TW201250900A - Bonding apparatus, bonding system, bonding method, program, and computer storage medium - Google Patents

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201250900 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明，係關於接合基板彼此之接合裝置、接合系統 、接合方法、程式及電腦記憶媒體。 【先前技術】 近年來’半導體裝置朝向筒集積化發展。在水平面內 配置高集積化的複數半導體裝置，以配線接續這些半導體 裝置而製品化的場合，配線長度增加，因此使配線的電阻 變大，此外還有配線延遲變大的疑慮。 爲此，提出了使用把半導體裝置3次元地層積之3次 元集積技術。於此3次元集積技術，例如使用貼合裝置， 進行2枚半導體晶圓（以下，簡稱「晶圓」）之接合。例 如貼合裝置，具有：以把2枚晶圓配置爲上下的狀態（以 下，把上側的晶圓稱爲「上晶圓」，把下側的晶圓稱爲「 下晶圓」）予以收容的真空室、及設於真空室內，按壓上 晶圓的中心部分之押動栓、以及支撐上晶圓的外周，同時 可由該上晶圓的外周退開的間隔件。此外，押動栓，被組 入以彈簧機構進行動作，以加重機構進行升降的加重賦予 裝置內。亦即，加重賦予裝置具有單動式之汽缸構造，藉 由相關構造按壓上晶圓之中心部分。使用以上的貼合裝置 的場合，爲了抑制產生晶圓間的空孔，使真空室內成爲真 空氛圍而進行晶圓彼此的接合。具體而言，首先，在以間 隔件支撐上晶圓的狀態，藉由押動栓按壓上晶圓的中心部 -5- 201250900 分，使該中心部分抵接於下晶圓。此後，使支撐上晶圓的 間隔件退開，使上晶圓的全面抵接於下晶圓的全面而貼合 (專利文獻1 )。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕 [專利文獻1]日本特開2004-207436號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 然而，使用記載於專利文獻1的貼合裝置的場合，加 重賦予裝置係以單動式汽缸構造按壓上晶圆的中心部分， 進行押動栓的移動之控制，進行施加於上晶圓的中心部分 的荷重的控制。如此般加重賦予裝置控制移動與荷重雙方 ，所以無法進行嚴密的荷重控制。如此一來，例如在按壓 上晶圓的中心部分時之荷重比所要的荷重更大的場合，會 有晶圓破損，製品的生產率降低之虞。此外，例如在按壓 上晶圓的中心部分時之荷重比所要的荷重更小的場合，會 有產生晶圆彼此的接合不良之虞。 本發明係有鑑於相關問題點而完成之發明，目的在於 適切地控制按壓基板時之荷重，適切地進行基板彼此的接 合。 〔供解決課題之手段〕 爲了達成前述目的，本發明係接合基板彼此的接合裝 -6- 201250900 置，特徵爲具有：於下面吸附保持第1基板的第1保持構 件，設於前述第1保持構件的下方，於上面載置而保持第 2基板的第2保持構件，以及設於前述第1保持構件，按 壓第1機板的中心部之押動構件；前述押動構件，具有與 第1基板的中心部抵接而控制施加於該第1基板的中心部 的荷重之致動器部，以及使該致動器部移動於鉛直方向的 汽缸部。 根據其他觀點之本發明，係具備前述接合裝置的接合 系統；具備：備有前述接合裝置的處理站，分別可以保有 複數之第1基板、第2基板或第1基板與第2基板被接合 之重合基板，且對前述處理站搬出搬入第1基板、第2基 板或重合基板的搬出搬入站；前述處理站，具有：改質第 1基板或第2基板之被接合的表面的表面改質裝置，使以 前述表面改質裝置改質的第1基板或第2基板的表面親水 化的表面親水化裝置，以及供對前述表面改質裝置、前述 表面親水化裝置及前述接合裝置，搬送第1基板、第2基 板或重合基板之用的搬送區域；在前述接合裝置，接合以 前述表面親水化裝置使表面被親水化之第1基板與第2基 板。 此外，根據其他觀點之本發明，係使用接合裝置接合 基板彼此之接合方法，特徵爲：前述接合裝置，具有於下 面吸附保持第1基板的第1保持構件，設於前述第1保持 構件的下方，於上面載置而保持第2基板的第2保持構件 ，以及設於前述第1保持構件，按壓前述第1基板的中心 201250900 部之押動構件；前述押動構件，具有與 抵接而控制施加於該第1基板的中心部 ，及使前述致動器部移動於鉛直方向的 方法，具有：將被保持於前述第1保持 與被保持於前述第2保持構件的第2基 向配置的配置步驟，及其後，藉由前述 器部移動於鉛直方向使該致動器部抵接 部，藉由前述致動器部控制對第1基板 重，按壓第1基板的中心部與第2基板 驟，其後，在第1基板的中心部與第2 壓的狀態，由第1基板的中心部朝向外 1基板與第2基板的接合步驟。 進而根據其他觀點之本發明，提供 讀取的電腦記憶媒體。 〔發明之效果〕 根據本發明，可以適切地控制按壓 切地進行基板彼此的接合。 【實施方式】 以下，針對本發明之實施型態進行 相關於本實施型態之接合系統1的構成 2係顯示接合系統1的內部構成的槪略；; 在接合系統1，如圖3所示例如接 第1基板的中心部 的荷重之致動器部 汽缸部；前述接合 構件的第1基板， 板以特定的間隔對 汽缸部使前述致動 於第1基板的中心 的中心部施加的荷 的中心部之押壓步 基板的中心部被按 周部，依序接合第 容納前述程式之可 基板時之荷重，適 說明》圖1係顯示 槪略之平面圖。圖 匕側面圖。 合作爲2枚基板之 201250900 晶圓WU、WL。以下，把被配置於上側的晶圓稱爲作爲第 1基板之「上晶圓WU」，把被配置於下側的晶圓稱爲作 爲第2基板之「下晶圓WL」。此外，把上晶圓Wu被接合 的接合面稱爲「表面Wu,」，將與該表面Ww相反側的面 稱爲「背面WU2」。同樣地，把下晶圓Wl被接合的接合 面稱爲「表面WL1」，將與該表面WLI相反側的面稱爲「 背面WL2」。接著，在接合系統1，接合上晶圓Wu與下 晶圓WL，形成作爲重合基板之重合晶圓WT。 接合系統1，具有如圖1所示例如在與外部之間分別 可以收容複數晶圓Wu、WL、複數重合晶圓WT之卡匣Cu 、CL、CT被搬出搬入的搬出搬入站2，以及具備對晶圓 Wu、WL、重合晶圓WT施以特定的處理的各種處理裝置之 處理站3 —體地連接之構成。 於搬出搬入站2，設有卡匣載置台1〇。於卡匣載置台 】〇，設有複數，例如4個卡匣載置板11。卡匣載置板11 ，於水平方向之X方向（圖1中的上下方向）排列配置爲 一列。於這些卡匣載置板11，對接合系統1的外部搬出搬 入卡匣Cu、CL、CT時，可以載置著卡匣Cu、CL、CT。如 此般，搬出般入站2，以可保有複數上晶圓，WlJ、複數下 晶圓WL、複數重合晶圓WT的方式被構成。又，卡匣載置 板11的個數’不限定於本實施型態，可以任意地決定。 此外，將卡匣之一作爲異常晶圓的回收用來使用亦可。亦 即’係可以使因種種原因而在上晶圓w U與下晶圓W L的 接合產生異常的晶圓’與其他正常的重合晶圓WT分離之 -9- 201250900 卡匣。於本實施型態，複數卡匣cT之中，把1個卡匣cT 作爲異常晶圓的回收用，其他卡匣cT作爲正常的重合晶 圓wT之收容用來使用。 於搬出搬入站2，鄰接於卡匣載置台1〇設有晶圓搬送 部2〇。於晶圓搬送部20，設有在延伸於X方向的搬送路 徑21上自由移動的晶圆搬送裝置22。晶圓搬送裝置22， 在鉛直方向及鉛直軸周圍（Θ方向）亦可自由移動，可在 各卡匣載置板11上的卡匣Cu、CL、CT、與後述之處理站 3的第3處理區塊G3之轉移裝置50、51之間搬送晶圓 Wu、WL、重合晶圓WT。 於處理站3，設有具備箇中裝置的複數例如3個處理 區塊G1、G2、G3。例如在處理站3的正面側（圖1之X 方向負方向側），設有第1處理區塊G1，於處理站3之 背面側（圖1之X方向正方向側），設有第2處理區塊 G2。此外，於處理站3的搬出搬入站2側（圖1之Y方 向負方向側），設有第3處理區塊G3。 例如，於第1處理區塊G1，被配置改質晶圓Wu、 的表面WU1、…^的表面改質裝置30。 例如，於第2處理區塊G2，例如藉由純水使晶圓Wu 、的表面Wm ' WLI親水化同時洗淨該表面WU1、WLI 的表面親水化裝置40、接合晶圓Wu、WL的接合裝置41 ，由搬出搬入站2側依此順序在水平方向之Y方向上排列 配置。 例如’於第3處理區塊G3，如圖2所不晶圓Wu、Wl -10- 201250900 、重合晶圓WT之轉移裝置50、51由下依順序設爲2段。 如圖1所示在第1處理區塊G1〜第3處理區塊G3所 包圍的區域，被形成晶圓搬送區域60。於晶圓搬送區域 60，例如被配置著晶圓搬送裝置61。 晶圓搬送裝置61，具有例如可在鉛直方向、水平方向 (Y方向、X方向）及鉛直軸周圍自由移動的搬送臂。晶 圓搬送裝置6 1，可以移動於晶圓搬送區域60內，將晶圓 WU、WL、重合晶圓WT搬送至周圍的第1處理區塊G1、 第2處理區塊G2及第3處理區塊G3內的特定裝置。 其次，說明前述之表面改質裝置30之構成。表面改 質裝置30，如圖4所示具有可以使內部密閉的處理容器 70。在處理容器70的晶圓搬送區域60側的側面，被形成 晶圓Wu、WL的搬出搬入口 71，於該搬出搬入口 71設有 閘閥72。 處理容器70的內部，設有供載置晶圓Wu、WL之用 的下部電極8 0。下部電極8 0，例如以鋁等導電性材料構 成。於下部電極80的下方，設有具備例如馬達等的驅動 部81。藉由此驅動部81，下部電極80可自由升降。 於下部電極80的內部，設有熱媒循環流路82。於熱 媒循環流路82，藉由調溫手段（未圖示）調節爲適當溫度 的熱媒透過熱媒導入管83被導入。由熱媒導入管83導入 的熱媒循環於熱媒循環流路82內，藉此，下部電極8〇被 調節爲所要的溫度。接著，下部電極80的熱，被傳達至 載置於下部電極80的上面之晶圓Wu、WL，晶圓Wu、 -11 - 201250900 被調節爲所要的溫度。 又，調節下部電極80的溫度的溫度調節機構’ 定於熱媒循環流路82，可以使用冷卻套、加熱器等其 構。 下部電極80的上部，被構成爲靜電吸附晶圓Wu 之用的靜電晶圓座（chuck) 90。靜電晶圓座90，具 如在由聚醯亞胺樹脂等髙分子絕緣材料所構成的2枚 91、92之間，配置例如銅箔等導電膜93之構造。導 93，中介著配線94、線圈等濾波器95被連接於高壓 96。於電漿處理時，由高壓電源96，被設定爲任意的 電壓之高電壓，以濾波器95濾掉高頻波，施加於導 93。如此進行藉由被施加於導電膜93的高電壓所產 庫倫力，在下部電極80的上面（靜電晶圓座90的上 靜電吸附晶圓Wu、Wl。 於下部電極80的上面，設有朝向晶圓Wu、Wl 面供給傳熱氣體之複數傳熱氣體供給孔100。如圖5 複數之傳熱氣體供給孔100，於下部電極80的上面， 地配置爲複數個同心圓狀》 於各傳熱氣體供給孔1〇〇，如圖4所示被連接著 氣體供給管101。傳熱氣體供給管101連通至氣體供 (未圖示），氦等傳熱氣體由該氣體供給源，供給至 成於下部儷極80的上面與晶圓Wu、WL的背面WU2、 之間的微小空間。藉此，由下部電極8 0的上面有效 使熱傳達至晶圓Wu、Wl。 不限 他機 ' WL 有例 薄膜 電膜 電源 直流 電膜 生的 面） 的背 所示 均勻 傳熱 給源 被形 W L2 率地 -12- 201250900 又，熱被效率充分佳地傳達至晶圓Wu、WL 亦可省略傳熱氣體供給孔1 00與傳熱氣體供給管 於下部電極80的上面周圍，以包圍被載置 極80的上面的晶圓WU、WL的外周的方式，被 狀的聚焦環102。聚焦環102，由不會拉近反應 絕緣性或導電性材料所構成，以僅使反應性離子 射入內側的晶圓Wu、的方式發揮作用。 在下部電極80與處理容器70的內壁之間， 有複數擋板孔（baffle hole )的排氣環103。藉 103,使處理容器70內的氛圍由處理容器70內 氣。 於下部電極80的下面，被連接著由成形爲 體所構成的供電棒104。於供電棒104，透過例 電容器等所構成的整合器105，被連接著第1 106。於電漿處理時，由第1高頻電源106 13.5 6MHz的高頻電壓，施加於下部電極80。 於下部電極80的上方，被配置上部電極110 極80的上面與上部電極110的下面，以相互平 ，隔著特定的間隔對向配置。下部電極80的上 電極110的下面之間隔，藉由驅動部81來調節。 於上部電極110，透過例如由阻隔電容器等 整合器111，被連接著第2高頻電源112。於電 ，由第2高頻電源1 12，使例如100MHz的高頻 加於上部電極1 1 0。如此，藉由從第1高頻電源 的場合， 101 ° 於下部電 配置有環 性離子的 有效果地 被配置設 此排氣環 均勻地排 中空的導 如由阻隔 高頻電源 ，使例如 。下部電 行的方式 面與上部 所構成的 漿處理時 電壓，施 106與第 -13- 201250900 2高頻電源112對下部電極80與上部電極110施力口 壓，於處理容器70內部產生電漿》 又，對靜電晶圓座90的導電膜93施加高電壓 電源96、對下部電極80施加高頻電壓的第1高 106，及對上部電極110施加高頻電壓的第2高頻霄 ，藉由後述之控制部3 0 0控制。 於上部電極110的內部形成中空部120。於 120，被連接著氣體供給管121»氣體供給管121， 內部貯留處理氣體的氣體供給源122。此外，於氣 管121，設有包含控制處理氣體的流動之閥與流量 等的供給機器群1 23 »接著，由氣體供給源1 22供 理氣體，以供給機器群1 23進行流量控制，透過氣 管121，被導入上部電極110的中空部120。又， 體，例如使用氧氣、氮氣、氬氣等。 於中空部120的內部，設有供促進處理氣體的 散之用的擋板124。於擋板124，設有多數小孔。 電極110的下面，被形成由中空部120往處理容器 內部噴出處理氣體之多數的氣體噴出口 125。 於處理容器70的下方，被形成吸氣口 130。於 130，被連接著連通至使處理容器70的內部氛圍減 定真空度之真空泵131之吸氣管132。 又，於下部電極80的下方，設有由下方支撐 圓Wu、WL之用的升降栓（未圖示）。升降栓插通 於下部電極80的貫通孔（未圖示），成爲可由下 高頻電 的高壓 頻電源 源1 1 2 中空部 連通於 體供給 調節部 給的處 體供給 處理氣 均勻擴 於上部 70的 吸氣口 壓至特 升降晶 被形成 部電極 -14- 201250900 80的上面突出。 其次’說明前述之表面親水化裝置40之構成。表面 親水化裝置40 ’如圖6所示具有可以使內部密閉的處理容 器1 5 0。在處理容器1 5 0的晶圓搬送區域6 0側的側面，如 圖7所示被形成晶圓Wu、WL的搬出搬入口 151，於該搬 出搬入口 151設有開閉快門152。 於處理容器150內的中央部，如圖6所示設有保持晶 圓Wu、WL而使其旋轉的旋轉晶圓座160。旋轉晶圓座 160，具有水平的上面’於該上面，設有例如抽吸著晶圓 Wu、WL的抽吸□(未圖示）。藉由從此抽吸口之抽吸， 使晶圓Wu、可以吸附保持於旋轉晶圓座160上。 旋轉晶圓座1 60，例如具有具備馬達等的晶圓座驅動 部161，可藉由該晶圓座驅動部161以特定的速度旋轉。 此外，於晶圓座驅動部161，設有例如汽缸等之升降驅動 源，旋轉晶圓座160成爲可自由升降。又，後述之杯162 成爲可自由升降亦可。 於旋轉晶圓座160的周圍，爲了承接由晶圓Wu、 飛散或落下的液體，設有進行回收的杯162。於杯162的 下面，被連接著排出回收的液體之排出管163，與真空抽 吸杯1 62內的氛圍而進行排氣的排氣管1 64。 如圖7所示於杯162的X方向負方向（圖7之下方向 )側，被形成沿著Y方向（圖7之左右方向）延伸的軌道 170。軌道170，例如由杯162的Y方向負方向（圖7的 左方向）側的外方起形成至Y方向正方向（圖7的右方向 -15- 201250900 )側的外方爲止。於軌道1 7 0，例如被安裝著噴嘴臂1 7 1 與擦洗臂172。 於噴嘴臂171，如圖6及圖7所示被支撐著對晶圓 Wu、WL供給純水之純水噴嘴173。噴嘴臂171，藉由圖7 所示之噴嘴驅動部174，可以自由移動於軌道17〇上。藉 此’純水噴嘴173，可以由被設置在杯162的Y方向正方 向側的外方之等待部175移動至杯162內的晶圓、WL 的中心部上方爲止，進而，可以在被處理晶圓W的直徑 方向移動於該晶圓WU、WL上。此外，噴嘴臂171，藉由 噴嘴驅動部174而自由升降，可以調節純水噴嘴173的髙 度。 於純水噴嘴173，如圖6所示被連接著對該純水噴嘴 173供給純水的供給管176。供給管176，連通著於內部貯 留純水的純水供給源177。此外，於供給管176，設有包 含控制純水的流動之閥與流量調節部等的供給機器群1 78 〇 於擦洗臂172，被連接著擦洗洗淨工具180。擦洗洗 淨工具1 80的先端部，例如設有複數絲狀或海綿狀的刷 180a。擦洗臂172，藉由圖7所示的洗淨工具驅動部181 而自由地移動於軌道170上，可以將擦洗洗淨工具180, 由杯1 62的Y方向負方向側的外側移動至杯丨62內的晶圓 Wu、WL的中心部上方。此外，擦洗臂172，藉由洗淨工 具驅動部171而自由升降，可以調節擦洗洗淨工具180的 高度。又，擦洗洗淨工具180不限於本實施型態，例如亦 -16- 201250900 可爲2流體噴霧噴嘴或進行兆頻超音波（megasonic)洗 淨的治具。 又，在以上的構成，純水噴嘴173與擦洗洗淨工具 180是被支撐於分別之臂，但被支撐於相同之臂亦可。此 外，省略純水噴嘴173,而由擦洗洗淨工具180供給純水 亦可。進而，省略杯162，而連接於處理容器150的底面 排出液體的排出管，與排氣處理容器150內的氛圍之排氣 管亦可。此外，於以上構成的表面親水化裝置40，設有防 帶電用的靜電去除器（未圖示）亦可。 其次，說明前述之接合裝置41之構成。接合裝置41 ，如圖8所示具有可以使內部密閉的處理容器190。在處 理容器1 90的晶圓搬送區域60側的側面，被形成晶圓Wu 、WL、重合晶圓WT的搬出搬入口 191，於該搬出搬入口 1 9 1 1設有開閉快門1 9 2。 處理容器190的內部，藉由內壁193被區劃爲搬送區 域T1與處理區域T2。前述搬出搬入口 191，被形成於搬 送區域T1之處理容器190的側面。此外，於內壁193， 也被形成晶圓Wu、Wl、重合晶圓WT的搬出搬入口 194。 於搬送區域T1的X方向政方向側，設有暫時載置晶 圓Wu、WL、重合晶圓WT之轉移部（transition) 200。轉 移部200，例如被形成爲2段，可以同時載置晶圓Wu、 WL、重合晶圓WT之任二個。 於搬送區域T1，設有在延伸於X方向的搬送路徑201 上自由移動的晶圓搬送體202。晶圓搬送體202，如圖8 -17- 201250900 及圖9所示可於鉛直方向及鉛直軸周圍自由移動，在搬送 區域T1、或者搬送區域T1與處理區域T2之間搬送晶圓 wu、WL、重合晶圓Wt。 於搬送區域T1的X方向負方向側，設有調節晶圓Wu 、WL的水平方向之朝向的位置調節機構210。位置調節機 構210，如圖10所示具有基台211'吸附保持晶圆Wu、 Wl而使其旋轉的保持部212、檢測出晶圓Wu、Wl的缺口 部的位置之檢測部2 1 3。接著，在位置調節機構2 1 0，使 被吸附保持於保持部2 1 2的晶圓Wu、旋轉同時以檢測 部213檢測出晶圓Wu、WL的缺口（ notch )部的位置，調 節該缺口部的位置以調節晶圓Wu、Wl的水平方向的朝向 〇 此外，在搬送區域T1，設有移動於該搬送區域T1與 處理區域T2之間，且使上晶圓Wu的表背面反轉的反轉 機構220。反轉機構220，如圖1 1所示具有保持上晶圓 WU之保持臂221。於保持臂221上，設有吸附上晶圓Wu 保持水平的吸附墊222。保持臂221，被支撐於第1驅動 部22 3。藉由此第1驅動部223，保持臂221自由地繞著 水平軸反轉，而且可在水平方向上伸縮。於第1驅動部 223的下方，設有第2驅動部224。藉由此第2驅動部224 ，第1驅動部223自由地繞著鉛直軸旋轉，而且可在鉛直 方向上升降。進而，第2驅動部224，被安裝於圖8及圖 9所示的延伸於Y方向的軌道225。軌道224，由處理區 域T2延伸至搬送區域T1。藉由此第2驅動部224，反轉 -18- 201250900 機構220，可以沿著軌道225移動於位置調節機構210與 後述的上部晶圓座230之間。又，反轉機構220的構成， 不限於上述實施型態的構成，只要可以使上晶圓Wu的表 背面反轉即可。此外，反轉機構220，亦可設於處理區域 T2。進而，在晶圓搬送體202賦予反轉機構，於反轉機構 220的位置設置其他的搬送手段亦可。此外，在位置調節 機構210賦予反轉機構，於反轉機構2 20的位置設置其他 的搬送手段亦可。 於處理區域T2，如圖8及圖9所示設有做爲在下面 保持上晶圓Wu而吸附保持的第1保持構件之上部晶圓座 230，與在上面載置下晶圓WL而吸附保持的第2保持構件 之下部晶圓座231。下部晶圓座231，設於上部晶圓座230 的下方，以與上部晶圓座230對向配置的方式構成。亦即 ，被保持於上部晶圓座230的上晶圓Wu與被保持於下部 晶圓座23 1的下晶圓Wl成爲可以對向而配置。 上部晶圓座23 0，如圖9所示係由設在處理容器190 的天花板面之支撐構件232支撐。支撐構件232’支撐著 上部晶圓座23 0的上面外周部。於下部晶圓座23 1的下方 ，中介著軸桿2 3 3設有晶圓座驅動部2 3 4。藉由此晶圓座 驅動部234，下部晶圓座23 1自由升降於鉛直方向，且自 由移動於水平方向。此外，藉由晶圓座驅動部234 ’下部 晶圓座231成爲可在鉛直軸周圍自由旋轉。此外’於下部 晶圓座231的下方，設有由下方支撐升降下晶圓WL之用 的升降栓（未圖示）。升降栓插通被.形成於下部晶圓座 -19- 201250900 23 1的貫通孔（未圖示），成爲可由下部晶圓座23 1的上 面突出。 上部晶圓座23 0，如圖1 2所示係被區劃爲複數，例如 3 個區域 230a > 230b、 230c » 這些區域 230a、 230b、 230c ，如圖3所示由上部晶圓座23 0的中心部朝向外周部依序 設置。接著，區域2 3 0a於平面俯視具有圓形狀，區域 23 0b、23 0c於平面俯視具有環形形狀。於各區域23 0a、 2 30b、23 0c，如圖12所示分別獨立而設置吸附保持上晶 圓Wu之用的抽吸管240a、240b、240c。於各抽吸管240a 、240b、240c，分別被連接著不同的真空泵241a、241b、 241c。亦即，上部晶圓座230，以於各區域230a、230b、 2 3 0c分別可以設定上晶圓Wu的抽真空的方式被構成。 又，於以下，亦把前述3個區域230a、230b、230c， 分別稱爲第1區域23 0a、第2區域230b、第3區域230c 。此外，亦把抽吸管240a、240b、240c，分別稱爲第1抽 吸管240a、第2抽吸管240b、第3抽吸管240c。進而， 亦把真空泵241a、241b、241c，分別稱爲第1真空泵 241a、第2真空泵241b、第3真空泵241c。 於上部晶圓座23 0之中心部，被形成貫通於該上部晶 圓座23 0的厚度方向之貫通孔242。此上部晶圓座23 0的 中心部，對應於被吸附保持於該上部晶圓座23 0的上晶圓 Wu的中心部。接著，於貫通孔242，插通後述的押動構件 25 0之致動器部251之先端部251a。 於上部晶圓座23 0的上面，設有按壓上晶圓Wu的中 -20- 201250900 心部之押動構件250。押動構件250，具有致動器 與汽缸部252。 於致動器部251，如圖14所示設有對致動器部 給特定壓力的空氣之電動空氣調節器25 3。致動器 ，藉由從此電動空氣調節器25 3供給的空氣而對一 向產生一定的壓力，可以不管壓力的作用點的位置 壓力固定地產生。接著，藉由來自電動空氣調節器 空氣，致動器部25 1抵接於上晶圓Wu的中心部而 制施加於該上晶圓Wu的中心部之荷重。此外，致 251的先端部251a，藉由來自電動空氣調節器253 ，插通貫通孔24 2而在鉛直方向上自由升降。 致動器部251，透過氈襯254被支撐於汽缸部 汽缸部252，藉由例如內藏馬達的驅動部而使致 251可以在鉛直方向上自由移動。 如以上所述押動構件250，藉由致動器部251 重的控制，藉由汽缸部252進行致動器部251的移 制。接著，押動構件250，可以於後述之晶圓Wu、 合時，使上晶圓Wu的中心部與下晶圓WL的中心 而按壓。 於上部晶圓座230，設有攝影下晶圓WL的表 之上部攝影構件255。於上部攝影構件255’例如 角型的CCD攝影機。又，上部攝影構件255’亦可 部晶圓座231上。 下部晶圓座2 3 1，如圖1 5所示係被區劃爲複數 部251 25 1供 部251 定的方 而使該 253的 可以控 動器部 的空氣 252 〇 動器部 進行荷 動的控 WL接 部抵接 面 wL1 使用廣 設於下 ，例如 -21 - 201250900 2個區域231a、231b。這些區域231a、231b，由下部晶圓 座23 1的中心部朝向外周部依序設置。接著，區域231a 於平面俯視具有圓形狀，區域231b於平面俯視具有環形 形狀。於各區域231a、231b，如圖12所示分別獨立而設 置吸附保持下晶圓WL之用的抽吸管260a、260b。於各抽 吸管 260a、2 60b，分別被連接著不同的真空泵 261a、 261b»亦即，下部晶圓座231，以於各區域231a、231b分 別可以設定下晶圓的抽真空的方式被構成。 於下部晶圓座231的外周部，設有可防止晶圓Wu、 WL、重合晶圓WT由下部晶圓座231飛出或者滑落之止動 器構件262。止動器構件262，以其頂部至少比下部晶圓 座23 1上的重合晶圆WT位於更上方的方式延伸於鉛直方 向。此外，止動器構件262，如圖1 5所示係在下部晶圓座 2 3 1的外周部設置於複數處所，例如設於5處所。 於下部晶圓座23 1，如圖1 2所示設有攝影上晶圓Wu 的表面Wmi下部攝影構件263。於下部攝影構件263， 例如使用廣角型的CCD攝影機。又，下部攝影構件263， 亦可設於下部晶圓座231上。 於以上之接合系統1，如圖1所示，設有控制部3 00 »控制部300 ’例如爲電腦，具有程式容納部（未圖示） 。於程式容納部，被收容著控制接合系統1之晶圓Wu、 WL、重合晶圓WT的處理之程式。此外，於程式容納部， 也收容著供控制前述各種處理裝置或搬送裝置等的驅動系 的動作，實現接合系統1之後述的晶圆接合處理之用的程 -22- 201250900 式。又’前述程式，係被記錄於例如電腦可讀取的硬碟（ HD)、軟碟（FD)、光碟（CD)、光磁碟（MO)、記憶 卡等電腦可讀取的記憶媒體Η者，亦可以是由該記憶媒體 Η對控制部300安裝者。 其次，說明使用如以上所述構成的接合系統1而進行 的晶圓w u、W L之接合處理方法。圖1 6係顯示相關的晶 圓接合處理的主要步驟之流程圖。 首先，收容了複數枚上晶圓Wu的卡匣Cu、收容了複 數枚下晶圓WL的卡匣CL、及空的卡匣CT，被載置於搬出 搬入站2之特定的卡匣載置板11。其後，藉由晶圓搬送裝 置22取出卡匣；Cu內的上晶圓Wu，搬送至處理站3的第 3處理區塊G3之轉移裝置50。 其次’上晶圓Wu藉由晶圓搬送裝置61搬送至第1處 理區塊G1之表面改質裝置30。被搬入表面改質裝置30 的上晶圓Wu由晶圓搬送裝置61遞送載置於下部電極80 的上面。其後，晶圓搬送裝置61由表面改質裝置30退出 ，閘閥72被關閉。 其後’使真空泵131動作，透過吸氣口處理容器70 的內部的氛圍被減壓至特定的真空度，例如6.7P a〜 66.7Pa(50mTorr〜500mTorr)。接著，如後述般在處理 上晶圓Wu中’處理容器70內的氛圍維持於前述特定的真 空度。 此外，由高壓電源96對靜電晶圓座90之導電膜93, 施加例如被設定爲2500V的直流電壓之高電壓。如此進行 -23- 201250900 藉由被施加於靜電晶圓座90的高電壓所產生的庫倫力 在下部電極80的上面靜電吸附上晶圓Wu。此外，被靜 吸附於下部電極80的上晶圓Wu，藉由熱媒循環流路 的熱媒維持於特定的溫度，例如2 0 °C〜3 0 °C。 其後，由氣體供給源122供給的處理氣體，由上部 極110的下面的氣體噴出口 125，均勻地供給至處理容 70的內部。接著，由第1高頻電源106往下部電極80 施加例如13.56MHz的高頻電壓，由第2高頻電源112 上部電極110施加例如100MHz的高頻電壓。如此一來 在上部電極110與下部電極80之間形成電場，藉由此 場使被供給至處理容器70內部的處理氣體電漿化。 藉由此處理氣體之電漿（以下，亦稱爲「處理用電 」），使下部電極80上的上晶圓Wu的表面Wm被改 ，同時除去該表面Wm上的有機物。此時，處理用電漿 的氧氣氣體之電漿主要貢獻於表面Wm上的有機物的除 。進而，氧氣氣體的電漿，亦可以促進上晶圓Wu的表 Wm的氧化，亦即促進親水化》此外，處理用電漿中的 氣氣體的電漿具有某種程度的高能量，藉由此氧氣氣體 電漿積極地（物理地）除去表面WU1上的有機物。進而 氧氣氣體的電漿，對於除去含有於處理容器70內的氛 中所含有的殘留水分亦有效果。如此進行，藉由處理用 漿，改質上晶圓Wu的表面(圖16之步驟S1 )。 其次，上晶圓Wu藉由晶圓搬送裝置61搬送至第2 理區塊G2之表面親水化裝置40。被搬入表面親水化裝 電 82 電 器 y 對 9 電 漿 質 中 去 面 氧 的 > 圍 電 處 置 -24- 201250900 40的上晶圓Wu，由晶圓搬送裝置6 1遞送至旋轉晶圓座 160而被吸附保持。 接著，藉由噴嘴臂171使等待部175的純水噴嘴173 移動到上晶圓Wu的中心部的上方，同時藉由擦洗臂1 72 使擦洗洗淨工具180移動至上晶圓Wu上。其後，藉由旋 轉晶圓座160使上晶圓Wu旋轉，同時由純水噴嘴173對 上晶圓Wu供給純水。如此一來，於上晶圓 Wu的表面 Wm附著氫氧基而該表面WU1被親水化。此外藉由來自純 水噴嘴173的純水與擦洗洗淨工具180，洗淨上晶圓Wu 的表面Wm (圖16之步驟S2)。 其次，上晶圓Wu藉由晶圓搬送裝置61搬送至第2處 理區塊G2之接合裝置41。被搬入接合裝置41的上晶圓 Wu’中介著轉移部200藉由晶圓搬送體202搬送至位置 調節機構210。接著藉由位置調節機構210，調節上晶圓 Wu的水平方向的朝向（圖16之步驟S3 )。 其後，上晶圓Wu由位置調節機構210遞送至反轉機 構220的保持臂221上。接著於搬送區域T1，藉由使保 持臂221反轉，使上晶圓Wu的表背面反轉（圖16之步驟 S4 )。亦即，上晶圓Wu的表面Wm朝向下方。又，上晶 圓Wu的表背面的反轉，在後述的反轉機構220的移動中 進行亦可。 其後’反轉機構220移動至上部晶圓座23 0側，上晶 圓Wu由反轉機構220遞送至上部晶圓座23 0。上晶圓Wu ’其背面WU2於上部晶圓座被吸附保持（圖16之步驟S5 -25- 201250900 )。此時，使所有的真空泵241a、241b、241c動作，於 上部晶圓座230之所有的區域230a、230b、230c，把上晶 圓Wu抽真空。上晶圓Wu，在上部晶圓座23 0等待直到後 述之下晶圓被搬送至接合裝置41。 於上晶圓Wu進行上述之步驟S1〜S5的處理時，接 著該上晶圓Wu進行下晶圓WL的處理。首先，藉由晶圓 搬送裝置22取出卡匣CL內的下晶圓WL，搬送至處理站3 的轉移裝置50。 其次，下晶圓Wl，藉由晶圓搬送裝置61搬送至表面 改質裝置30，使下晶圓WL的表面WL1被改質（圖16之 步驟S6 )。又，步驟S6之下晶圓WL的表面WL1的改質 ，與前述步驟S1相同。 其後，下晶圓Wl，藉由晶圓搬送裝置61搬送至表面 親水化裝置40，使下晶圓WL的表面WL1被親水化同時洗 淨該表面WL1 (圖16之步驟S7)。又，步驟S7之下晶圓 Wl的表面WL1的親水化及洗淨，與前述步驟S2相同所以 省略詳細說明》 其後，下晶圓Wl，藉由晶圓搬送裝置61搬送至接合 裝置41。被搬入接合裝置41的下晶圓WL，中介著轉移部 200藉由晶圓搬送體202搬送至位置調節機構210 »接著 藉由位置調節機構210，調節下晶圓WL的水平方向的朝 向（圖16之步驟S8)。 其後，下晶圓WL，藉由晶圓搬送體202搬送至下部 晶圓座23 1，被吸附保持於下部晶圓座2 3 1 (圖1 6之步驟 -26- 201250900 S9 )。此時，使所有的真空泵261a、261b動作，於下部 晶圓座231之所有的區域231a、231b，把下晶圓WL抽真 空。接著，以下晶圓的表面WL1朝向上方的方式，使 該下晶圓Wl的背面WL2被吸附保持於下部晶圓座231。 其次，進行被保持於上部晶圓座23 0的上晶圓Wu與 被保持於下部晶圓座231的下晶圓WL之水平方向的位置 調節。如圖17所示於下晶圓WL的表面WL1被形成預先決 定的複數，例如4點以上之基準點A，同樣地’在上晶圓 Wu的表面Wu 1被形成預先決定的複數，例如4點以上之 基準點B。做爲這些基準點A、B，例如分別使用被形成 於例如晶圓Wl、Wu上的特定的圖案。接著，使上部攝影 構件255移動於水平方向，使下晶圓WL的表面WL1被攝 影。此外，使下部攝影構件263移動於水平方向，使上晶 圓Wu的表面被攝影。此後，以使上部攝影構件255 攝影的影像上所顯示的下晶圓W L的基準點A的位置，與 下部攝影構件263攝影的影像上所顯示的上晶圓Wu的基 準點B的位置一致的方式’藉由下部晶圓座23 1調節下晶 圓Wl的水平方向的位置（包含水平方向的朝向）。亦即 ，藉由晶圓座驅動部234 ’使下部晶圓座231移動於水平 方向，使下晶圓的水平方向的位置被調節。如此進行 ，調節上晶圓1^1；與下晶圓WL的水平方向的位置（圖16 之步驟S10 )。 又，晶圓Wu、WL的水平方向的朝向，於步驟S3、 S8藉由位置調節機構210調節，但於步驟S10進行微調 -27- 201250900 節。此外，在本實施型態之步驟S 1 0，作爲基準點A、B ’使用被形成於晶圓Wl、Wu上的特定圖案，但也可以使 用其他基準點。例如可以把晶圓W l、W u的外周部與缺口 部作爲基準點使用。 其後，藉由晶圓座驅動部234，如圖1 8所示使下部晶 圓座23 1上升，使下晶圓Wl配置於特定的位置。此時， 以下晶圓Wl的表面Wli與上晶圓Wu的表面Wui之間的 間隔D成爲特定的距離，例如5 Ο μιη的方式配置下晶圓 WL。如此進行，調節上晶圓Wu與下晶圓WL的鉛直方向 的位置（圖16之步驟S11)。又，於步驟S5〜步驟S11 ’於上部晶圓座230之所有的區域230a、230b、230c，把 上晶圓Wu抽真空。同樣地，於步驟S9〜步驟S11，於下 部晶圓座231之所有的區域231a、231b，把下晶圆WL抽 真空。 此後，停止第1真空泵241 a的動作，如圖1 9所示停 止由第1區域230a之第1抽吸管240a之上晶圓Wu的抽 真空。此時，在第2區域230b與第3區域230c，上晶圓 Wu被抽真空而吸附保持著。其後，藉由押動構件250的 汽缸部252使致動器部251下降，按壓上晶圓Wu的中心 部同時使該上晶圓Wu下降。此時，藉由電動空氣調節器 25 3所供給的空氣，於致動器部251，在沒有上晶圓WU的 狀態下被施加使該押動栓25 1移動7 Ομηι的荷重，例如 2〇〇g。接著，藉由押動構件250，使上晶圓Wu的中心部 與下晶圓WL的中心部抵接而按壓（圖16之步驟S12)。 -28- 201250900 如此一來，在被按壓得上晶圓Wu的中心部與下晶圓 w L的中心部之間開始接合（圖1 9中之粗線部）。亦即， 上晶圓Wu的表面Wm與下晶圓WL的表面WL1分別於步 驟SI、S6被改質，所以首先在表面Wm、WL1之間產生 凡得瓦力，使該表面WU1、WL1彼此接合。其後，上晶圓 Wu的表面Wui與下晶圓WL的表面WLi分別於步驟S2、 S 7被親水化，所以在表面Wu!、WL1之間的親水基產生氫 鍵結合，使該表面Wm、WL1彼此堅固地被接合。 其後，如圖20所示藉由押動構件250在按壓上晶圓 W u的中心部與下晶圓W L的中心部的狀態下，停止第2真 空泵241b的動作，停止由第2區域23 0b之第2抽吸管 2 4 0b之上晶圓Wu的抽真空。如此一來，被保持於第2區 域23 0b的上晶圓Wu落下於下晶圓WL上。進而此後，停 止第3真空栗241c的動作，停止第3區域230c之由第3 抽吸管240c之上晶圓Wu的抽真空。如此由上晶圓Wu的 中心部朝向外周部，停止上晶圓Wu的抽真空，上晶圓Wu 依序落下而抵接於下晶圓Wl上。接著，上述表面WU1、 WL1間的凡得瓦力與氫鍵結合之接合，係前述結合依序擴 展。如此，如圖21所示上晶圓Wu的表面Wm與下晶圓 WL的表面WL1全面抵接，上晶圓Wu與下晶圓WL被接合 (圖1 6之步驟S 1 3 )。 其後，如圖22所示，使押動構件250上升至上部晶 圓座23 0。此外，於下部晶圓座231停止由抽吸管260a、 2 6 0b之下晶圓WL之抽真空，停止根據下部晶圓座231之 -29- 201250900 下晶圓Wi的吸附保持。 上晶圓Wu與下晶圓WL被接合的重合晶 晶圓搬送裝置61搬送至轉移裝置51，其後藉 站2的晶圓搬送裝置22被搬送至特定的卡匣_ 卡匣CT。如此，結束一連串的晶圓Wu、Wl的 根據以上之實施型態，押動構件250具 251與汽缸部252，所以於步驟S12，可以藉_ 使致動器部251移動於鉛直方向而使該致動器 於上晶圓Wu的中心部，藉由致動器部251控 晶圓Wu的中心部的荷重，而按壓上晶圓Wu 下晶圓Wl的中心部。亦即，押動構件250， 部251進行荷重的控制，藉由汽缸部252進 2 5 1的移動的控制。如此般本實施型態之押動 係以不同的機構251、252來進行荷重的控制 制，所以可嚴密地控制施加於上晶圓Wu的中 。而且，致動器部251的荷重的控制，係藉由 的壓力控制的電動空氣調節器253所供給的空 所以可更嚴密地控制施加於上晶圓Wu的中心 接著，於步驟S13，如此般可以在以適切的荷 圆W u的中心部與下晶圓Wl的中心部的狀態 圓Wu的中心部朝向外周部，依序接合上晶圓 圓W L。亦即，可以適切地進行上晶圆w u、# 的接合。結果，可以減低接合不良的製品，提 產率。 D wT，藉由 由搬出搬入 戈置板11之 接合處理。 有致動器部 I汽缸部252 部251抵接 制施加於上 的中心部與 藉由致動器 行致動器部 構件2 5 0， 與移動的控 心部之荷重 可進行嚴密 氣來進行， 部的荷重。 重按壓上晶 下，由上晶 Wu與下晶 ϊ下晶圓W l 高製品的生 -30- 201250900 又，亦可考慮押動構件例如僅有汽缸 而，汽缸構造無法進行嚴密的荷重控制， 樣，對押動構件施加例如200g這樣小的 押動構件不作動之虞。就這一點，本實施 250，在進行適切的荷重控制上是有用的 件若爲汽缸構造的話，只能控制預定値之 本實施型態之押動構件250，藉由調節來 器253的空氣的壓力，而可以控制根據致 晶圓Wu的中心部施加的荷重。亦即，根 話，可以提高荷重控制的自由度。 此外，接合裝置4 1，除了供接合晶圓 上部晶圓座23 0與下部晶圓座231以外， Wu、WL的水平方向的朝向之位置調節機 上晶圓Wu的表背面之反轉機構220，所 內效率佳地進行晶圓Wu、Wl的接合。進 ，除了接合裝置41，還具備改質晶圓Wu 、WL12表面改質裝置30，與使表面WU: 時洗淨該表面Wm、WL1之表面親水化裝i 一個系統內效率佳地進行晶圓Wu、Wl的 以使晶圓接合處理的生產性更爲提高。 在以上的實施型態，係藉由晶圓座驅: 晶圓座23 1可在鉛直方向上自由升降且可 方向，但使上部晶圓座230在鉛直方向自 在水平方向自由移動地構成亦可。此外 構造的場合。然 如本實施型態這 荷重時，會有該 型態之押動構件 。此外，押動構 荷重。這一點， 自電動空氣調節 動器部25 1對上 據本實施型態的 、WL之用的 也具備調節晶圓 構2 1 0、與反轉 以可在一個裝置 而，接合系統1 、的表面Wm ' W L |親水化同 置40，所以可在 接合。亦即，可 訪部234使下部 自由移動於水平 由升降，或者是 ，使上部晶圓座 -31 - 201250900 230與下部晶圆座231 1雙方自由地升降於鉛直方向且自由 移動於水平方向地構成亦可。 以上，參照附圖說明本發明之適切的實施型態，但是 本發明並不以相關之例爲限。如果是熟悉該項技藝者，於 申請專利範圍所記載之思想的範圍內，所能夠想到的各種 變更例或者修正例，當然也應該被瞭解爲係屬於本發明的 技術範圍內。本發明並不限於此例，可以採取種種態樣。 本發明在基板爲晶圓以外之FPD (平面面板顯示器）、光 罩用之遮罩標線等其他基板的場合也可以適用。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示相關於本實施型態之接合系統的構成槪略 之平面圖。 圖2係顯示相關於本實施型態之接合系統的內部構成 槪略之側面圖。 圖3係顯示上晶圓與下晶圓的構成槪略之側面圖。 圖4係顯示表面改質裝置的構成槪略之縱剖面圖。 圖5係下部電極之平面圖。 圖6係顯示表面親水化裝置的構成槪略之縱剖面圖。 圖7係顯示表面親水化裝置的構成槪略之橫剖面圖。 圖8係顯示接合裝置的構成槪略之橫剖面圖。 圖9係顯示接合裝置的構成槪略之縱剖面圖。 圖1 0係顯示位置調節機構的構成槪略之側面圖。 圖1 1係顯示反轉機構的構成槪略之側面圖。 -32- 201250900 圖1 2係顯示上部晶圓座與下部晶圓座的構成槪略之 縱剖面圖。 圖13係由下方所見之上部晶圓座之平面圖。 圖14係顯示押動構件的構成槪略之立體圖。 圖15係由上方所見之下部晶圓座之平面圖。 圖1 6係顯示晶圓接合處理的主要步驟之流程圖。 圖1 7係顯示調節上晶圓與下晶圓的水平方向的位置 的模樣之說明圖。 圖1 8係顯示調節上晶圓與下晶圓的鉛直方向的位置 的模樣之說明圖。 圖1 9係顯示使上晶圓的中心部與下晶圓的中心部抵 接而按壓的模樣之說明圖。 圖20係顯示依序將上晶圓抵接於下晶圓的模樣之說 明圖。 圖21係顯示使上晶圓的表面與下晶圓的表面抵接的 模樣之說明圖。 圖22係顯示上晶圓與下晶圓被接合的模樣之說明圖 【主要元件符號說明】 1 :接合系統 2 :搬出搬入站 3 :處理站 3 〇 :表面改質裝置 -33- 201250900 40 :表面親水化裝置 41 :接合裝置 60:晶圓搬送區域 2 3 0 :上部晶圓座 231 :下部晶圓座 242 :貫通孔 2 5 0 :押動構件 251 :致動器部 2 5 1 a :先端部 252 :汽缸部 253:電動空氣調節器 3 0 0 :控制部 W u :上晶圓 WU1 :表面 W l :下晶圓 wL1 :表面 wT :重合晶圓 -34-

Claims (1)

1. 201250900 七、申請專利範圍： 1. 一種接合裝置，係接合基板彼此的接合裝置，其 特徵爲具有： 於下面吸附保持第1基板的第1保持構件， 設於前述第1保持構件的下方，於上面載置而保持第 2基板的第2保持構件，以及 設於前述第1保持構件，按壓第1基板的中心部之押 動構件； 前述押動構件，具有與第1基板的中心部抵接而控制 施加於該第1基板的中心部的荷重之致動器部，以及使該 致動器部移動於鉛直方向的汽缸部。 2·如申請專利範圍第1項之接合裝置，其中於前述 致動器部，設有對該致動器部供給特定壓力的空氣之電動 氣動調節器。 3. 如申請專利範圍第1或2項之接合裝置，其中 於前述第1保持構件在對應於第1基板的中心部的位 置被形成貫通厚度方向的貫通孔， 前述押動構件被設於前述第1保持構件的上面，前述 致動器部的先端部以插通前述貫通孔的方式配置。 4. 一種接合系統，係具備申請專利範圍第1或2項 之接合裝置的接合系統；其特徵爲具備： 備有前述接合裝置的處理站， 分別可以保有複數之第1基板、第2基板或第1基板 與第2基板被接合之重合基板，且對前述處理站搬出搬入 -35- 201250900 第1基板、第2基板或重合基板的搬出搬入站； 前述處理站，具有： 改質第1基板或第2基板之被接合的表面的表面改質 裝置， 使以前述表面改質裝置改質的第1基板或第2基板的 表面親水化的表面親水化裝置，以及 供對前述表面改質裝置、前述表面親水化裝置及前述 接合裝置，搬送第1基板、第2基板或重合基板之用的搬 送區域； 在前述接合裝置，接合以前述表面親水化裝置使表面 被親水化之第1基板與第2基板。 5. —種接合方法，係使用接合裝置接合基板彼此之 接合方法，其特徵爲： 前述接合裝置，具有 於下面吸附保持第1基板的第1保持構件， 設於前述第1保持構件的下方，於上面載置而保持第 2基板的第2保持構件，以及 設於前述第1保持構件，按壓第1基板的中心部之押 動構件； 前述押動構件，具有與第1基板的中心部抵接而控制 施加於該第1基板的中心部的荷重之致動器部，及使前述 致動器部移動於鉛直方向的汽缸部； 前述接合方法，具有： 將被保持於前述第1保持構件的第1基板，與被保持 -36- 201250900 於前述第2保持構件的第2基板以特定的間隔對向配置的 配置步驟，以及 其後，藉由前述汽缸部使前述致動器部移動於鉛直方 向使該致動器部抵接於第1基板的中心部，藉由前述致動 器部控制對第1基板的中心部施加的荷重，按壓第1基板 的中心部與第2基板的中心部之押壓步驟， 其後，在第1基板的中心部與第2基板的中心部被按 壓的狀態，由第1基板的中心部朝向外周部，依序接合第 1基板與第2基板的接合步驟。 6. 如申請專利範圍第5項之接合方法，其中於前述 押壓步驟，由電動氣動調節器將特定壓力的空氣供給至前 述致動器部，控制對第1基板的中心部.施加的荷重。 7. 一種電腦記憶媒體，其特徵爲使藉由接合裝置執 行申請專利範圍第5或6項之接合方法，儲存有在控制該 接合裝置的控制部之電腦上動作的程式之可讀取的電腦記 億媒體。 -37-