TW201234617A - Conductive material, touch panel, and solar cell - Google Patents

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TW201234617A TW100129229A TW100129229A TW201234617A TW 201234617 A TW201234617 A TW 201234617A TW 100129229 A TW100129229 A TW 100129229A TW 100129229 A TW100129229 A TW 100129229A TW 201234617 A TW201234617 A TW 201234617A
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layer
water
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TW100129229A
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Kenji Naoi
Nori Miyagishima
Takeharu Tani
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Fujifilm Corp
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Description

201234617 jy^oupif 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種導電材料、使用該導電材料的觸 控面板以及太陽電池。 【先前技術】 近年來，液晶顯示器（liquid crYstal disPlay ’ LCD)、 電榮·顯示器（plasma display panel ’ PDP )、發光二極體（light emitting diode，LED)、電激發光（electroluminescence， EL)等的平板顯示器（flat panel display，FPD) '太陽電 池、觸控面板等中，廣泛使用透明導電膜。如上所述的透 明導電膜報告有關於銀奈米線的研究（參照專利文獻1)。 該專利文獻1中’使用有機溶劑於高溫中進行銀奈米線的 合成，合成直徑粗的銀奈米線。如上所述的直徑粗的銀奈 米線的電漿子（plasmon)吸收變少，於透明導電膜的分光 吸收光譜中，如圖i的試料N〇1〇6的導電材料所示，於 325 nm' 390 nm下不存在吸收波峰，而於可見光區域中具 有由塊狀金屬銀的絲特性所引起的高反射率因此霧^ 高，用於顯示材料時存在對比度的下降顯著的問題。 導電上述專利文獻1中，關於根據⑴降低 方法m中的黏合劑與Ag的比（黏合劑/Ag)的 ΐ導電材=二材料的導電層進行浸潰處理的方法、⑴ 導電層進行加熱處理的方料，分光吸收光 5曰的形狀變化的情狀全未提及。 [先前技術文獻] 201234617 VFif [專利文獻] [專利文獻1]美國專利申請公開2007/743^號說明書 【發明内容】 本發明的課題在於解決先前的上述諸多問題，來達成 以下目的。即，本發明的目的在於提供一種高穿透性、低 電阻’且耐久性及可撓性提高，可簡易地圖案化的導電材 料，以及使用該導電材料的視認性良好的觸控面板及轉換 效率高的太陽電池。 為了解決上述課題，本發明者等人反覆進行積極研 究’結果發現’含有導電性纖維的導電層的分光吸收光譜 中325 nm〜390 nm的吸收波峰為1個的導電材料，其導 電性纖維彼此的接點得到強化，導電性、穿透率、霧度、 可撓性及耐久性提高。 本發明是基於本發明者等人的上述發現，用以解決上 述課題的手段如下所述。即： 〈1〉一種導電材料，包括含有導電性纖維的導電層， 其特徵在於： 上述導電層的分光吸收光譜中，325 nm〜390 nm的吸 收波峰為1個； 〈2〉如上述〈1〉所述之導電材料，其中325 nm〜390 nm的吸收波峰的半寬度為1〇〇 nm以下； 〈3〉如上述〈2>所述之導電材料，其中325 nm〜390 nm的吸收波峰的半寬度為20 nm〜70 nm ; 〈4〉如上述〈1〉至〈3〉中任一項所述之導電材料’ 4 201234617 jy^toupif 其中導電層的分光吸收光譜中’ 325 nm〜390 nm的峰頂吸 光度A、與800 nm的吸光度B的比（A/B)為1.5以上. 〈5〉如上述〈1〉至〈4〉中任一項所述之導電材料， 其中導電層中的導電性纖維以外的成分相對於導電性纖維 的質量比為0.1〜5 ; '' 〈6〉如上述〈1〉至〈5〉中任一項所述之導電材料， 其中導電性纖維為金屬奈米線； 〈7〉如上述〈6〉所述之導電材料，其中金屬奈米線 包含銀以及銀與銀以外的金屬的合金中的任一種； 〈8>如上述〈7〉所述之導電材料，其中導電層中的 銀3量X g/m2、與導電層的分光吸收光譜中的325 nm〜 390 nm的峰頂吸光度A的比（X/A)為〇.4以上； 〈9〉如上述〈6〉至〈8〉中任一項所述之導電材料， 其中金屬奈米線的平均短軸長度為50 nm以下，且平均長 軸長度為2 以上； 〈10>如上述〈1〉至〈9〉中任一項所述之導電材料， 其中導電層t的總可見光穿透率為85%以上； (11)如上述〈1〉至〈10〉中任一項所述之導電材料， 其中導電層中的表面電阻為G1 Ώ/α〜5，_Ω/口； 、〈12〉如上述〈1〉至〈11〉中任一項所述之導電材料， 其中導電層經圖案化； 〈13〉一種觸控面板，使用如上述〈1〉至〈12〉中任 一項所述之導電材料； 〈14> 一種太陽電池，使用如上述〈〇至〈12〉中任 201234617 一項所述之導電材料。 [發明的效果] 依據本發明，可解決先前的問題，可提供一種高穿透 性、低電阻，且耐久性及可撓性提高，可簡易地圖案化的 導電材料，以及使用該導電材料的視認性良好的觸控面板 及轉換效率高的太陽電池。 【實施方式】 (導電材料） 本發明的導電材料至少包括含有導電性纖維的導電 層。本發明的導電材料亦可更包括基材、感光層、防污層、 抗紫外線（ultraviolet，UV)層、抗反射層等其他的層。 本發明中特徵在於：上述導電層的分光吸收光譜中， 波長325 nm〜390 nm的吸收波峰為i個。若如上所述， 導電層的分光吸收光譜中波長325 nm〜390 nm的吸收波 峰為1個，則導電性纖維彼此的接點得到強化，導電性、 穿透率、霧度、可撓性以及濕熱耐久性提高。另外，若於 波長325 nm〜390 nm下不具有吸收波峰，則存在導電性 纖維被氧化’或變形成粒子狀等而產生導電性的惡化，霧 度、可撓性以及濕熱耐久性下降的情況。 此處，圖1是表示後述實例丨中的試料\〇 1〇1〜試料 No.106的導電材料中的導電層的分光吸收光譜的圖。此 外’圖1中，將波長325 nm〜700 nm的範圍的吸收波峰 的最大吸光度規格化為1.0。 如圖1的A部所示，作為本發明的導電材料的試料 6 201234617 jy4»upif
No.101〜試料No.105在波長325 nm〜390 nm的範圍具有 1個吸收波峰。具有吸收波峰的波長範圍更正確而言為335 nm〜375 nm ° 相對於此’作為先前的導電材料的試料N〇.1〇6經確 認，在波長325 nm〜390 nm的範圍不具有吸收波峰，而 是平穩的波形，在可見光區域具有高吸收或散射，且穿透 率、霧度惡化。 另外，上述導電層的分光吸收光譜中，波長325 nm〜 390 nm下的吸收波峰的半寬度較佳為1〇〇nm以下，更佳 為20 nm〜90 nm，尤佳為20 nm〜70 nm。 若上述半寬度超過100nm，則存在球狀奈米粒子混合 存在的可雜，有時導電㈣帶有黃色調。若上述半寬^ 小於20 nm，則存在金屬奈米線的粗度（平均短軸長度） 變得過細，而導致濕熱耐久性惡化的情況。 又 此處，上述所謂波長325 nm〜39〇 nm下的吸收波峰 的半寬度，是指如圖2所示，於上述導㈣的分光吸收光 譜（圖2中，以試料No.101為代表來表示）中，首先，使 波長600 nm〜800 nm的範圍的吸收光譜近似為直線將 其作為基線。延長縣線，將其與自錄峰頂下降的 的交點作為基準位置。然後，將於吸收料的高度與上诚 基準位置的高度半值齡置水平_ ^ 度（腿）所表示的值作為半寬度。 擎吁的寬 上述導電層的分光吸收光譜例如可利用分光光度 (JascoV-670,曰本分光股份有限公司製造）等來測^ 7 201234617 jy4»upif 另外’上述導電層的分光吸收光譜中，波長325 nm〜 390 nm的峰頂吸光度A、與800nm的吸光度B的比（A/B) 較佳為1.5以上’更佳為2.〇〜5.0，尤佳為2.0〜3.0，特佳 為2.1〜2.4。若上述比（a/B)小於1.5，則可見光區域的 吸收相對地變大，因此存在透明性惡化的情況。 另外’上述導電層中的銀含量Xg/m2、與上述導電層 的分光吸收光譜中的波長325 nm〜390 nm的峰頂吸光度 Λ的比（X/A)較佳為〇.4以上，更佳為〇·6以上，尤佳為 〇.6〜L〇，特佳為0.6〜0.8。若上述比（Χ/Α)小於〇.4， 則相對於導電性纖維的量，吸光度相對地提高，因此存在 透明性惡化的情況。 此外，此處的峰頂吸光度Α及8〇〇 nm下的吸光度β 為實測值。 上述導電層中的銀含量例如可利用螢光χ射線分析裝 置（SII公司製造’ SEA1100)等來測定。 上述導電層的厚度較佳為0.01 μπι〜1 μιη，更佳為〇 05 μπι〜0.5 μηι，尤佳為〇·〇5 μπι〜〇 3 μιη。使用導電性纖維 的導電層不僅使導電層的厚度非常薄，而且表現出高導電 性。^中，若上述導電層的厚度小於〇 〇1 μιη，則存在無 法獲得充分的㈣度，·導電層的製造步驟或其後的: 工階段中產生關落或表面電阻的變動的顧慮；若上 電層的厚度超過1帅，則存在因導電層中所含的黏合 使導電性下降，表面電阻上升的顧慮。 -接點強化處理- 8 201234617 使上述導電層的分光吸收光譜中的波長325 nm〜39〇 nm的吸收波峰為1個的方法可列舉將上述導電材料的導 電層進行接點強化處理。藉由將上述導電材料的導電層進 行接點強化處理，導電性纖維間的黏合劑、粒子、分散劑 等被去除，作為導電性纖維的金屬奈米線彼此的接點增 多。其結果認為是由於作為導t性纖維的金屬奈米線的電 漿子吸收成分減少、或者導電性纖維的周圍的折射 所引起的。 上述導電層的接點強化處理例如可列舉：（丨）降低導 電層中的黏合劑的含量⑷與導電性纖維的含量_ ^篁比（A/B)的方法、⑴料f層以浸進行浸潰 處理的方法、（3)將導電層進行加熱處理的方法等 上述（1)至（3)的方法適當組合來進行。 降低上述導電層中的黏合劑的含量（A)與 維的含量⑻的質量比（A/B)的方法可列舉： 力口的塗佈用黏合劑的添加量、增加導電性纖維的添+ 減>、分散劑本身的使用量等。 ’、、Π里 含量層Λ的黏合_含量⑷與導·纖維的 :()的質置比（Α/Β)，上述導電性纖維的含息、 〇、上=容性聚合物的含量⑻的質量比 =) 0.1〜3，更佳為〇 5〜2。 杈佳為 上述（2)將導電材料的導電層 如可列舉：⑴向容器中加人浸潰液，方法例 電材料的方法；（ii)使導電材料通過浸潰二二法曼= 9 201234617 ^y^aupif 將導電材料的導電層 (spray)、沖洗（ '又，文喷淋（shower ) 上述浸潰液i:V的方法等。 兩醢7 ^ 如可列舉水、甲醇、？萨^ „ 丙醇、乙二醇、内綱等乙知、正丙酵、異 可併用2種以上。 °X二，文次液可單獨使用1種，亦 該些浸漬液令，輕 ，的混合溶劑，更佳;水乙【醇=、異=、 合溶劑，特佳為水與正丙醇的混合溶^水與正丙醇的混 丙醇丙7醇，合溶劑中的現合體積比（水··正 敉佳為3. 7〜7: 3,特佳為5: 5。 作為上述浸潰的條件 較佳為於5t〜4(rc的笳圍n，又，貝液為乙醇的情況， 邮〜30t的朗進行3秒〜3分鐘。更佳為於 於上述浸潰液為水與正丙醇的混合 的情況’較佳為於5。。〜贼的溫度下進行=二^ 更佳為於邮〜坑的溫度下進行5秒〜= 於上述浸潰液為水㈣況，較㈣於穴〜贼
度了進行i秒〜3。分鐘，更佳為於阶〜坑的 J 行5秒〜15分鐘。 a 1 % 另外’達成與上述浸潰處理相同的效果的方法 為對上述導電材料的導電層喷射、或者喷淋上述浸漬液， 進而以沖洗液沖洗。 上述沖洗液可為浸潰液其本身，亦可為將浸潰液與其 他溶劑組合而成的沖洗液。上述其他溶劑可列舉水等了，、 201234617 jy^eupif 進行上述（2)的浸潰處理後，較佳為利用純水進行多 次沖洗。 上述（3)將導電材料的導電層進行加熱處理的方法例 如可列舉以下方法等：於空氣中或者聽中顧烘箱等， 將導電材料的導電層於贼〜25(rc的溫度下魏i分鐘 〜60分鐘，較佳為於8(rc〜2〇〇t：的溫度下煅燒2分鐘〜 30刀釦，或者使用加熱板等，越過基材而加熱導電材料。 上述接點強化處理較佳為：將q)降低導電層中的黏 合劑的含量（A)與導電性纖維的含量⑻的質量比（A/B) 3法與⑺料電層崎潰峡行浸潰處理的方法組合 行，將（1 )降低導電層中的黏合劑的含量（八）與導電 置⑻的比(A/B)的方法與⑴將導電層 進仃加熱處理的方法組合進行。 大ί ίΐί電材料只要具備上述特徵，則對其形狀、結構、 =專並無特別限制，可根據目的來適當選擇，例如，上 積層'結：舉：大攄上述結構可列舉單層結構、 、 ^】、了根據用途等來適當選擇。 了 具有可撓性且透明’上述透明除 等了外，還包財色翻、半透明、有色半透明 化可電層較佳為經_卜上述圖案 案、鐵石圖案的圖Γ等 列舉被稱為長方形狀的圖 11 201234617 jy^eupif 且含有點合劑、進 上述導電層至少含有導電性纖維 而視需要的其他成分而成。 [導電性纖維] 上述導電性纖維的結構並無特別限制 適當選擇，較佳為實心結構及中空結構中的任一 1的來 此處，有時將貫心結構的纖維稱為 中空結構的纖維稱為管（tube)。 ）有夺將 有時將平均短軸長度為5 n 長度為i叫〜100 μηι的二二，〇〇〇腹，且平均長軸 (nanowire), 〇卿的導電性纖維稱為「奈米線 長轴長产卜為將平均短轴長度為1 nm〜I。。—，平均
贡釉長度為Ο.1 μηι〜1，〇〇〇 μηι，日 丁 J 纖維稱為「奈米管（n咖UL)」且具有中空結構的導電性 限制上?2 料只要具有導電性，則並無特別 -種，該些材料中，’較佳為金屬及碳的至少任 金屬奈米管二;ί::==為金屬奈米線、 《金屬奈米線》 -材料_ 表·_來 的第4週期、坌 仅疋京週期表（IUPAC1991) 種金屬，更佳為週:及第6週期所組成組群中的至少1 自第2族〜第14族中的至少1種金屬， 12 201234617 jy48Upif 為選自第2族、第8族、第 _金屬· 上述金屬例如可列舉：銅、銀 銘、錢、銥、鐵、釘、鐵、猛、銷、：、、鉬，、鎳、錫、 録、錯、或者該些金屬的合金等。該此八匕、组、鈦、叙、 優異的方面而言，較佳為銀以及與银中，就導電性 以上述與銀的合金來使用的金可^與。 銥=金屬可單一，亦; 適當選擇無，可根據㈣來 形的柱狀等任意的 2狀、剖面成為多角 佳=屬:=_二：=中，較 e—c聊ope，TEM)觀面=(的― -平均短軸長度及平均長軸長度.來5周查。 做的較長度（有時稱為「平均短 5〇mn，尤佳為1〇nm〜4〇nm I更佳為1⑽〜 nm 化，简差的情二=:度=性惡 201234617 jy4»upif 則存在產生由金屬奈米線引起的散射，無法獲得充分的透 明性的情況。 上述金屬奈米線的平均短軸長度是使用穿透型電子顯 微鏡（TEM，日本電子股份有限公司製造，腿·細㈣)、， 觀察個金屬奈米線，根據其平均值來求出金屬奈米線 的平均短軸長度。此外，於上述金屬奈米線的短轴為^圓 形的情況的短軸長度是將最長者作為短軸長度。 卢奈米線的平均長軸長度（有時稱為「平均長 f」)較佳為2卿以上，更佳為2卿〜4。_ ’尤佳為3师 35 ’ 特佳為 5 μηι〜30 μιη。 述平均妹長度小於2帅，神在_形成_ =過Τ獲得，電性的情況，·若上述平均長 ，導致製：程;】===長’會於製造時 子顯上:鏡金=線===電 ，M-2000FX) ’觀察3〇〇個金屬 ^司^^央 求出金屬奈米線的平均長轴長度。此：來 線·¥曲的情況，考慮將其作為弧的圓屬不未 率來算出的值作為長軸長度。 根據其+從及曲 -製造方法- 上述金屬奈米線的製造方法 -種方法來製造，較佳為藉由以下：方：：，可利用任 化合物及分散添加劑的溶劑中一 /，在溶解有鹵素 D*，，、一邊將金屬離子還 201234617 iy48Upif 原來製造。 另外，金屬奈米_製造方法可使用日本專利特開 2〇〇9 215594號么報、日本專利特開2_ 242_號 日本專利特開2_·299162號公報、日本 2010-84173號公報、日太直刹姓ΒΒ 了阿 記載的方法。 利特開2〇1〇_86714號公報等中 上述溶劑較佳為親水性溶劑，例如可列舉水、醇類、 等’該些溶劑可單獨使用1，亦可併用2種 上述醇類例如可列舉甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁 醇、乙二醇等。 叶开J蛘丁 上述_例如可列舉二嗔燒、四氣咬喃等。 上述酮類例如可列舉丙酮等。 2。上==3==為2贼以下，更佳為 # h ϋ ί C ’ 特佳為 40°c 〜17〇t。 形成機率越下降，金屬太半蝻…、，皿又越低，核 容易纏續，vf _過長，因此金屬奈米線 ^ ； ^ C則存在金屬奈米線的剖面的角變彳^ 佈膜評價中的穿透率降低的情況。㈣铸急峻，塗 ^需要’亦可在金屬奈米線的形成過程 ΐ、厂提高藉由控制金屬奈米線：形 t抑制再核產生、促進選擇成長而使單分散性提高的效 15 201234617 jy4»upif t、、時、’較佳為添加還原劑來進行。 劑 中適當選擇原=限::可自通常所使用的還原 醇胺、脂肪族胺、雜^胺屬鹽，化銘鹽:烧 有機酸類、還原搪類、^醇方H成基胺、醇、 化合物、糊精、對笨二盼酸鈉、肼(hydrazine) 些還原劑中，特佳為還原糖類、作 為其何生物的糖醇類、乙二醇。 上述爛氫化金屬鹽例如可列舉：蝴氫化納、硼氣化钟 等。 上述氫化紹鹽例如可列舉：氫化紹鐘、氫化銘鉀、氫 化賴、氫化倾、氫化域、氫化鹏等。 >上述院醇胺例如可列舉：二乙基胺基乙醇、乙醇胺、 丙醇胺、二乙醇胺、二曱基胺基丙醇等。 上述脂肪族胺例如可列舉：丙胺、丁胺、二伸丙基胺、 伸乙基一胺、三伸乙基五胺等。 上述雜環式胺例如可列舉：哌啶、吡咯啶、Ν_甲基吡 咯啶、嗎啉等。 上述芳香族胺例如可列舉：苯胺、N-甲基苯胺、甲苯 胺（toluidine)、曱乳本胺（anisidine)、乙氧苯胺（phenetidine) 等。 上述芳烷基胺例如可列舉：苄基胺、二曱苯二胺、N-曱基苄基胺等。 上述醇例如可列舉：曱醇、乙醇、2_丙醇等。 201234617 •3y48〇pif 破^述有機酸類例如可列舉：檸檬暖、蘋果酸、酒石酸、 琥珀酸、抗壞血酸或者該些酸的鹽等。 上述還原糖類例如可列舉：葡萄* (giuc〇s〇、半乳 :g—)、甘露糖（_咖）、果糖（fmet〇se)、嚴 ，（咖聰）、麥芽糖（malt〇se)、棉子糖（raffia)、水 穌糖（stachyose)等。 上述糖醇〒例如可列舉山梨糖醇（s〇rbit〇1)等。 根據上述還原劑’有亦作為分散添加劑、溶劑而發揮 功能的情況，同樣可較佳地使用。 上述金屬奈米線製造時，較佳為添加分散添加劑、及 鹵素化合物或者齒化金屬微粒子來進行。 上述分散添加劑、與齒素化合物的添加時機可為還原 劑的添加前，亦可為添加後，可為金屬離子或者鹵化金屬 微粒子的添加前，亦可為添加後，但為了獲得單分散性更 良好的金屬奈米線，較佳為將自素化合物分成2階段以上 來添加。 上述分散添加劑並無特別限制，可根據目的來適當選 擇，例如可列舉：含胺基的化合物、含硫醇基的化合物、 含硫醚基的化合物、胺基酸或者其衍生物、肽化合物、多 糖類、合成高分子、來自該些化合物的凝膠等。該些化合 物中，特佳為明膠、聚乙烯醇、甲基纖維素、羥丙基纖維 素、聚伸烷基胺、聚丙烯酸的部分烷基酯、聚乙烯基吼咯 唆酮、聚乙烯基吡咯啶酮共聚物。 關於可作為上述分散添加劑來使用的結構，例如可參 17 201234617 3y4»upif …、顏料的sg]典」（伊藤征司郎編，朝倉書院股份有限公 發行，2000年）的記載。 另外，根據所使用的分散添加劑的種類，亦可使所尸 的金屬奈米線的形狀變化。 于 上述i素化合物只要是含有溴、氯、碘的化合物，則 並無特別限制’可根據目的來適當選擇，例如較佳為填化 鈉、氣化鈉、碘化鈉、碘化鉀、溴化鉀、氣化鉀等函化鹼， 下述可與分散添加劑併用的化合物。 根據上述函素化合物，可能有作為分散添加劑而發揮 功能的化合物，同樣可較佳地使用。 可使用齒化銀微粒子來代替上述_素化合物，亦可將 鹵素化合物與齒化銀微粒子一起使用。 上述分散劑與鹵素化合物也可以同一物質來併用。將 上述分散劑與齒素化合物併用的化合物例如可列舉：含有 胺基與溴化物離子的十六烷基-三甲基溴化錄 (hexadecyl-trimethyl ammonium bromide，HTAB)、含有 胺基與氣化物離子的十六烷基-三曱基氣化錢 (hexadecyl-trimethyl ammonium chloride，HTAC)、含有 胺基與漠化物離子或者氣化物離子的十二烧基三甲基漠化 叙、十一烧基二甲基氯化敍、硬脂基三曱基漠化|安、硬脂 基三甲基氣化銨、癸基三甲基溴化録、癸基三曱基氣化敍、 一曱基一硬脂基溴化敍、二甲基二硬脂基氯化録、二月桂 基一曱基》臭化敍、一月桂基二甲基氣化銨、二甲基二棕桐 基溴化銨、二甲基二棕櫚基氣化銨等。 201234617 JV48Upif 上述脫鹽處理可在形成金屬奈米 析、凝膠過滤、傾析、離心分離等』二利用超滤'、透 《金屬奈米管》 進仃。 -材料_ 屬 上述金屬奈米管的材料並無特別限制 ，例如可使用上述金屬奈米_材 絲一種金 -形狀_ 上述金屬奈米管的形狀可為單層， 電性及導熱性優異的方面*言，較佳騎層’:、4 ’就導 _平均短軸長度、平均長軸長度、厚度·曰 3 f述金屬奈米管的厚度（外徑與^ nm〜=0 nm，更佳為3腹〜3〇 nm。 随）幸乂佳為 變差厚ΐ小於3 η"1 ’則存在耐氧化性惡化，耐久性 奈米“起的超過8〇譲’則存在產生由金屬 奈歸的平均長純度較佳為1㈣〜40 為3 μιη〜35 μιη，尤佳為5 μιη〜3〇。 造方法· 的來奈米管的製造方法並無特別限制，可根據目 % μ tί擇，例如可使用美國專利公開2〇〇5/〇056118號 說明書等中記载的方法等。 《碳奈米管》 上述碳奈米管（carbon nanotube，CNT)是石墨狀石炭 、 （石墨片）成為單層或多層的同軸管狀的物質。上 201234617 述單層的碳奈米管被稱為單層壁奈米管（single wall nanotube，SWNT)，上述多層的碳奈米管被稱為多層壁奈 米管（multi-wall nanotube，MWNT) ’ 尤其，2 層碳奈米 管亦被稱為雙層壁奈米管（double wall nanotube， DWNT)。本發明中使用的導電性纖維中，上述碳奈米管可 為單層，亦可為多層，就導電性及導熱性優異的方面而言， 較佳為單層。 -製造方法- 上述碳奈米管的製造方法並無特別限制，可根據目的 來適當選擇，例如可使用：二氧化碳的催化氫還原、電弧 放電法、雷射蒸發法、熱化學氣相層析（chemicai vapor deposition ’ CVD)法、電漿CVD法、氣相成長法、使一 氧化碳在而溫高壓下與鐵觸媒一起反應而以氣相成長的高 壓一氧化碳法（high pressure carbon monoxide process，
HiPco法）等公知的方法。 殘留物 另外，就可獲得經高純度化的碳奈米管的方面而言， 利用上述方法而獲得的碳奈米管較佳為利用清洗、離I、分 離過濾氧化、層析#方法來去除副產物、觸媒金屬等 •縱橫比（aspect ratio )- ^上述導電性纖維的縱橫比較佳為10以上。上述所謂縱 橫比’通枝顧祿㈣的長邊與 ^ 長度/平均短軸長度的比）。 均長軸 上述縱橫崎収方法並無__，可_目的來 201234617 JV48Upif 適當選擇，如可縣姻電子顯微鏡縣測定 於^電子顯微鏡來敎上述導電性纖維的縱橫二 it況，上述導電性纖維的縱橫比是否為1〇以上， ==1視野中撕可。另外，藉由分·定上 述導電性_的絲長度隸純度，可 性纖維整體的縱橫比。 ，外’於上述導電性纖維為管狀的情況，用來算出上 述縱杈比的直徑是使用該管的外徑。 上述導電性纖維的縱橫比只要是1〇以上，則並盔特 限制’可根據目的來適當選擇，較佳為兄叫，麵，_ 佳為 100〜1，〇〇〇,〇〇〇。 若上述縱橫比小於10,則存在無法利用上述導電性纖 維來形成網狀物而不能獲得充分的導電性的情況；若上述 縱橫比超過1,〇〇〇,〇〇〇,則當形成導電性纖維時，於其後的 操作中，由於成膜前導電性纖維纏繞凝集，故而存在無法 獲得穩定的溶液的情況。 -縱橫比為10以上的導電性纖維的比率_ 上述縱橫比為10以上的導電性纖維的比率在總導電 性組成物中以體積比計，較佳為50%以上，更佳為60%以 上，特佳為75%以上。以下，有時將該些導電性纖維的比 例稱為「導電性纖維的比率」。 若上述導電性纖維的比率小於50%，則存在有助於導 電性的導電性物質減少而導致導電性下降的情況，同時存 在由於無法形成緻密的網狀物，而產生電壓集中，導致耐 21 201234617ir 久性下降的情況。另外，導電性纖維以外的形狀的粒子由 於不僅對於導f性並絲大幫助，而且㈣吸收，故而欠 佳。尤其於金屬的情況，當球形等的電漿子吸收強時存在 導致透明度惡化的情況。 此處，上述導電性纖維的比率例如於導電性纖維為銀 奈米線的情況，可藉纟職銀奈親水分舰，將銀奈米 線、與其以外的粒子分離，使㈣軌合魏（i—咖 coupled plasma ’ ICP)發光分析裝置，分別測定殘留於濾 紙上的銀的4、及？魏紙的_量，來求出導電性纖維 的比率。卩TEM來觀察殘留於濾紙上的導電性纖維，觀 察300個導電性纖_短軸長度，調查其分布，藉此確認 短軸長度為200 nm以下，且長軸長度為i μιη以上的導電 性纖維。此外，濾紙較佳為對穿透型電子顯微鏡（τεμ) 的ΤΕΜ像中短軸長度為200 nm以下、且長轴長度為i㈣ 以上的導電性纖維以外的粒子的最長軸進行計測，使用該 最長軸的2倍以上且導電性纖維的長軸的最短長度以下= 長度者。 此處，上述導電性纖維的平均短軸長度及平均長軸長 度例如可藉由使用穿透型電子顯微鏡（TEM)、光學顯微 鏡，觀察TEM像、光學顯微鏡像來求出，本發明中‘’，導 電性纖維的平均短轴長度及平均長軸長度是利用穿透型電 子顯微鏡（TEM)觀察300個導電性纖維，由其平均值來 求出。 〈點合劑〉 22 201234617 3y48Upif 上述黏合劑可適宜使用水溶性聚合物以及非水溶性聚 合物中的任一種，該些黏合劑中，就濕度耐久性的方面而 言’特佳為非水溶性聚合物。 《水溶性聚合物》 上述水溶性聚合物並無特別限制，可根據目的來適當 選擇，例如可列舉：明膠、明膠衍生物、力、七< y、瓊脂、 版粉、聚乙贿、聚丙烯酸共聚物、緩曱基纖維素、經乙 基纖維素、聚乙烯基。叫個、聚葡萄糖等。該些水溶性 聚合物可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 t述導電性纖維的含量U)與上述水溶性聚合物的 3篁（B)的質量比（A/B)較佳為〇 2〜3 ,更佳為〇 5〜 2.5。 若上述質量比（趟）小於〇.2, __ 述聚合物㈣過多，存在由於少許的塗佈 而，阻上升的顧慮;若上述質量比(a/b)超過 t合物少’因此存在膜在實用上不充分 。 《非水溶性聚合物》 所上述非水溶性聚合物是具有作為點合劑的功能， 貝^不溶解於中性附近的水中的聚合物。此處， 非’於解於吹的純水i，咖j 夺該黏5劑的；谷解直為3 g以下的棒、σ 為「非水雜」。 Ρ下的情况’將雜合劑稱
上述非水溶性聚合物的溶解度Μ Parameter’SP)值（湘沖津法而算出）較佳為龍W 23 201234617 ^y^supif 〜30 MPaw，更佳為 19 MPam〜28 Mpal/2，尤佳為 i9 $ MPa1/2〜27MPa1/2。 右上述SP值小於18 MPa1/2，則存在變得難以清洗所 附著的有機污垢的情況；若上述SP值超過3〇 MPa1/2，則 與水的親和性提高，可能由於塗佈膜的含水率上升而使紅 外線區域的吸收提高，因此例如當製作太陽電池時，存在 導致轉換效率減少的情況。 此處，上述SP值是利用沖津法（沖津俊直著「曰本 黏著學會刊」29 (3) ( 1993))來算出。具體而言，sP值 是利用以下式子計算。此外，AF是文獻記載的值。 SP 值（δ) =ΣΔΡ (莫耳吸引力常數（MolarAttracti〇n Constants)) /V (莫耳體積） 使用多種非水溶性聚合物的情況的sp值（σ)及sp 值的氫鍵項（σΐι)是利用下式算出。 [數學式1] 或 : __M, v<gi + MzWtiJz + MaVaga + · · ♦ Μ η V n n MiiVi + MzVi + M3V3 + · * · Μ η V n cr 其中’ ση表示非水溶性聚合物與水的sp值或者sp 值的氫鍵項，Μη表示混合液中的非水溶性聚合物與水的 莫耳分率，Vn表示溶劑的莫耳體積，η表示代表溶劑種類 24 201234617 39480pif 的2以上的整數。 基(以；上^:1來合物具有選自丙烯醯基及曱基丙烯醯 僅平均短軸長度為$ 9由具有此種乙離*飽和基，不 性聚合物中的$散二以下的金屬奈米線於上述非水溶 的有機溶劑的;而且含有該些非水溶性聚合物 線的八(亦稱為「塗佈液」）中，金屬奈米 液二U:寻以維持的性質優異。而且，使用該塗佈 間曝露，金屬夺溫且高濕度的氣體環境中長時 抑制。隸例由於氧化等而變質的情況亦得到 性以为ί為及整個面而獲得均勻且導電性、耐久 導電優異的導電層。進而，獲得基板與 層。a、者丨紐異，對於雜等㈣久性優異的導電 上述非水洛性聚合物較佳為在連接於主鍵的側鍵上含 W至H種上述乙驗不飽和鍵。上述乙烯性不飽和鍵可 於側鏈中含有多個。另外，上述乙烯性不飽和鍵亦可與上 ，分支及/或脂環結構、以及/或者上賴性基__起包含於 非水溶性聚合物的側鏈中。 上述乙烯性不飽和鍵較佳為經由在與非水溶性聚合物 的主鏈之間包含至少丨_旨基（·⑽_)的連接基而結合。 於此情況’可在上述連接基與乙烯性雜和鍵（即， 丙稀酿基或者甲基⑽醯基）之間包含連接基，該連接基 包含與上述丙烯醯基或者曱基_醯基情含㈣基一起 25 201234617 39480pif 形成的酯基。 物 上述非水溶性聚合物包含下述通式⑴所表示的聚合 [化1] X1 -CH〇-C^ Y1 21 C00-X2 :CH2-沐十Η叫士 ⑴ 〇〇〇
C00H 丨、Ζ2-〇-ζ3 亍盘卜^…及心別獨立地表 不氣原子或者f基，χ2^具有分I 2 有機基，Ζ2表示單鍵或者二價有機基，ζ3==== 者曱基丙歸酿基，Χ、y及Ζ表示將它們的 ^ :::各重複單元的莫耳比，分別表示大於。且=〇 上述X2的具有分支結構的有機基例如可列舉. f'第二T基、第三丁基、異戊基、第三戊基、2辛基等 碳數為3〜8的分支烷基。該些烷基中，較佳為異丙 二丁基、第三丁基。 弟 上述X2的具有脂環結構的有機基表示碳原子數為5 個〜20個的脂環式烴基，例如可列舉：環戊基、環己基、 %庚基、環辛基、降冰片基、異冰片基、金剛烷基、三環 癸基、二環戊烯基、二環戊基、三環戊烯基、三環戊基等， 該些基可經由而與上述通式（1)中的^〇〇_ 結合。該些脂環式烴基中，較佳為環己基、降冰片基、異 26 201234617 39480pif 特佳=、降冰片基'異冰片基、:賴基基 -i 4伸产;U 為3〜7的伸烷基、例如2-羥基 環式等之類的具有錄的碳數為6〜9的二價脂 55。上述Χ較佳為1〇〜75 ’更佳為2〇〜6〇，特佳為25〜 上述y較佳為7〜50 ’更佳為1〇〜4〇。 上述Z較佳為1〇〜7〇，更佳為1〇〜5〇，特佳為加〜 4j 0 =上述非水溶性聚合物的侧鏈中導入（甲基)丙觸基 ，方法並無特職制，可自公知的方法巾適當選擇，例如 I列舉·⑴於包含具有紐基的重複單元的聚合物的該 酉文f生基上加成具有環氧基及（甲基）丙烯醯基的化合物的方 法；（2)於包含具有經基的重複單元的聚合物的該經基上 加成具有異氰酸酯基及（曱基）丙烯醯基的化合物的方法； ，（3)於包含具有異氰酸酯基的重複單元的聚合物的該異 氰.，酯基上加成具有羥基及（甲基)丙烯醯基的化合物的方 法等。 該些方法中，（1)於包含具有酸性基的重複單元的聚 δ物的4自文性基上加成具有環氧基及（曱基）丙烯酿基的化 5物的方法最容易製造’就低成本的方面而言特佳。 上述具有環氧基及（甲基)丙烯醯基的化合物只要是具 27 201234617 jy48Upif 基，則並無特別限制，可根據目的來 以 ⑴所表示的化合物 及下述、構式（2)所表示的化合物。 [化2]
結構式（1) •^述結構式（1)中，R1表示氫原子或者曱基。 L1表示二價有機基。上述有機基較佳為烴^ ίϊϋ的烴基。上述烴基的具體例較佳為伸絲，更ί [化3] R2 結構式（2 ) 上2述結構式⑴巾，R2表示氫原子或者甲基。 表示二價有機基。上述有機紐佳為絲，更佳a 峡數為1〜4的煙基。上述烴基的具體例較佳為= 28 201234617 39480pif (alkylene grouP) ’ 更佳為亞甲基（methylene group)。W 表不4員環〜7員環的脂肪族烴基。上述4員環〜7員環的 脂肪族烴基較佳為4員環〜6員環’尤佳為5員環〜6員 環’特佳為環己烷環。 上述結構式（1)及結構式（2)所表示的化合物中， 在與光硬化組成物組合而用作負塑感光性樹脂組成物的情 況，就顯影性良好、且膜強度優異的方面而言，較佳為結 構式（1)所表示的化合物。 上述結構式（1)及結構式（2)所表示的化合物並無 特別限制，可根據目的來適當選擇，例如可列舉以下的化 合物（1)〜化合物（10)。 29 201234617 jy^supif [化4]
非水溶性聚合物的具體例例如可列舉下述結構所表示 的化合物（例示化合物P-1〜例示化合物P-35)。該些例示 化合物P-1〜例示化合物P-35均具有5,000〜300,000的範 圍的重量平均分子量。 另外，例示化合物中的X、y及z表示各重複單元的組 成比（莫耳比）。 [化5] 201234617 coo.
COOH
、七 X p-1 OH I x:y:z=45:20:35
O coo.
y COOH
OH I P-2 x:y:z=40:25:35
O coo
COOH COO
oh I P-3 x:y:z=40:20:40 COO.
y COOH c〇〇T^l 0 P-4 x:y:z=40:30:30 coo
COOH COO H〇人丨 P-5 ::y:z=45:20:35 coo
COOH co〇Y^ ◦ P-6 x:y:z=40:20:40 31 201234617 jy^foupif [化6]
x:y:z=30:25:45
x:y:z=30:30:40 32 201234617 u vul [化7]
x:y:z=45:15:40
x:y:z=35:30:35
P-15 x:y:z=45:30:25
x:y:z=45:20:35
33 201234617 39480pif [化8]
x:y:z=40:30:30
c〇〇30
P-21
coo 20 x:y:z=45:20:35
x:y:z=35:25:40
c〇〇2Q
P-23 x：y：z=40：20：40 34 201234617 [化9]
P - 24 x：y：z=44：16：40
x:y:z=51· 5:18· 5:30 35 201234617 39480pif [化 10]
COO^|^〇^N^ OH I P-29 COOH COO^V^o^y^· OH I tto
OH I coo ijo
COO ch2ch2-o
COOH COO
x:y:z=40:25:35 O P-30
x:y:z=41:24:35 O P-31 x：y：z=39：26：35
^ 1 OH I P-32 x:y:z=35:30:35
coo
0 OH I P-33 x:y:z=42:28:30 36
201234617 . [ II
[化η]
〈合成法〉 上述非水溶性聚合物可由單體的（共）聚合反應的步 驟、及導入乙烯性不飽和基的步驟這兩階段的步驟來合成。 (共）聚合反應是藉由各種單體的（共）聚合反應來 進行，並無特別限制，可自公知的（共）聚合反應中適當 選擇。例如，關於聚合的活性種，可適當選擇自由基聚合、 陽離子聚合、陰離子聚合、配位聚合等。該些聚合中，就 容易合成、低成本的方面而言，較佳為自由基聚合。另外， 對聚合方法亦無特別限制，可自公知的聚合方法中適當選 擇。例如可適當選擇塊狀聚合法、懸浮聚合法、乳化聚合 法、溶液聚合法等。該些聚合法中，更佳為溶液聚合法。 上述非水溶性聚合物中，具有10,000〜100,000的重 量平均分子量的聚合物由於容易製造，且獲得導電性、耐 久性以及長波長的穿透率優異的導電層，故而較佳。重量 37 201234617 39480pif 子量尤佳為12，_〜6〇，_，特佳為15，_〜 上，非水溶性聚合物較佳為具有mgK⑽g以 此於製備包含本發明所使用的導電性組成物的 ^型感光性樹脂組成物，將其形成於基板上之後，進行所 5的圖案曝光及顯影來形成導電性圖㈣情況，不僅確保 二好的顯雜，而且所得的導電性圖案成為導電性、耐久、 性以及長波長的穿透率優異的圖案。 —上Η=更二 的含糖性聚合物 〜2 5。 買1比（A/C)較佳為〇·2〜3，更佳為〇 5 扣沾:上述質量比（A/C)小於G.2，則於由塗佈量變動引 ==值的不均成為問題的情況，存在本發明中的= ^作用下降的情況；若上述質量比（A/C)超過3，則^ 在塗佈膜未獲得制上充分的強度的情況。 〜上述f電性纖維的含量（塗佈量）較佳為 0.005 g/m2 〜0 4 ^2 ’更佳為〇 〇1 g/m2〜〇·45咖2’尤佳為〇.015 g/m2 -分散劑- 八二=散？是為了防止上述導電性纖維的凝集，使其 刀月 述分散劑只要可使上述導電性纖唯分散， 則並無特別限制，可根據目的來適當選擇，例市 38 201234617 39480pif 售的，分子顏料分散劑、高分子顏料分散劑，尤佳為使用 作為高分子分散劑且具有吸附於導電性纖維雜質的分散 劑，可列舉：聚乙稀基吼洛咬酮、BYK系列（BYK_chemie 公司製造）、Solsperse系列（曰本Lubriz〇i公司製造等）、 Ajispur系列（Ajinomoto股份有限公司製造）等。 上述分散劑的含量相對於上述聚合物1〇〇質量份，較 佳為0.1質量份〜50質量份，更佳為〇 5質量份〜質量 尤佳為1質量份〜30質量份。若上述含量小於〇 ι質 =份，則存在分散液中導電性纖維凝集的情況；若上述含 H 50質量份’畴在塗佈步财無法形成穩定的塗: 膜，導致產生塗佈不均的情況。 〈其他成分〉 上述其他成分視需要，例如可列舉：界面活性劑、抗 劑、抗金屬腐触劑、黏度調整劑、防腐劑 上述導電層中的導電性纖維以外的成分的合計含量Α 於僅有丨種成分的情況為單獨的含量）、與上述導電性 含^ B的質量比（A/B)較佳為αΐ〜5，更佳為0,5 右上述f量比U/B)小於0]，則有時會產生以下 二.由導電性纖維的凝集引起的導電性、穿透率·霧度等 ^學特性的劣化’導電層的力學強度、與基板的密著ς的 2化’特別是使用光微影的圖案化所獲得的圖案的品質（曝 “圖案的忠實再現性）的劣化等。若上述質量比（摘） 超過5 ’則有時會產生由導電性齡間的接觸點數的減少 39 201234617 jy^eupif 所引起的導·的下降，霧度、光穿透率等絲特性的劣 化0 上述導電層並無特別限制，可根據目的來適當選擇， 可藉由將導電層用城物塗佈於底塗層上而形成。 上述導電層用組成物的塗佈方法並無特別限制，可根 據目的來適當選擇’例如可列舉塗佈法、印刷法、喷墨法 等。 、& 上述塗佈法並無特別限制，可根據目的來適當選擇， 例如可列舉輥式塗佈法、棒式塗佈法、浸潰塗佈法、、旋轉 塗佈法、洗鑄法、模式塗佈法、刀片塗佈法、凹版塗佈法、 簾幕式塗佈法、噴射塗佈法、刮刀塗佈法等。 / 上述印刷法例如可列舉凸版（活版）印刷法、孔版（絲 網（sc職））印刷法、平版（〇ffset)印刷法、凹版⑽） 印刷法等。 〈基材〉 對上述基材的形狀、結構、大小等並無特別限制，玎 根據目的來適當選擇，例如上述形狀可列舉膜狀、片狀等。 上述結構可列舉單層結構、積層結構等。上述大小可根據 用途等來適當選擇。 上述基材並無特別限制，可根據目的來適當選擇，例 如可列舉透明玻璃基板、合成樹脂製片材（膜）、金屬基板、 陶瓷板、具有光電轉換元件的半導體基板等。對上述基板， 可視需要進行矽烷偶合劑等的化學品處理、電漿處理、離 子電鍍、濺鍍、氣相反應法、真空蒸鍍等前處理。 201234617 39480pif 上述透明玻璃基板例如可列舉白板玻璃、納飼玻璃 (soda lime glass)、塗佈有二氧化矽的鈉鈣玻璃等。 上述合成樹脂製片材例如可列舉：聚對苯二曱酸乙二 酯（polyethylene terephthalate ’ PET)片材、聚碳酸酯片材、 聚醚砜片材、聚酯片材、丙烯酸樹脂片材、氣乙烯樹脂片 材、芳香族聚醯胺樹脂片材、聚醯胺醯亞胺片材、聚醯亞 胺片材等。 上述金屬基板例如可列舉鋁板、銅板、鎳板、不鏽鋼 板等。 上述基材的總可見光穿透率較佳為7〇%以上，更佳為 85%以上，尤佳為90%以上。若上述總可見光穿透率小於 7〇%，則存在穿透率低，在實用上成為問題的情況。 此外，本發明中，基材亦可使用經著色為不妨礙本發 明目的的程度的基材。 —« V /于 /叉业热 擇’較佳為1 μιη〜500 μηι，更佳w 為 5 μηι〜300 μηι。 若上述厚度小於1 μιη’則存在由於塗佈步驟中的操1 =，而使成品率下降的情況；若上述厚度超過鄕卿 式應用軟體（pGrtableapplieatiGn)中 質Ϊ成為問題的情況。 又- _其他的層- 防污層、抗UV層、 上述其他的層例如可列舉感光層、 抗反射層等。 201234617 39480pif 本發明的導電材料中的導電層的表面電阻較佳為0.1 Ω/口〜5,〇〇〇Ω/α ’更佳為0.1 Ω/□〜1，000 Ω/□。上述表面電 阻低的情況本身並無弊病，但若小於01 Ω/□，則存在難以 獲知光穿透率高的導電體的情況；若超過5,000Ω/口，則存 在產生以下問題的情況1得容易產生由通電時產生的焦 耳熱所引起的斷線，或者於配線的上游及下游產生電壓下 降，而造成用於觸控面板時的面積受到限制等。 此處，上述表面電阻例如可使用表面電阻計（三菱化 學股伤有限公司製造，Loresta-GPMCP-T600)來測定。 本發明的導電材料中的導電層的總可見光穿透率較佳 為85/。以上，更佳為9〇%以上。若上述總可見光穿透率小 於85/。，則存在產生以下等弊病的情況：當用於觸控面板 等影像顯示髓時造成導電圖案鮮明而損及影像的品質， 或者為了補償免度下降而必需增加電力消耗。 此處，上述總可見光穿透率例如可利用自記分光光度 計（UV2400-PC，島津製作所製造）來測定。 本發明的導電材料由於導電性纖維彼此的接點得到強 化導電性、穿透率、霧度、可撓性以及耐久性提高，故 而廣泛適祕例如觸控面板、顯示㈣電極、電磁屏蔽、 有機EL顯示器用電極、無機EL顯示器用電極，、電子紙、 可撓性顯示H用電極、太陽電池、顯示元件、其他的各種 裝置等1¾些裝f中，特佳為觸控面板、太陽電池。 〈顯示元件〉 作為本發明所使用的顯示元件的液晶顯示元件是藉由 42 201234617 .4 ίΐ 以下操作來製作：將如上所述在基板上設置有經圖案化的 上述導電體的it件基板、與作為對向基板的彩色渡光片基 板對準而壓接後’進行祕理而組合，注人液晶，將注入 口密封。此時，形成於彩色Μ片上的導電體亦較佳為使 用上诚莫雷贈。 另外，亦可於上述元件基板上散布液晶後，重疊基板， 進行密封以使液晶不漏出，來製作液晶顯示元件。 此外’對上述液晶顯示元件所使用的液晶、即液晶化 合物及液晶組成物並無特職制，可使用任—種液晶化合 物及液晶組成物。 (觸控面板） 本發明的觸控面板是具有本發明的上述導電材料 電體）’進而視需要具有其他的構件而成。 (導 本發明的觸控面板上，為了防止由外光的入射引起的 面板操作的困難，或者為了防止面板表面的損傷污垢， 而設置抗反射層、硬塗層、防污層等。該些層可自觸控面 板表面側_.層、抗反射料及防污相順序設置。 抗反射層亦可具備上物污層的魏。上述硬塗層可直接 設置於觸控©板的最表面，亦可於聚對苯二甲酸乙二醋 (PET)等透明膜上形成硬塗層，再將未形成該硬塗層的 膜表面貼附於觸控面板最表面。 將上述硬塗層及抗反射層形成於透明膜上的情況的透 明膜’可㈣聚賴、雜素§旨料光穿透性高、霧度小 且無色的膜。關於在透明膜上形成有抗反射層、硬塗層的 43 201234617 39480pif 二：=:2〇_97 上述硬塗層是為了對抗反射層賦予強度而設置。 外，於本發明的觸控面板在較操作者側的第_電極而十^ 更外側不具有透簡的情況，±述硬塗層是為了賦予^ 作為第-電極的保護膜來發揮功能的強度，以 置抗反射層賴予平滑的平面岐置。上述硬塗 : 厚度為5卿〜15㈣，且具有2 H〜6 H的錯筆硬二-賦予上賴筆魏，難為射卿可交聯邮合劑‘，以 及使用10 nm〜2〇〇 nm的直徑的二氧化石夕等微粒子來提言 膜強度。上雜合射使用日本專利特開細]侧Μ ; 公報的段落[0120]〜[0125]中記載的化合物。上述微粒子可。 使用日本專利特開2GG7-14G497號公報的段落[()13〇 載的微粒子。 上述抗反射層可僅為一層，但於要求更低的反射率的 情況’是將多制抗反射層制㈣成。將多層的抗反射 層積層的紐有：將具有不同折射㈣光學干擾層交替積 層的態樣、將具有不_射率的光學干擾層積層2層以上 的態樣。具體而言，較佳為使用以下等態樣：於硬塗層上 僅设置低折射率層的態樣；於硬塗層上依序設置高折射率 ^、低折群層的祕；於硬塗層上依序設置巾折射率層、 高折射率層及低折射率層的態樣。 曰 為了利用光學干擾’上述抗反射層較佳為具有曰本專 利特開2〇09-2〇4727號公報的段落陶4]、_6]以及⑼〇7] 44 201234617 39480pif 中記載的折射率及厚度。 成物，較佳為至少 用以形成上述低折射率層的較佳纽 包含以下任一種的組成物： 性官能基的含氟聚合物 (1)含有具有交聯性或者聚合 的組成物； 主成分 =)以含氟的有機魏材料的水解縮合物作為 的組成物； (3)含有具有2個以上乙烯性不飽和基的單體及 中二結構的無機微粒子的組成物。 八 關於上述具體的化合物以及使用該些化合物的方法， 日本專利特開觸·54737號公報的段落_54]〜 =〇64]的記载。此外’上述日本專利特開测·5彻號公 報的段落_3]中記載的聚魏統合物可於低折射率層 上形成防污層，而包含於該防污層中。 曰 上述高折射率層及中折射率層較佳為由含有高折射益 ，微粒子及黏合劑的硬錄組成物所形成。此處可使用的 咼折射率無機微粒子及黏合劑可使硬塗層中記載的微粒子 與點合劑符合所需的折射率而使用。 本發明的觸控面板例如可列舉表面型電容方式觸控面 板、投影型電容方式觸控面板、電阻膜式觸控面板等。此 外，所谓觸控面板，包括所謂的觸控感測器及觸控板。 、上述觸控面板中的觸控面板感測器電極部的層構成較 佳為以下方式中的任一種··將2片透明電極貼合的貼合方 式、於1片基材的兩面具備透明電極的方式、單面跳線器、 45 201234617 通孔方式以及單面積層方式。 基板11的表面的方式配置透明導電體12而成;2透明 m的端部的透明導電體12上，形成有用以d 外指測電路進行電性連接的電極端子18。、未圖7F的 衣丁㈣膜15表不中間保護膜，i 若對透明導電體12上的任音點以 、方眩膜。 透明導電體12在所觸摸的點經二體而=各等電 地線之間的電阻值產生變化。利用上述 ： 使用圖4對上述表面型電容方式觸控 ==?中’觸控面板2°包含:以覆 使^Γ導電體明導電體22與透明導電趙&、 舆 23之間產生電容的絕緣覆蓋層25，對手二的接：：電體 行位置檢測。根據構成，亦可將透J的接觸對象進 體22、透明導電 層25構成為空氣層。 ，’ 或者絕緣覆蓋 上述外部_轉纽職轉值㈣^^觸^ 46 201234617 39480pif 點的座標。 另外，利用圖5，通過自平面看 明導電體23的喊，對物導電㈣與透 控面板20騎示錄朗。觸控面板的觸 明導= 反=可檢測出X轴方向的位置的多個透 明導電體22'與γ軸方向的多個透明導電體23是以 接於外部端子的方式配置。透明導電體2 ^ 23對指尖等的接觸對象多次接觸，可以多點輸入 訊0 右對該觸控面板2〇上的任意點以手指觸摸等，則位置 精度良好地指定X軸方向及γ轴方向的座標。 此外，透明基板、保護層等其他的構成可適當選擇上 述表面型電容方式觸控面板的構成來應用。另外，雖列出 了觸控面板20中利用多個透明導電體22、與多個透明導 電體23的透明導電體的圖案的例子，但其形狀、配置等並 不限定於該些例子。 使用圖6,對上述電阻膜式觸控面板的一例進行說 明。該圖6中’觸控面板30是配置有透明導電體32的基 板31、與在該透明導電體32上配置有多個的間隔件36， 隔著空氣層34 ’支持可與透明導電體32接觸的透明導電 體33、及配置於該透明導電體33上的透明膜35而構成。 若對該觸控面板30，自透明膜35側觸摸，則透明膜 35被擠壓，所擠入的透明導電體32與透明導電體33接 觸’利用未圖示的外部檢測電路來檢測出該位置的電位變 47 201234617 39480pif 化，藉此指定所觸摸的點的座標。 (太陽電池） 本發明的太陽電池是使用本發明的上述導電材料（導 電體）。 、上述型太陽電池（以下，有時亦稱為太陽電池元件） 並無特別限制，可使料常作為太陽電池元件來使用的太 陽電池。例如可列舉：單晶衫太陽電池元件、多晶石夕系 太，電，元件，1 譯接、或者•聯結構^^所構成的 非Ba石夕系太陽電池元件，鎵坤（)、銦麟（ιηρ )等Hu 族化合物半導社陽電池元件，錫碲（CdTe) # η νι族 化5物半導體太陽電池元件，銅/铟/石西系（所謂系）、 銅/銦/鎵/石西系、（所5胃CIGS系、）、銅/銦/鎵/栖/硫系（所謂 CIGSS系）等卜瓜^族化合物半導體太陽電池元件色 素增感型太陽電池元件’有機太陽電池元件等。該些太陽 電池元件中’本發明巾，上述太陽電池元件較佳為以率聯 結構f等所構成的非晶H太陽電池元件以及銅/銦/砸系 (所明CIS系）、銅/銦/鎵/硒系（所謂CIGS系）、銅/姻/ 鎵/硒/硫系（所謂CIGSS系）等[耶贝族化合物半導體太 陽電池元件。 於由串聯結構型等所構成的非晶石夕系太陽電池元件的 情況’非晶硬、微結晶⑪薄膜層、以及該些薄膜層中包含 錄的薄膜’進而該些薄膜層的2層以上的串聯結構用作光 電轉換層。成膜是使用電漿CVD等。 [實例] 48 201234617 jy^oupif 以下，對本發明的實例進行說明，但本發明不受讀此 實例的任何限定。 < (合成例1) -非水溶性聚合物（1)(非水溶性聚合物p_26)的合成、 向反應容器中預先添加1-甲氧基·2_丙 (MMPGAC，Daicel化學工業股份有限公司製造）8 ;57質 量份，升溫至90°C，於氮氣環境下向90。(：的反應容器中， 以2小時滴下包含作為單體的甲基丙烯酸環己酯、曱基丙 烯酸曱酯、甲基丙烯酸（以添加質量比依序成為455 mol% : 2 mol% : 19 m〇l% : 33.5 mol%的方式，調整甲基 丙浠酉文環己酉曰、甲基丙烯酸曱自旨、曱基丙稀酸以及後述的 曱基丙稀酸縮水甘油酯）、偶氮系聚合起始劑（和光純藥工 業股份有限公司製造，V-601) 1質量份、以及^曱氧基_2_ 丙醇8.57質量份的混合溶液。滴下後反應4小時，獲得丙 稀酸樹脂溶液。 接著，向上述丙烯酸樹脂溶液中添加對笨二酚單曱醚 0.025質量份以及四乙基溴化銨0.084質量份後，以2小時 滴下曱基丙烯酸縮水甘油酯。滴下後，一邊吹入空氣一邊 於90°C下反應4小時，然後以固體成分濃度成為45質量 百分比（mass%)的方式添加溶劑，藉此製備，獲得具有 不飽和基的非水溶性聚合物（1)的溶液（重量平均分^量 (Mw) . 30,000 ’ 1_曱氧基_2_丙醇的 45 mass%溶液）。 此外，上述重量平均分子量是使用凝膠滲透層析法 (gel-permeation chromatography，GPC )來測定。 49 201234617 39480pif (合成例2) -非水溶性聚合物P_1的合成- 向反應容器中預先添加丨_甲氧基-2-丙醇 (MMPGAC，Daicel化學工業股份有限公司製造）8.57質 量份’升溫至90°C ’於氮氣環境下向9〇。〇的反應容器中’ 以2小時滴下包含作為單體的甲基丙烯酸異丙酯6 27質量 份、曱基丙烯酸5.15質量份、偶氮系聚合起始劑（和光純 藥工業股份有限公司製造’ V-601) 1質量份、以及丨甲氧 基-2-丙醇8.57質量份的混合溶液。滴下後反應4小時，獲 得丙烯酸樹脂溶液。 接著，向上述丙烯酸樹脂溶液中添加對苯二酚單甲醚 0.025質量份以及四乙基溴化銨〇 〇84質量份後以2日吝 滴下5.41質量份的曱基丙烯酸縮水甘油酯。滴下後，」^ 吹入空氣一邊於90¾下反應4小時，然後以固體成分濃产 成為45 mass。/。的方式添加1-甲氧基丙醇，藉此製備^ 獲得非水溶性聚合物P-1 (酸值：73 mgKOH/g，重量、，土二 分子量Mw : 10,000)的45 mass% h曱氧基_2丙醇溶^均 此外，非水溶性聚合物p-ι的重量平均分子量Mw a° 使用凝膠滲透層析法（GPC)來測定。 疋 (合成例3) -非水溶性聚合物P-29的合成- 於合成例2中，使用曱基丙烯酸二環戊酯（Fa_5i3 日立化成工業股份有限公司製造）及曱基丙烯酸代美 丙烯酸異丙酯及曱基丙烯酸來作為單體，如上述例示化: 201234617 39480pif 物所示以非水溶性聚合物P-29中的單體構成比成為4〇 : 25 : 35的莫耳比的方式變更各單體的添加量，除此以外， 利用與合成例2相同的方法來合成，獲得非水溶性聚合物 P-29的溶液（固體成分濃度= 45mass〇/0)。 ° 所付的非水溶性聚合物p_29的酸值為73 9 mgKOH/g，重量平均分子量Mw為15,〇〇〇。 (合成例4) -非水溶性聚合物P-5的合成- 於合成例2中，將作為單體的甲基丙烯酸第三丁酯、 曱基丙烯酸、作為上述結構式（2)所表示的化合物的曱基 丙烯酸3,4-環氧環己酯，如上述例示化合物所示以非水溶 性聚合物P-5中的單體構成比成為45 : 2〇: 35的莫耳比的 方式變更各單體的添加量’除此以外，利用與合成例2相 同的方法來合成，獲得非水溶性聚合物p_5的溶液（固體 成分滚度=45 mass%)。 所得的非水溶性聚合物P-5的酸值為73 mgKOH/g， 重量平均分子量Mw為20,000。 (合成例5) -非水溶性聚合物P-10的合成_ 於合成例2中，將作為單體的曱基丙烯酸環己酯、曱 基丙烯酸、曱基丙烯酸縮水甘油酯，如上述例示化合物所 示以非水溶性聚合物P-10中的單體構成比成為3〇 : 3〇 : 40的莫耳比的方式變更各單體的添加量，除此以外，利用 與合成例2相同的方法來合成，獲得非水溶性聚合物p_1〇 201234617 39480pif 的溶液（固體成分濃度=45 mass%)。 所得的非水溶性聚合物p_1〇的酸值為74 2 mgK〇H/g’重量平均分子量Mw為17,000。 (合成例6) •非水溶性聚合物p_12的合成· 於合成例2中’將作為單體的甲基丙烯酸環己醋、曱 基丙作為上述結構式⑺所表示的化合物的丙稀越 3,4-環氧環己g旨，如上述例示化合物所示以非水溶性聚洽 物P 12中的單體構成比成為3〇 : % : 的莫耳比的方式 單體的添加量’除此以外，與合成例2相同试 m成’獲得非水溶性聚合物p_12的溶液(固體成分 澴度=45 mass%)。 重量溶性聚合物1^12的酸值為74mgKOH/g， 重里十句刀子量Mw為18,〇〇〇。 (合成例7) -非水溶性聚合物p_18的合成_ 醋、中’將作為單體的甲基丙埽酸二環三甲 合物所^ x f基丙烯酸縮水甘㈣，如上述例示化 外，利用i人心卜的方（蚊各單體的添加量，除此以 合物=的方法來合成，非水溶性聚 所(固體成分濃度=45_你）。 重量平合物p-18的酸值為〜gK⑽g， 刀卞量Mw為19,000 〇 52 201234617 39480pif (合成例8) -非水溶性聚合物P-20的合成胃 於合成例2中，將作為單體的曱基丙烯酸二環三甲 醋、曱、基丙稀酸、卩為上述結構式⑺所表示的化合物的 甲基丙烯酸3,4_環氧環己§|，如上述例示化合物所示以非 水溶性聚合物P_2G中的單體構成比成為4() : 3() : %的莫 耳比的方式變更各單體的添加量，除此以外，利用盘合成 例2相同的方絲合成，獲得非水溶性聚合物P.20的溶液 (固體成分濃度=45 mass%)。 所得的非水溶性聚合物p_2〇的酸值為742 mgKOH/g，重量平均分子量Mw為21，_。 (製備例1) -銀奈米線水分散液（1)的製備_ ㈣末0 51 g溶解於純水50mL中製備成的石肖 向上述硝酸銀溶液中添加1㈣氨水直 制ίίί Γ以總量成為100 mL的方式添加純水， 製備添加液A。 =萄糖粉末〇.5 g以⑽mL的純水加以溶解 添加液G。 τ (十狀基-三曱細_财G.5 g以27.5 的純水加以溶解，製備添加液Η。 將添加液八20.6乱加入至三口 = 序添：水^ 夜 Β 16.5 mL，一邊於 9(TC 下以 2〇〇 rpm 攪 53 201234617 jy48Upif 將所得熱，藉此獲得銀奈米線水分散液（〗）。 吼咯啶_ (:3„水分散液⑴冷卻後’將聚乙烯基 對於銀的質量玉業股份有限公㈣造）以相 後進行離心=Λ 的方式一邊麟一邊添加，其 為止，製備銀枝導度編砂伽以下 均短ir錢液⑴，以如下方式測定平 於:，上的導電性纖維(銀奈米線)的比率。將結： 〈金屬奈米線解均短㈣度（餘） 使用穿透型電子顯微鏡（TEM，度〉 司製造，_FX)，觀察3〇〇個金屬太有限公 :均值來求出金屬奈米線的平均短軸長;及、:以 〈金屬奈米線短軸長度的變動係數〉 使用穿透型電子顯微鏡（TEM，曰本 ^製造，厕-2_FX)，來觀察3〇〇個 公 長度，根據其平均值來計測金屬奈米線的短轴=的= 出其標準偏差及平均值’藉此求出變動係數。a °十算 〈縱橫比為10以上的導電性纖維的比率〉 將各絲_水分舰喊，舰H 粒子分離，制1〇>發光分魏置（⑽製股 公司製造，謂-8_)來分別測定殘留 54 201234617 ΐ錢紙的銀的量，將短軸長度為5Gnm以下、且 mi命=為5 μΠ1以上的金屬奈米線作為縱橫比為10以上 、導電'纖維的比率（％)而求出。 口此=，求出導電性纖維的比率時的金屬奈米線的分離 ^用/專膜過/慮益（Millip〇re公司製造，獨孔 徑為1.0 μιη)來進行。 (製備例2) -銀奈米線水分散液（2)的製備_ 將乙^醇30 mL加入至三口燒瓶中，加熱至16〇£5(：。 八後以母刀鐘1 mL的速度添加36 mM的聚乙烯基吡咯 ，酮（PVP K-55 ’ Aldrich公司製造）、3 μΜ的乙酿丙_鐵、 6一〇咖的氣化納乙二醇溶液18乱、及24瘦的硝酸銀乙 一醇>谷液18 mL。於16〇。(：下加熱60分鐘後冷卻至室、、θ。 添加水進㈣心分離，力成純化直至料度成為5G 以下為止，製備銀奈米線水分散液（2)。 此時，所得的銀奈米線粒子為平均短軸長户為1〇5 rnn、平均妹長度為34 μπι⑽狀。所得銀奈米=水 液（2)中的銀奈米線的平均短軸長度、平均長軸長产= 轴長度的變動係數、縱橫比為1()以上的導紐纖維 米線）的比率是以與銀奈米線水分散液⑴相^不 定。將結果示於表1。 巧測 55 201234617 39480pif [表1] 銀奈米線水分 散液（1) "^·奈米、 散液（2) 哈短軸長度 平均長軸長度 變動係數 導電性纖維的比率 (nm) (μη〇 (%) (%) 18 38 81.4 77.4 105 34 79.4 75.1 (實例1 ) ^如下所述的方式，製作下述表2所示的試料⑴ 〜试料7〇.110的導電材料（1)〜導電材料（1〇)。 〈试料Ν〇.ιοί的製作〉 $上述銀奈米線水分散液（1)、與羥乙基纖維素以質 *表1中 的比率 借基^奈米線/M乙基纖維素）成為1/1的方式混合，製 備導電性組成物（1)。 於市t的雙轴延伸油技畢的厚度為 100 μιη的聚 乙二醋(ΡΕΤ)支持體的表面，使用刮刀塗佈 導電性組成物⑴，並使其乾燥，藉此形成 旱又為0.11 μιη的導電層，製成導電材料。 的溶ΐί在^的二材Λ於水/正丙醇=1/1 (體積比) 25Χ:祕k、隹 '又凊为鐘來作為接點強化處理，利用 (1C)的純水進行2次沖洗，製作試料Νο.101的導電材料 來.列射線分析褒置(SI1公司製造則 來貝^洗後的試料版⑼的導電材料⑴中的導電層 56 201234617 39480pif 的銀奈米線含量，結果為0.07 g/m2。 〈試料Ν〇·102的製作〉 -銀奈米線溶劑分散液（1)的製備、 於上述銀奈米線水分散液⑴的製備中離心分離 (cen麻㈣S:ati⑽）、純化後的報奈米線水分散液動 g中添加丙—早曱驗100 g ’進杯抓 液，接著添㈣二料曱醚· :^分離而去除上清 上清液，錄向最終沈澱物中添加丙如分離而去除 製作銀奈米線溶劑分散液⑴。—_單曱⑽100 g， f著，於試料ΝαΗΠ中，將銀奈米線水分散液⑴ 替代為上述銀奈米線溶劑分散液（1)， 替代為合細1的非水溶性聚合物n 義維素 越目同的方式製作試料N〇 1〇2 使用勞光X射線分析裝置（SII公 ^ ^ 來測定試料No.102的導電材料（2) 二 ） 線含量，結果為謂一。）中料電層的銀奈米 〈試料No.103的製作〉 使試料N。··的銀奈树溶劑分散液⑴、斑下述負 =光:劑以質量比（銀奈米線/負型光阻劑的固體成分）成 的方式齡（接點強化處理），製備導電性組成物 《負型光阻劑的製備》 g、甲基丙烯酸苄酯 -黏合劑（A-1)的合成-使用曱基丙烯酸（MAA) 7.79 57 201234617 ^^Houpif 偶氮雔ϋ21 g來料構成絲物的單體成分，且使用 以該i成“ G_5 g來作為自由基聚合起始劑， 1 劑’於丙二醇單甲鍵乙酸酉旨（PGMEA)
冰、y 進行聚合反應，藉此獲得黏合劑（A_1)的PGMEA 价體成分濃度：45 mass%)。此外，聚合溫度經調 登為60C至loot。 分子量使用;疑釈參透層析法（Gpc)來測定的結果為， λ本乙婦換算的重量平均分子量（Mw)為扣，勘，分子 量分布（Mw/Mn)為2.21。 [化 12]
-負型光阻劑的製備- 將上述黏合劑（A-1) 3.80質量份（固體成分為40.0 mass%，PGMEA 溶液）、KAYARAD DPHA (日本化藥股 份有限公司製造）1.59質量份、IRGACURE379 ( Ciba
Specialty Chemicals股份有限公司製造）0.159質量份、 EHPE-3150( Daicel化學股份有限公司製造）〇. 150質量份、 Megafac F781F (DIC股份有限公司製造）0.002質量份以 及PGMEA 19.3質量份一邊攪拌一邊添加，製備負螌光阻 58 201234617 的’於市售的雙轴延伸熱固定完畢的厚度為100哗 甲酸乙二顆(ΡΕΤ)支持體的表面，使用到刀 MU佈上述導電性組成物⑴，並使其乾燥，形成 尽度為〇.〇9 μιη的導電層 對所得的2導電材料，使用高壓水銀燈i線065 mu) & OnJ/em (照度為2QmW/em2)進行曝光。將曝光後 、土板利用在純水5，_ g巾溶解有碳酸氫納5卩及碳酸納 、."g的，景’液進行噴淋顯影3。秒。喷淋壓為 0.04 MPa。 =亍30 (:的純水的喷淋丨分鐘作為接點強化處理，利用 5 C的純水沖洗2次，製作試料N。⑻的導電材料⑴。 $用榮光X射線分析裝置（SII公司製造，SEA1100) 來測定沖洗後的試料版103的導電材料⑴中的導電層 的銀奈米線含量，結果為0.G7 g/m2。 〈試料No. 1〇4的製作〉 試料No.1〇1中，使銀奈米線水分散液⑴與經乙基 纖維素以質1比（銀奈米線/紅基纖維素）成為3.6/1的 方式混合（接點強化處理），製備導電性組成物（4)。 接著，於市售的雙軸延伸熱固定完畢的厚度為100 μιη 的聚對苯二甲酸乙二g| (ρΕΤ)支持體的表面，使用到刀 塗佈機來塗佈上述導電性喊物⑷，於空氣巾利用供箱 於Π0 C下乾燥5分鐘（接點強化處理），形成厚度為〇 〇8 μιη的導電層，製作試料Νο·104的導電材料（4)。 使用螢光X射線分析裝置（SII公司製造，SEA1100) 59 201234617 j^oupif 來測定試料No.104的導電材料（4)中的導電層的銀奈米 線含量，結果為0.07 g/m2。 ' 〈試料No. 105的製作〉 試料No.101中，將銀奈米線水分散液（1)與羥乙基 纖維素以質量比（銀奈米線/羥乙基纖維素）成為2 7/1的 方式混^ (接點強化處理），製備導電性組成物（5)。 接著，於市售的雙軸延伸熱固定完畢的厚度為議阿 Ϊ = 酸乙二醋(PET)支持體的表面，使用到刀 導電性組成物（5)，於空氣中利用烘箱 =:/: 點強化處理)，形成厚度為〇.— 的導電層，製作試料Να1()5的導電材料。
利用螢光X射線分析裝置（SII 來測定試料Νο·1〇5的導電材料f SEA11〇〇) 線含量，結果為a〇7gnJ 4(5)中的導電層的銀奈米 〈試料No. 106的製作〉 於試料No.101中，除了將銀 代為銀奈米線水分散液⑴、^水刀政液⑴替 的方式製作試料版106的導電材料相同 〈試料No. 107的製作〉 於试料No. 102中，降了狀如士 替代為下述銀奈米線溶劑分散線㈣分散液⑴ 价麗相同的方式製作外，，與試料 •銀奈米線溶劑分散液⑺的製^7的導電材料⑺。 於銀奈来線水分散液⑺的製備中，離心分離、純化 201234617 州8Upif 後的銀奈米線水分散液100 g中添加丙二醇單曱醚100 g， 進行離心分離而去除上清液，添加丙二醇單曱醚200 g， 進行離心分離而去除上清液，然後向最終沈澱物中添加内 一醇單甲喊100 g ’製作銀奈米線溶劑分散液（2)。 〈試料No. 108的製作〉 於試料No.103中’除了將銀奈米線溶劑分散液 替代為上述銀奈米線溶劑分散液（2)以外，以與試料 Νο·1〇3相同的方式製作試料N〇 1〇8的導電材料（8)。 〈試料No.109的製作〉 於試料No.104中’除了將銀奈米線水分散液（丨）替 代為上述銀奈米線水分散液（2)以外，以與試料n〇1〇4 相同的方式製作試料Νο·109的導電材料（9)。 〈試料No. 110的製作〉 於試料No.105中’除了將銀奈米線水分散液（丨）替 代為上述銀奈米線水分散液（2)以外，以與試料No.1〇5 相同的方式製作試料No.110的導電材料（1〇)。 接著’對所製作的各導電材料，以如下所述的方式來 評價諸特性。將結果示於表1。 〈導電材料的導電層的分光吸收光譜的測定〉 使用分光光度計（JascoV-670，日本分光股份有限公 司製造）來測定所得各導電材料的導電層的分光吸收光 譜。於所得的分光吸收光譜中’波長325 nm〜390 nm的 吸收波峰為1個的情泥，表2中「吸收」的項目中記作「〇」， 於波長325 nm〜390 nm以外的波長區域具有吸收波峰者 201234617 O^HOUplf 記作「x」。 此處，將試料Νο·101〜試料No.106的測定結果示於 圖1。另外，雖省略圖示，但試料No.107〜試料No.110 疋與试料No. 106相同的結果。此外’圖1中，將波長325 nm〜700 nm的範圍的吸收波峰的最大吸光度規格化為 1.0 ° 〈比（A/B)及比（χ/Α)的測定〉 根據各導電材料的導電層的分光吸收光譜，求出波長 325 nm〜390 nm下的峰頂吸光度A、與800 nm下的吸光 度B的比（A/B)。此處，於325 nm〜390 nm的波長區域 並無吸收波峰的情況，不進行該計算。 另外’根據各導電材料的導電層中的銀含量X g/m2、 與各導電材料的導電層的分光吸收光譜中的波長325 nm 〜390nm下的峰頂吸光度A，來求出比（χ/Α)。此處於 325 nm〜390 nm的波長區域並無吸收波峰的情況，不進行 該計算。
此外，此處的峰頂吸光度八及8〇〇 nm下的吸光度B 為實測值。 ^ 〈 325 nm〜390 nm下的吸收波峰的半寬度〉 所謂所得各導電材料的導電層的波長325 nm〜390 nm下的吸收波峰的半寬度，是如圖2所示，於導電層的分 光吸收光譜（圖2中，以試料No.101為代表來表示）中， 首先’使波長600 nm〜800 nm的範圍的吸收光譜近 直線’將其作為基線。將延魏基線而與自吸收峰頂下降 62 201234617 的垂線的交點作為基準位置。然後，將於吸收波峰的高度 與上述基準位置的高度的一半值的位置水平切割吸收波峰 時的寬度（nm)所示的值作為半寬度。 〈導電材料的總可見光穿透率的測定〉 使用Guardner公司製造的Haze-Gard Plus來測定所得 的各導電材料的總可見光穿透率。 〈導電材料的表面電阻的測定〉 使用表面電阻計（三菱化學股份有限公司製造， Loresta-GP MCP-T600 )來測定所得各導電材料的表面電阻 值。 〈導電材料的霧度值的測定〉 使用Guardner公司製造的Haze-Gard Plus來測定所得 各導電材料的霧度值。 〈導電材料的耐久性的評價〉 進行濕熱經時試驗來作為耐久性的評價。將所得的各 導電材料在溫度8(TC、濕度85%RH下經過250小時後， 使用Loresta-GP MCP-T600 (三菱化學股份有限公司製 造）’測定表面電阻（Ω/口），由下述式來求出電阻變化率， 並以下述基準評價。 電阻變化率（％) =[R1 (經時後表面電阻）/R0 (經 時前表面電阻）]xl〇〇 [評價基準] 63 201234617 「1」：電阻變化率為300%以上，是實用上存在問題 的水準。 「2」：電阻變化率小於300%且為200%以上，是實用 上存在問題的水準。 「3」：電阻變化率小於200%且為150%以上，是實用 上存在問題的水準。 「4」：電阻變化率小於ISO%且為U〇%以上，是實用 上不存在問題的水準。 「5」：電阻變化率小於11〇〇/〇，是實用上不存在問題 的水準。 〈可撓性〉 以所得各導電材料的賦予有導電層的面為外侧，捲繞 於直徑為9mm的金屬棒上，靜置15秒。利用L〇resta Gp MCP-T·(三菱化學股份有限公钱造）來測定捲繞前 後的各樣的表面電阻，由下述式求出電阻變化率，並以 下述基準評價。此外，電_化率的數字越Α 性赭福·里。 4 I J仇 面電阻）Χ100 ^且^率（％)=(捲繞後的表面電阻/捲繞前的表 [評價基準] 的水準 1。」：電阻變化率為·%以上，是實用上存在問題 64 201234617 ^y^oupif 「2」：電阻變化率小於300%且為150%以上，是實用 上存在問題的水準。 「3」：電阻變化率小於150%且為130%以上，是實用 上不存在問題的水準。 「4」：電阻變化率小於13〇%且為115%以上，是實用 上不存在問題的水準。 「5」：電阻變化率小於U5%，是實用上不存在問題 的水準。 65 201234617 鬥一·(N<】 $ (ν/χί (9/¥)玉 (¾} XOW+硪 S 目 0000 ν^·¥ 咳Mi# •OM实紱 5ΤΒΦ4 srB^-4 srxl--4 ss
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SI εοι 寸01
SI 901 § 801 601
Oil 201234617 jynoupif [表 2-2] 試料No. 表面電阻 (Ω/α) 穿透率 (%) 霧度值 (%) 耐久性 可撓性 . 備註 101 54 87 1.8 4 5 本發明 102 60 88 1.7 4 5 本發明 103 64 89 1 1.9 4 4 本發明 104 62 88 2.1 4 4 105 66 88 2.1 4 3 本系厂 106 88 88 ~~~ 3.9 1 2 2 ] 比輕你| 107 92 89 3.8 2 2 比較例 108 114 88 3.8 2 1 比牵交你丨 109 102 86 4.2 1 2 比較例 110 106 86 4.1 2 2 厂比較例一 於試料No.l〇2中，除了將非水溶性聚合物（丨）（非水 溶性聚合物P-26)分別替代為合成例2〜合成例8的非水 溶性聚合物P-1、非水溶性聚合物p_29、非水溶性聚合物 P-5、非水溶性聚合物ρ·10、非水溶性聚合物p_12、非水 溶性聚合物P-18以及非水溶性聚合物p-20以外，以與試 料No.102相同的方式來製作導電材料。對於所得的各導電 材料’以與實例1相同的方式進行評價，結果可知，任— 者均為導電層的分光吸收光譜中的325 nm〜390 nm的吸 收波峰為—個，且具備與試料No.102相同水準的良好的表 面電阻、穿透率、霧度值、耐久性以及可撓性。 (實例2) •觸控面板的製作_ 使用利用試料Ν〇.1(Π的導電材料來製作的觸控面 板的情況可知，可製作由於穿透率提高而視認性優異，】 67 201234617 由於導電性提高而對於利用空手、戴手套的手、指示用具 中至少一種的文字等的輸入或者晝面操作而言響應性優異 的觸控面板。此外，所謂觸控面板，包括所謂觸控感測器 及觸控板。 製作觸控面板時，是使用『最新觸控面板技術』（2009 年7月6日發行，Techno Times股份有限公司），三谷雄二 1修’觸控面板的技術與開發」，CMC出版（2004，12 ); FPD International 2009 Forum T-11 講演教科書，赛普拉斯 半導體公司（Cypress Semiconductor Corporation)應用註 解AN2292 4中記載的公知方法。 (實例3) 〈積體型太陽電池的製作〉 -非日日太陽電池（超直（SUper straight)型）的製作_ 於玻璃基板上形成5式料No.101的導電材料。於該導雷 材料的上部利用電聚CVD法形成厚度⑽15nm_型， 於上述P型的上部形成厚度約為350 nm的i型，於上述i 型的上部形成厚度約為3〇 ηπ^η型非晶石夕於上述η型 非晶石夕的上部形成厚度為2Gnm的添加有鎵的氧化辞層作 為背面反射電極’且於上述添加有鎵的氧化辞層的上部形 成厚度為2GGnm的銀層，製作積體型太陽電池。 (實例4) 〈積體型太陽電池的製作〉 -CIGS太陽電池（基片型）的製作_ 於玻璃基板上’利用直流磁控賴法形成厚度為500 68 201234617 nm左右的㈣極，於上述電極的上部利用真空蒸鍵 m \2· Vm #黃銅礦系〆導體材料即 ^ C^o,Ga〇,)Se2 » ^ ^ ί成厚度約為5G⑽的硫_ _，且於 上述硫化録薄膜的上部形成 、 積體型太陽電池。K枓Νο·ΗΠ的導電材料，製作 〈太陽電池特性（轉換效率）的評價〉 的模乍的各太陽電池照射AMi.5、iGGmw/啦2 測定太陽電池特性議效率）。將結果 [表3] ------ — - --- —___實例3 ---實例4 —換效率（％) 10 11 [產業上之可利用性] 器用的導電材料可廣泛用於例如：觸控面板、顯示 颟-二靜電、電磁屏蔽、有機EL顯示器用電極、益機EL 用=、電子紙、可撓性顯示器用電極、可撓性顯 【圖SC二、太陽電池、其他的各種裝置等。 粗由f ^疋實例1的試料N〇.101〜試料Να1〇6的導電材 料t的導電層的分光吸收光譜。 ，2是用以對波長325 nm〜39〇 nm下的吸收波峰的 干見度的定義進行說明的圖式。 69 201234617 圖3是表示觸控面板的一例的概略剖面圖。 圖4是表示觸控面板的另一例的概略說明圖。 圖5是表示圖4所示的觸控面板中的導電膜的配置例 的概略平面圖。 圖6是表示觸控面板的進而另一例的概略剖面圖。 【主要元件符號說明】 10、 20、30 :觸控面板 11、 21、31 :透明基板 12、 13、22、23、32、33 :透明導電體 14、17 :保護膜 15 :中間保護膜 16 :防眩膜 18 :電極端子 24 :絕緣層 25 :絕緣覆蓋層 34 :空氣層 35 :透明膜 間隔件 36

Claims (1)

  1. 201234617 七、申請專利範圍： 1‘-種導電材料’包括含有導電性纖維的導電層，其 特徵在於： 上述導電層的分光吸收光譜中，325 nm〜390 nm的吸 收波峰為1個。 2. 如申凊專利範圍第i項所述之導電材料，其中Μ1 2 3 4 nm〜390 nm的吸收波峰的半寬度為1〇〇nm以下; 3. 如申凊專利範圍第2項所述之導電材料，其中325 nm〜390nm的吸收波峰的半寬度為2〇nm〜7〇nm'。 4. 如申凊專利範圍第1項所述之導電材料，其中導電 層的刀光吸收光譜中’ 325 nm〜390 nm的峰頂吸光度a、 與800mn的吸光度B的比（A/B)為15以上。 71 1 ·如申請專利範圍第1項所述之導電材料，其中導電 層中的導電性纖維以外的成分相對於導電性纖維的質量比 為0.1〜5。 2 . 如申請專利範圍第1項所述之導電材料，其中導電 性纖維為金屬奈米線。 3 7. 如申請專利範圍第6項所述之導電材料，其中金屬 奈米線包含銀以及銀與銀以外的金屬的合金中的任一種。 4 . 如申請專利範圍第7項所述之導電材料，其中導電 層中的銀含量X g/m2、與導電層的分光吸收光譜中的325 nm〜390nm的峰頂吸光度A的比（χ/Α)為〇4以上。 9. 如申請專利範圍第6項所述之導電材料，其中金屬 奈米線的平均短軸長度為5〇 nm以下，平均長軸長度為2 201234617 μηι以上0 10. 如申請專利範圍第1項所述之導電材料，其中導 電層中的總可見光穿透率為85%以上。 11. 如申請專利範圍第1項所述之導電材料，其中導 電層中的表面電阻為0.1 Ω/□〜5,000 Ω/ι=ι。 12. 如申請專利範圍第1項所述之導電材料，其中導 電層經圖案化。 13. —種觸控面板，使用導電材料，其中該導電材料 包括含有導電性纖維的導電層，且上述導電層的分光吸收 光譜中，325 nm〜390 nm的吸收波峰為1個。 14. 一種太陽電池，使用導電材料，其中該導電材料 包括含有導電性纖維的導電層，且上述導電層的分光吸收 光譜中，325 nm〜390 nm的吸收波峰為1個。 72
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