TW201235518A - Sapphire material and production method thereof - Google Patents

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TW201235518A
TW201235518A TW101107556A TW101107556A TW201235518A TW 201235518 A TW201235518 A TW 201235518A TW 101107556 A TW101107556 A TW 101107556A TW 101107556 A TW101107556 A TW 101107556A TW 201235518 A TW201235518 A TW 201235518A
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TW
Taiwan
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sapphire
crystal
axis
range
substrate
Prior art date
Application number
TW101107556A
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English (en)
Inventor
Wei-Hsiang Wang
Chen-Hui Wu
Chuan-Lang Lu
Original Assignee
Tera Xtal Technology Corp
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Publication date
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201235518 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本案是關於-種藍寶石材料及其製作方法,特別是關於一 種具有一成長軸向的藍寳石材料及其製作方法。 【先前技術】 近年來,由於智慧型手機的需求大幅增加,因此,智慧型 手機所使_零組件的需求也隨之增加。這些零Μ件包含了用 於手機相機的保魏或是手朗控吨 ㈣,它們大多是以朗為主要材料,而手機上的按^、商 標的裝置圖案所使用的材料也從金屬材料逐漸改成透明的材 ^ _材料雖然有容易取得、成本較低、以及容易加工的優 ^然而其硬度不佳、抗錢衫足_醜質之缺點造成其 在貫際應用上之_。雖賴由硬質賴與化雜子強化等工 藝可以改善上述缺點,但也反應城本及環境_題。 在習知玻璃生產加工的過輕中,一般消費型電子產品所使 ^的無驗_麵_條件τ,無·_加錄化形成玻璃 過製造過財的縣後,空氣以及师料混入該無 双破璃的玻璃τ之中;這種情況使得該產品的良率不佳。因 ^在無驗玻璃的製程中,通常需要加入如石中以及齒化物等輔 才料以消除在玻璃膏中的氣泡以及雜質。石申為對人體有宝之 強烈毒性物質,其會引發石申中毒或烏腳病等後遺症,因此:石申 =於衣程中的作業人員的安全具有潛在的影響。鹵化物對於溫 至效應的影料二氧化销數倍,且自化物早已經被歐盟等先 201235518 進國家及區域禁止使用。 八保的要求’美國康寧公司以及日本旭硝子 赠吻咖,其基本 =理為在玻摘表轉成—單㈣層錢_表面 硬化的效果。但即使如此,此類玻璃經過加喊序如研磨、鑽 ^抛光二及倒角等加工製程後仍需要經過化學離子強化製 程’接下來减㈣縣賴製程的處理才能將玻射的鋼離 子,雜質置換出來’叫除在玻翻晶體内之微缺陷與應力, 使得玻璃内的原子排列更加緻密而增加_之強度。 請參閱第-圖,其為破璃加工製程的示意圖。在傳統的破 离加工衣程巾為了迎合產品設計師對外觀的要求及消費者對 外觀的喜好,因此-般玻雜製造完錢,會送進玻璃加工廢 對玻璃的外觀進行加工以符合最終產品之外觀需求。玻璃加工 的製程包括:破縣板賴切、雜分片、邊緣研磨、高速電 腦數值控麵(CNQ狐加工、玻德板的絲之研磨、玻璃 基板的表Φ之縣、離子交祕學触製程、玻縣板錄膜、 破璃基板物、誠轉、岐成品組裳。 在第一圖中’玻璃基材送至玻璃加工廠後會對其進行適當 大小之裁切,利用鑽石刀於破璃基材的平板上割劃出所需之大 小’再以崩_方式分_關好適#大小之朗基板。所述 適畜大小之玻璃基板在取出後即送至加工區域對玻璃基板的 邊緣進行研磨及倒角,以避免玻璃基板的邊緣之銳角割傷操作 人員並可有效避免在操作過程中造成產品邊緣的崩角及裂縫 等。破璃基板的邊緣經研磨甸角完後會依據產品需求在玻璃基 201235518 板上進行如高速f職健職鑽孔加卫等製程,以根據需求 的玻璃基板之外形來加工。 在破璃基板之外形加卫完成後’ g卩會對賴基板進行研 磨’以將破魏板之厚度研磨至適當厚度大小。絲,對玻璃 基板進行抛光,鱗细拋光鑛_基_表面進行亮面之 ,光丄在_聽之抛光完錢,會立即對麟基板進行化學 離子父換’以將玻璃基板置於炼融狀態的鉀鹽中使玻璃中的鈉 離子破置触峰子。在_基板完献學鮮 即完成化學強化製程。 1 在化學強化製程完成後,依照需求進行鐘膜,所述錄膜亦 可再細分為功能性錄膜與裝飾性鍍膜。由於經過一系列之加工 程序後’玻嚇板的絲性#會有攸變,㈣祕錄膜則可 改善破璃之光學㈣一般會在玻魏板的相或雙侧製作透 明的抗反射鍍騎’此賴膜層材料為金魏化物或半導體氧 t物。而裝雜鍍_可讓_基板具錢炫麗⑽觀。而在 ^基板之表面上施行㈣程…般使祕觀金屬氧化物做 ^材枓,利用物理氣她積(PVD)之方法將材觀積於玻璃基 依ίίΓ吏其外觀具有金屬的綺。鍍膜完成後之_基板則 4求可添加如網版絲印或鋼板油墨轉印等印刷製程,並於 璃基板之背面黏點高分子膠使其與其它零件做肢。 下列表1列出藍寳石的各晶體糾與強化麵°在物 性與光學特性上的比較。 7 201235518 特性 單位 藍寶石 C-axis 藍寶石 A-axis 藍寶石 R-axis 藍寶石 M-axis 強化玻璃 硬度 Kgf/cm2 2150±50 1850±50 2200±50 1850±50 674 揚氏係數 GPa 460±50 460±50 460±50 460±50 71.7 抗壓強度 MPa 22000 ^2000 22000 ^2000 2800 熱傳導係數 W/m-k 32±5 32±5 32±5 32 土 5 1.2 透光率 % >85 >85 >85 >85 >90 表1 因為強化玻璃的硬度與抗壓強度比藍寶石差,而且藍寶石 經過適當的加工以及鍍膜後的光學特性接近強化玻璃,因此藍 寶石適合當作高硬度與高抗壓強度的透明光學材料。藍寶石與 紅寶石的主要成分皆為三氧化二鋁(α _Al2〇3),由三氧化二鋁結 曰曰所形成的寶石稱為剛玉(⑶订^如]^)礦石,然而藍寳石因其含 有二氧化鈦_質而呈現藍色,紅寶石因其含有氧化鉻而呈現 紅色,紅寶石亦可作為光學材料。 習知的藍 石長晶技術包括維拉法(yemeuil)、凱式 (Kyropoulos)·^曰法,熱交換法扣故饮也肪辟咖脇)等。維拉 法所I成之if石易碎且尺寸小,科合製作大尺寸的藍寶 :,灣專利申請號2〇〇_〇的文射提到 監實石的成長裝置鱼方法,兮室 舍;?;,雜PA Ρ。方法轉利所^及之生長C軸向的藍 的趣,作“…輪向之皇寶石可作為LED(例如氮化鎵LED) 外二錢:右、錢所長出之藍寶石除生長相久且耗費能量 外於應用時更不利於後續加卫。 行认且耗費犯里 【發明内容】 生長C㈣之、A轴向之方法經過長時間的驗證後比 "貝石更具有生產的效益,較低的位錯密度。 201235518 而依照不同需求,利用吾人發明此A轴向成長的藍寳石亦可 適用於各種不同的用途。 有馨於上述強化破璃的硬度與抗墨強度不足,一種 材料的,造方法被提出,包含下列步驟··將一藍寶石晶種接種 至-溶融體内。逐漸向上提拉該藍f石晶種而在_體物造
溫度梯度以使其逐漸冷卻,並使該炫體物在該藍寶石晶種的A 轴向結晶=形成-藍寶石晶體。自該藍寶石晶體在—特定轴向 提取該藍寳石材料。 依據上述構4 ’另一種監寶石材料的製造方法被提出,包 3下列步m寶石晶種接種至—频物。以熱交換方 使該熔體物逐漸冷卻,而使該溶體物 、工 ,„ 次:貝七日日檀的A點 提^藍==寶石晶體。自該藍寶石晶體在一特定轴向 長軸向係該藍寶石晶體的A轴向,A轴向^石曰體^成 成時則會根據_形狀而形成_、方形或多、J體成長完 狀。 $夕邊形之晶體型 晶體 依據上述構想,—種藍寶石材料被提H勺人 :’該藍寶石晶體具有-成長軸向,=3 —藍寶石 寶石晶體的A軸向。 ~成長軸向係該藍 =聽,—麵料妓 騾.供具有一成長軸向的藍寶石晶髀, 匕S下列步 藍寶石晶體的A幸由向。自該藍寶石“在中,成長輛向係該 月且在一特定麵提取該 201235518 藍寳石材料,其中該特定軸向係垂直於該藍寳石晶體的A軸 向。 依據上述構想,一種藍寳石材料被提出,其包含:—藍金 石晶體’該藍寶石晶體具有-成長軸向,其中該成長耗二 藍寶石晶體的a軸向。 【實施方式】 以下的實施例主要是說明藍寶石材料、其製造方法、及其 加工方法’本案的製造方法以及加工方法亦可應用於其他之剛 玉材料。關於藍寶石材料的應用可參閱台灣專利申請號 100142110以及台灣專利申請號i00149015兩篇文獻。 請參閱第一圖(a) ’其為本案第一較佳實施例凯式長晶設備 的示意圖。凱式長晶設備20包含電阻加熱器2〇1、坩鎬2〇2、 藍寶石晶種205、電流鋼環206、以及隔熱屏207。電阻加熱 器201的材質為鎢或鎢合金,且與電流銅環206耦接。電流鋼 環206被施加電流以使電阻加熱器2〇1產生熱量而加熱該坩鍋 202。該坩鍋202傳導該熱量,並且藉由該熱量,熔體物2〇3 熔化為液態。熔體物203的成分為高純度三氧化二鋁之藍寶石 原料。坩鍋202的材質為鎢、鉬合金、或石墨。藍寶石晶種 2〇5係為在a轴向成長的藍寶石晶種205。訊式長晶設備2〇形 成在藍寶石晶種205與熔體物203之間的固液介面形成物 204。隔熱屏207的材質為鉬或鎢,其用以隔絕該熱量而避免 §玄熱量散發以保持坩鍋202内部之溫度。 在本案第一較佳實施例中製造藍寶石材料的方法如下說 明。先將二氧化二鋁之藍寶石原料置於坩鍋2〇2中,然後將具 201235518 有A軸向的監賃石晶種205與該三氧化二銘之藍寳石原料接 觸以種植晶種。在第二圖⑻中,藍寶石晶種205的&軸向係為 垂直的(perpendicular)軸向。加熱該三氧化二鋁之藍寶石原料 以形成熔體物203、或形成熔體物203與固液介面形成物2〇4。 藉由逐漸將藍寶石晶種205向上拉提造成溫度梯度以使熔體 物203逐漸冷卻;此時熔體物203與固液介面形成物2〇4會在 藍寶石晶種2〇5的A轴向來結晶,而固液介面形成物2〇4與 熔體物203冷卻後則形成藍寳石晶體2〇8。因此,如第二圖⑼ 所示,藍寳石晶體208亦具有A軸向之成長軸向。 θ 請參閱第二_,其為本案藍寶石晶體2〇8的示音圖。 接下來,自藍寶石晶體2〇8提取出藍寶石材料挪以騎後續 的加工。在提取時,依據需求利用測向工具(未顯示)確定該二 =體208的各軸向後再進行提取。提取的方法較佳為二 (金_)或切割(c她g 〇_方式。例如,.想要提取難狀的誌 二:材_,則以空心圓柱狀的軸取出圓柱狀: 材料2〇9,若要提取矩型柱狀或多邊形 則可利用讀石刀具來切割。藍寶石材料209是在—特定 取,射補絲向是妓於A _ 施例中’自藍f石晶體2。8在其。= :取㈣石材料2°9,—水平—) 在另-触實關巾,騎知 =細在該藍寶石晶體208的。轴向偏二 _,及在卿獨2Q8心 •201235518 。在上侧度範圍内所提取崎寶石材 向來但是當以完全垂直於a — 耒美取知,由於藍寳石晶體2〇8 頭來饈跑廿丁〜日 牙、、、。構的關係,要使用鑽 _,取並不谷易。故該特定轴向較佳為在該藍寶石晶體的c 轴向角度卿·5。,及該特定轴向較佳為在該藍寶 日日體的c軸向偏m軸向角度么5。或2 5 的a轴向偏c轴向角度_2 5。〜2 5。的篇图^在&貝石曰曰體 的乾圍,及在該藍寶石晶體的 a軸向偏m軸向角度_2.5。〜2.5。的範 轴向體如 •括±丄々 園及在該監寶石晶體的m f ^ "2·5^ 不健易進行鑽取,且鑽取出來的藍寳石枋料亦具 父,光性。該特定轴向之米勒指數包括:c 、 叫 11 2〇;1 2 1〇;…;Π 2- 0; ! 2 i 〇; ” )、 "她(〇 1 1〇;1 1 〇〇;1〇 ί _ Μ M〇〇; I _、或 地 is(_;师;_;i〇li;il〇1;〇ili)。 一 制、/月Γ閱第"'圖’其為本案第一較佳實施例藍寳石材料 衣k方法的不思圖。該方法包含下列步驟:步驟咖,將一 藍ί石晶種205接種到1體細。步驟纖,向上拉提該 加3在該藍寶石晶種二冷卻,使該炫體物 的a軸向結晶以形成一藍寳石晶體 :。步驟S203 ’自镜藍寶石晶體期在一特定轴向提取該藍 貝石材料2G9 ’其中_特定轴向係垂直於該藍寶石晶種2仍的 a軸向。 ^閱第四® ’其為杨第二較佳實施例熱交換之設備 201235518 3〇的示意圖。熱交換設備30包含電阻加熱器30卜坩鍋3〇2、 監寶石晶種305、電流線圈306、隔熱屏307、以及熱交換管 308。電阻加熱器3〇1與電流線圈3〇6耦接。電流線圈3〇6被 施加電流以使電阻加熱器301產生熱量而加熱該坩鍋3〇2,該 _形狀可為圓型、方形或多邊形,生長出之晶體則會依據堆 鋼形狀而成監寶石晶體。該掛銷302傳導該熱量,並且藉由該 熱量,熔體物303熔化為液態。熔體物3〇3的成分為三氧化二 銘之藍寳石原料。監寶石晶種3〇5係為在a軸向成長的藍寶石 晶種305。熱交換設備30形成在藍寶石晶種3〇5與熔體物3〇3 之間的固液介面形成物304。 在本案第二較佳實施例中製造藍寳石材料的方法如下說 月先將二氧化二銘之藍寶石原料置於掛鋼302中,然後將具 有a軸向的藍寶石晶種3〇5與該三氧化二鋁之藍寶石原料接觸 以種植晶種。在第四圖中,藍寶石晶種3〇5的&軸向係為垂直 的(perpendicular)軸向。加熱該三氧化二鋁之藍寶石原料以形 成熔體物303、或形成熔體物303與固液介面形成物3〇4。熱 父換管308内部有冷卻水或氣體,藉由熱交換管308内的冷卻 水或氣體之循環,以熱交換的方式將固液介面形成物304以及 熔體物303内的熱量帶出,而可使固液介面形成物304以及熔 體物303由下往上逐漸冷卻;此時熔體物303與固液介面形成 物304會在監賈石晶種305的a軸向來結晶,而固液介面形成 物304與熔體物303冷卻後形成如第二圖(b)所示的藍寶石晶 體2〇8。因此,藍寶石晶體208亦具有a軸向,藍寶石晶體208 之形狀可依據坩鍋形狀加以變更,除於發明中所提示之圓形外 201235518 亦可依_途騎_狀進行設計, 掛鋼’使得最終生長完成之藍寶石^ 坩鎬,
監寳石晶 工。在本案第二 日日體可依照堆銷形狀生長, 坩鍋亦可為方型或多邊形
實施例中提取藍寶石晶體的方式與本 安筮一*-/丄一 ” _ 口口肌工、興尽 术弟較包貫施例相同,因此不再贅述。 制ο閱第五圖’其為本案第二較佳實施例藍寶石材料· f造方法的示意圖。該方法包含下列步驟:步驟讀,將一 藍寶石晶種305接種至-溶體物303。步驟驗,以熱交換方 式使該炫體物303逐漸冷卻,而使該炫體物303在該藍寶石晶 種305的a軸向結晶,以形成一藍寶石晶體2〇8。步騾s3〇3, 自該監寶石晶體208在一特定軸向提取該藍寶石材料2〇9,其 中該特定軸向係垂直於該藍寶石晶種3〇5的a軸向。 該藍寶石材料209的晶體軸向較佳為c_軸向(〇〇〇1)、a_軸 向[包括(ήιο)、(ιΰο)、(2ΪΪ0)、(Π20)、($110)、以及(ί2ϊ〇)]、m_ 軸向[包括(ioio)、(iioo)、(oiio)、(ιοϊο)、(如0)、以及(―刀、和 r-軸向[包括(ιοίι)、(Μ)、(oiii)、(οϊιι)、(涵)、以及的其 中之一 ’在提取藍寶石材料209後’接下來是對其進行加工的 步驟。加工的步驟包括:外形研磨、線切加工、研磨抛光、外 形切割、倒角研磨、鍍膜、以及裝飾等步驟。 請參閱第六圖(a)與第六圖(b) ’其為本案第三較佳實施例 線切加工設備40的示意圖。線切加工設備40包含驅動裝置 42,驅動裝置42包含一主槽輪44與一鑽石導輪組46。複數 鑽石線48環繞於驅動裝置40上,複數鑽石線48之間的間距 12 201235518 在0·65〜L85_的範圍,因此該藍寶石材料的一切割間距 在0.65.85腿的範圍。當對藍寶石材料·切割時,藍寶 石材料209被施加-力F,且該驅動裂置42執行一擺動運動 (Rocking)贿該複數鎮石線產生一張力τ。利用該張力τ及鑽 石線之運動對該藍寶石材料2〇9進行切割而形成一藍寶石基 板5〇4。切割後’該藍寶石基板5〇4的一厚度在Μ〜i 0mm的 辄圍。 «ή閱第七®(a) ’其為本案第四較佳實施例研磨設備% 的示·意圖。研磨設備50包含上研磨盤5〇1、下研磨盤5〇5、以 及鏤空圓形載盤5〇3。由於線切割後的藍寶石基板5〇4在其切 割之-第-表面5041與-第二表面5〇42上會產生切割痕跡, 因此需要進行研磨以及減薄的加工。首先,將藍寶石基板SO* 置於鏤空_載盤503中加以固定,再利用上研磨盤5〇1與下 研磨盤5〇5之轉動進行研磨。鏤空圓形載盤5〇3的内外緣具有 齒輪5031而與上研磨盤5〇1内緣的齒輪5〇11以及下研磨盤 505外緣的齒輪嘴合,藉由上研磨盤5〇1内緣的歯輪观以 及下研磨盤505外緣的齒輪喷合並帶動縷空圓形載盤5〇3 ;此 時T主入研磨物質502,以上研磨盤、下研磨盤5Q5 分別研磨戎監寶石基板504的第一表面5〇41與第二表面 5042,其中該研磨物質502為鑽石磨粒。 口月ΐ閱第七圖(b) ’其為本案第四較佳實施例另一研磨設 備60的示意圖。在另一較佳實施例中,研磨設備6〇包含鎮空 圓形載& 603、以及上磨盤607。鑽石磨粒6〇6可利用電鑄或 樹脂黏著之方式固定於上磨盤6〇7,研磨時將藍寶石基板辦 13 201235518 固定於鏤空圓形載盤上603,並利用研磨液608冷卻及潤滑 藍寶石基板504、上磨盤607、以及鑽石磨粒606。 請參閱第八圖,其為本案第五較佳實施例拋光設備70的 示意圖。研磨完後的藍寶石基板之表面仍有細微的研磨痕 跡,因此需要進行拋光製程。拋光設備70包含上拋光盤701、 下拋光盤704、以及拋光載盤703。首先,將研磨完後的藍寶 石基板702置於拋光載盤703上’其中拋光載盤7〇3可為陶究 盤或是玻璃纖維盤。然後將拋光載盤703黏貼或固定於上拋光 盤701上,同時將拋光漿(液)705注入於研磨完後的藍寶石基 板702以及下拋光盤704之間。將上拋光盤701緩慢下壓並同 時旋轉上拋光盤701以及下拋光盤704。 单面抛光完後需將藍寶石基板702翻轉至另一面重複上 述拋光的步驟。經由拋光液706對該第一表面7〇21與該第二 表面7022拋光,而分別形成一第三表面8〇51與一第四表面 8〇52後。如第九圖所示,該第三表面80^與該第四表面8〇52 皆具有一平面度與一粗糙度,且在該第三表面8〇51與該第四 表面8052之間具有一厚度變化量(丁〇加Variati(^ ττν)以及-彎錄。該平面度可㈣在每射g〜2Q微米的範 圍,該粗縫度可控制在0·2〜10奈米的範圍,該厚度變化量可 控制在每射G〜15微米的範U ’且該f 可控制在_3〇—3〇 微米的範圍。 請參閱第九圖,其為本案第六較佳實施例外形切割的示意 圖。經過研磨以及拋光後的藍寶石基板8〇5可依照一特定形狀 以-機械程序或-化學程序來進行切割,其中該機械程序包括 14 201235518 以一切割輪8G6、—高速電腦數值控制機804、―雷射8〇2、 或-鑽石刀_切割該藍寶石基板8〇5,該化學巷:、二 化學樂劑8〇3蝕刻該藍寳石基板8〇5。 請參閱第十圖,其為本案第七較佳實施例外 及抛光後的藍寶石基板8〇5經過依照軸 孩、有織狀邊緣的-第五表面9〇3 t在藍寶石 仍 的厚度方向上形成。因此在第十圖中,利用一鑽石磨^901來 :磨該第五表面903可以消除鑛齒狀邊緣。在—較佳實施例 中’讚石磨輪9〇1的形狀為T—type磨輪。在另—較佳實施 鑽石磨輪901可依照產品f求而更換a 及平 頭磨輪。同時於此餘中’鑽石磨輪9G1 _作的行程為由爺 ,知數位仿型控制所配置。利用此仿形控制可對藍寶石基板娜 在厚度方向上的外舰仿形研磨而得各式所f之外形。例如, 進行圓形、方形、多邊形和異形研磨,以及製作各類大小的圓 角或倒角等。接下來,可進行鍍膜或裝飾的製程。 請參閱第十-圖’其為本案藍料製造與加卫方法流程之 示意圖。該方法包含下列步驟:步驟s,藍f石長晶\步 騾撕,提取藍寶石晶棒或晶碑。步螺剛,複線式鎮石切 割。步驟S4G4,研磨及抛光。步驟s,外形切割。步驟⑽6, 外形研磨。铸S4G7,麵以及輯。本錢—較佳實施例 與第二較佳實施例皆包括步驟讓與麵s術,不同處在於 使用不同的設備與方法來製造藍寳石材料避。本案第三較佳 實,包含步驟S4G3。倾讓包含在本錢即及第^ 佳貫施例巾的步驟。本案第六、七較佳實施例分別包括步驟 201235518 S405以及步驟S4〇6。請 行,因為㈣石步驟S407可依序進 β卓现貝、同硬度特性,在步聲讀、步騾⑽5 ^驟S=6之間的雙箭號代表這些步雜的順序可 貫Γ中之一或版二之步驟,亦可以全部都二 二例如’在細03的複線式續石 : ⑽5之外形研磨,然後進入步術。 4 在完成步驟S404、步驟S4〇5、或步驟_6後,藍舍石 ,板已,,’工可作為透明之監寶石破璃。因此,後續的加工可針對 ,、光學雜錢善’彳物鍍抗反射料。在對雜f石破猶 抗反射層之前’該藍f石麵的穿透率可達到大於或等於 85%。 在^驟S407中’對該監寶石玻璃加工包含功能性錄膜與 裝飾性顧。該功紐鍍膜包括對_寶石_進行一抗反射 ,膜以提升該穿透率至90%以上。該裝飾⑽膜包括:對該 監寶石玻魏行-金屬鍍膜,以在該藍f石補上增加金屬光 澤,或是對該藍寶石玻璃進行一油墨轉印。 在第十一圖中,藍寶石材料209由長晶製程開始。步驟 S401,固液介面形成物2〇4、304以及熔體物203、303冷卻形 成監寳石晶體2〇8,並且藉由晶體測向設備(未顯示)確定藍寶 石晶體208的軸向。步驟S4〇2,自藍寶石晶體208提取藍寶 石材料209 ’其包括圚柱狀晶棒、矩形晶磚、或多邊形晶磚。 步驟S4〇3,藍寶石材料2〇9經複線式鑽石線牝切割成藍寶石 基板504後進行步驟S404的研磨拋光製程。對於研磨拋光完 成後的1賀石基板g〇5進行清洗以及檢查,以避免第三表面 16 201235518 8051以及第四表面8052有任何的坑洞或缺陷而造成硬度或抗 壓強度的下降。完成檢查後須對藍寳石基板8〇5進行應力釋放 的製裎,然後進入步驟S405以及步驟S406。在步驟S405和 步驟S4G6巾’依聽求尺相及外形施賴械辦或化學程 序之製程’以獲得合乎尺寸設計要求之最终產品。絲進入步 戰S407。在步驟S407中,在藍寳石基板8〇5上做抗反射鑛膜 或裝飾等相關製程’最後再根據藍寶石基板咖上的表面狀況 知作退火處理,並由光學檢測以確認藍寶石基板8 〇 $的光學穿 透率符合要求方能應用於其他裝置上,此藍寳石基板8〇5便可 作為藍寳石玻璃。 該藍寶石玻璃可應用於觸控面板,作為觸控面板的覆蓋玻 螭(=_ glass),其以優異的硬度與抗屡強度來取代強化玻璃。 該藍寳石玻璃亦可應用於取像裝置的鏡頭保護鏡。 貫施例 金1.-種監實石材料的製造方法’包含下列步驟:將一藍 寳石晶種接麵-賴物。向上拉提該tf石晶種來使該溶= 物逐齡卻,並使該熔職在該藍fw_a軸向結晶以形 藍寶石晶體。自該藍寶石晶體在—特定軸向提取該藍寶石 村料’其中補定轴向係垂直於該藍寶石晶種的&轴向。、 “ 2·如實施例i所述的方法,其中轉定轴向的範圍在該 =賈石晶體的e軸向偏a軸向角度·2.5。〜2·5。的範圍,及在該藍 ^石晶體的c軸向偏m軸向角度·2.5。〜2·5。的範圍;或在該= 寶石晶體的a轴向偏c轴向角度_2.5。〜25。的範圍,及在該藍寶 201235518 石晶體的a轴向偏心向角度-2.5。〜2.5。的範圍;或在該藍寶 石晶體的m軸向偏c轴向角度_2.5。〜π的範圍,及在該藍寶 石晶體的m轴向偏a軸向角度·2·5。〜2 5。的範圍;或在該藍寶 石曰Β體的轴白該特疋轴向之米勒指數包括:心狀叫〇〇〇1)、 a-axis( ϊϊ 20;1 2' 1〇;2 π 〇;π ^ 〇; ϊ 2 τ 〇; 2 11〇), m-axis(0 ί 10;1 Ϊ 00;1〇 ϊ 〇;〇1 ϊ 〇; ϊ 1〇〇; ^ 〇1〇)、或 如VIGWU)。_雜包含高純度 二氧化二1§。雜體物置於—_中加熱,綱鍋具有一形 狀,該監寶石晶體的最終形狀依據紐_雜可為圓形、方 形或多邊形。該方法更包含下列步驟:將複數鑽石線環繞於驅 動裝置上’該驅動裝置包含一主槽輪與一續石導輪組。使該驅 動裝置執行-擺動運動以使該複數讀石線產生一張力。利用該 張力對該藍寶石材料切割而形成一藍寶石基板。 3·如貫施例1〜2所述的方法’其中以讀取或切割的方式 來提取該孤貝石材料。该監寶石材料具有—形體,該形體包括 - ^主體、-長方柱體、或—正雜體。使該藍寶石材料具有 一定之切賴距,該切湖距在a65〜185mm的錢。該㈣ ,基板經_概具有-歧,餘G4〜16mm的範;貝。 忒方法更包括下列步驟:經由-研磨物質以上 磨該藍寶石基板的-第-表面與—第一矣而二广刀別研 為鑽石磨粒或研磨液。經由抛光液對該第一表面與該第二表面 拋光,以分別形成-第三表面與一第四表面,其中該第三^面
1S 201235518 與該第四表面皆具有一平面度與一粗糙度’在該第三表面與該 第四表面之間具有一厚度變化量以及一彎曲值,該平面声在每 英吋0〜20微米的範圍,該粗糙度在〇·2〜1〇奈米的範圍,該厚 度變化量在每英吋〇〜15微米的範圍,該彎曲值在_3〇〜3〇微米 的对圍。根據一特定形狀以一機械程序或一化學程序切巧兮誌 寶石基板,其中該機械程序包括以一切割輪、一高逮電腦數= 控制機、m鑽石刀切龍藍寶石基板,該化學程序 包括以一化學藥劑蝕刻該藍寳石基板。研磨該藍寳石基板之— 第五表面以使該藍寶石基板的外型形成圓角或倒角,以形成一 藍寶石玻璃’其巾該第五表面係位_1¥石基板之厚度方向 屯如實施例1〜3所述的方法,其中該藍寶石玻 穿透該穿透率大於或等於85%。該方法更包括下列步輝: 對該藍寶石玻璃進行-功能性鑛膜或一展飾性鐘膜。該功能性 鑛膜包括_藍寶石_進行-抗反射_,以提升該穿透率 至90%以上。該裳飾性賴包括:對該藍寶石玻璃進行一 邮雜餐物。石玻璃進 ‘種=石Γ的製造方法,包含下列步驟:將-藍 二 監實石晶體。自該藍寳石晶體在 “例5所述的方法,其中_定轴向的範圍在該 19 .201235518 — 藍f石晶_ e㈣偏a麵角度·2.5。〜2.5。秘S,及在該择 • f石晶體的C轴向偏m轴向角度_2.5。〜2.5。的範圍;或在該^ 寶石晶體的a軸向偏4向角度_25。〜25。的範圍,及在該藍寶 石晶體的a軸向偏m軸向驗2 5。〜2 5。的紙或在該藍寶 石晶體的m軸向偏e軸向角度·2 5。〜2·5。的翻,及在該藍寶 石晶體的m軸向偏a軸向角度_2 5。〜2 5。的紙或在該藍寶 石晶體^軸向。該特定轴向之米勒指數包括:c她卿)、 a-axiS( ^20;1 M0;2 Η 〇;11 2一 〇; ϊ 2 Γ 2 ιι〇)、 m-axif 1〇;1 ϊ 〇〇;1〇 王 〇;〇1 5 〇; ^ 玉 _ ㈣駒娜叫邮加納…魏體物包含高純度 二氧L該、辟物置於—_中加熱,該義具有一形 狀,該監f 4_最_驗___狀可為圓形、方 =邊$财社&含下财驟:將概鮮線環繞於驅 ^^,鄭_裳置包含—主槽輪與1石導輪組。使該驅 執:-擺_動以使該複數鑽石線產生一張力。利用該 張力對該石材料切割而形成—藍寳石基板。 〜6所述的方法,其中以續取或切割方式來 鬥紅石才料。該監寶石材料具有—形體,該形體包括一 切宝m、—長方體、或—正方體。該藍寶石材料具有一鎮石線 =咖’該切觸距在购.85咖的範圍。該藍寶石基板 具有一厚該厚度在0.4〜1.6圓的範圍。 姑由-:ί:: 5〜7所述的方法,該方法更包括下列步驟: 以上下研磨盤分別研磨該藍寶石基板的-第 、、-第-表面’其中該研磨物質為鑽石磨粒缺磨液。 20 201235518 經第一表面與該第二表面拋光,以分別形成-第 ,其中該第三表面與該第四表面皆且有: 平面度與-粗糙度,在該第三表面與該第 ^有^ 度變化量以及-彎曲值。該平面度在每英时0〜20^2 圍。該粗糙度在α㈣奈糊麵。該厚度乾 0〜15微米的範圍。該彎曲值在抓3〇微米的範圍。里母央时 9一如實施例5〜8所述的方法,該方法更包括下列步驟. ^據-特定形狀以—_程序或—化學程序切割料寶石義 Ϊ射=辩包括以=蝴輪、—高速f 機、: 、S’石刀切繼监實石基板。該化學程序包括以一化風 =働m轉石基板。财法更包括下列 ^ 板在厚度的方向上具有一第五表面,研磨二t貝石基 寶石基_外娜成圓肢倒肖。 1这監 =如實_5〜9所·方法,射該Mf石基板 '或所述 y麗貝石玻璃’其中該藍寶石玻璃具有一穿透 、牙透率大於或等於85%。該方法更包括:對該藍寶石玻 =仃一功紐鑛膜或一裝飾性顧。該功能性鍍膜包括對該 ^玻离進行—抗反射鍵膜,以提升該穿透率至9G%以上。 ^錦性魏包括:對該藍寶石破璃進行—金屬鍍膜,以在該 ^石麵上增加金屬光澤。對該籃寶石玻魏行—油墨轉 U.種剛玉材料的製造方法,包含下列步驟:提供具有 、車向的剛玉晶體,其中該成長軸向為該剛玉晶體的a 21 .201235518 軸向。自該剛玉晶體在— 緣向包括特定轴向提取調玉材料,其中該特 該剛玉晶體的A執向。麵’遠乂軸向及該C轴向係垂直於 12. 如實施例I〗
寶石晶體或-乡xf;5Q灿方法,其中該剛玉晶體包括-藍 紅寶石材料。該特體’該剛玉材料包括一藍寶石材料或-軸向角度-2.5。〜2 5。的》向的祀圍在該監寶石晶體的c轴向偏a 車由向角度-2.5。〜25j=,或在該藍寶石晶體的c轴向偏m 軸向角度-2.5。〜2.5。^或在該藍寳石晶體的a軸向偏c 轴向角度·2.5。〜25。的3 ’及在該藍寶石晶體的a轴向偏m ㈣角度·心石晶體的瓜轴向偏C 軸向角度-2.5。〜2.5。的範圍.戈在體的m軸向偏a 定轴向之石晶體心轴向。該特 -is(-2〇;1Mo;2 n0;112-〇^/2^^ ' -axis(0 I 10;l ! 〇〇;1〇 , 〇;〇1 , 〇; r i〇〇; ;〇 110) ' 咖_;1卿叫邮娜u)。該方法更包^下= 驟.將複數鎮石線環繞於驅動裝置上,該驢_置包含一錄 輪與一鑽石導輪組。使該驅動裝置執行— 曰
一張力。利用該張力對該藍寶:C
J 13. -麵玉材料,包含一剛玉晶體,該剛玉晶體具 成長軸向,且自該剛玉晶體在-特定轴向提取該剛玉材料,盆 中該成長轴向係該剛玉晶體的a輪向。 〃 K -種取雜置之藍f石材―製造方法,包含下列步 22 201235518 驟.長晶。提取。線切。雙拋。毛胚製作、以及鍍膜。 15·如實施例14所述的方法’其中該藍寶石材料係較佳 在其a軸向長晶,該藍寶石材料的軸向包含c-轴向(〇〇〇1)、心 轴向[包括(_、⑽)、(池)、(ii2〇)、(如〇)、以及⑽)]、 m•軸向[包括(ϊ_)、⑽)、_)、⑽)、⑽◦)、以及⑽〇)]、 和 Γ_轴向[包括(1011)、⑽)、(oiii)、_)、_) 、以及(ίιοι)] 的其中之一。 如貫施例 的轴向係在與該藍寶石材料的a轴向垂直之軸向, 认私17·如貝施例14〜16所述的方法,其中提取該藍寶石材料 的較佳角度在其c轴向偏向其a軸向_Z5。或2 5。。 脉!!·,如實施例14〜17所述的方法,其中提取該藍寶石材料 父 度在其C軸向偏向其m軸向-2·5〇或2 5〇。 说如實施例14〜16所述的方 的較佳角餘㈣向爾舞…石材料 材料啦,㈣該藍寶石 “轴向偏向其m軸向-2.5。或2.5。。 的#!T例14〜10所述的方法,射提取該藍寶石㈣ 的較佳角度在其叫向偏向其•向奸或2 5。。貝材抖 22.如實施例14〜16及21戶斤t 〆 材料的較佳#在I 麵方法,其中提取該藍寶石 23如=其"峨向其a—。或⑽。 .如只%例U〜l6所述的方法, 的較佳角度為R軸。 ”中楗取5玄監寶石材料 24.如實施例14〜23 斤的方法,其中該藍f石材料具有 201235518 早晶之晶體結構。 25.如實施例14〜23所城的方法甘 〜d所述的方法’其中錢膜包括使墨轉 P、物理風相冰積、雷射雕刻、絲綢印刷、或喷塗。 26· -種藍寳石材料的製造方法被提出,包^下列步驟: ^供具有—成長軸向的—藍寳石晶體,其中該成長軸向係該誌 虞石晶體的&軸向。自該藍寳石晶體在—特定轴向提取該藍; 石材料,其中雜定㈣健直於該藍寶石晶體的&轴向。 且右—種I寳石材料’包含—藍寶石晶體,該1寳石晶體 “、成長轴向’且自4藍寶石晶體在—特定轴向提取該藍寶 石材料’其愤成長轴向係雜f石晶體的a軸向。 综上所述’本發明的說明與實施例已揭露於上,然其非用 =限制本剌’凡習知此技藝者,在不聰本發明的精神與範 下’备可做各種更動與修飾,其仍應屬在本發明專利的涵 盍範圍之内。 【圖式簡單說明】 ,一圖:玻璃加工製程的示意圖; 第一圖(a):本案第一較佳實施例凱式長晶設備的示意圖; 苐一圖(b):本案藍寶石晶體的示意圖; 给一 一二圖:本案第一較佳實施例藍寳石材料製造方法的示意圖; 第四圖.本案第二較佳實施例熱交換設備的示意圖; 〜五圖:本案第二較佳實施例藍寶石材料製造方法的示意圖; 圖(a).本案第三較佳實施例線切加工設備的示意圖; 圖(b):本案第三較佳實施例線切加工設備的示意圖; 第七圖(a) ·本案第四較佳實施例研磨設備的示意圖; 24 201235518 第七圖(b):本案第四較佳實施例另一研磨設備的示意圖; 第八圖.本案第五較佳實施例拋光設備的示意圖; 第九圖:本案第六較佳實施例外形切割的示意圖; 第十圖:本案第七較佳實施例外形研磨的示意圖;以及 第十一圖:本案藍寶石製造與加工方法流程之示意圖。 【主要元件符號說明】 20: Ijl式長晶設備 201,301:電阻加熱器 203, 303:熔體物 2〇5,3〇5··藍寶石晶種 207, 307:隔熱屏 2〇8:藍寶石晶體 308:熱交換管 42:驅動裝置 46:鑽石導輪組 5〇4:線切割後的藍寳石基板 8〇5:拋光後的藍寶石基板 501,607:上研磨盤 503, 603:鏤空圓形載盤 606:鐵石磨粒 70:拋光設備 703:拋光載盤 5041,7021:第一表面 8051:第三表面 30:熱交換設備 202, 302:坩鍋 204,304:固液介面形成物 206:電流銅環 306:電流線圈 2〇9:藍寶石材料 40:線切加工設備 44:主槽輪 48··複數鑽石線 7〇2:研磨後的藍寶石基板 50,60:研磨設備 505:下研磨盤 502:研磨物質 608:研磨液 701:上拋光盤 704:下拋光盤 5042, 7022:第二表面 8052:第四表面 201235518 903:第五表面 801:鑽石刀 802:雷射 803:化學藥劑 804:高速電腦數值控制機 806:切割輪 901:鑽石磨輪 26

Claims (1)

  1. 201235518 七、申請專利範圍: 1. 種監寶石材料的製造方法’包含下列步驟: 將—藍寶石晶種接種到一熔體物; 向上拉提該藍寶石晶種而在該熔體物造成溫度梯度以使其逐 漸冷部,並使該熔體物在該藍寶石晶種的a軸向結晶以形成一藍 寶石晶體;以及 自該藍寶石晶體在一特定軸向提取該藍寶石材料。 2. 如申請專利範圍第丨項所述的方法,其申: 該特定軸向的範圍包括: 在該藍寶石晶體的c軸向偏a軸向角度_2.5。〜2.5°的範 圍’及在該藍寶石晶體的c轴向偏m軸向角度-2.5。〜2.5。的範圍; 在該藍寶石晶體的a軸向偏c軸向角度-2.5。〜2.5°的範 圍’及在該藍寶石晶體的a軸向偏m軸向角度-2.5。〜2.5。的範圍; 在該藍寶石晶體的m軸向偏c軸向角度-2.5。〜2.5°的範 圍’及在該藍寶石晶體的m軸向偏a軸向角度-2.5。〜2.5。的範圍; 或 在該藍寶石晶體的r軸向; 該特定軸向之米勒指數包括: c-axis(OOOl); a-axis(ii2〇;i210;2n〇;iii〇; ϊ2ϊ〇;^ΐι〇); m-axis(〇il〇;lI〇〇;l〇i〇;〇li〇;il〇〇;i〇l〇);或 Γ-3χίδ(ΐ〇ϊι;ιΐ〇ΐ;〇ιΐϊ;ϊ〇ιϊ;ϊι〇ι;〇ϊιΐ); 27 201235518 該熔體物包含高純度三氧化二鋁; 該熔體物置於一坩鍋中加熱,該坩鍋具有一形狀,該薛寶石 晶體的最終形狀依據該坩鍋的形狀可為圓形、方形或多邊形; 該方法更包含下列步驟: 將複數鎮石線環繞於驅動裝置上,該驅動裝置包含一主 槽輪與一鑽石導輪組; 使該驅動裝魏行-觸運動以使該複錄^線產生一 張力;以及姻該張力對該藍寶石材料切割而形成—藍寶石基板。 3·如申請專利範圍第2項所述的方法,其中: 以鑽取或切割的方式來提取該藍寶石材料; 該藍寶石材料具有-形體’該形體包括—馳體、一長方柱 體、或一正方柱體; 〜該藍寶石材料具有-切關距,該切觸距在Q65〜i 85mm 的範圍; 該監貝石基板具有一厚度,該厚度在〇 4〜16咖的範圍;以 及 該方法更包括下列步驟: -望—I㈣—Γ磨物料上7*研磨盤麵研磨該藍寶石基板的 面。第—表面’其中該研磨物質為鎮石絲或研磨液; :經_歧_第—表面與鮮二表面抛光 ,以分別形 與—第四表面,射該第三表面與該第四表面皆具 厚度缴化:與一j度’在該第三表面與該第四表面之間具有一 又又里以及弓曲值,該平面度在每英呀0〜如微米的範圍, 2S 201235518 該厚度變化量在每英吋〇〜15 該表面粗糙度在〇.2〜1〇奈求的範圍, 微米的範® ’轉频在 相祕⑼ 心政未的範圍; 石基板,其中該機程序或-:學程序切割該藍寶 機化二射、或,,崎:== 一化學樂__藍寶石基板;以及 研磨該藍寶石基拓之_结τ ± _ «备物板之弟五表面以使該藍寶石基板的外 尘小成0角或倒角,以形成一趑窗 於該藍寶妓板之料純上ΓΛ翻,其中鮮五表面係位 4·如节請專利範圍第3項所述的方法,其中: 該監寳石玻魅有-穿透率’轉鱗大於或等於85% ; 該方法更包括下列步驟: 對該藍寶石玻璃進行一功能性鍍膜或一裝飾性鍍膜; 該功能性鍍膜包括對該藍寳石玻璃進行一抗反射鍍膜,以提 升該穿透率至90 %以上;以及 該裝舞性鍍膜包括: 對該藍寶石玻璃進行一金屬鍍膜,以在該藍寶石玻璃上 增加金屬先澤;以及 對該藍寶石玻璃進行一油墨轉印。 5. —種藍寶石材料的製造方法’包含下列步驟: 將一藍寶石晶種接種至一熔體物; 以熱交換方式使該熔體物逐漸冷卻,而使該熔體物在該藍寶 29 201235518 石晶種的a麵向結晶,以形成一藍寳石晶體;以及 自忒藍賃石晶體在一特定軸向提取該藍寶石材料。 6·如申請專利範圍第5項所述的方法,其中 該特定軸向的範圍包括: 在該監寶石晶體的c軸向偏&軸向角度_2.5。〜2.5。的範 圍及在該監寶石晶體的c軸向偏!!!軸向角度_2.5。〜2.5。的範圍; 在該藍寶石晶體的a軸向偏c軸向角度_2.5。〜2.5。的範 圍,及在該藍寶石晶體的a軸向偏m轴向角度-2.5。〜2.5。的範圍; 在該藍寶石晶體的m軸向偏c軸向角度-2.5。〜2.5。的範 圍,及在該藍寶石晶體的m軸向偏a軸向角度-2.5。〜2.5。的範圍; 或 在該藍寶石晶體的r軸向; 該特定軸向之米勒指數包括: c-axis(OOOl); a-axis(ii20;12l〇;2ii〇;112〇; ϊ2ϊ〇;2ΐι〇); m-axis(〇ilO;l%);l〇i:0;01i0;i10〇;i〇1〇);或 r-axisClOililiO^Oiil;ϊ01ΐ; ϊι〇ι;〇ϊπ); 該熔體物包含高純度三氧化二鋁; 該熔體物置於一坩鍋中加熱,該坩鍋具有一形狀,該藍寶石 晶體的最終形狀依據該坩鍋的形狀可為圓形、方形或多邊形; 該方法更包含下列步驟: 線切割: 將複數鎮石線環繞於驅動裝置上,該驅動裝置包含 30 201235518 一主槽輪與一鑽石導輪組; 使該驅動I置執行~麵縣以使賴數讀石線產 生一張力;以及 利用該張力雜監寶;5材料蝴而形成—藍寳石基 板0 7.如申請專利範圍第6項所述的方法,其令·· 以鑽取或切割方式來提取該藍寶石材料; 該藍寳石材料具有-形體’該形體包括一圓柱體、一長方體、 或一正方體; 該監寳石材料具有_切綱距,該切制距在G65〜185mm 的範圍; 該藍寶石基板具有-厚度,該厚度在G4〜l 6mm的範圍; 該方法更包括下列步驟: 研磨.經由-研磨物質以上下研磨盤分別研磨該藍寶石 基板的-第-表面與-第二表面,其中該研磨物質為鑽石磨粒或 研磨液;以及 拋光:經由拋級對該第—表面與該第二表面抛光,以 分別形成—第三絲與—第四表面,其找第三絲與該第四表 面皆具有—平面度與—粗糙度,在該第三表面與該第四表面之間 具有一厚度變化量以及一彎曲值; 该平面度在每英吋〇〜2〇微米的範圍; 該粗糙度在〇·2〜1〇奈米的範圍; 該厚度變化量在每英,〜15微米的範圍; 201235518 該彎曲值在·3〇〜3〇微米的範圍; 該方法更包括下列步驟: 切割該藍轉—特定形狀以一機_序或—化學程序 射、程序包括以—切贿、—高速魏數值控制機、一雷 射或讀石刀切割該藍寶石基板; t學程序包括以一化學藥劑_該藍寶石基板;以及 Θ方法更包括下列步驟: …外㈣磨.該監基板在厚度的方向上具有—第五表面, 研磨該第五表魏使該藍寶石基_外卿細角或倒角。 8.如申粕專利範圍第7項所述的方法,其中: 該藍寶石基板經過所述線切割、所述基板_、所述抛光、 所述外形切割、或所述外形研磨後形成—藍寶石麵,其中該藍 寶石玻璃具有—穿透率,該穿透率大於轉於85% ; ^ 該方法更包括: 對該藍寶石玻璃進行-功能性鎮膜或一輯性錄膜; 該功能性賴包括對該藍寳石破_行_抗反射鍍膜]以提 升該穿透率至90°/。以上;以及 該裝飾性鍍膜包括: 對該藍寳石玻璃進行-金屬錢膜,以在該藍寶石玻璃上 增加金屬光澤;以及 對該藍寳石玻璃進行一油墨轉印。 201235518 9. -種藍寶石材料的製造方法,包含下列步驟: 提供具有一成長軸向的—薛寶曰 , E 藍寶石晶體的a轴向;以及體’其中該成長輪向係讀 自該藍寶石晶體在—特定轴向提取該藍寶石材料。 10· 一種剛玉材料的製造方法 提供具有一成長軸向的一 羞寳石晶體的a軸向;以及 ’包含下列步騾: 藍寶石晶體,射誠長麵係镇 自該剛玉晶體在-特定舳提取該剛玉材料。 Π·如申請專利範圍第⑺項所述的方法,发中. 為該藍寶石晶體或一紅寶石晶體, 栝i貝石材料或一紅寶石材料; 該特定轴向的範圍包括: 在該藍寶石晶_ e軸向偏 圍,及在該藍寶石晶體的c轴向偏峰向角=225=的範 在該藍寶石晶體的a轴向偏 圍,及在該藍寶石晶體的a轴向“ ^的範 在該藍寶石晶體―偏圍; 圍’及在健f石晶體的吨向 ° .5〜2.5的範 或 聊⑽❿向角度-2·5°〜2_5°的範圍; 在該藍寶石晶體的Γ轴向; 該特定轴向之米勒指數包括: c-axis(〇〇〇l); 201235518 a-axis(n20;l210;21:i〇;ii2〇; ϊ2ΐ〇;^1ΐ〇); m-axisCO^lOVOOilO^OiIoAooJoio);或 r-axisClO^ljliO^Ol1!; ΐ〇ιϊ· ϊι〇ι;〇ϊπ); 該剛玉晶體係由一熔體物冷卻而形成; 該溶體物包含尚純度二氧化二銘; 該您體物置於-職中加熱,該掛鋼具有一形狀,該齡窗 晶體的最終形狀依據麟_形狀可為_、方形或多邊^貝石 該方法更包含下列步驟: 該驅動裝置包含—主槽輪 將複數鎮石線環繞於驅動裝置上 與一鑽石導輪組; •tr動裝置執行—縣運動以使該複_石線產生 力;以及 張 利用該張力_藍寶石材料切細形成-藍寶石基板。 I2. —種藍寶石材料,包含: -藍寶石晶體’具有—成長袖向 定軸向提取雜f;5材 自—“體在-特 轴向。 叶其中戎成長軸向係該藍寶石晶體的a 13· 一種剛玉材料,包含: 一剛玉晶體,具有一 車由向提取該剛玉松租 D且自該監賓石晶體在一特定 ,/、中5玄成長軸向係該剛玉晶體的a軸向。 34
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