間延伸，且該第一、二遮光層的厚度差不小於20 。
10. 依據申請專利範圍第8或9項所述之光罩，其中，該每一個第一遮光圖案具有一層與該透光基板表面連接的第一遮光層及一形成於該第一遮光層表面的第三遮光層，該第一遮光層的表面具有相對遠離的兩個端部，該第三遮光層是由其中至少一端部向遠離該第一遮光層的表面方向延伸，且該第一遮光層與該第三遮光層的厚度差不小於20 。
11. 依據申請專利範圍第8項所述之光罩，其中，任一個第一遮光圖案與相鄰透光區的寬度共同定義出一間距，該間距不大於560奈米。
12. 依據申請專利範圍第8項所述之光罩，其中，該每一個第一遮光圖案具有一與該透光基板表面連接並具有一第一厚度的第一遮光層及一自該第一遮光層鄰近該基板的其中一側邊延伸並與該透光基板表面連接的第二遮光層，該第二遮光層具有一第二厚度且該第二厚度小於該第一厚度，該些透光區具有複數個第一透光區及複數個第二透光區，且該每一第一透光區是由相鄰的兩個第一遮光層共同界定出，該每一第二透光區是由相鄰的兩個第二遮光層共同界定出。
13. 依據申請專利範圍第12項所述之光罩，其中，任一個第一遮光圖案與相鄰的一第一透光區共同界定出一第一間距，任一個第二遮光圖案與相鄰的一第二透光區共同界定出一第二間距，該第一間距不同於該第二間距，且該第一、二間距均不大於560奈米。
14. 依據申請專利範圍第10項所述之光罩，其中，該遮光單元還具有複數個第二遮光圖案，該每一個第二遮光圖案具有一與該透光基板表面連接並具有一第一厚度的第四遮光層及一自該第四遮光層鄰近該基板的其中一側邊延伸並與該透光基板表面連接的第五遮光層，該第五遮光層具有一第二厚度且該第二厚度小於該第一厚度，該些透光區具有複數個第一透光區、第二透光區，及第三透光區，該些第一透光區是由該些第一遮光圖案共同界定出，該每一第二透光區是由相鄰的兩個第四遮光層共同界定出，該每一第三透光區是由相鄰的兩個第五遮光層共同界定出。
15. 依據申請專利範圍第14項所述之光罩，其中，任一個第二遮光圖案與相鄰的一第一透光區共同界定出一第一間距，任一個第二遮光圖案與相鄰的一第二透光區共同界定出一第二間距，且該第一間距不同於該第二間距。
16. 依據申請專利範圍第15項所述之光罩，其中，該第一、二間距不大於560奈米，且該第四遮光層與該第五遮光層的厚度差不小於20 。
17. 依據申請專利範圍第8項所述之光罩，其中，該光罩為一種相位移光罩。
18. 依據申請專利範圍第8項所述之光罩，其中，該光罩為一種二元式光罩。