TW201303976A - 植入工件的方法與太陽能電池 - Google Patents

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Benjamin B Riordon
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Abstract

一種植入工件的方法，包括以n型摻質在第一區植入工件，第一區具有中心及周邊的第一區。也以p型摻質在第二區植入工件，第一區與第二區互補。第二區也具有中心及周邊。第一區的周邊與第二區的周邊至少部份重疊。在第一區或第二區的周邊的劑量少於在第一區或第二區的中心的劑量。重疊區可作用成電荷載流子無法通過的接面。

Description

使用離子束尾端製造工件
本發明是有關於離子植入，且特別是有關於一種太陽能電池的離子植入。
離子植入(ion implantation)為用來將轉換電性的雜質導進工件內的一種標準技術。將所期望的雜質材料在離子源(ion source)中離子化，離子經加速以形成指定能量的離子束(ion beam)，且離子束被導向工件的表面。在離子束中帶有能量的離子，穿透進工件材料主體中，並嵌入進工件材料的晶格(crystalline lattice)中，以形成具有所需電性的區域。
太陽能電池(solar cells)是使用矽工件的裝置之一。任何減少高品質太陽能電池的製造成本或任何對高效能太陽能電池的效率改善可對於世界各地在採用太陽能電池方面有正面影響。此也可增加更多可利用的無汙染能源科技。
太陽能電池通常由p-n半導體接面(p-n semiconducting junction)所組成。圖1為交指背接觸(interdigitated back contact,IBC)太陽能電池的剖面圖。在交指背接觸(IBC)太陽能電池205中，接面是在背部上或在未照光的表面。在這特定的實施例中，交指背接觸太陽能電池205具有n型底座(n-type base)206、n+前面場(front surface field)207、鈍化層(passivating layer)208及抗反射膜(anti-reflective coating,ARC)209。在一例子中，鈍化層208可以是二氧 化矽(SiO2)，且抗反射膜209可以是氮化矽(SiNx)，然而也可以使用其它材料或是介電質(dielectrics)。光子(photon)214透過上(或照光的)表面進入交指背接觸太陽能電池205，如箭頭所示。這些光子214通過抗反射膜209，其被設計用來將從交指背接觸太陽能電池205反射的光子214的數量最少量化。光子214透過n+前面場207進入。帶著足夠能量(高於半導體的能隙(bandgap))的光子214能夠將在半導體材料的價電帶(valence band)內的電子提昇至導電帶(conductive band)。和此自由電子有關聯的是一個在價電帶中的對應的帶正電電洞。
發射極區(emitter region)215在交指背接觸太陽能電池205的背側。在這特定的實施例中，發射極區215的摻雜圖案(doping pattern)為交互的p型與n型摻雜區(dopant region)。n+背面場204大約寬450 μm，且以磷(phosphorus)或其它n型掺質摻雜。p+發射極203大約寬1450 μm，且以硼(boron)或其它p型掺質摻雜。此摻雜可使在交指背接觸太陽能電池205內的接面產生作用或具有增加的效能。此交指背接觸太陽能電池205也包括鈍化層212、n型接觸指(contact fingers)210、p-型接觸指211以及穿過鈍化層212的接觸孔(contact holes)213。
要形成交指背接觸太陽能電池205，至少需要二個圖案化摻雜步驟。如果p+發射極203及n+背面場204在這些圖案化摻雜步驟之後重疊，且重疊區具有屬於n型與p型掺質的高度掺質濃度，則在p+射極203與n+背面場204 之間會有一個非常狹窄的空乏區(depletion region)。此意味著在p+發射極203與n+背面場204之間的分流(shunting)會發生。介於1×1018 cm-2至1×1019 cm-2之間或大約中量的1019 cm-2的高度掺質濃度會導致分流。
要避免此分流，需將p+發射極203與n+背面場204緊密對準，讓此重疊不會發生。不過，即使沒有重疊發生．如果p+發射極203及n+背面場204碰觸，那麼電荷載流子(charge carrier)可以利用量子穿隧(quantum tunneling)跨越p+發射極203與n+背面場204之間。在此情形下，在p+發射極203與n+背面場204之間的空間電荷區(space charge region)將會變淺而啟動量子穿隧。由於p+發射極203與n+背面場204在發射極區215中位於交指背接觸太陽能電池205的同一側，此量子穿隧也可分流在p+發射極203與n+背面場204之間的任何接面。
藉由將p+發射極203與n+背面場204之間的距離增加至例如是1 μm，可改善交指背接觸太陽能電池205。但是，要同時維持對準二個圖案化摻雜步驟以保持此距離並且確保p+發射極203及n+背面場204不會靠近到使量子穿隧是有困難的。將p+發射極203及n+背面場204之間的距離增加至較大的尺寸(dimension)也是有困難的。如果p+發射極203及n+背面場204之間存在大的未摻雜區(undoped region)，則電荷載流子將不會從交指背接觸太陽能電池205的表面退去。除非此表面經充份鈍化，否則再結合(recombination)可在此未摻雜區的表面發生。再結合使交指 背接觸太陽能電池205的電壓及電流衰減。所以，此發明所屬技術領域需要一個摻雜太陽能電池的改善方法，特別是，一個利用離子植入來摻雜交指背接觸太陽能電池的改善方法。
根據本發明第一方面來說，提供一種植入工件的方法。此方法包括將工件以n型掺質植入在第一區。此第一區有中心及周邊。工件以p型掺質植入在與第一區互補的第二區，第二區有中心及周邊。第一區的周邊及第二區的周邊至少部份重疊。在第一區的周邊的劑量少於在第一區的中心的劑量，且在第二區的周邊的劑量少於在第二區的中心的劑量。
根據本發明第二方面來說，提供一種植入工件的方法。此方法包括以第一掺質植入工件的整個表面。工件以第二掺質植入在第二區，第二區為表面的一部份(fraction)。第二區有中心及周邊，且在中心比在周邊有更大劑量。
根據本發明第三方面來說，提供一種太陽能電池。此太陽能電池包括具有第一表面的工件。多個n型區在第一表面內，每個n型區具有中心及周邊。n型區的中心比n型區的周邊有更大劑量。多個p型區在第一表面中，此第一表面與多個n型區互補。每個p型區具有中心及周邊。p型區的中心比p型區的周邊有更大劑量。p型區的周邊與n型區的周邊至少部份重疊。
根據本發明第四方面來說，提供一種太陽能電池。此太 陽能電池包括具有第一表面的工件。此第一表面被摻雜為第一導電型至第一深度。多個第二區在第一表面內。每個第二區被摻雜為與第一導電型相反的第二導電型，且每個第二區具有中心及周邊。第二區的中心比第二區的周邊有更大劑量。空間電荷區在多個第二區之間。
此方法的實施例搭配離子植入機(ion implanter)於此描述。可使用束線離子植入機(Beamline ion implanters)、電漿摻雜離子植入機(plasma doping ion implanters)、聚焦電漿系統(focused plasma systems)、調制電漿鞘的系統(systems that modulate a plasma sheath)或淹沒式離子植入機(flood ion implanters)。不過，氣體擴散法(gaseous diffusion)、爐擴散法(furnace diffusion)、雷射摻雜(laser doping)、其它電漿處理工具或其它為本發明所屬領域技術者所知的方法也可以用在全面性(blanket)或選擇性(selective)植入或摻雜步驟中。雖然列出特定的n型及p型掺質，但其他n型或p型掺質亦可替代使用，且這裡的實施例不單限於所列出的掺質。而且，雖然特別列出太陽能電池的特定實施例，但此處理的實施例可以應用在其它的太陽能電池設計，或甚至是其它的工件，像是半導體晶圓、發光二極體(LED)或平板。此外，雖稱為第一或第二，這裡所揭露的實施例中的步驟可以任何順序發生，並且不限於此處所列的確切順序。此命名只是為了解釋之便。所以，本發明並不限於以下所述之特定實施例。
圖2為繪示劑量輪廓的第一實施例的曲線圖。透過蔽蔭遮罩(shadow mask)或模板遮罩(stencil mask)所植入的完全平行的離子束將在工件中產生植入區，並在植入區與未植入區之間有急遽的轉折。此蔽蔭遮罩或是模板遮罩可以座立在工件上或是設置在工件的上游處。圖2繪示出藉由完全平行的離子束植入之後的工件中的劑量輪廓，其具有非常尖銳或明顯植入區的邊緣。
圖3為繪示劑量輪廓的第二實施例的曲線圖。任何離子束都有固有的(inherent)角度擴展，如空間電荷效應造成的角度擴展或是離子束膨脹造成的角度擴展。此角度擴展是指在植入區和未植入區間的轉折，其並不是如圖2所見那麼急遽。相反的，在圖3中的轉折反映出角度的分佈及蔽蔭遮罩或模板遮罩與工件的幾何形狀。所以，肩部100及尾端101於劑量輪廓中形成。如果蔽蔭遮罩或模板遮罩的背部與工件之間的距離減少，則尾端101會縮減。如果蔽蔭遮罩或模板遮罩的前部與工件之間的距離減少，則肩部100會縮減。兩者都將使圖3中的劑量輪廓與圖2中的劑量輪廓更接近。
離子束的角度擴展和蔽蔭遮罩或模板遮罩與工件的幾何形狀可以用來產生可輕微摻雜工件的n型區和p型區間的空隙的尾端101。此可以應用於太陽能電池，如圖1中的交指背接觸太陽能電池205。
圖4為繪示劑量輪廓的第三實施例的曲線圖。在此實施例中，區103具有第一導電型，區104(由虛線表示)有第 二導電型。這些導電型可以是相反的，且可以表示n型和p型摻雜區。也有區105，在區105中，區103和區104重疊。這些區105可以作為電荷載流子無法通過的接面。此接面在相同數量的第一導電型及第二導電型的掺質都存在時會發生。離子束的尾端用以輕微地摻雜在區103與區104之間的區105。在太陽能電池中，如交指背接觸太陽能電池205，此輕微的摻雜提供抑制電荷載流子移動至表面及再結合的電場。摻雜程度可設置為低到足夠防止或減少量子穿隧。
圖5A至圖5B為植入工件的第一實施例的剖面圖。在圖5A中，工件300以第一物種304植入。工件300可以是矽，並且可用以製造太陽能電池。第一物種304是透過在遮罩301中的開孔303所植入。此遮罩301可以是蔽蔭遮罩或模板遮罩，且在本實施例中，繪示出工件300的上游。遮罩301阻擋第一物種304植入工件300，除了透過開孔303以外。
第一物種304在工件300中形成第一區305。第一區305具有中心及在範圍306的每一末端處的周邊。第一區305的範圍306稍微大於開孔303的範圍307。有部分原因是由在離子束中的第一物種304的空間電荷所造成。
在圖5B中，工件300以第二物種310植入。第二物種310透過遮罩308中的開孔309植入。此遮罩308可以是蔽蔭遮罩或模板遮罩，且在本實施例中，繪示出工件300的上游。遮罩308阻擋第二物種310植入工件300，除了 透過開孔309以外。在一實施例中，第一物種304和第二物種310具有相反的導電型，所以其一為n型，而另一個為p型。
第二物種310在工件300中形成第二區311。第二區311具有中心和在範圍312的每一末端處的周邊。第二區311的範圍312稍微大於開孔309的範圍313。有部份原因是由在離子束中的第二物種310的空間電荷所造成。在本實施例中的第二區311和第一區305為彼此互補或對準。
第一區305和第二區311兩者可具有劑量梯度或輪廓，所以各自在中心比在周邊有更大的劑量。在圖5B中，第一區305的周邊與第二區311的周邊重疊。此重疊區315，即圖5B中陰影處，包含n型和p型物種兩者。接面在n型物種和p型物種的濃度相同處形成。也形成空乏區，且隨著重疊區315中的掺質濃度減少，此空乏區的深度增加。當接面在夠低的掺質濃度時，空乏區會深至足以防止電荷載流子的量子穿隧。
在一例子中，圖5B中的第一區305和第二區311可以是圖1中交指背接觸太陽能電池205的p+發射極203和n+背面場204，不過也可能有其它設計或實施例。雖然圖5B僅繪示一個第一區305和一個第二區311，然而多個第一區305和第二區311可以用於工件300的全部表面。尾端，如同圖3中所繪示出的，可用以或可調整以形成接面或重疊區315。
圖6A至圖6B為植入工件的第二實施例的剖面圖。在 圖6A中，工件300以第一物種316植入。工件300可以是矽，且可用以製造太陽能電池。第一物種316在工件300中形成第一區317。在一例子中，第一物種316的植入可以是工件300的整個表面的全面性植入，且為均勻的。
在圖6B中，工件300以第二物種320植入。第二物種320透過遮罩318中的開孔319植入。此遮罩318可以是蔽蔭遮罩或模板遮罩，且在本實施例中，繪示出工件300的上游。遮罩318阻擋第二物種320植入工件300，除了透過開孔319以外。在一實施例中，第一物種316和第二物種320具有相反的導電型，所以其一為n型，另一個為p型。
第二物種320在工件300中形成第二區321。在本實施例中，第二區321只是工件300表面的一部份。第二區321具有中心和在範圍322的每一末端處的周邊。第二區321的範圍322稍微大於開孔319的範圍323。有部份原因是由在離子束中的第二物種320的空間電荷所造成。雖然第二區321繪示成植入得比第一區317來得深，但第二區321也可以是比較淺或和第一區317大約一樣深。
第二區321可以具有劑量梯度或輪廓，以使得第二區321在中心比在周邊具有更大的劑量。此第二區321或是第二區321內的較大劑量可大於第一區317的劑量。所以，反摻雜(counterdoping)可能發生。空間電荷區324位在第二區321的周邊的每一末端處。在第二區321或第一區317周邊中的掺質輪廓經組態以防止在全面空間電荷區324的 分流。在一例子中，在圖6B中的第一區317和第二區321可以是圖1中交指背接觸太陽能電池205的p+發射極203和n+背面場204，不過也可能有其它設計或實施例。雖然圖6B中只繪示出一個第二區321，但多個第二區321可以用於工件300的所有表面。尾端，如圖3中所繪示出的，可以用以或可調整以形成第二區321或空間電荷區324。
圖7為植入工件的第三實施例的剖面圖。在一實施例中，圖7為圖6A至圖6B的實施例的一附加步驟，在圖7中，工件300以第三物種327植入。在第一例子中，第三物種327可與圖6A中的第一物種316相同。第三物種327透過遮罩325中的開孔326植入。此遮罩325可以是蔽蔭遮罩或模板遮罩，且在本實施例中，繪示出工件300的上游。遮罩325阻擋第三物種327植入工件300，除了透過開孔326以外。在一實施例中，第三物種327和第二物種320具有相反的導電型，所以其一為n型，而另一個為p型。
第三物種327在工件300中形成第三區328。在本實施例中，第三區328只是工件300表面的一部份。各個第三區328具有中心和在範圍329的每一末端處的周邊。第三區328的範圍329稍微大於開孔326的範圍330。有部份原因是由離子束中的第三物種327的空間電荷所造成。雖然第三區328繪示成植入得比第一區317來得深(由工件300的表面處至虛線處)，但第三區328也可以是比較淺或與第一區317大約一樣深。第三區328可以植入至與第二 區321大約一樣的深度或不一樣的深度。
第二區321和第三區328兩者皆具有劑量梯度或輪廓，以致於各自在中心處比在周邊處有較大劑量。在圖7中，第二區321的周邊和第三區328的周邊重疊。重疊區331，即圖7中陰影處，包含n型及p型物種兩者，且形成接面。在一例子中，圖7中的第二區321及第三區328可以是圖1中交指背接觸太陽能電池205的p+發射極203及n+背面場204，不過也可能有其它設計或實施例。雖然圖7中只繪示出一個第二區321，但多個第二區321和第三區328可以用於工件300的全部表面。
雖然圖5A至圖5B、6A至圖6B和圖7繪示出特定數量的區，此作法是為了簡化。有些工件在全部表面上有更多的植入區。例如，這些植入區可介於大約450 μm至1450 μm。所以，繪示出的實施例可在工件的一些或整個表面重覆。在一實施例中，太陽能電池在整個表面包含多個植入區。而且，在圖5A至圖5B、圖6A至圖6B和圖7中揭露的劑量梯度或輪廓可為多種。例如，劑量可以由中心至周邊持續減少。當然，也有其它可能的劑量梯度或輪廓。在一特別的實施例中，在中心具有1×1015 cm-2至3×1015 cm-2的劑量，而在周邊具有1×1013 cm-2至1×1014 cm-2的劑量。如果分流得以預防，在中心或周邊的劑量不一樣是可能的。
有很多方法可以達到或調整輕微摻雜的尾端或植入區的周邊。圖8是透過遮罩的植入的剖面圖。在本實施例中，物種402是透過遮罩400的開孔401植入。遮罩400 可以是蔽蔭遮罩或模板遮罩，且在本實施例繪示出工件300的上游。遮罩400阻擋第一物種402植入工件300，除了透過開孔401以外。植入區407具有中心和在範圍408的每一末端處的周邊。植入區407可以具有劑量梯度或輪廓，以致於植入區407在中心比在周邊有更大劑量。圖8中所繪示的尾端410可以促成在周邊處的較小劑量。
首先，在遮罩400和工件300之間的範圍403會影響任何植入在工件300中的肩部409或尾端410的尺寸。可增加範圍403，直到離子束裡的物種402的擴展增加以及在植入區407的中心的較大劑量區減少。例如，如果範圍408為大約500 μm，對於具有大約一度的離子束擴展的勿類402的離子束，範圍403大約是2-10 mm。
第二，遮罩400的範圍404會影響任何植入在工件300中的肩部409或尾端410的尺寸。此範圍404可以被最小化以擴大尾端410及縮窄肩部409或在植入區407的中心處的較大劑量區。
第三，在物種402的離子束及遮罩400之間的角度405會影響任何尾端410的尺寸。在圖8中，角度405大約為90°。一較小角度405可使一較寬的尾端410植入工件300。不過，只有位在肩部409一側的尾端410或位在植入區407的中心的較大劑量區會藉由使角度405小於90°而增加。
第四，代表物種402的離子束的離子束擴展的角度406會影響任何尾端410的尺寸。此角度406可調整，使得以與中間值相差甚遠的角度植入的離子束電流增加。光學透 鏡(如減速透鏡)可用於將離子束聚焦或擴展。在物種402的離子束中的空間電荷也會影響角度406。
在一實施例中，在工件300中的植入區407或其它植入區的周邊期望劑量已設定。調整範圍403有以使所期望的劑量植入進工件中。在另一個實施例中，角調整度405。這可改變物種402的離子束與工件300的表面之間的角度。所以，此植入無法垂直於工件300的表面而進行。在另一個實施例中，調整物種402的離子束(如角度406)或其它物種或離子束的角度分佈。這可以提供一期望劑量。當然，其它實施例也可改變以取得期望的劑量。此番改變將會影響藉由植入所形成的橫項劑量輪廓。
在一變化的實施例中，物種402的離子束或其它物種或離子束可被聚焦。此光學可調整，以使物種402的離子束或其它物種或離子束具有期望形狀的尾端。例如，可調整電壓、電漿鞘形狀或在電漿鞘與工件之間的距離。施加於聚焦元件或透鏡的偏壓也可調整。在有或沒有模板遮罩或蔽蔭遮罩的情況下，可發生離子束的聚焦。
在另一個實施例中，可使用修改電漿鞘的電漿系統。此系統可形成具有寬闊的尾端的輪廓。改變電漿鞘形狀會影響物種402的離子束或其它物種或離子束的角度擴展。
本揭露之範圍不限於此處所描述的特定實施例。更確切地，除了於此描述的部份之外，本發明所屬技術領域具有通常知識者當可從先前所述和所附圖示得知本揭露其它不同實施例及作潤飾。所以，此些不同實施例與潤飾皆視 同屬本揭露之範圍。並且，雖然本揭露是基於特別目的、於特別的環境中、在特別的執行情境下所描述，本發明所屬技術領域具有通常知識者將瞭解其實用性並不限於此，且本揭露可為了任何目的、在任何環境下作有益的執行。所以，以下的申請專利範圍應將以此描述的本揭露精神與廣度從寬闡釋。
100、409‧‧‧肩部
101、410‧‧‧尾端
103、104、105‧‧‧區
203‧‧‧p+發射極
204‧‧‧n+背面場
205‧‧‧交指背接觸太陽能電池
206‧‧‧n型底座
207‧‧‧n+前面場
208、212‧‧‧鈍化層
209‧‧‧抗反射膜
210‧‧‧n型接觸指
211‧‧‧p型接觸指
213‧‧‧接觸孔
214‧‧‧光子
215‧‧‧發射極區
300‧‧‧工件
301、308、318、325、400‧‧‧遮罩
303、309、319、326、401‧‧‧開孔
304、316‧‧‧第一物種
305、317‧‧‧第一區
306、307、312、313、322、323、329、330、403、404、408‧‧‧範圍
310、320‧‧‧第二物種
311、321‧‧‧第二區
315、331‧‧‧重疊區
324‧‧‧空間電荷區
327‧‧‧第三物種
328‧‧‧第三區
402‧‧‧物種
405、406‧‧‧角度
407‧‧‧植入區
為讓本揭露能更明顯易懂，所附圖式附上說明，加註說明之所附圖式於此併入，說明如下：圖1是交指背接觸太陽能電池的剖面圖。
圖2是繪示劑量輪廓的第一實施例的曲線圖。
圖3是繪示劑量輪廓的第二實施例的曲線圖。
圖4是繪示劑量輪廓剖面的第三實施例的曲線圖。
圖5A至圖5B是植入工件的第一實施例的剖面圖。
圖6A至圖6B是植入工件的第二實施例的剖面圖。
圖7是植入工件的第三實施例的剖面圖。
圖8是透過遮罩植入的剖面圖。
300‧‧‧工件
400‧‧‧遮罩
401‧‧‧開孔
402‧‧‧物種
403、404、408‧‧‧範圍
405、406‧‧‧角度
407‧‧‧植入區
409‧‧‧肩部
410‧‧‧尾端

Claims (20)

  1. 一種植入工件的方法，包括：以n型掺質在第一區植入所述工件，所述第一區具有中心和周邊；以及以p型掺質在與所述第一區互補的第二區植入所述工件，所述第二區具有中心和周邊，其中所述第一區的周邊和所述第二區的周邊至少部份重疊，且其中在所述第一區的周邊的劑量少於在所述第一區的中心的劑量，且在所述第二區的周邊的劑量少於在所述第二區的中心的劑量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之植入工件的方法，其中所述工件為太陽能電池。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之植入工件的方法，其中植入所述n型掺質和所述p型掺質個別包括透過設置在離所述工件一段距離的遮罩而植入，所述遮罩定義至少一開孔。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之植入工件的方法，更包括決定在所述第一區的周邊及所述第二區的周邊的期望劑量，且更包括調整所述遮罩與所述工件間的距離以在所述第一區的周邊及所述第二區的周邊植入所述期望劑量。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之植入工件的方法，其中植入所述n型掺質和植入所述p型掺質的至少其一包括在植入過程時聚焦所述n型掺質和所述p型掺質。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之植入工件的方法，其中以所述p型掺質植入和以所述n型掺質植入的至少其一 是以關於所述工件的表面的角度進行。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之植入工件的方法，更包括調整所述n型掺質和所述p型掺質的至少其一的角度分佈，所述調整是設置為改變所述第一區或所述第二區的橫向劑量輪廓。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之植入工件的方法，更包括以n型掺質或p型掺質二者之一植入所述工件以形成第三區，所述第三區包圍所述第一區和所述第二區，所述第一區和所述第二區延伸至深於所述第三區的深度。
  9. 一種植入工件的方法，包括：以第一掺質植入所述工件的整個表面；以及以第二掺質在第二區植入所述工件，第二區是所述表面的一部份，所述第二區具有中心和周邊，其中所述第二區在所述中心比在所述周邊具有更大劑量。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之植入工件的方法，其中所述工件為太陽能電池。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之植入工件的方法，其中所述第一掺質和所述第二掺質的其一為p型掺質，而另一為n型掺質。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之植入工件的方法，更包括以所述第一掺質在所述第一區植入所述工件的所述表面，所述第一區為所述表面的一部份，所述第一區具有中心和周邊，其中所述第一區在所述中心比在所述周邊具有更大劑量，且其中所述第一區的周邊與所述第二區的周 邊至少部份重疊。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之植入工件的方法，其中所述第一區和所述第二區延伸至深於以所述第一掺質植入所述工件的整個所述表面而形成的區域的深度。
  14. 太陽能電池，包括：具有第一表面的工件；在所述第一表面中的多個n型區，每個所述n型區具有中心和周邊，所述n型區的中心比在所述n型區的周邊具有更大劑量；以及在所述第一表面中的多個p型區，所述p型區和所述n型區互補，每個所述p型區具有中心和周邊，所述p型區的中心比在所述p型區的周邊具有更大劑量，其中所述p型區的周邊和所述n型區的周邊至少部份重疊。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的太陽能電池，更包括接面，所述接面位於所述n型區的周邊的劑量與所述p型區的周邊的劑量相同處。
  16. 太陽能電池，包括：具有第一表面的工件，所述第一表面經摻雜為第一導電型和經摻雜至第一深度；在所述第一表面中的多個第二區，每個所述第二區經摻雜為與所述第一導電型相反的第二導電型，每個所述第二區具有中心和周邊，所述第二區的中心比所述第二區的周邊具有更大劑量；以及在多個所述第二區之間的空間電荷區。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的太陽能電池，其中所述第一表面的整體均勻地摻雜為所述第一導電型和摻雜至所述第一深度。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的太陽能電池，其中所述第一導電型和所述第二導電型是選自由n型和p型所組成的族群。
  19. 如申請專利範圍第16項所述的太陽能電池，其中所述周邊的掺質輪廓是設置為預防在整個所述空間電荷區的分流。
  20. 如申請專利範圍第16項所述的太陽能電池，更包括在所述第一表面中的多個第一區，每個所述第一區經摻雜為所述第一導電型，每個所述第一區具有中心和周邊，所述第一區的中心比所述第一區的周邊具有更大劑量，其中所述第一區的周邊與所述第二區的周邊至少部份重疊，且其中所述第一區和所述第二區延伸至深於所述第一深度的深度。
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