TW201310300A - 觸控感測方法以及裝置 - Google Patents

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Abstract

一種觸控感測方法，用以偵測感測陣列。此感測陣列包括至少一感測列。此觸控感測方法包括：根據自此感測列擷取之複數感測資料信號獲得一感測曲線；判斷此感測曲線之一曲線特徵是否與複數預設曲線特徵中一者相同；以及根據關於感測列之該判斷結果來獲知該感測列之觸控狀況。另提供一種觸控感測裝置。本發明可降低干擾雜訊對於感測陣列的偵測影響，並能提高偵測感測陣列觸控狀況的精確度。

Description

觸控感測方法以及裝置
本發明係有關於一種觸控感測技術，特別是有關於一種適用於感測陣列之觸控感測方法及其感測裝置。
第1圖係表示單一物體觸控感測陣列中一感測列之示意圖。參閱第1圖，感測列10包括配置成一列之複數感測胞C1-1～C1-14。一般而言，對感測列10的一次觸控偵測會導致一系列的信號讀取。舉例來說，當單一物體(例如一手指，即單一觸控點)11觸控感測列10上鄰近感測胞C1-6與C1-7附近之位置時，自感測胞C1-1～C1-14讀出的複數感測資料信號之強度呈現一高斯曲線(Gaussian Curve)。另，在一些應用中，感測列10可能被複數物體所觸控，參照第2圖表示兩物體觸控感測陣列中一感測列之示意圖，當一物體20觸控感測列10上鄰近感測胞C1-4附近之位置，而另一物體21觸控感測列10上鄰近感測胞C1-8附近之位置時，自感測胞C1-1～C1-14讀出的複數感測資料信號之強度呈現兩個高斯曲線。
在習知技術中，根據高斯曲線可區別出真正表示觸控感測列10受到觸控之實際資料與干擾雜訊。一般而言，大多會設定一最小臨界值以判斷出實際資料。然而，假使感測列10上被觸控的面積相對小，那麼此觸控所衍生的實際資料將會被視為干擾雜訊，因此在此情況下設定最小臨界值給高斯曲線之方式則不再適用。
因此，期望提供一種觸控感測方法及觸控感測裝置，能精確地偵測出觸控感測陣列之物體位置等觸控狀況。
有鑒於此，本發明提供一種觸控感測方法，用以偵測一感測陣列。此感測陣列包括至少一感測列。此觸控感測方法包括：根據自此感測列擷取之複數感測資料信號獲得一感測曲線；判斷此感測曲線之一曲線特徵是否與複數預設曲線特徵中一者相同；以及根據關於感測列之判斷結果來獲知感測列之觸控狀況。
在一實施例中，這些感測資料信號係表示與感測列中複數感測胞相關之電容值。此外，感測列之觸控狀況可包括以下至少一者：感測列是否被至少一物體觸控、觸控感測列之物體數量、觸控感測列之至少一物體在感測列上之位置、觸控感測列之一至少物體在感測列上之觸控面積。
本發明又提供一種觸控感測裝置，用以偵測一感測陣列。此感測陣列包括至少一感測列。此觸控感測裝置包括計算單元、判斷單元、以及偵測單元。計算單元根據自感測列擷取之複數感測資料信號獲得一感測曲線。判斷單元判斷此感測曲線之一曲線特徵是否與複數預設曲線特徵之一者相同。偵測單元根據關於測感測列之判斷結果來偵測感測陣列之觸控狀況。
在一實施例中，這些感測資料信號係表示與感測列中複數感測胞相關之電容值。此外，計算單元更計算複數感測資料信號中每兩感測資料信號之差以獲得複數差動值，且判斷單元根據這些差動值來獲得感測曲線。
在另一實施例中，待偵測感測列之觸控狀包括以下至少一者：感測列是否被至少一物體觸控、觸控感測列之物體數量、觸控感測列之至少一物體在感測列上之座標、以及觸控感測列之至少一物體在感測列上之觸控面積。
根據本發明之觸控感測裝置與觸控感測方法，關於待偵測感測列之感測曲線的特徵可與預設的曲線特徵進行比對。藉由曲線特徵的比對，可降低干擾雜訊對於感測陣列的偵測影響，並能提高偵測感測陣列觸控狀況的精確度。
為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
第3圖係表示根據本發明實施例之觸控感測裝置的示意方塊圖。如第3圖所示，觸控感測裝置3係用來偵測施加在感測陣列4上的觸控狀況。第4圖表示根據本發明實施例第3圖之感測陣列，如第4圖所示，感測陣列4包括感測列4-1～4-N(N為正整數)，每一感測列具有複數個感測胞。例如，感測列4-1包括感測胞C4-1～C4-M(M為正整數)。觸控感測裝置3包括計算單元30、判斷單元31、以及偵測單元32。判斷單元31包括一記憶體310以及一曲線處理器311，其中，記憶體310用來儲存複數種預設曲線特徵。在此實施例中，這些預設曲線特徵是指曲線輪廓，而每一曲線輪廓係根據一系列不受干擾雜訊影響之複數差動值而獲得的。
請參閱第5A～5C圖，表示一感測列之觸控情況以及對應之一系列差動值與曲線輪廓。如第5A圖所示，為一感測列5之觸控情況，假設一感測列5具有複數感測胞C5-1～C5-M。在不受干擾雜訊影響之下，當單一物體(例如一手指，即單一觸控點)50觸控感測列5上對應感測胞C5-6之位置時，自感測胞C5-1～C5-M讀出的感測資料信號之強度呈現一高斯曲線(Gaussian Curve)G50。此時，根據感測資料信號中每兩感測資料信號之差可獲得複數差動值。第5B圖所示的差動值D5-1～D5-4是當單一物體50觸控感測列5時的有意義差動值，舉例來說，差動值D5-1是感測胞C5-5與C5-6之感測資料信號間的差值，差動值D5-2是感測胞C5-6與C5-7之感測資料信號間的差值。根據差動值D5-1～D5-4可獲得對應之感測曲線P50，如第5C圖所示。
在此實施例中，曲線輪廓可由以下6個幾何符號來表示：
(1)　正三角形▲：表示一全範圍，其中對應之複數差動值皆為正值，且該複數差動值從左至右依次先增大後減小。
(2)　倒正三角形▼：表示一全範圍，其中對應之差動值皆為負值，且該複數差動值從左至右依次先減小後增大。
(3)　直角三角形◣：表示一半範圍，其中對應之差動值皆為正值，且該複數差動值從左至右依次減小。
(4)　倒直角三角形◥：表示一半範圍，其中對應之差動值皆為負值，且該複數差動值從左至右依次增大。
(5)　兩個正三角形▲▲：表示兩個全範圍峰值，其中對應之差動值皆為正值。
(6)　兩個倒正三角形▼▼：表示兩個全範圍峰值，其中對應之差動值皆為負值。
請再次參閱第5B～5C圖，在單一觸控點(即單一物體50之觸控)下產生兩個負差動值D5-1～D5-2以及兩個正差動值D5-3～D5-4，此時，差動值D5-1～D5-4所形成之感測曲線P50的曲線輪廓以◥◣來表示。
請參閱第6A～6B圖，為其他樣態之一系列差動值以及對應之曲線輪廓。在單一觸控點下產生兩個負差動值D6-1～D6-2以及三個正差動值D6-3～D6-5，此時，差動值D6-1～D6-5所形成之感測曲線P60的曲線輪廓以◥▲來表示。
請參閱第7A～7B圖，為其他樣態之一系列差動值以及對應之曲線輪廓。在單一觸控點下產生三個負差動值D7-1～D7-3以及兩個正差動值D7-4～D7-5，此時，差動值D7-1～D7-5所形成之感測曲線P70的曲線輪廓以▼◣來表示。
請參閱第8A～8B圖，為其他樣態之一系列差動值以及對應之曲線輪廓。在單一觸控點下產生三個負差動值D8-1～D8-3以及三個正差動值D8-4～D8-6，此時，差動值D8-1～D8-6所形成之感測曲線P80的曲線輪廓以▼▲來表示。
請參閱第9A～9B圖，為其他樣態之一系列差動值以及對應之曲線輪廓。在兩觸控點下產生五個負差動值D9-1～D9-5以及五個正差動值D9-6～D9-10，此時，差動值D9-1～D9-10所形成之感測曲線P90的曲線輪廓以▼▼▲來表示。根據第9B圖，在前半個曲線中具有兩個峰值，分別對應差動值D9-2以及D9-5。
請參閱第10A～10B圖，為其他樣態之一系列差動值以及對應之曲線輪廓。在兩觸控點下產生五個負差動值D10-1～D10-5以及五個正差動值D10-6～D10-10，此時，差動值D10-1～D10-10所形成之感測曲線P10的曲線輪廓以▼▲▲來表示。根據第10B圖，在後半個曲線中具有兩個峰值，分別對應差動值D10-6以及D10-8。
請參閱第11A～11B圖，為其他樣態之一系列差動值以及對應之曲線輪廓。在兩觸控點下產生五個負差動值D11-1～D11-5以及五個正差動值D11-6～D11-10，此時，差動值D11-1～D11-10所形成之感測曲線P11的曲線輪廓以▼▼▲▲來表示。根據第11B圖，在前半個曲線中具有兩個峰值，分別對應差動值D11-2以及D11-5；在後半個曲線中具有兩個峰值，分別對應差動值D11-6以及D11-9。
判斷單元31之記憶體310至少預先儲存第5B、6B、7B、8B、9B、10B、以及11B圖中的感測曲線P50、P60、P70、P80、P90、P10、以及P11的曲線輪廓作為預設曲線輪廓。
第12圖係表示根據本發明實施例之觸控感測方法的示意流程圖，適用於觸控感測裝置3。參閱第3～4以及12圖，計算單元30耦接感測陣列4。計算單元30自複數感測列4-1～4-N中選擇一者作為待偵測感測列以進行感測操作(步驟S10)，例如選擇感測列4-1作為待偵測感測列。對感測列4-1之感測操作說明如下。計算單元30由感測列4-1之感測胞C4-1～C4-M擷取複數感測資料信號S4-1～S4-M(步驟S11)。其中，感測資料信號S4-1～S4-M分別表示與感測胞C4-1～C4-M相關之電容值，這些電容值會隨著一物體接近感測胞C4-1～C4-M而改變。計算單元30計算感測資料信號S4-1～S4-M中每兩感測資料信號之差以獲得複數差動值D4-1～D4-X(X為正整數，且1<X<M)(步驟S12)。計算單元30根據這些差動值D4-1～D4-X來獲得對應感測列4-1之一感測曲線P40(步驟S13)。
舉例來說，請參閱第13A～13C圖，是表示根據本發明實施例，即一感測列之觸控情況以及感測資料信號對應之差動值與曲線輪廓的一例子。當單一物體(例如一手指，即單一觸控點)130觸控感測列4-1上鄰近感測胞C4-6與C4-7之位置時，自感測胞C4-1～C4-M讀出的感測資料信號S4-1～S4-M之強度呈現一高斯曲線(Gaussian Curve)G130。計算單元30由感測列4-1之感測胞C4-1～C4-M擷取感測資料信號S4-1～S4-M(步驟S11)，且計算感測資料信號S4-1～S4-M中每兩感測資料信號之差以獲得複數差動值D4-1～D4-X(步驟S12)。第13B圖所示的差動值D4-1～D4-5是當單一物體130觸控感測列4-1時的有意義差動值，舉例來說，差動值D4-1是感測胞C4-5與C4-6之感測資料信號S4-5與S4-6間的差值，差動值D4-2是感測胞C4-6與C4-7之感測資料信號S4-6與S4-7間的差值差動值。計算單元30根據差動值D4-1～D4-5來獲得對應感測列4-1之感測曲線P40(步驟S13)，如第13C圖所示，在此情況下的感測曲線P40的曲線輪廓為◥▲。
在一些應用中，感測列4-1可能被複數物體所觸控，舉例來說，請參閱第14A-14C圖，表示根據本發明實施例，即一感測列之觸控情況以及感測資料信號對應之差動值與曲線輪廓的另一例子。當一物體(例如一手指)140觸控感測列4-1上鄰近感測胞C4-4之位置且另一物體(例如一手指)141觸控感測列4-1上鄰近感測胞C4-8之位置時，自感測胞C4-1～C4-M讀出的感測資料信號S4-1～S4-M之強度呈現兩個高斯曲線G140及G141。計算單元30由感測列4-1之感測胞C4-1～C4-M擷取感測資料信號S4-1～S4-M(步驟S11)，且計算感測資料信號S4-1～S4-M中每兩感測資料信號之差以獲得複數差動值D4-1～D4-X(步驟S12)。第14B圖所示的差動值D4-1～D4-10是當兩物體140及141觸控感測列4-1時的有意義差動值，舉例來說，差動值D4-1是感測胞C4-1與C4-2之感測資料信號S4-1與S4-2間的差值。計算單元30根據差動值D4-1～D4-10來獲得對應感測列4-1之感測曲線P40(步驟S13)，如第14C圖所示，在此情況下的感測曲線P40的曲線輪廓為▼▼▲▲。根據第14C圖可得知，在本案實施例中，當兩物體140及141(即兩觸控點)觸控感測列4-1時，在兩個一半的曲線中，都會出現兩個峰值。舉例來說，在前半個曲線中出現兩個峰值，分別對應差動值D4-2以及D4-5；而在後半個曲線中出現兩個峰值，分別對應差動值D4-7以及D4-9。然而，在其他兩觸控點的情況下，可能只在一個一半的曲線範圍(前半個曲線或後半個曲線)中出現兩個峰值。
在獲得對應感測列4-1之感測曲線後，判斷單元31之曲線處理器311可對此感測曲線執行優化處理(步驟S14)。所謂曲線優化處理，可為但不限定於傳統的曲線優化方式，乃用來剔除感測曲綫中較明顯的噪點。在此實施例中，曲線處理器311可不必對每一感測曲線執行優化處理，即步驟S14可略過。接著，判斷單元31判斷此感測曲線P40之曲線輪廓(◥▲/▼▼▲▲)是否與記憶體310中所預先儲存之感測曲線P50、P60、P70、P80、P90、P10、以及P11之曲線輪廓中之一者相同(步驟S15)。假使判斷單元31判斷出對應感測列4-1之感測曲線P40與記憶體310中所預先儲存之感測曲線P50、P60、P70、P80、P90、P10、以及P11之曲線輪廓中之一者相同時，則將判斷結果通知偵測單元32，其中，該判斷結果包括對應感測列4-1之感測曲線與哪一預設曲線輪廓相同。偵測單元32則可根據關於感測列4-1之判斷結果來偵測感測列4-1之觸控狀況(步驟S16)，包括感測列4-1是否被至少一物體觸控、觸控感測列4-1之物體數量、觸控感測列4-1之至少一物體在感測列4-1上之位置、以及/或觸控感測列4-1之一至少物體在感測列4-1上之觸控面積。之後，觸控感測裝置3結束感測操作。
舉例來說，當判斷單元31判斷出對應感測列4-1之感測曲線P40之曲線輪廓與記憶體310中所預先儲存之感測曲線P60之曲線輪廓◥▲相同時，偵測單元32則可根據此判斷結果來偵測出感測列4-1係被單一物體觸控，如同第13A圖中物體130觸控感測列4-1上鄰近感測胞C4-6與C4-7之位置。由於感測曲線P40係根據有意義差動值D4-1～D4-5而獲得，因此偵測單元32可根據差動值D4-1～D4-5來得知此單一物體在感測列4-1上觸控位置與面積。
或者，當判斷單元31判斷出對應感測列4-1之感測曲線P40之曲線輪廓與記憶體310中所預先儲存之感測曲線P11之曲線輪廓▼▼▲▲相同時，偵測單元32則可根據此判斷結果來偵測出感測列4-1係被兩物體觸控，如同第14A圖中，一物體140觸控感測列4-1上鄰近感測胞C4-4之位置且另一物體141觸控感測列4-1上鄰近感測胞C4-8之位置。由於感測曲線P40係根據有意義差動值D4-1～D4-10而獲得，因此偵測單元32可根據差動值D4-1～D4-10來得知該此兩物體在感測列4-1上觸控位置與面積。
假使判斷單元31判斷出對應感測列4-1之感測曲線不與記憶體310中所預先儲存之預設曲線輪廓中任一者相同時，則結束對感測列4-1之感測操作。
根據上述實施例，在判斷單元31判斷出對應感測列4-1之感測曲線不與記憶體310中所預先儲存之一預設曲線輪廓相同之步驟S15後以及在對於感測列4-1之偵測步驟S16後，結束感測操作。而在一些實施例中，在判斷單元31判斷出對應感測列4-1之感測曲線不與記憶體310中所預先儲存之一預設曲線輪廓者相同之步驟S15後以及在對於感測列4-1之偵測步驟S16後，可回到步驟S10，計算單元30可繼續自複數感測列4-2～4N中選擇另一者作為待偵測感測列以進行相同之感測操作，例如選擇感測列4-1之下一感測列4-2，作為待偵測感測列。計算單元30、判斷單元31、以及偵測單元32則執行與上述步驟S11～S16相同之操作。當偵測單元32得知關於感測列4-1～4N中至少兩感測列、一部分感測列、或者是全部感測列之判斷結果時，偵測單元32則可根據這些判斷結果來偵測感測陣列4之觸控狀況，包括感測陣列4是否被至少一物體觸控、觸控感測陣列4之物體數量、觸控感測陣列4之至少一物體在感測陣列4上之座標、以及/或觸控感測陣列4之至少一物體在感測陣列4上之觸控面積。
根據上述，本發明實施例之觸控感測裝置3預先儲存了多種樣態曲線輪廓以供待偵測感測列之感測曲線進行比對。藉由曲線輪廓的比對可排除干擾雜訊的影響。此外，本發明實施例之觸控感測裝置3不需設定最小臨界值，因此，即使感測陣列4被觸控的面積相對小，也能精確地偵測出感測陣列4之觸控狀況。
此外，根據本發明實施例，假使觸控感測陣列4之物體的尺寸越大(該物體之尺寸正比於觸控面積)且在一感測列上每兩感測胞之間距離越小，判斷單元31所獲得之感測曲線能更符合物體對感測胞觸控之實際觸控，使得根據感測曲線而偵測之感測陣列4之觸控狀況能更加精確。
本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
第1圖：
10．．．感測列
11．．．物體
C1-1...C1-14．．．感測胞
第2圖：
10．．．感測列
20、21．．．物體
C1-1...C1-14．．．感測胞
第3圖：
3．．．觸控感測裝置
～4．．．感測陣列
30．．．計算單元
31．．．判斷單元
32．．．偵測單元
310．．．記憶體
311．．．優化處理器
P40．．．感測曲線
S4-1...S4-M．．．感測資料信號
第4圖：
4．．．感測陣列
4-1...4-N．．．感測列
C4-1...C4-M．．．感測胞
第5A～5C圖；
5N．．．感測列
C5-1...C5-M．．．感測胞
D5-1...D5-4．．．差動值
P50．．．感測曲線
第6A～6B圖；
D6-1...D6-5．．．差動值
P60．．．感測曲線
第7A～7B圖；
D7-1...D7-5．．．差動值
P70．．．感測曲線
第8A～8B圖；
D8-1～D8-6．．．差動值
P80．．．感測曲線
第9A～9B圖；
D9-1...D9-10．．．差動值
P90．．．感測曲線
第10A～10B圖；
D10-1...D10-10．．．差動值
P10．．．感測曲線
第11A～11B圖；
D11-1...D11-10．．．差動值
P11．．．感測曲線
第A～B圖；
第12圖：
S10...S16．．．方法步驟
第13A～13C圖：
4-1．．．感測列
130．．．物體
C4-1...C4-M．．．感測胞
D4-1...D4-5．．．差動值
G130．．．高斯曲線
P40．．．感測曲線
第14A～14C圖：
4-1．．．感測列
140、141．．．物體
C4-1...C4-M．．．感測胞
D4-1...D4-5．．．差動值
G140、G141．．．高斯曲線
P40．．．感測曲線
第1圖表示單一物體觸控感測陣列中一感測列之示意圖；
第2圖表示兩物體觸控感測陣列中一感測列之示意圖；
第3圖表示根據本發明實施例之觸控感測裝置的示意方塊圖；
第4圖表示根據本發明實施例第3圖之感測陣列；
第5A～5C圖表示一感測列之觸控情況以及對應之一系列差動值與曲線輪廓；
第6A～6B、7A～7B、8A～8B、9A～9B、10A～10B、以及11A～11B圖表示其他樣態之一系列差動值以及對應之曲線輪廓；
第12圖表示根據本發明實施例之觸控感測方法的示意流程圖；
第13A～13C圖表示根據本發明實施例，一感測列之觸控情況以及感測資料信號對應之差動值與曲線輪廓的一例子；以及
第14A-14C圖表示根據本發明實施例，一感測列之觸控情況以及感測資料信號對應之差動值與曲線輪廓的另一例子。
3．．．觸控感測裝置
4．．．感測陣列
30．．．計算單元
31．．．判斷單元
32．．．偵測單元
310．．．記憶體
311．．．優化處理器
P40．．．感測曲線
S4-1...S4-M．．．感測資料信號

Claims (20)

  1. 一種觸控感測方法，用以偵測一感測陣列，該感測陣列包括至少一感測列，該觸控感測方法包括：(a)根據自該感測列擷取之複數感測資料信號獲得一感測曲線；(b)判斷該感測曲線之一曲線特徵是否與複數預設曲線特徵中一者相同；以及(c)根據關於該感測列之該判斷結果來獲知該感測列之觸控狀況。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測方法，更包括優化該感測曲線。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測方法，其中，該步驟(a)包括：計算該等感測資料信號中每兩感測資料信號之差，以獲得複數差動值；以及根據該等差動值來獲得該感測曲線。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測方法，其中，該曲線特徵以及該等預設曲線特徵為曲線輪廓。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測方法，其中，該感測列之觸控狀況包括以下至少一者：該感測列是否被至少一物體觸控、觸控該感測列之物體數量、觸控該感測列之至少一物體在該感測列上之位置、觸控該感測列之一至少物體在該感測列上之觸控面積。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測方法，其中，每一該感測列包括複數感測胞，且該等感測資料信號分別擷取自該等感測胞。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之觸控感測方法，其中，該等感測資料信號表示與該感測列之該等感測胞相關之電容值。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之觸控感測方法，其中，當該感測陣列包括依序配置之複數感測列時，自該等感測列中每次選擇一者作為一待偵測感測列，且該等感測列中至少兩者被選擇。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之觸控感測方法，更包括：當獲得關於該等感測列中至少兩者的該等判斷結果時，根據該等判斷結果來獲知該感測陣列之觸控狀況。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之觸控感測方法，其中，該感測陣列之觸控狀況包括以下至少一者：該感測陣列是否被至少一物體觸控、觸控該感測陣列之物體數量、觸控該感測陣列之至一物體在該感測陣列上之座標、以及觸控該感測陣列之至一物體在該感測陣列上之觸控面積。
  11. 一種觸控感測裝置，用於偵測一感測陣列，該感測陣列包括至少一感測列，包括：一計算單元，用以根據自該感測列擷取之複數感測資料信號獲得一感測曲線；一判斷單元，用以判斷該感測曲線之一曲線特徵是否與複數預設曲線特徵之一者相同；以及一偵測單元，用以根據關於該感測列之該判斷結果來偵測該感測列之觸控狀況。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之觸控感測裝置，其中，該判斷單元包括一曲線處理器，用以對該感測曲線執行優化處理。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之觸控感測裝置，其中，該計算單元更計算該等感測資料信號中每兩感測資料信號之差以獲得複數差動值，且該判斷單元根據該等差動值來獲得該感測曲線。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之觸控感測裝置，其中，該曲線特徵以及該等預設曲線特徵為曲線輪廓。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之觸控感測裝置，其中，該感測列之觸控狀包括以下至少一者：該感測列是否被至少一物體觸控、觸控該感測列之物體數量、觸控該感測列之至少一物體在該感測列上之座標、以及觸控該感測列之至少一物體在該感測列上之觸控面積。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之觸控感測裝置，其中，該感測列包括複數感測胞，且該計算單元分別自該感測胞擷取該等感測資料信號。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之觸控感測裝置，其中，該等感測資料信號表示與該測感測列之該等感測胞相關之電容值。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之觸控感測裝置，其中，當該感測陣列包括依序配置之複數感測列時，該計算單元自該等感測列中每次選擇一者作為一待偵測感測列，且該等感測列中至少兩者被選擇。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之觸控感測裝置，其中，當該判斷單元獲得關於該等感測列中至少兩者的該等判斷結果時，該偵測單元根據該等判斷結果來獲知該感測陣列之觸控狀況。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之觸控感測裝置，其中，該感測陣列之觸控狀況包括以下至少一者：該感測陣列是否被至少一物體觸控、觸控該感測陣列之物體數量、觸控該感測陣列之至少一物體在該感測陣列上之座標、以及觸控該感測陣列之至少一物體在該感測陣列上之觸控面積。
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