TW201232632A - Touch panel, method for manufacturing touch panel and conductive film - Google Patents

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201232632 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於包括如下的導電膜的觸控面板（touch panel)、使用有可見光透射率或視認性等的光學特性良好 的導電膜的觸控面板的製造方法以及導電膜，上述導電膜 可抑制波紋（moire )的產生。 【先前技術】 近來，觸控面板已受到關注。 對於此種觸控面板，已開發了如下的例子，即，為了 使排列為矩陣狀的電極不顯眼，利用氧化銦錫（Indium Tin

Oxide ’ ITO )來構成電極（例如參照曰本專利特開 2010-86684 號公報）。 觸控面板主要應用於個人數位助理（Pers〇nal Digital Assistant ’ PDA)(行動資訊終端）或行動電話等的小尺寸 裝置仁般。心為由於應用於個人電腦（personai compUter ) 用顯示器（display)等，上述觸控面板的尺寸會變大。 對^於如上所述的將來的動向’先前的電極由於使用 ITO (氧化銦錫），因此，存在如下的問題，即，電阻大， 且Ik著應用尺寸變大，電極之_電流的傳導速度會變 且響應速度（自與指尖發线觸錄_該接觸位置 為止的時間）會變慢。 因此’考慮排列多個由金屬製的細線（金屬細線）構 '的格子來構成電極，藉此，使表面電阻下降。作為將金 、礼線用作電極的觸控面板’例如美國專利第5⑴⑽號 4 201232632, 說明書、國際專利公開第95/27334號小冊子、美國專利公 開申請案第2004/0239650號說明書、以及美國專利第 7202859號說明書已為人所知。 又，作為先前的觸控面板用的導電膜，已揭示有曰本 專利特開2010-108878號公報以及曰本專利特開 2010-108877號公報。於這些公報中記載了如下的例子， 該例子是於支持體12上包括導電層μ的導電膜1〇，上述 導電層14是對銀鹽乳劑層16進行曝光顯影而形成且含有 銀，將導電層14形成為間距（pitch)為6〇〇μπια上的網 眼圖案（mesh pattern )。根據上述曰本專利特開 2010-108878就公報以及日本專利特開2議·1()8877號公 報的導電膜’具有較佳地作為觸控面板用導電膜的導電 性，波紋充分地減少，且觸控面板特性優異。 【發明内容】 ' 然而，當將金屬細線用作電極時，由於利用不透 材料^作金屬細線，因此，透明性或視認性成為問題。 用於觸控面板時’需要使對觸控位置進行檢測的 月包力提局。 、 本發明是考慮如上所述的問題而成的發明， :在位置進行檢測的能力已提高_控 製二電膜的觸控面板、如下的觸控面板的 顯示面柄，，膜，上述導電膜即便絲於顯示袈置的 方法即便當利用金屬細線圖案來構成電極時， 5 201232632 透明性。 U]本發明之第1觀點提出的觸控面板是包括對觸控 位置進仃檢測的導電膜的觸控面板，該觸控面板的特徵在 上述導電膜包括導電部，該導電部具有由金屬製的細 繊ί成的糧醜，於上述峨随的蚊部，形成有使 將_^^的檢測能力提高_控位置檢測能力提高部，當 高部的免為广，將上述觸控位置檢測能力提 又為 Sb 時’ Sax〇 01<Sb$Sax5 〇〇 〇 的面積設第1觀點巾，較佳為#將上述交叉部 為％時，二％=== 檢測能力提高部的面積設 的面較料當壯述交又部 Λ Sh眭c 控位置檢測能力提高部的面積設 為 sb 時，Sax〇.5(^Sb^Saxi 5〇。 又 的面m發明之第1觀點巾，難為#將上述交又部 為Sb:.; Y將上述觸控位置檢測能力提高部的面積設 為 Sb 時 ’Sax〇.9〇SSb$Saxl l〇。 力難硫技括設置於 ^ · U 'f'm ^ 、 王面板，該觸控面板的特徵在 線形成_眼圖二括導電部具有由金屬製的細 止部的面積設為Sb時，二Sa’將咖^ 丁加 u.〇l<SbSSax5.00 〇 [6]於本發明之第2觀點中，較佳為當將上述交又部 6 201232632t 的面積設為Sa，將上述波紋抑止部的面積設為sb時， Sax0.50SSbSSax5.00。 [7]於本發明之第2觀點中’錄為當將上述交又部 的面積設為Sa，將上述波紋抑止部的面積設為sb時， Sax0.50SSbSSaxl.50。 m於本發明之第2觀財’較佳騎將上述交又部 的面積設為Sa，將上述波紋抑止部的面積設為sb時， Sax0.90SSbSSaxl.10。 ° 率發明之第…⑽控面板的製造方法是 包含製作導電膜的導電膜製作步驟的觸控面板的製造方 控面板的製造方法的特徵在t上述導電 貼合於透明基體㈤的一個主面 面的粗链面形狀轉印至上述接著層 口 接著層貼合的貼合面已粗糙化；萨由=屬、/白的朝上述 貼合的上述金屬fL部分予以除去，=來將已 導電圖案包含線寬為9 μιη以下且严声二成導電圖案’該 金屬箔；以及將透明包覆層包覆心以下的上述 上述接著層的部分’上述透明包覆與露出有 率之差為G.1以下。 上4接者層的折射 [1=於本發明之第3觀點卜彻上 ▲t 丁包覆的步驟，亦可是_上述翻包覆層來 Γ至上述接著層的嫩的貼合面“ 彳丁 201232632 [11]於本發明之第3觀點中，上述金屬绪亦可為。 婆a^12]本發私帛4觀點提&的導1歧設置於顯禾與 i 導電膜的特徵在於包括導電 =眼=的交又部，形成有波轉止部，當將上述= ;、，。又為Sa，將上述波紋抑止部的面積設

Sax〇.〇l<SbSSax5.〇〇。 卞 本發明之第4觀點中，較佳為當將上述交又部 hx〇5〇^hSa將上述波紋抑止部的面積設為Sb時， bax〇.5〇SSb$sax5 00。 丁 設為[si於54本發明中較佳為當將上述交叉部的面積 • ，將上述波紋抑止部的面積 $

Saxa_SbgSaxl5()。 槓认為 Sb 時， 的面發，第4觀點中’較佳為當將上述交又部 ’、a將上述波紋抑止部的面積設;％ sb fl# Sax〇.9〇SSl^Saxl 1〇。 ，積叹為 Sb 時， 屬f ITi Γ之第4觀財，構成上述網關案的金 :===線亦可交叉，藉此來構成上述交 上纽紋抑止部包括：第】抑止部 的另-個側面之門述广一個側面與上述第2細線 止部，形成;面之間；以及第4抑 上述第1細線的另-個側面與上述第2細線 8 20123263¾ 的另一個侧面之間。 上二於tr之第4觀點中，當將上述第1抑止部、 及以及上述第4抑止部 Sb㈣3 + Sb〇 Sb3、MSb4 時，Sb=祕 1 μπ^8ΐ]5=發明之第4觀點巾’询田線的線寬較佳為 1 μιη[〜9]μ:本I明之第4觀點中，上述細線的線寬較佳為 為65[2二^^第4觀點中’ ±14細，_間隔較佳 =著層而形成於上述透明基二=面:金屬= 二覆’上述接著層與上述透明包覆層的折:二 佳為[9 發明之第5觀財’上—線的線寬較 佳為’上述金屬細線的厚度較 個以上的導中’上述導電部亦可包括2 /、上这第1方向正交的第2方向排列， 201232632 且由上述金屬細線形成。 [25] 於本發明之第5觀點中，上述導電圖案亦可具有 排列有多個由上述金屬細線與開口部形成的網眼形狀的圖 案。 [26] 於本發明之第5觀點中，亦可沿著上述第i方 向，分別經由由上述金屬細線形成的連接部來將2個以上 的大格子予以連接，從而構成上述導電圖案，各上述大格 子为別疋將2個以上的小格子加以組合而構成。 根據本發明的觸控面板，由於包括導電膜，該導電膜 具有觸控位置檢測能力提高部，因此，觸控位置檢測能力 提高部可使電氣感知能力提高，故而可使觸控位置的檢測 能力提高。 ' 又，根據本發明的觸控面板，由於包括可抑制波紋的 產生的導電膜，因此，顯示晝面不會因波紋而模糊不清， 可實現顯示品質的提高、及操作性的提高。 又，根據本發明的導電膜，構成簡單，即便安裝於顯 示裝置的顯示面板上，亦可抑制波紋的產生，因而，可使 觸控面板的顯示品質良好，隨之亦可使操作性提高。 又，根據本發明的觸控面板的製造方法以及導電膜， 即便當於觸控面板中，利用金屬細線圖案來構成電極時， 由於利用特定的透聽覆層進行包覆，因此，可維持 的視認性。通常’導電材料的貼合面的粗_形狀會 至接著層上的導電材料已被除去的部分，因此，粗糖面妒 狀會使光散射，從而損害透明性，但於本發明中，若平= 201232632 '~ Γ 的折射/包Ϊ層’該透明包覆層的折射率接近於接著層 明袖。、’則度反射會被抑制至最小限度，從而表現出透 ^ ’將透明基體設為聚對苯H二賴膜，藉 ^可提供如下的導韻，料魏的義性、财熱性良 而且價廉’處雌優異且具有透明性。利㈣於金屬 θ、化學餘刻製程來形成透明基體上的導電圖案，藉此， 可提供加工性優異且具有透明性的導電膜。 :根據與隨附圖式協作的如下的較佳實施形態的例子的 說明，上述目的及其他目的、特徵以及優點會變得更明確。 【實施方式】 以下，一面參照圖1〜圖21，一面對本發明的導電膜、 包括導電膜的觸控面板以及觸控面板的製造方法的實施形 態的例子進行說明。再者，於本說明書中，表示數值範圍 的「〜」是作為如下的意思而被使用，該意思包含「〜」 刖後所記載的數值作為下限值以及上限值。 首先，第1實施形態的導電膜l〇a也被用作觸控面板 等的電極，如圖1以及圖2所示，該導電膜i〇a包括透明 基體12 (參照圖2)、與形成於透明基體丨2的一個主面的 導電部14。該導電部14包括由金屬製的細線（以下記作 金屬細線16)與開口部18形成的例如網眼圖案20。金屬 細線16例如由金（Au)、銀（Ag)或銅（Cu)構成。 具體而言，導電部14包括如下的網眼圖案20，該網 眼圖案20是由多條第1金屬細線i6a與多條第2金屬細線 16b分別交叉而形成’上述多條第1金屬細線16a沿著第1 11 201232632 方向（圖1中的x方向）延伸，且沿著第2方向（圖i中 的y方向）排列，上述多條第2金屬細線i6b沿著第2方 向延伸，且沿著第1方向排列。如圖1所示，網眼圖案2〇 的一個網眼形狀22的形狀，即，一個開口部18與將該一 個開口部18予以包圍的4條金屬細線16的組合形狀可為 正方形，亦可為菱形。此外亦可設為正六角形等的多角形 狀。又，一條邊的形狀除了可為直線狀之外，可為彎曲形 狀，亦可為圓弧狀。於設為圓弧狀的情形時，例如亦可將 相對向的2條邊設為朝外方凸出的圓弧狀’將其他的相對 向的2條邊設為朝内方凸出的圓弧狀。又’亦可將各邊的 形狀設為由朝外方凸出的圓弧與朝内方凸出的圓弧相連而 成的波線形狀。當然，亦可將各邊的形狀設為正弦曲線。 而且，如圖1以及圖3所示，於上述導電膜10a中， 與構成導電部14的網眼圖案20的交叉部24相鄰接地形成 有波紋抑止部26 (觸控位.置檢測能力提高部），當將交叉 部24的面積設為Sa，將波紋抑止部26的面積設為Sb時， 滿足 Sax〇.〇i<sbSSax5.00。 較佳為Sax0.50SSbSSax5.00，進而較佳為 Sax0.50SSbSSaxl.50，更佳為 Sax〇9〇SSbSSaxl.20， 尤佳為 Sax〇.9〇SSb$Saxl.l〇。 波紋抑止部26包括：第1抑止部26a，形成於第丄金 屬細線16 a的一個側面與第2金屬細線丨6 b的一個側面之 間；第2抑止部26b，形成於第i金屬細線16a的一個側 面與第2金屬細線16b的另一個側面之間；第3抑止部 12 201232632 * ·ι 26c’形成於第1金屬細線16a的另一個側面與第2金屬細 線16b的一個側面之間；以及第4抑止部26d，形成於第1 金屬細線16a的另一個側面與第2金屬細線i6b的另一個 側面之間。 而且，當將第1抑止部26a、第2抑止部26b、第3 抑止部26c、以及第4抑止部26d的各面積設為sbl、Sb2、 Sb3、以及 Sb4 時’滿足 Sb=Sbl + Sb2 + Sb3 + Sb4。 於上述情形時，第1金屬細線16a的線寬La以及第2 金屬細線16b的線寬Lb為1 μιη〜ι5 μιη，較佳為i μπι〜9 第1金屬細線1如以及第2金屬細線脱的線寬可均 2 亦可不同。又第1金屬細線16a的線間隔以及第 線】^細線⑽的線間隔為6〇卿〜鄉μιη。第i金屬細 同。a以及第2金屬細、線i6b的線間隔可均相同，亦可不 案2〇的六於第1實施形態中’與構成導電部14的網眼圖 又部24 24相鄰接地形成波紋抑止部26，而且將交 遷過導電部^與波紋抑止部26的面積予以最佳化。結果， 的部分大I的光的積分量在交又部24與交叉部24以外 產生受到=同’網眼圖案2〇仿佛已消失，藉此，波紋的 〜15咖，將^且由於將金屬細線16的線寬設為1啤 ^ ^ 65 "m^500 μΠ1 * 易顯目民）。 民好的視認性（網眼圖案20 月'者’如圖1以及圖3所 ^ ’構成波紋抑止部26的第 13 201232632 1抑止部26a〜第4抑止部26d的平面形狀亦可為 狀，/旦可為如圖4所示的矩形狀，可為如圖5所於三 角形中形成圓弧狀的缺口而成的形狀，亦可圖二： 的取^的^成的形狀。#然亦可設為非對稱的形狀。 製』[::照圖7Α〜圖U’一面對導電… 第1製造方法是如圖7Α所示，於透明 感光層3〇,而且如圖-所示，對銀鹽感光層3= 光之後，進，影處理’將金屬銀部32與光透射性部 加以組合，藉此來形成導電部14 (網眼圖案2〇等）。於 ^形時，金屬銀部32較佳為包含對減銀進行顯影而形 、顯影銀。然後，如圖7C所示，亦可將鍍敷層等的導 電金屬36承載於金屬銀部μ。 對於銀鹽感光層30的曝光過程中所使用的遮罩 mask)亦可具有如下的遮罩圖案，該遮罩圖案對應於在 、周眼圖案2G的交又部24形成波紋抑止部26而成的圖案。 或者，亦可藉由對於銀鹽感光層30的數位寫入曝光來 室如下的圖案曝光至銀鹽感光層3G，上述圖案是在網眼圖 。2〇的交又部24形成波紋抑止部26而成的圖案。 與旦，於上述情形時，當以圖8所示的曝光能量（energy) ^像濃度分布的特性來看時，於對第1金屬細線16a以 像、'曲2金屬細線161?進行數位寫入曝光的情形下’利用影 交j飽和的區域的第1曝光能量E1來進行曝光，當對 部24進行數位寫入曝光時，利用影像濃度飽和的區域 20123263¾ 的第2曝光能置E2來進行曝光。此時’第1曝光能量Ei <第2曝光能量E2。 光會因曝光能量提高而朝交叉部24的鄰接部分泡 漏，藉此，產生光的渗出區域，然後，於顯影處理中，光 的滲出區域體現為與交又部24相鄰接的波紋抑止部26。 上述方法只要根據位置來選擇性地對曝光能量進行切換即 可，因此，可容易地與交又部24相鄰接地形成波紋抑止部 26，且亦可實現製造成本（c〇st)的低廉化。 作為其他形成方法，亦可如圖9A所示，例如對透明 基體12上所形成的銅箔4〇上的光阻膜

42進仃曝光、顯影處理而形成光阻圖案44，接著如圖PR 道ΐ自光阻圖案44露出的銅箱40進行侧，藉此來 膜42的1Μ4(網眼圖案2〇等）。於該情形時，對於光阻 Ϊ 光過程中所使用的遮罩亦可包括如下的遮罩圖 纹抑對應於在網目晴2G的交又部24形成波 、，又卻止部26而成的圖案。 下的可藉由對雜膜42進行數位寫人曝光來將如 1的圖案曝光至光阻膜42，μ、+、门+ 24 ^ ^ 、 上4圖案是在網眼圖案20的 乂又成波紋抑止部26__案。 又’亦可如圖10A所千，Μ办二 (Paste) 50印刷 體、卜匕含金屬微粒子的漿料 的圖案”，接著如=二2上工此來形成導電部14 案52,藉此來# ’、將金屬鍍層54鍍敷至圖 或二=導電部M (網眼圖案20等)。 …0圖11所不’藉由網版（screen)印刷版、 15 201232632 凹版（gravure)印刷版或喷墨（inkjet)來於透明基體12 印刷形成金屬薄膜60 ’從而構成導電部14 (網眼圖案20 等）。 接著，主要對如下的方法進行敍述，該方法將作為尤 佳形態的鹵化銀照片感光材料使用於第1實施形態的導電 膜 l〇a。 根據感光材料與顯影處理的形態，導電膜10a的製造 方法包含如下所述的3個形態。 (1 )形態是對不包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白 感光材料進行化學顯影或熱顯影而使金屬銀部形成於該感 光材料上。 (2)形態是對鹵化銀乳劑層中包含物理顯影核的感光 性鹵化銀黑白感光材料進行溶解物理顯影而使金屬銀部形 成於該感光材料上。 (3)形態是將不包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白 感光材料、與具有包含物理顯影核的非感紐層的領像片 予以疊合來進行擴散轉印崎彡，使金祕部形成於非感光 性顯像片上。 上述⑴的形態為一體型黑白顯影類型 ，成光透射性導電膜等的透光性導電性膜。所 衫銀為化學顯影銀或熱顯影銀，且為高比表面 ’因此，於後續的鍍輯物理彡過程中該 顯影銀的活性高。 對於上述（2)的形態而言，於曝光部中，物理顯影核 201232632 近緣的i化練子溶解而沈積於 性導電性膜等的透光性導== 作用，因i ϊ =型。顯影作用為物理顯影核上的析出 乍用因此’活性^但顯影銀為比表面小的球形。 子溶二ί。丄的Γ態而言，於未曝光部中，鹵化銀粒 積於顯像片上的顯影核上，藉此， 射性導電性膜等的透光性導電性膜。 謂的分_型，且為自感光材料將顯 像片予以剝離來使用的形態。 轉顯個形態而言，均可選擇負型顯影處理以及反 ^‘吉員^處財的任-種顯影（於擴散轉印方式的情形時， ::型感光材料用作感光材料’藉此，可進行負型顯 料=所謂的化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影、以及 ϊ政轉印㈣是指如本職帽通常使㈣聽所述的意 直「片化學的一般教科書中有解說，例如已於菊 车路;者的照片化學（写真化学）」（共立出版社 ，1955 ，發仃）、C.E.K.Mees、編寫的「攝影法理論第*版咖 Theory of Photographic 加咖⑽，灿 ed )」（_咖 ^ ’ 977年發行）中有解說。本案是與液體處理相關的發 二：其他的應用熱顯影方式作為顯影方式的技術亦可作 為參考。例如，可應用日本專利特開2〇〇4 184693號、日乍 ^專利特開2004-334077號、日本專利制·5_〇ι〇752 號的各公報、錢日本專利_ 2⑻4 244_號、日本專 17 201232632 利特願2004-085655號的各說明書所揭示的技術。 此處，以下詳細地對本實施形態的導電膜l〇a的各層 的構成進行說明。 [透明基體12] 作為透明基體12，可列舉塑膠膜（plastic film)、塑膠 板（plastic plate)、以及玻璃板（glass plate)等。 作為上述塑膠膜以及塑膠板的原料，例如可使用聚對 苯二曱酸乙二醇醋（Polyethylene Terephthalate，PET)，聚 萘二甲酸乙二醇酯（Polyethylene Naphthalate，PEN)等的 聚酯類；聚乙稀（Polyethylene，PE )、聚丙稀 (Polypropylene ’ PP)、聚苯乙烯、乙烯醋酸乙烯酯 (Ethylene Vinyl Acetate，EVA )等的聚烯烴類；以及乙烯 系樹脂；此外可使用聚碳酸酯（Polycarbonate，PC )、聚醯 胺、聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、以及三醋酸纖維素（Triacetyl Cellulose，TAC)等。 作為透明基體12，PET (熔點：258°C )、PEN (熔點： 269°C)、PE (熔點：135°C)、PP (熔點：163°C)、聚苯乙 烯（熔點：230°C )，聚氯乙烯（熔點：180°C )，聚偏二氯 乙烯（熔點：212°C)或TAC (熔點：29(TC)等的熔點約 為290°C以下的塑膠膜或塑膠板較佳，自光透射性或加工 性等的觀點考慮，PET尤佳。觸控面板用的導電膜1〇需要 具有透明性，因此，較佳為透明基體12的透明度高。 [銀鹽感光層30] 成為導電膜l〇a的導電部14 (網眼圖案20等）的銀 18 201232632 ιι =感光層30除了含有銀鹽與黏合劑（binder)之外 有溶劑或染料等的添加劑。 方3 益;本實^射所使用的銀#，可解_化銀等的 =銀鹽収雜料的錢_。財纽形態中1 =使用作為光感湘（Gptleal se_)㈣性優 化銀。 叫 銀鹽感光層30的塗佈銀量（銀鹽的塗佈量）換 銀，較佳為1 g/m2〜30 g/m2，更料i g/m2〜25咖2，進 2更：為5 g/m2〜20 g/m2。藉由將該塗佈銀量設為上述範 圍’虽形成導電膜10a時’可獲得所期望的表面電阻。 作為本實施形態中所使用的黏合劑，例如可列舉 膠（gelatin)、聚乙烯醇（Polyvinyl Ak〇h〇1，pvA) 烯吡咯細（PdyvinylPym)lidGne，pvp)、殿粉等的多 類、纖維素及其衍生物、聚氧化乙烯、聚乙稀胺、聚 胺糖（chitosan)、聚離胺酸、聚丙烯酸、聚海藻酸 明質酸、以讀基纖維料。根據官能基_子性，= 黏合劑具有中性、陰離子性、以及陽離子性的性質。a ^本實施形態的銀鹽感光層30中所含的黏合劑的含 畺並無特別的限疋，可於能夠發揮分散性與密著性的範 内，適當地決定上述黏合劑的含有量。以銀/黏合劑體積比 **十，銀鹽感光層30中的黏合劑的含有量較佳為I"以上 更佳為1/2以上。銀/黏合劑體積比較佳為1〇〇/1以下，更 佳為50Λ以下。又，銀/黏合劑體積比進而更佳為in〜 4/1。最佳為1/1〜3/1。藉由將銀鹽感光層3〇中的銀/黏合 19 201232632 劑體積比設為上述範圍，即便於對塗佈銀量進 3二制電阻值的不均，從而可獲得具有 曰、電膜10a。再者，將原料的鹵化銀量/點人节 (重夏比）轉換為銀量/黏合劑4 (重量比菩^’ 量/黏合劑量（重量比）轉換為銀姆合劑量m銀 藉此’可求出銀/黏合龍積比。 體積比）， <溶劑:> 用以形成銀鹽感光層30的溶劑並無特別 可列舉水、有機溶劑（例如甲醇等的醇類、丙 :如 甲醯胺等_胺類、二甲基亞颯等的亞賴、酷酸乙^笼 ^類、及_等）、離子性、以及這餘_混^溶 本實施形態的銀鹽感光層30中所使用的溶 量才曰目對於銀鹽感光層3。中所含的銀鹽、黏合劑等的合二 =量，處於30質量％〜90質量％的範圍，較佳為處0於、 質量°/〇〜80質量％的範圍。 、〇 <其他添加劑> 本實施形態中所使用的各種添加劑並無特別的 可較佳地使用眾所周知的添加劑。 [其他‘的層構成] 亦可於銀鹽感光層30上設置未圖示的保護層。於本 施形態中，所謂「保護層」，是指包含如明膠或高分子聚合 物之類的黏合劑的層，為了表現出防止擦傷或對力學特^ 進行改良的效果，該保護層形成於具有感光性的銀鹽感光

II II201232632 L係f 層的厚度較佳為G.5 μηι以下。保護層 的塗佈方相及形齡法絲_驗定 ，所周知的塗佈方法以及職絲ϋ可於比銀= 光層30更靠下方處設置例如底塗層。 心 接著’對導電膜10a的製作方法的各步驟進行說明。 [曝光] ^ 本貫施形態中，包括藉由印刷方式來形成網眼圖案 2〇的仏形’但除了印刷方式以外，亦藉由曝 形成網眼_ 20 4即，對包括設置於透明基體’ 銀鹽感光層30的感光㈣或塗佈有光微影法用光聚合物 的感光材料進行曝光。可使用電磁波來進行曝光。作為電 磁波，例如可列舉可見光線、紫外線等的光、以及χ射線 等的放射線等。而且，可_具有波長分布的光源來進行 曝光，亦可使用特定的波長的光源來進行曝光。 [顯影處理] ^於本實施形態中，對銀鹽感光層30進行曝光之後，接 著進行顯影處理。該顯影處理可使用對於銀鹽照相膠片或 感光紙（photographic paper )、印刷製版用膠片、光罩 (photomask)用乳膠遮罩（emuisi〇n mask)等所使用的通 苇的顯影處理的技術。顯影液並無特別的限定，亦可使用 菲尼_對苯二酚（Phenidone Quino卜PQ)顯影液、米吐 爾對苯二酚（MetolQuino卜MQ)顯影液、以及曱基丙烯 酸（Methacrylic Acid，MAA )顯影液等，對於市售品而言， 例如可使用作為畐士軟片公司處方的CN-16、CR-56、 21 201232632 CP45X、FD-3、及 PAPITOL ;作為柯達（KODAK)公司 處方的C-41、E-6、RA-4、D-19、及D-72等的顯影液；或 上述顯影液的套組（kit)中所含的顯影液。又，亦可使用 微影顯影液。 本發明中的顯影處理可包括為了將未曝光部分的銀鹽 予以除去而貫現穩定化所進行的炫合處理。本發明中的熔 合處理可使用對於銀鹽照相膠片或感光紙、印刷製版用膠 片、光罩用乳膠遮罩等所使用的熔合處理的技術。 經由以上的步驟而獲得導電膜l〇a，但所獲得的導電 膜l〇a的表面電阻較佳為處於歐姆/叫〜1〇〇歐姆/叫 的範圍。上述下限值較佳為1歐姆/sq，進而較佳為1〇歐 姆/sq·。上述上限值較佳為7〇歐姆/sq ’進而較佳為5〇歐 姆/sq·。又，亦可進一步對顯影處理之後的導電膜1〇a進行 壓光（calender)處理，且可藉由壓光處理來調整為所期望 的表面電阻。 [物理顯影以及鍍敷處理] 、於本實施形態中，為了使上述曝光以及顯影處理所 成的金屬㈣32的導電性提高，亦可妨心使導電性 屬粒子承·上述金屬銀部32的物理顯影及/或 實施形態中’可僅利用物理顯影或魏處^中 ，處理來使導電性金屬粒子承載於金屬銀部 ’字對金屬銀部實施物理顯似/或職 一併稱為「導電性金屬部」。 W而成的4 [導電性金屬部] 22

Af 201232632 對於本實施形態的導電性金屬部的線寬（金屬細線16 的線寬）而言，下限較佳為1 μιη以上、3 μπ1以上、4 μπ1 以上、或5 μπι以上，上限較佳為15 μιη以下、1〇μπ1以下、 9 μηι以下、以及8 μιη以下。當線寬不足上述下限值時， 導電性不充分，因此，在使用於觸控面板的情形下，檢測 感度不充分。另一方面，若超過上述上限值，則由網眼圖 案20引起的波紋變得顯著，或使用於觸控面板時的視認性 變差。再者，使上述導電性金屬部的線寬處於上述範圍， 藉此，網眼圖案20的波紋得到改善，尤其視認性變佳。金 屬細線16的線間隔較佳為65 μιη以上且為500 μηι以下， 進而較佳為100 μιη以上且為4〇〇 μιη以下，更佳為15〇 μιη 以上且為300 μιη以下，最佳為21〇 以上且為250 以下。又’為了接地等，導電性金屬部亦可包括線寬比2〇〇 μιη更寬的部分。 對於本實施形態中的導電性金屬部而言，自可見光透 射率的方面考慮’開口率較佳為8 5 %以上，進而較 以上，最佳為95%以上。所謂開口率，是指除了導電部分 (後述的第1大格子202Α、第1連接部106Α、第2大格 子2〇2Β、第2連接部ΐ〇6Β、以及小格子1〇4等的導電部 分：參照圖15)之外的透光性部分於整體中所佔的比例， 例如’線寬為15 μιη且間距為3〇〇 μιη的正方形 的開口率為90%。 于狀 [光透射性部] 本實施形態中的所謂的「光透射性部」，是指導電膜 23 201232632 10a中的除了導電性金屬部以外的具有透光性的部分。對 於光透射性部的透射率而言’如上所述，透明基體12的除 了有助於光吸收及光反射的作用之外的380 nm〜780 nm 的波長區域中的透射率的最小值所示的透射率為9〇%以 上，較佳為95%以上，進而較佳為97%以上，進而更佳為 98%以上，最佳為99%以上。 曝光方法較佳為經由玻璃遮罩（glass mask)來實施的 方法或利用雷射（laser)描繪的圖案曝光方式。 [導電膜10a] 本實施形態的導電膜l〇a中的透明基體12的厚度較佳 為5 μιη〜350 μιη’進而較佳為30 μηι〜150 μιη。若為5 μιη 〜350 μηι的範圍，則可獲得所期望的可見光的透射率，且 亦易於處理。 可根據塗佈於透明基體12上的銀鹽感光層用塗料的 塗佈厚度，來適當地決定設置於透明基體12上的金屬銀部 的厚度。金屬銀部32的厚度可選自〇.〇〇1 mm〜〇2 mm， 但較佳為30 μηι以下’更佳為20 μιη以下，進而較彳圭* 〇⑴ —，最佳為—一。又’金進屬二= 為圖案狀。金屬銀部32可為1層，亦可為2層以上的疊層 構成。當金屬銀部32為圖案狀且為2層以上的疊層構成 時’可產生不同的感色性’使得能夠對於不同的波長感 藉此’若改變曝光波長來曝光，則可於各層形成不^的圖 案。 對於觸控面板的用途而言’導電性金屬部的厚度越 24 201232632 / τ^^/ii 示面板的視角越廣’因此，較佳為導電性金屬部 的厚㈣，即便於魏雛提高时面，亦要求實現薄膜 i匕的ii匕?ϊγ考慮’包含承载於導電性金屬部的導電金 =層的厚度較佳為不足9帅，更佳為〇1哗以上且不 足5 μιη，進而杈佳為01 μπι以上且不足3。 於本貫施幵人瘦'中，藉由對上述銀鹽感光層Μ的塗佈 度進行控制來形成所期望的厚度的金屬銀部32，而且可藉 影及/或鍍敷處理來自如地對包含導電金屬“ 的層的厚度進行㈣，因此，亦可容易地形成具有不足$ μιη的厚度，較佳為具有不足3帅的厚度的導電膜⑺。 —再者，於本實施形態的導電膜1〇a的製造方法中，不 進行鍍㈣的步驟。原因在於：於本實施形態的 、a的製造方法巾’可藉由對銀鹽感光層I%的塗 :銀/黏合劑體積比進行調整來獲得所期望的表面電 P 。再者，亦可根據需要而進行壓光處理等。 (顯影處理之後的硬膜處理） 較佳為對銀鹽感光層30進行顯影處理之後，將該銀鹽 f層3G浸潰於硬膜劑來進行硬膜處理。作為硬膜劑，二 如可列舉戊二酸、己二酿、2,3_二膝M•二魏、二^ 1以及爛酸等的日本專利特開平2_141279號 不的硬膜劑。 网 亦可於導電膜10a以及後述的積層導電膜54上形成抗 反射層或條瑪層（bar code layer )等的功能層。 再者，本發明可適當地與下述表1以及表2所揭示的 25 201232632 公開公報以及國際公開小冊子的技術組合地使用。省略「特 開」、「號公報」、以及「號小冊子」等的表述。 [表1] 2004-221564 2004-221565 2007-200922 2006-352073 2007-129205 2007-235115 2007-207987 2006-012935 2006-010795 2006-228469 2006-332459 2009-21153 2007-226215 2006-261315 2007-072171 2007-102200 2006-228473 2006-269795 2006-269795 2006-324203 2006-228478 2006-228836 2007-009326 2006-336090 2006-336099 2006-348351 2007-270321 2007-270322 2007-201378 2007-335729 2007-134439 2007-149760 2007-208133 2007-178915 2007-334325 2007-310091 2007-116137 2007-088219 2007-207883 2007-013130 2005-302508 2008-218784 2008-227350 2008-227351 2008-244067 2008-267814 2008-270405 2008-277675 2008-277676 2008-282840 2008-283029 2008-288305 2008-288419 2008-300720 2008-300721 2009-4213 2009-10001 2009-16526 2009-21334 2009-26933 2008-147507 2008-159770 2008-159771 2008-171568 2008-198388 2008-218096 2008-218264 2008-224916 2008-235224 2008-235467 2008-241987 2008-251274 2008-251275 2008-252046 2008-277428 [表2] 2006/001461 2006/088059 2006/098333 2006/098336 2006/098338 2006/098335 2006/098334 2007/001 〇〇r 接著’第2實施形態的導電膜勘亦被用作觸控面板 等的電極，如圖12所示，該導電膜1%包括：透明基體 12 ;接著層62，形成於上述透明基體12上；導電部14， 由形成於接著層62上的金屬細線16形成；以及透明包覆 層6心形成為將導電部Η與露出有接著層Q的部分予以 包覆。尤其’接著層62與透明包覆層64的折射率之差為 0.1以下’更佳為_以下，進續佳為Q Q5以下。於該 26 201232632 導電膜勘中，亦可形成上述波紋抑止部％。 此一面參照圖13A〜圖13C，一 的製造方法進行說明。 Γ等電膜10b 首先，如圖UA所示，將導電材料的金 接著層62而貼f於透明基體U的-個主面l2a上。= 者 將如下的金屬泊66貼合於接著層62， ， 著層62貼合的貼合面已粗輪化。藉此，金屬;= =面形狀轉印至接著層62中的與金編 如圖13B所示’藉由化學姓刻製 的金屬箔66的一部分予以除本 m 2上 料雷圖索12〇丄二 而形成導電圖案12〇, 該導電圖案120包含線寬為9帅 下的金屬猪66(金屬细唆16〕介ρ 与度為3μιη以 來形成導電部Η。 ）。亦即，利用金屬細線16 於==，利用透明包覆層64來將導電圖案120 與路出有接者層62的部分予以包覆，該透明包覆声64盘 接著層62的折射率之差為〇.1以下。 θ /、 由於金屬箱66的貼合面的粗糙面形狀會轉印至接著 層62上的金屬II 66已被除去的部分，因此 會使光散射，從而彳胃宝。# ； ’ 、止古、以心 然而，於本實施形態的製 ^明明包覆層64包覆於上述粗輪面形狀上，該 透明包覆層64與接著層62的折射率之差為q i以下，因 ==面形狀中的漫反射被抑制至最小限度，從而表現 27 201232632 於上述製造方法中，形成於透明基體12上的導電圖案 120包含線寬為9 μιη以下，且厚度為3 μιη以下的金屬細 線16,因此，亦會產生使導電圖案12〇不易被肉眼看到 效果。 接著，以下對本實施形態的導電膜10b的構成構件的 較佳形態進行說明。 [透明基體12] 透明基體12是包含：聚對笨二甲酸乙二醇酯（PET)、 聚萘一曱酸乙二醇酯等的聚酯類、聚乙稀、聚丙稀、聚笨 乙烯、E+VA等的聚烯烴類、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯等的 ^稀系樹月旨、聚颯、聚喊颯、聚石炭酸醋、聚醢胺、聚酿亞 胺、丙烯酸樹脂等的塑膠的膜，且總可見光透射率較佳 70%以上。 透明基體12可以不會妨礙觸控面板的功能的程度而 ^著色，而且亦可單層地使用透明基體12，但亦可使用組 口有2層以上的膜的多層膜。其中，自透明性、耐教性、 2理性、以及價格的方面考慮，聚對苯二曱酸乙I醇酿 、最佳。若該透明基體12的厚度薄，則處理性不佳，若誃 :月基體12的厚度厚，則可見光的透射率會下降，因此， §亥透明基體12的；ς 1〇1 W予度較佳為5 μιη〜200 μιη。進而較佳為 μΠ1〜100帅’更佳為25 μιη〜50 μιη。

[金屬細線16J :乍為金屬細線16，可使用銅、鋁、鎳、鐵、金、銀、 鑛鋼、嫣、鉻、以及鈦等的金屬内的1種金屬，或可使 28 20123263¾ ”上的金屬加以組合而成的 性、電路h的料㈣方面考慮，金電 控面板的魅，該觸㈣板的電極較料3 ’、、、觸 下的金箔。 子戾為3 μηι以 當使用銀作為金屬細線16時，為

作於开Hi案12G之前或之後進行黑化處理即可， 採用的案120之後，可使用印刷配線板領域中所 3 =進行上述黑化處理。例如於亞氯酸J 容二 (15 g/L)、以及磷酸三鈉（12 g/L)的水 ；：ίΙ/Χ95ΐ:進行2分鐘的處理，藉此，可進行上述黑 作為使金屬細線16密著於透明基體丨 隔著以丙稀酸系樹脂或=樹: 的膜^刀的接者層62來進行貼合。當必須使金屬細線16 (sputteri^ 盈電解雷Γ p g method)、化學蒸鍍法、 了 電鍍法/電鍍法等的薄膜形成技術中的丨個或2個以 的^加以組合’藉此，可使金屬細線16的 [導電圖案120] 工性I為於透明基體12上形成導制案12G的方法，自加 A體19方面考慮，有效果的是如上述製造方法般，於透明 二上形成金屬箔66之後，藉由化學蝕刻製程來形成 、’屬細線16形成的導電圖案120。此外，存在如下的方 29 201232632 法等，該方法是使用描繪有導電圖案120的遮罩，對配置 於透明基體12上的感光性樹脂層進行曝光、顯影，將無電 解電鍍或電鑛加以組合’從而形成由金屬細線16形成的導 電圖案120。應用於觸控面板的導電圖案120的例子後述。 [接著層62] 例如可使用環氧系的接著層、或丙烯酸系的接著層作 為接者層62。 [透明包覆層64] 對於本實施形態的製造方法所製作的導電膜1〇b，用 以將導電圖案120予以包覆的透明包覆層64與接著層62 的折射率之差設為0.1以下。原因在於：若接著層62^透 明包覆層64的折射率不同，則可見光透射率會下降，^折 射率之差為0.1以下，可見光透射率的下降程度小，且良 好。 當透明基體12為聚對苯二甲酸乙二醇酯（n=1 575 折射率）肖’作為滿足如上所述的要件的透明包覆舞6 的材料:可使用：雙盼八型環氧樹脂或雙酴F型環氧^旨 四羥基苯基？财環氧翻旨m漆 ::_脂、聚醇·聚乙二醇型環氧樹脂、聚二 =月曰^及脂環式·化雙料的環氧樹脂（折射料 =二除观樹脂以外，可列舉:天輸 15〇)、展 f 婦（n=1.52l)、聚以丁二烯（n = ^ )=„n=1.5G5〜Ul)、聚丁稀 丁二稀(n=15〇)、㈣三丁基*丁二 30 201232632t 烯（n=1.506)、聚-l，3-丁二烯（n=1.515)等的（二）烯 類，聚氧乙稀（n= 1.4563)、聚氧丙稀（n= 1.4495)、聚 乙烯基乙基醚（n= 1.454)、聚乙烯基己基醚（n=l.4591)、 聚乙浠基丁基趟（n=1.4563)等的聚趟類；聚乙酸乙稀酉旨 (n=1.4665)、聚丙酸乙烯酯（11= 1.4665)等的聚酯類； 聚胺基甲酸酯（n=1.5〜1.6)、乙基纖維素（η=ι·479)、 聚氣乙烯（η=1.54〜1.55)、聚丙烯腈（η=1·52)、聚曱基 丙烯腈（η= 1.52)、聚颯（η= 1.633)、聚硫醚（η= 1.6)、 笨氧樹脂（η=1.5〜1.6)等。上述材料會表現出較佳的可 見光透射率。 另一方面’當透明基體12為丙烯酸樹脂時，除了上述 樹脂以外，亦可使用：聚丙烯酸乙酯（η=1 4685)、聚丙烯 酸丁酯（η= 1.466)、聚丙烯酸-2-乙基己酯（11=1.463)、 聚丙烯酸第三丁酯（η=1.4638)、聚丙烯酸·3·乙氧基丙酯 (η=1.465)、聚氧羰基四甲基丙烯酸酯（η= 1 465)、聚 丙烯酸甲酯（η=1.472〜1.480)、聚曱基丙烯酸異丙酯（η = 1.4728)、聚曱基丙烯酸十二烷基酯（η=1 474)、聚甲 基丙烯酸十四烷基酯（η=ι.4746)、聚曱基丙烯酸正丙酯 U= 1.484)、聚甲基丙烯酸_3,3,5_三曱基環己酯（η== 1.484)、聚曱基丙烯酸乙酯（η= 1 485)、聚甲基丙烯酸_2_ 硝基-2-甲基丙基酯（η= 1 4868)、聚四氧羰基曱基丙烯酸 酯（η= 1.4889)、聚甲基丙烯酸_u_二乙基丙基酯（η== 1.4889)、聚甲基丙烯酸曱酯（η== 1 4893)等的聚（甲基） 丙烯酸酯。可根據需要，使2種以上的上述丙烯酸聚合物 31 201232632 共本，亦可混合地使用2種以上的上述丙烯酸聚合物。 而且，作為丙烯酸樹脂與丙烯酸樹脂以外的共聚樹 月曰，亦可使用：環氧丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯、聚醚 丙烯if酯、以及聚酯丙烯酸酯等。尤其自接著性的方面考 慮，環氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯優異，作為環氧丙烯酸 酉曰叮列舉.1，6-己一醇二縮水甘油趟、新戊二醇二縮水 甘油峻、丙蝉醇二縮水甘油醚、間苯二盼二縮水甘油_、 己二酸二縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、聚乙二 醇二縮水甘油醚、三羥曱基丙烷三縮水甘油醚、甘油三縮 水甘油醚、季戊四醇四縮水甘油醚、以及山梨糖醇四縮水 甘油醚等的（曱基）丙烯酸加成物。環氧丙烯酸酯於分子内 具有羥基，因此，可有效果地使接著性提高，可根據需要 而併用2種以上的上述共聚樹脂。成為透明包覆層64的主 成分的聚合物的重量平均分子量是使用〗，〇〇〇以上的分子 量。若分子量為1，000以下，則組成物的凝聚力過低，因 此，對於被接著體（透明基體12、接著層62、導電圖案 120)的密著性會下降。 作為透明包覆層64的硬化劑，可使用：三乙四胺、二 曱苯二胺、二胺基二苯甲烷等的胺類；鄰苯二曱酸酐、馬 來酸酐、十二烷基琥珀酸酐、均苯四甲酸二酐、二苯曱酮 四曱酸酐等的酸酐；二胺基二苯基砜、三(二曱基胺基曱基) 苯酚、聚醯胺樹脂、二氰基二醯胺、乙基曱基咪唑等。可 單獨地使用上述硬化劑，亦可混合地使用2種以上的上述 硬化劑。相對於100重量份的上述聚合物，於〇.1重量份 32 201232632 二内選擇上述硬化劑的交聯劑的添加 s份〜3G重量份的範圍内，選擇上述硬 =劑的父聯劑的添加量。若上述添加量不足q i重量份， =生匕:Γ广超過5〇重量份，則交聯過剩，有時會對 接者性產生不良影響。 亦可根據需要，將稀釋劑、塑化劑、抗氧化劑、填充 』、以及增黏解的添加賴配至本實卿態巾所使用的 透明包覆層64的樹脂組成物。接著，塗佈上述透明包覆層 64的樹脂組成物，以將透明基體12±的包含導電圖案12〇 的部分或整個面予以包覆，經由溶劑乾燥、加熱硬化步驟 之後’形成接著膜。上述接著膜的透明包覆層64可直接貼 附於液晶顯示裝置或有機電致發光（， EL)、無機EL等的顯示器’從而用作顯示器用的觸控面 板，或可貼附於預先描繪有鍵鈕（keybutt〇n)或數字等的 圖符（icon)或標記的壓克力板、玻璃板等的板或片材， 從而用作與顯示器獨立的鍵盤（keyb〇ar(j)或數字小鍵盤 用的觸控面板。 [應用於觸控面板時的應用例] 接著，一面參照圖14〜圖21，一面對如下的例子進行 說明，該例子是使用導電膜l〇a、導電膜10b來構成觸控 面板150的例子。再者，觸控面板150可為電阻膜式的觸 控面板，亦可為電容式的觸控面板。 觸控面板150包括感測器（sensor)本體152與未圖 示的控制電路（包含積體電路（Integrated Circuit ’ 1C)電 33 201232632 路等）。如圖14、圖15以及圖16A (或圖17A)所示，感 蜊器本體152包括：積層導電膜154，將後述的第1導電 祺10A與第2導電膜10B予以積層而構成；以及保護層 U6 ’積層於上述積層導電膜154上。積層導電膜154以及 保護層156例如配置於液晶顯示器等的顯示裝置157中的 顯示面板158上。第1導電膜i〇A以及第2導電膜10B包 含上述導電膜10a (參照圖1、圖2、及圖16A)或導電臈 l〇b (參照圖12、圖17A)。當自上表面來觀察時，感測器 本體152包括：感測器部160，配置於與顯示面板158的 顯示晝面158a相對應的區域；以及端子配線部ία (所謂 的額緣）’配置於與顯示面板158的外周部分相對應的區 對於應用於觸控面板150的第1導電膜1〇A而言，當 使用有圖2所示的導電膜1〇a時，如圖15、圖16A以及圖 U所示，包括第！導電部14A，該第i導電部14A形成於 第1透明基體12A (參照圖16A)的一個主面上。當使用 有圖12所示的導電膜l〇b時，如圖8、圖17A以及圖18 所不述第1導電膜10A包括：第1透明基體12A ;第 1導電部+MA ’由金屬細線形成，該金屬細線16隔著 1接著層62a而形成於上述第1透明基體12Α的一個主 ,12Μ上’以及第1透明包覆層64a，形成為將第1導電 ^ 14A與露出的第1接著層62a予以包覆，且與第1接著 g 62a的折射率之差為〇1以下。 如圖18所示，第1導電部14A包括：2個以上的第1 34 201232632 導電圖案1胤（包括網眼圖案2〇)，分別沿著第3方向（瓜 方向）延伸，且沿著與第3方向正交的第4方向u方向） 排列’且由包含多個格子的金屬細線16形成；以及第^ 補助圖案2GGA，由沿著各第i導電圖案12QA的周邊排列 的金屬細線16形成。 …第1導電圖案120A是由2個以上的第丄大格子2〇2A 沿者第3方向串聯地連接而構成，各第】大格子2〇2A分 別是將2個以上的小格子綱加以組合 =格子舰的邊_圍，形财不與第1大格子观A 連接的上述第1補助圖案2〇〇A。 於相鄰接的第i大格子2G2A之間，形成有將上述第i 大格子舰予以概連接的第丨連接部施A。配置中格 :208而構成第i連接部驗，該令袼子雇為將n佩n 為大於1的實數）小格子2〇4排列於第2方向（y方向） =的大小。於第1大格子搬A的沿著方向（χ方向） 2=中的42〇8相鄰接的部分，形成有第1缺口部 :而是將小格子204的-條邊予以 二小格子204設為最小的正方形狀。於圖 具加爾㈣排列於第 性丄==丄導電圖案亀之間’配置有電 (以包括··多條第1輔— 為轴線方向），沿著第〗大格子2G2A的邊 35 201232632 篇中的沿著第1方向的邊203a排列；多條第1輔助線 214A(以第1方向作為轴線方向），沿著第1大格子202a 的邊2〇3a中的沿著第2方向的邊2G3a排列；以及 彼此相對向地配置有2個第1L字狀圖案216A，該2個第 1L字狀圖案216A於第丨絕緣部212A中，分別由2條第 1輔助線214A組合為l字狀而成。 ’、 各第1輔助線2UA的軸線方向的長度為沿著小格子 二邊的4/5町的長度，較佳為該-條邊 的長又。又，各第1辅助線214A形成於盥第J =格子2G2A她規定轉的位置。規定距 沿著 ==的内周的—條邊的長度，減去第1辅助線= 向的長度所得的長度。例如若第1輔助線21从 4Λ 1/2向1長度為沿著小格子2〇4的内周的—條邊的 錢定麟為㈣小格子綱_周的一 條邊的1/5或1/2。 Π ^ 如下’以上述方式構成的第1導電膜10A為 ’在存在於各第1導電圖案120A的一個 ^側^丨大格子舰的開放端不存在第丨連接部 i大格子HZ1 12〇A的另一個端部側的第 H it 部’經⑷接線部购而電性連接 於由金屬細線16形成的第丨端子配線圖案驗。 ==、用於觸控面板150的第1導電膜i〇A如圖Μ 以及圖15所不，上述多個第1導雷 測器部160相對應的部分，自各第接$ A卜列於與感 1刀曰合弟1接線部184a導出的多 36 201232632 排列於端子配線部⑹。 面所見’帛1導電膜10八的外形為自上表 =所見的長方形狀，感測器部_ γ 緣部，在其長度方向中央部分’多_ 条長邊側的周 成於上述一條長邊的：产=夕個第1端子188a排列形 —條具、嘉r县土的長又方向。又，沿著感測器部160的 方5夕/近第1導電膜1〇A的-條長邊的長邊:η 線部18: = 1接線部18知排列為直線狀。自各第1接 : 的第1端子配線圖案186a被引向第1導電 雁沾楚1、條長邊的大致中央部，且分別電性連接於相對 應的第1端子188a。 對於應用於觸控面板15〇的第i導電膜i〇a而言，當 =用有圖2所示的導電膜施時，如圖15、圖i6A以及圖 所不’包括第1導電部14A，該第i導電部i4A形成於 =1透明基體12A (參關16A)的—個主面上。當使用 有圖12所示的導電膜通時，如圖15、圖17人以及圖18 d ’上述第1導電膜包括：第i透明基體12A;第 導電部UA ’由金屬細線b形成，該金屬細線16隔著 弟1縣層62a而形成於上述第丨透明基體m的一個主 面12Aa上，以及第i透明包覆層6知，形成為將第丄導電 °M4A與露出的第1接著層62&予以包覆，且與第1接著 層62a的折射率之差為0.1以下。 另一方面’對於第2導電膜1GB而言，當使用有圖2 所不的導電膜10a時，如圖15、圖⑽以及圖19所示， 37 201232632 包括第2導電部14B，該形成於第2透明基體12B的一個 主面上。當使用有圖12所示的導電膜1〇b時如圖15、 圖17A以及圖19所示’上述第2導電膜1〇B包括：第2 透明基體;第2導電部HB，由金屬細線16形成，該 金屬細線16隔著第2接著層62b而形成於上述第2透明基 體12B的-個主面12Ba上；以及第2透明包覆層64b,$ 成為將第2導電部18B與露出的第2接著層62b予以包 覆，且與第2接著層62b的折射率之差為〇丨以下。 第2導電部14B包括：2個以上的第2導電圖案12〇b (包括網眼圖案20)，分別沿著第4方向（n方向）延 且沿著第3方向（m方向）排列，且由包含多個格子的金 屬細線16形成；以及第2補助圖案2〇〇B，由沪著各 導電圖案120B的周邊排列的金屬細線16形成f 導電隨議是由2個以上的第2大格子細 者第4方向串聯地連接而構成，各 別是^個以上的小格子204加以組合而構成 ^格子202B的邊的，形成有不與第2大格子綱 連接的上述第2補助圖案2〇〇b。 大格目的第2大格子纖之間，形成有將上述第2 子208而播士势以電性連接的第2連接部2〇6Β。配置中格 子208而構成第2連接 6Β Τ才 ㈣的與t格信相議部分m方口向部） 38 201232632 210B’該第2缺口部2l〇B是將小格子2〇4的一條 切除而成。 又，於相鄰接的第2導電圖案12〇B之間，配 性絕緣的第2絕緣部212b。 上述第2補助圖案2_包括：多條第2輔助線214B (以第1方向作為轴線方向）’沿著第2大格子2咖 203b令的沿著第2方向的邊通排列；多 (以第2方向作為軸線方向），沿著第2大格子補= 的邊203b中的沿著第丨方向的邊遍排列；以及圖案， 彼此相對向地配置有2個第2L字狀圖案216 個 二字狀圖案纖於第2絕緣部簡中 二第 輔助線2HB組合為L字狀而成。 田條第2 的轴助線2MA同樣地’各第2辅助線214B 45tT Λ/為沿著小格子綱的内周的—條邊的 Μ·，車乂佳為該一條邊的1/2以下的長度。又’各第2 形，與第2大格子2㈣相隔規定距離二 沿著;Μ·4:=ί214Α同樣地’該規定距離亦是自 測的車mi邊的長度，減去第2辅助線 214B的轴線方度所付的長度。例如若第2輔助線 邊的4/5或1/2 ^、卜長度為沿著小格子2〇4的内周的一條 的-條邊的1/5’或1/2返規定距離為沿著小格子204的内周 如下所示’以上述方式構成的第2導電膜10B為 如下的秘，即’在存在於各第2導電_丨簡的一 $ 39 201232632 端部側的第2大格子2G2B關放端不存在第2連接部 2_。另-方面’存在於第奇數個的各第2導電圖案删 的另-個端部側的第2大格子2G2B的端部、以及存在於 第偶數個的各第2導電圖案的—個端部側的第2大 格子2_的端部，分別經由第2接線部18扑而電性連接 於由金屬細線16形成的第2端子配線圖案18邰。 -亦即，應用於觸控面板150的第2導電膜_如圖Μ 所不’多個第2導電圖案膽排列於與感測器部⑽相 對應的部分，自各第2接線部i84b導出的多個第2端子配 線圖案186b排列於端子配線部m2。 如圖14所示，於端子配線部162中的第2導電膜_ 的-條長邊側的周緣部，在其長度方向中央部分，多個第 ^端子188b排列形成於上述一條長邊的長度方向。又沿 著感測器部160的一條短邊（最靠近第2導電膜的一 條短邊的短方向），多個第2接線部例如第 奇數個第2接線部祕)㈣為直線狀，沿魏;職部⑽ 的另-條短邊（最靠近第2導電膜的另—條短邊的短 邊m方向）’夕個第2接線部184b (例如第偶數個第2 接線部184b)排列為直線狀。 多個第2導電圖案120B中，例如第奇數個第2導電 圖案12GB分別連接於相對應的第奇數個第2接線部 獅，第偶數個帛2導電圖t 12〇B分別連接於相對應的 第偶數個第2接線部184b。自第奇數個第2接線部難 導出的第2端子配線圖案18 6 b以及自第偶數個第2接線部 201232632 •J ^ I —JJit 184b導出的第2端子配線圖案^的被引向第2導電膜1〇Β 的一條長邊的大致中央部，且分別電性連接於相對應的第 2端子188b。 再者，亦可使第1端子配線圖案18如的導出形態與上 述第2端子配線圖案186b的導出形態相同，且使第2端子 配線圖案186b的導㈣態與上述第丨端子喊圖案肠 的導出形態相同。 第1大格子202A以及第2大格子202B的一條邊的長 度較佳為3 mm〜10 mm，更佳為4 _〜6賴。若一條邊 的長度不足上述下限值，則檢測時的第i大格子2〇2a以 及第2大格子2_的電容會減少，因此，產生檢測不良 的"I月bf生升向。另一方面，若上述一條邊的長度超過上述 ^限值’則存在位置檢測精度下降之虞。自同樣的觀點考 慮，構成第1大格子202A以及第2大格子2〇2B的小格子 204的一條邊的長度較佳為5〇 μιη〜500 μιη。當小格子2〇4 的一條邊的長度處於上述範圍時，可更良好地保持透明 f生且g女裳至顯示裝置157的顯示面板158上時，可對 顯示内容進行識別而無不協調感。 又，第1導電圖案120A (第i大格子2〇2A、中格子 208)的線寬、第2導電圖案12〇B (第2大格子2咖、中 格子208)的線寬、第！補助圖案魏(第i輔助線2i4A) 以及第2補助圖案200B (第2輔助線214B)的線寬分別 為1 μηι〜15 μιη。於該情形時，可與第i導電圖案i2〇A 的線寬或第2導電圖案1施的線寬相同，亦可與第ι導 201232632 第2導電圖案_線寬不同。然 第1補助圖案200A以及钕，乐Z守电圓系 亦即，金屬細線ί 補助圖案2〇〇B的各線寬相同。 隔（鄰接的金屬細線！6 ^ f寬較佳為1 μΙΏ〜15哗。線間 2導電膜U)B的開ί率考慮’第1導電膜1〇Α以及第 二〇 卞？乂佳為85%以上。 上而形成:嫌㈣電膜· 置第1導電圖案120A與第）道圖20所不，设為交叉地配 而言為如下的形態，即1 =圖案12〇B的形態，具體 部206A與第2導電圖亲_導電圖案12〇A的第1連接 1透明基體12A (參昭圖16A\的第2連接部2_隔著第 導電部14A的第】絕緣部212a^ 17A)而相對向，第1 絕緣部2UB隔著第j=2導電部1犯的第2 當自上表面來對積層導=而相對向。 所示，成為如下的形態，即，以 ^丁觀察時，如圖20 的第1大格子20M的間隙予以填埋1導電膜l〇A 導電膜_的第2大格子2㈣。此^方式，排列有第2 與第2大袼子2〇2B之間，形成有第 '第1大格子2〇2A 第2補助圖案2_相對向而成的％^助圖案200A與 218如圖21所示，第1輔助線214A^案218。組合圖案 第2輔助線214B的第2軸線22〇B 一 1軸線220A與 214A與第2輔助線214B不重疊 致且第1辅助線 及弟1輔助線214A的 42 201232632 一端與第2辅助線214B的一 — 2〇4的-條邊。亦即，組合_ 冓成小格子 的小格子2 0 4的形態。結果，U為：5有2個以上 W進行觀察時，如圖2G所示1 =面來對積層導電膜 滿有多個小格子綱。 成為如下的形態，即，鋪 線處當未形絲1輔助線祕以及第2輔助 、^mb時，會形成與組合圖案21 = 域，藉此，會產生如下的門s 見度相田的工白£ 的纽、P ’導致第1大格子纖 了避免上㈣子2〇2B的邊界顯眼，視認性變差。為 晶2 慮將第2大格子獅的邊雇重 的各條邊咖來消除空白區域，但 二ί = Ϊ精度的極小的偏差，直線形狀彼此的重疊 心的寬度變大（線變粗），藉此 導致第1大格子202A絲下的問通即 認性變差。 ”第A格子202B的邊界顯眼，視 相對於此’於本實施形態中，如上所述，由於第】辅 ί ί ΓΓ與第2辅助線214B重疊，第1大格子2〇2A與 弟2大格子2G2B的邊界不顯眼，視雛提高。 二如上所述，例如當將第2大格子搬B的邊遍 f第1大格子202A的邊2〇3a而消除空白區域時，第 〇ft子細的邊膽位於第1大格子腿的各條邊 a的正下方。此時，第j大格子2〇2a的邊施以及第 大格子2㈣㈣203b亦分別作為導電部分而發揮功 能’因此，於第1大格子202A的邊2〇3a與第2大格子2〇2b 43 201232632 的邊203b成托電容，科 資訊而言是作為雜訊(noise)成„於電何 ^取刀而起作用，會引起S/N 比』者地下降。而且，由於在各第i大格 大格子誦之間形成寄生電容，因此，成生第電 容並聯地連接於第i導電_ 12Q ，為夕個寄生電 5L:目 時間常數變大的問題。* CR時 間吊數k大，則供給至第i導電0案12 :漏）的電壓信號的波形的上升_變慢，二2 ϊί: 内’有可能幾乎不產生用於位置檢測的 電场。又，來自第！導電_ 12GA以及第2導電圖案趣 的傳遞##u的波形的上升時間或下降時間亦變慢，於規 的掃描時間内，有可能無法捕捉傳遞信號的波形的變化。 此會使檢_度下降，錢響應速度下降。亦即，為了實 現檢測精度的提高、及響應速度的提高，只能使第！大格 子2〇2A以及第2大格子2〇2b的數量減彡（分解能力減 小）’或使適應的顯示畫面的尺寸減小，從而會產生如下的 問題’即’無法適用於例如B5版、A4版、及這些版面以 上的大畫面。 相對於此，於本實施形態中，例如，如圖16A所示， 使第1 A格子202A的邊203a與第2大格子202B的邊2〇3b 之間的投影距離Lf與小格子2〇4的一條邊的長度大致相 同。因此，第1大格子202A與第2大格子202B之間所形 ，的寄生電容變小。結果，CR時間常數亦變小，從而可 實現檢測精度的提高、及響應速度的提高。再者，亦存在 44 201232632 如下的情形’即，於第i輔助線214a :，218中，第i輔助線214a的端 、=4B的端部分別相對向，但第i輔助線214a= 1大格子202A連接，與該第1大格子202A電性 2辅助線浦亦並不與第2大格子難連接、=第2 緣，因此’不會導致第1大格子 ”第2大格子2_之間卿成的寄生電容增加。 較佳為與根據第1大格子2G2A以及第2大格子2〇2b 的尺寸相比較，更根據構成第丨大格子2Q2a以及第2大 的小格子綱的尺寸（線寬以及—條邊的長度） 來適虽地設定上述投雜離Lf 佳轉。於該情形時， 若相對於具有固定的尺寸的第丨大格子2〇2A以及第2大 格^ 202B ’小格子204的尺寸過大，則透光性提高，但傳 遞k號的動態範圍（dynamic range)變小，因此，有可能 會引起檢測感度的下降。相反地，若小格子綱的尺寸過 小，則檢測感度提高，但線寬的減小程度有限，因此，透 光性有可能會變差。 因此，當將小格子204的線寬設為！ Mm〜9 μηι時， 上述技影距離Lf的最佳值（最佳距離）較佳為1〇〇 〜 〇〇 μηι進而較佳為2〇〇 gm〜3〇〇 。若使小格子204 ，，寬變窄，則亦可使上述最佳距離縮短，但電阻會逐步 變鬲，因此，即便寄生電容小，CR時間常數亦會變高， 結果，有可能會引起檢測感度的下降、及響應速度的下降。 因此’小格子204的線寬較佳處於上述範圍。 45 201232632 而且，例如基於顯示面板158的尺寸或感測器部 的尺寸與馳位置㈣的分解能力（轉脈衝（pu㈤的 脈衝週期4) ’來決定第1大格子2Q2A以及第2大格子 202B的尺寸以及小格子2()4的尺寸以小格子綱的線寬 為基準’算出第1大格子2G2A與第2大格子2㈣之間的 最佳距離。 又，於本實施形態、中，使用了形成有波紋抑止部％ 的導電膜10a或形成有波紋抑止部％的導電膜，因 此’例如’如圖卜圖3等所示，對於構成第i導電部14A 的第1導電圖案120A (網眼_ 2〇)以及構成第2導電 部14B的第2導電圖案i2〇B (網眼圖案2〇)而言，且有 上述關係的波紋抑止部26位於與網眼圖案2〇的交叉部、％ 相鄰接的位置。結果’可使透過第i導電部14A以及第2 導電部14B的光的積分量在交又部24與交又部24以外的 部分大致相同，從而可使由波紋等弓丨起的畫質劣化程度為 最小。亦即，顯示晝面不會因波紋而模糊不清，可實現 不品質的提高、及操作性的提高。而且，由於將金屬細線 16的線寬設為i吨〜15卿，將金屬細線16的線間隔設 為50哗〜500哗’因此，可同時具有高透光性與良好的 視認性（網眼圖案20不易顯眼）。而且，於本實施形綠中， 存在上述波紋抑止部26，藉此，該部位可使電氣感^力 提高，因&，可使觸控位置的檢測能力提高。尤其對於電 容式觸控面板而言，由於電容的_能力提高，因此較佳。 亦即’波紋抑止部26亦作為觸控位置檢測能力提高部而發 46 201232632 —γΐί 揮功能。 _又’使用圖12所示的導電膜勘，藉此例如，如圖17Α 所不，與第1接著層必的折射率之差為〇 ]以下的第！ 透明包覆層64a，包覆於第1導電膜1GA的第1導電圖案 =0A與露出的第1接著層62a上，與第2接著層咖的折 射率之差為αΐ以下的第2透明包覆層64b，包覆於第2 導電膜1GB的第2導電圖案12GB與露出的第2接著層_ 上’因此’第1接著層仏以及第2接著層_上所形成 的凹凸面或城φ形狀中的漫反射被抑觀最小限度，當 形成積層導電膜154時’該積層導電膜154整體 透明性。 而且’當將上述積層導電膜154用作觸控面板15〇時， 將保護層156積層於第1導電膜1GA上，將自_丨導電膜 i〇A的多個第i導電圖案12GA導出的第1端子配線圖案 186a、與自第2導電膜1〇B的多個第2導電圖案i施導 出的第2端子配線醜186b連接關如控制電路，該控制 電路對掃描進行控制。 可較佳地採用自身電容方式或相互電容方式作為觸控 位置的檢測方式。亦即，若制自身電容方式，則依序將 用於觸控位置檢測的電壓信號供給至第丨導電圖案 120A，且依序將用於觸控位置檢測的電壓信號供給至第2 導電圖案1施。因指尖與保護㉟⑼的上表面發生接觸或 接近於該上表面，與觸控位置相對向的第i導電圖案i2〇a 以及第2導電圖案120B與GND (接地（ground))之間的 47 201232632 Λ 電容會增加，因此，來自上述第丨導電圖案職以及第2 導電圖案12GB的傳遞信號的波形，成為與來自盆他導電 號的波形不同的波形。因此，控制電路基於 信號來對觸控位置進行運算。另-方面，於相互電Ϊ = 的情形時，例如依序將用於觸控位置檢測 至第i導電圖案隐，且依序對第2導電圖案咖以進; 感測（sensing)(檢測傳遞信號）。因指尖與保護層156的 上表面發生闕或接近於該上表面，手指的浮動電容會並 聯地增加至與觸控位置相對向的第丨導電圖案12〇a與第2 導電圖案12GB之間的寄生電容，因此，來自上述第2導 電圖案120B的傳遞信號的波形，成為與來自其他第2導 電圖案120B的傳遞信號的波形不同的波形。因此，控制 電路基於供給著電壓信號的第i導電圖案12〇A的順^、 與所供給的來自第2導電圖案120B的傳遞信號，對觸控 位置進行運算。藉由採用如上所述的自身電容方式或相^ 電谷方式的觸控位置的檢測方法’即便使2個指尖同時邀 保護層156的上表面發生接觸或接近於該上表面，亦可檢 測出各觸控位置。再者，與投影型電容方式的檢測電路相 關的先前技術文獻有美國專利第4,582,955號說明書、美 國專利第4,686,332號說明書、美國專利第4,733,222號說 明書、美國專利第5,374,787號說明書、美國專利第 5,543,588號說明書、美國專利第7,〇3〇,860號說明書、以 及美國公開專利2004/0155871號說明書等。 48 201232632 於士述積層導電獏154巾，當使用有圖2所示的導電 的-:主面如升圖』=16Α所示’於第1透明基體12A -個主面電部14A ’於第2透明基體12B的 於第1透明基體 情形時，主面形成第2導電部14Β。於該 读成為如下的形態，即，第2透明基體12Β不存在， 日月基體12Α積層於第2導電部14BJl，且第 與第2層於第1透明基體12A上。又，第1導電膜10A Lam電膜—之間亦可存在其他的層，若第1導” 14Aj 22 14B之間為絕緣狀態’則該第1導電部 ，、第2導電部14β亦可相對向地配置。 於上述的積層導電膜154 _，當使用有® U^ :導電膜叫如圖15以及圖17A所示，：1， 基體12 A的-個主面形成第丨導電部2 4 a， 明 體12B的-個主面形成第2導電部i4B ,此 月基 ΠΒ所示’於第！透明基體UA的―個^…、可j 第1接著層62a而形成第1導電部14A， a ’隔著 12A的其他主面12Ab，隔著第2接著声6透明基體 導電部14B。於該情形時，成為如下的“:形^第2 明基體12B不存在，第丨透明基體UA積層 ^透 14B上，且第！導電部14A積層於第！透明，電部 於該情形時，亦以將第〗導電部14A與露^ =。 必予以包覆的方式，形成^透明包覆層…，且 49 201232632 2導電部14B與露出的第2技牮 m 9 接層予以包覆的方式， 形成第透月包覆層64b。又，第1導電膜10A盘第2導 電膜·之間村存在其他⑽，若第 _ 2導電部⑽為絕緣狀態，則該第丨導電部14^與第2t 電部14B亦可相對向地配置。 又，如圖14所示，將第1導電膜10A與第2導電腺 10B加以組合來製作積層導電膜1M，而且，將該積層導 電膜裝入至顯示|置157的齡面板158，藉此來製作嘴 控面板150。於該情形時，較佳為於第1導電膜10A與第 2導電膜10B的例如各角落（corner)部形成第丨對準j票記 (alignment mark) 194a以及第2對準標記194b，該第i 對準標記194a以及第2對準標記194b是第1導電膜1〇八 與第2導電膜i〇B貼合時所使用的定位用的標記。當將第 1導電膜10A與第2導電膜10B予以貼合而形成積層導電 膜154時’上述第1對準標記194a以及第2對準標記19处 成為新的複合對準標記，該複合對準標記亦作為將上述積 層導電膜154設置於顯示面板158時所使用的定位用的對 準標記而發揮功能 於上述例子中，表示了將第1導電膜10A以及第2導 電膜10B應用於投影型電容方式的觸控面板15〇的例子， 此外，亦可應用於表面型電容方式的觸控面板、或電阻膜 式的觸控面板。 作為形成於第1導電膜10A或第2導電膜10B的導電 圖案’除了可使用上述導電圖案之外，亦可使用如下的導 201232632. 電圖案，該導電圖案是利用絕緣部來呈帶狀地對網眼圖案 進行劃分，且平行地配置有多個上述網眼圖案。 亦即，亦可包括如下的2個以上的帶狀的第1導電圖 案作為第1變形例的圖案，上述2個以上的帶狀的第1導 電圖案分別自端子沿著第1方向（X方向）延伸，且沿著 與第1方向正父的第2方向（y方向）排列。又，亦可盘 第1變形例相反地，包括2個以上的帶狀的第2導電圖案 作為第2變形例的圖案，上述2個以上的帶狀的第2導電 圖案分別自端子沿著第2方向（y方向）延伸，且沿著第1 方向（X方向）排列。各導電圖案可設為如下的圖案，該 圖案是排列多個利用金屬細線來將一個開口部予以包圍的 封閉的多個網眼形狀而成。作為網眼形狀，例如可列舉正 方形狀、長方形狀、以及正六角形狀等。 而且’使上述第1變形例的圖案與第2變形例的圖案 例如隔著透明基體而重疊，藉此，成為使帶狀的第1導電 圖案與帶狀的第2導電圖案交叉的形態，此形態若使用於 例如投影型電容方式的觸控面板的導電圖案，則較佳。 以下，列舉本發明的實例，更具體地對本發明進行說 明。再者，只要不脫離本發明的宗旨，則可適當地將以下 的實例所示的材料、使用量、比例、處理内容、以及處理 順序等予以變更。因此，不應根據以下所示的具體例Ϊ限 定性地對本發明的範圍進行解釋。 [第1實例] 第1實例對實例i〜實例32、比較例卜比較例2〇、 201232632 • - ~ ι— 參1例1〜參考例8的導電膜的表面電阻以及透射率進行 測定，對波紋以及視認性進行評價。將實例丨〜實例32、 比較例1〜比較例20、參考例丨〜參考例8的細項、測定 結果以及評價結果表示於下述表3以及表4中。 <實例1〜實例32、比較例丨〜比較例20、參考例！ 〜參考例8> (鹵化銀感光材料） 調衣含有球等效直控（sphere-equivalent diameter)平 均0.1 μιη的破溴氣化銀粒子（〗=〇 2莫耳％、Br=40莫耳 %)的乳劑，該乳劑相對於水媒體中的15〇g的Ag而含有 lO.Og的明膠。 又，向該乳劑中添加K^Rl^Br9以及KaIrCl6以使濃度 達到10·7 (莫耳/莫耳銀）’從而於溴化銀粒子中摻雜Rh離 子及Ir離子。向該乳劑中添加NazPdCU，進而使用氣金酸 及硫代硫酸鋼進行五硫化二録增感後，與明膠硬膜劑一同 塗佈至第1透明基體12A以及第2透明基體12B (此處均 為聚對苯二曱酸乙二醇酯（PET))上，以使銀的塗佈量為 10 g/m2。此時，Ag/明膠體積比為2/卜 於寬度30 cm的PET支持體上以25 cm的寬度進行2〇 m的塗饰，以殘留塗佈的中央部24 cm的方式將兩端各切 除3 cm，獲得輥狀的鹵化銀感光材料。 (曝光） 鹵化銀感光材料的曝光是將使用日本專利特開 2004-1224號公報的發明的實施形態揭示的數位微鏡裝置 52 201232632^ (digital micromirror device，DMD )的曝光頭排列成 25 cm 寬度，且使曝光頭以及曝光台彎曲配置，以使雷射光於感 光材料的銀鹽感光層30上成像，安裝好感光材料送出機構 以及捲繞機構後，利用連續曝光裝置來進行曝光，上述連 續曝光裝置設有具有緩衝作用的彎曲，以使得曝光面的張 力控制以及捲繞、送出機構的速度變動不會影響曝光部分 的速度。曝光的波長為400 nm，光束形狀為12 μπι的大致 正方形’且雷射光源的輸出為1()〇pJ。 曝光是將隨後成為金屬細線16的細線圖案間的間隔 (線間隔）設為300 μιη，並依照下述設定來進行，以於銀 鹽感光層30上曝光出網眼圖案20。構成網眼圖案2〇的金 屬細線16的線寬、交又部24的面積Sa、波紋抑止部26 的面積Sb等示於表3。 為了對銀鹽感光層30進行曝光，以成為鄰接於網眼圖 案20的交叉部24而形成有波紋抑止部26的圖幸，接用蚀 3個曝光頭連動的曝光方式。 〃 亦即’第1曝光頭-方面使雷射光束沿著與銀鹽感光 層30的搬送方向成直角的方向往復運動，一方面照射單一 光束而於銀鹽感光層30上描繪曝光圖案。因此，^ 線狀地對銀鹽感光層30進行45。斜向描繪，該斜線狀3盘 銀鹽感光層30的搬送速度、與曝光頭的朝向與搬送 直角方向的移動速度之比相應，當該光束到達銀_ ; 1〇二部時’連動於曝光頭的往復運動而沿著反; 53 201232632 -， -a- 而於銀鹽感光層3〇上描緣曝光圖案她第== 第，:== μ 、月因此，當第1曝光頭自銀鹽感光 “二，部進行斜向描繪時，第2曝光頭自銀鹽感光 = 部朝著與第1曝光頭的移動方向相反的方向 成網_ :鹽_ 3G上進行反斜向描繪。如此，形 一第3，光頭相對於上述第丨曝光頭及第2曝光頭的雷 射光束著與銀縣光層3()的搬送方向餘肖的方向往 復運動的飾鱗辆而為目定㈣絲，以料頭通過 上述第1曝光頭及第2曝光頭的雷射光束的交叉部的方式 而a又。右要沿著銀鹽感光層3〇的寬度方向而描繪多個交叉 部，則設置與其數量對應的第3曝光頭。自第3曝光頭照 射的雷射光束將f射振設定成，僅在第3曝光頭通 過上述交又料，進行短時間關歇雷射絲照射。又， 照射時間被設定為可描繪出期望尺寸的波紋抑止部26的 時間。 (顯影處理） • 1 L顯影液的處方 對苯二酚 20 g 亞硫酸納 50 g 碳酸鉀 40 g 54 201232632 ^ I I ✓ |^lt 乙一胺四醋酸 2 g 漠化_ 3g 聚乙二醇2000 1 g 氫氧化卸 4g ΡΗ 調整至10.3 • 1 L定影液的處方 硫代硫酸錄液（75%) 3 00ml 亞硫酸録一水合物 25 g 1，3-丙二胺四醋酸 8g 醋酸 5g 氨水（27%) 1 g PH 調整至6.2 使用富士軟片公司製造的自動顯影機Fg ㈣、錢理劑完成曝光的感光 材枓進仃處理，即，於饥進行3G秒的顯影，於3代進 仃23秒的溶合’進行2G秒的水洗流水（5 L/分鐘）處理。 (參考例1) 已製作的參考例1的導電膜的網眼圖案20的線寬為 〇.5/m (線間隔為3〇〇 μιη)，交叉部24的面積％為〇乃 μιη ’波紋抑止部26的面積Sb為〇 〇〇5〇哗2。 (參考例2〜參考例4) 將波紋抑止部26的面積sb分別設為0.2250 μιη2、 0.2750 μιη2以及1.2500 μιη2，除此方面以外，與上述參考 例1同樣地製作參考例2、參考例3以及參考例4的導電 55 201232632 膜。 (比較例1、比較例2) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為〇.〇〇25 μιη2以及 1_5000 μπι2，除此方面以外，與上述參考例丨同樣地製作 比較例1以及比較例2的導電膜。 (實例1 ) 已製作的實例1的導電膜的網眼圖案2〇的線寬為1〇 μπι(線間隔為3〇〇μηι)，交叉部24的面積&為（⑽哗2, 波紋抑止部26的面積Sb為0.0200 μιη2。 (實例2〜實例4) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0 9〇〇〇 μπι2、 1.1000 μιη2以及5 0000 μπι2，除此方面以外，與上述實例】 同樣地製作實例2、實例3以及實例4的導電膜。 (比較例3、比較例4) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為o.oioo μηι2以及 6·0000 μιη2 ’除此方面以外，與上述實例丨同樣地製作比 較例3以及比較例4的導電膜。 (實例5) 已製作的實例5的導電膜的網眼圖案20的線寬為3.0 μιη(線間隔為300 μιη)，交叉部24的面積Sa為9 〇〇 ， 波紋抑止部26的面積Sb為0.1800 μιη2。 (實例6〜實例8) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為8.1000 μιη2、 9.9000 μιη2以及45.0000 μιη2 ’除此方面以外，與上述實例 56 .it 201232632 5同樣地製作實例6、實例7以及實例8的導電膜。 (比較例5、比較例6) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0.0900 μιη2以及 54.0000 μιη2，除此方面以外，與上述實例5同樣地製作比 較例5以及比較例6的導電膜。 (實例9) 已製作的實例9的導電膜的網眼圖案20的線寬為4.0 μιη(線間隔為3〇〇μιη)，交叉部24的面積Sa為16·00μιη2, 波紋抑止部26的面積Sb為0.3200 μιη2。 (實例10〜實例12) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為14.4000 μιη2、 17.6000 μιη2以及80.0000 μιη2，除此方面以外，與上述實 例9同樣地製作實例1〇、實例η以及實例12的導電膜。 (比較例7、比較例8) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0.1600 μιη2以及 96.0000 μιη2，除此方面以外，與上述實例9同樣地製作比 較例7以及比較例8的導電膜。 (實例13) 已製作的實例13的導電膜的網眼圖案20的線寬為5.0 μιη(線間隔為300 μιη)，交叉部24的面積Sa為25.00 μιη2, 波紋抑止部26的面積Sb為0.5000 μιη2。 (實例14〜實例16) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為22.5000 μιη2、 27.5000 μηι2以及125.0000 μιη2,除此方面以外，與上述實 57 201232632 例13同樣地製作實例14、實例15以及實例16的導電膜。 (比較例9、比較例1〇) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0.2500 μπι2以及 150.0000 μπι2，除此方面以外，與上述實例13同樣地製作 比較例9以及比較例10的導電膜。 (實例17) 已製作的實例17的導電膜的網眼圖案20的線寬為8.0 μπι(線間隔為300 μπι)，交叉部24的面積Sa為64.00 μιη2’ 波紋抑止部26的面積Sb為1.2800 μιη2。 (實例18〜實例20) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為57.6000 μπι2、 70.4000 μιη2、以及320.0000 μιη2，除此方面以外，與上述 實例Π同樣地製作實例18、實例19以及實例20的導電 膜。 (比較例11、比較例12) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0.6400 μιη2以及 384.0000 μιη2，除此方面以外，與上述實例17同樣地製作 比較例11以及比較例12的導電膜。 (實例21) 已製作的實例21的導電膜的網眼圖案20的線寬為9.0 μιη(線間隔為300 μιη)，交叉部24的面積Sa為81.00 μιη2, 波紋抑止部26的面積Sb為1.6200 μιη2。 (實例22〜實例24) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為72.9000 μιη2、 58

201232632 89.1000 μιη2以及405.0000 μηι2,除此方面以外，與上述實 例21同樣地製作實例22、實例23以及實例24的導電膜。 (比較例13、比較例14) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為0.8100 μιη2以及 486.0000 μιη2 ’除此方面以外，與上述實例21同樣地製作 比較例13以及比較例14的導電膜。 (實例25) 已製作的實例25的導電膜的網眼圖案20的線寬為 10.0 μιη(線間隔為300 μιη)’交又部24的面積Sa為100.00 μιη2 ’波紋抑止部26的面積Sb為2.0000 μιη2。 (實例26〜實例28) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為90.0000 μιη2、 110.0000 μιη2以及500.0000 μιη2 ’除此方面以外，與上述 實例25同樣地製作實例26、實例27以及實例28的導電 膜。 (比較例15、比較例16) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為1 .〇〇〇〇 μιη2以及 600.0000 μιη2 ’除此方面以外，與上述實例25同樣地製作 比較例15以及比較例16的導電膜。 (實例29) 已製作的實例29的導電膜的網眼圖案20的線寬為 15.0 μιη(線間隔為3〇〇 μιη)’交叉部24的面積Sa為225.00 μιη2，波紋抑止部26的面積Sb為4.5000 μιη2。 (實例30〜實例32) 59 201232632 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為202.5000 μιη2、 247.5000 μιη2以及ι125 〇〇〇〇μιη2,除此方面以外，與上述 實例29同樣地製作實例3〇、實例31以及實例32的導電 膜。 (比較例17、比較例18) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為2.2500 μιη2以及 1350·0000 μιη2，除此方面以外，與上述實例29同樣地製 作比較例17以及比較例18的導電膜。 (參考例5) 已製作的參考例5的導電膜的網眼圖案20的線寬為 20.0 μιη(線間隔為300㈣），交叉部24的面積Sa為4〇〇 〇〇 μιη2，波紋抑止部26的面積sb為8.0000 μιη2。 (參考例6〜參考例8) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為360.0000 μιη2、 440.0000 μιη2以及2000.0000 pm2，除此方面以外，與上述 參考例5同樣地製作參考例6、參考例7以及參考例8的 導電膜。 (比較例19、比較例20) 將波紋抑止部26的面積Sb分別設為4.0000 μιη2以及 2400.0000 μΓη2 ’除此方面以外，與上述參考例5同樣地製 作比較例19以及比較例20的導電膜。 (表面電阻測定） 為了確認檢測精度的良否，利用Dia Instruments公司 製Loresta GP (型號MCP_T610 )直列4探針探頭（Asp) ,if 201232632 =任思10處測定導電賴表面餘率’糊定值的平均 (透射率的測定） 定透ίί確料·的良否，使时光光度計對導電_ (波紋的評價） 1 4」貫例1〜貫例32、比較例1〜比較例20、參者 板〜1;8 :匕分=導電膜貼附於顯示裝置157的顯示: 置⑸以使,1:裝置157設置於轉盤’鶴顯示裝 〜着之間旋轅色。在此狀態下，使轉盤在偏移角柳 為評严用的is _。進仃波紋的目測觀察、評價。再者，作 PC d^la ( U 叶，用 ΗΡ 公司製的 Ρ—〇η N〇teb〇〇k 央寸光澤液晶WXGA/1366x768：)。 觀察ΐ=:是:顯皮=”7的顯示畫面以^的 為盈問題的等的情況記為。，將波紋 著化的A $微會被相的情況記為△，將波紋顯 =f二广。並且’作為綜合得分，將成為。的角度 的情況記為為/A將成為。的角度範圍不足1〇。 範圍不足30。的情、兄為0的角度範圍而成為X的角度 61 201232632 [表3] 線寬 (μηι) Sa (μηι2) Sb (μ™2) Sb/Sa 波紋 導電性 透光性 比較例1 0.5 0.25 0.0025 0.01 c X ◎ 參考例1 0.5 0.25 0.0050 0.02 B X ◎ 參考例2 0.5 0.25 0.2250 0.90 B X ◎ 參考例3 0.5 0.25 0.2750 1.10 B X ◎ 參考例4 0.5 0.25 1.2500 5.00 B X ◎ 比較例2 0.5 0.25 1.5000 6.00 C X ◎ 比較例3 1.0 1.00 0.0100 0.01 C o ◎ 實例1 1.0 1.00 0.0200 0.02 B 〇 ◎ 實例2 1.0 1.00 0.9000 0.90 A 〇 ◎ 實例3 1.0 1.00 1.1000 1.10 A 〇 ◎ 實例4 1.0 1.00 5.0000 5.00 B 〇 ◎ 比較例4 1.0 1.00 6.0000 6.00 C 〇 ◎ 比較例5 3.0 9.00 0.0900 0.01 C 〇 ◎ 實例5 3.0 9.00 0.1800 0.02 B 〇 ◎ 實例6 3.0 9.00 8.1000 0.90 A 〇 ◎ 實例7 3.0 9.00 9.9000 1.10 A 〇 ◎ 實例8 3.0 9.00 45.0000 5.00 B 〇 ◎ 比較例6 3.0 9.00 54.0000 6.00 C 〇 〇 比較例7 4.0 16.00 0.1600 0.01 C 〇 ◎ 實例9 4.0 16.00 0.3200 0.02 B 〇 ◎ 實例10 4.0 16.00 14.4000 0.90 A 〇 ◎ 實例11 4.0 16.00 17.6000 1.10 A 〇 ◎ 實例12 4.0 16.00 80.0000 5.00 B 〇 比較例8 4.0 16.00 96.0000 6.00 C 〇 〇 比較例9 5.0 25.00 0.2500 0.01 C ◎ ◎ 實例13 5.0 25.00 0.5000 0.02 B ◎ ◎ 實例14 5.0 25.00 22.5000 0.90 A ◎ ◎ 實例15 5.0 25.00 27.5000 1.10 A ◎ ◎ 實例16 5.0 25.00 125.0000 5.00 B ◎ ◎ 比較例10 5.0 25.00 150.0000 6.00 C ◎ 〇 62 201232632 jy [表4]

線寬 (μιη) Sa (μηι2) Sb (μιη2) Sb/Sa 波紋 導電性 透光性 比較例11 8.0 64.00 0.6400 0.01 c ◎ ◎ 實例17 8.0 64.00 1.2800 0.02 B ◎ ◎ 實例18 8.0 64.00 57.6000 0.90 A ◎ ◎ 實例19 8.0 64.00 70.4000 1.10 A ◎ ◎ 實例20 8.0 64.00 320.0000 5.00 B ◎ ◎ 比較例12 8.0 64.00 384.0000 6.00 C ◎ 〇 比較例13 9.0 81.00 0.8100 0.01 C ◎ ◎ 實例21 9.0 81.00 1.6200 0.02 B ◎ ◎ 實例22 9.0 81.00 72.9000 0.90 A ◎ ◎ 實例23 9.0 81.00 89.1000 1.10 A ◎ ◎ 實例24 9.0 81.00 405.0000 5.00 B ◎ ◎ 比較例14 9.0 81.00 486.0000 6.00 C ◎ 〇 比較例15 10.0 100.00 1.0000 0.01 C ◎ ◎ 實例25 10.0 100.00 2.0000 0.02 B ◎ ◎ 實例26 10.0 100.00 90.000 0.90 A ◎ ◎ 實例27 10.0 100.00 110.0000 1.10 A ◎ ◎ 實例28 10.0 100.00 500.0000 5.00 B ◎ ◎ 比較例16 10.0 100.00 600.0000 6.00 C ◎ 〇 比較例17 15.0 225.00 2.2500 0.01 C ◎ ◎ 實例29 15.0 225.00 4.5000 0.02 B ◎ ◎ 實例30 15.0 225.00 202.5000 0.90 A ◎ ◎ 實例31 15.0 225.00 247.5000 1.10 A ◎ ◎ 實例32 15.0 225.00 1125.0000 5.00 B ◎ ◎ 比較例18 15.0 225.00 1350.0000 6.00 C ◎ 〇 比較例19 20.0 400.00 4.0000 0.01 D ◎ Δ 參考例5 20.0 400.00 8.0000 0.02 C ◎ Δ 參考例6 20.0 400.00 360.0000 0.90 C ◎ Δ 參考例7 20.0 400.00 440.0000 1.10 C ◎ Δ 參考例8 20.0 400.00 2000.0000 5.00 C ◎ Δ 比較例20 20.0 400.00 2400.0000 6.00 D ◎ X 根據表3以及表4，滿足Sax0_01<SbSSax5.00的實 例1〜實例32的波紋、導電性、透光性皆為良好。尤其， 63 201232632 滿足Sax〇.90$SbSSaxl.lO的實例2、實例3、實例6、實 例7、實例1〇、實例u、實例14、實例15、實例18、實 例19、貫例22、實例23、實例26、實例27、實例30、實 例31未產生波紋。與此相對，比較例比較例2〇的波 紋皆顯著化。 使用上述實例1〜實例32的導電膜，分別製作投影型 電容方式的觸控面板。波紋皆未顯著化。又，用手指進行 觸摸操作，結果可知，響應速度快’檢測感度優異。又， 對2點以上進行觸控操作，結果同樣獲得良好的結果，可 確認亦能對應於多點觸控（multi_t〇uch )。 [第2實例] 第2實例是對使用實例41〜實例5〇、比較例21〜比 較例27的接著膜的構成物的可見光透射率、視認性進行測 定。將結果示於表5及表6。 (實例41) <接著膜1的製作例〉 使用厚度50 μιη的透明ΡΕΊΓ膜（折射率n= 1 575)作 為透明基體12，於該透明基體12上，隔著成為接著層 的環氧系接著片（NlKAPLEXSAF;Nikkan工業（股）製， n= 1.58)，以導電材料即厚度2μιη的金箔的粗化面成為環 氧系接著片側的方式，以180°C、30kgf/crn2的條件進行2 熱層壓而使該金箔接著。對於所獲得的附金箔的pET膜， 經過光微影步驟（光阻膜貼附_曝光-顯影-化學蝕刻·光阻膜 剝離）’於PET膜上形成排列有由金屬細線16構成的多個 64 201232632 方二狀)的導電圖案’獲得構成材料1。金屬細 3線：的線i為6哗’金屬細線16間的間隔 3〇〇 。於該構成材料i上，以乾燥 的方式來塗佈後賴透明包覆層1並乾燥，獲彳t有透 =接著膜i。然後，使聽式層壓機，以靴、2〇kgf/cm2 :件’將接著膜i加熱壓接於市售的亞克力板 (Comoglas，（股）Kuraray 製’厚度 3 mm )。 (實例42) <接著膜2的製作例> ▲使用厚度25 μπι的透明PET膜作為透明基體12，於 該透明基體I2上，赋層壓機並幻机、2Qkg/cm2 的條件，隔著成為接著層14的Pyralux LF.〇⑺叩⑽ JapanLunited製，丙烯酸系接著膜，n=1 47)而層壓導電 材料即厚度3 μιη的金箱。對於該附金箱的ρΕτ膜，經過 與接著膜1的製作例同樣的光微影步驟，於ΡΕΤ膜上形成 排列有由金屬細線16構成的多個格子（正方形狀)'的導電 圖案，獲得構成材料2。金屬細線16的線寬為6 _，線 間隔為200卿。於該構成材料2上，以乾燥塗佈厚度為約 10 μηι的方式來塗佈後述的透明包覆層2並乾燥，獲得具 有透明性的接著膜2。然後，以110。〇 鐘的條件，使用熱壓機將接著膜2加熱壓接於市售的亞克 力板。 (實例43 ) <接著膜3的製作例> 65 201232632 使用厚度50 μι„的透明PET膜作為 & 該透明基體12上，利用輥式層壓機並以 土 、2 的條件，隔著成為接著層14的p gem

JapanLimited，丙稀酸系接著膜％ I 材料即厚度1 μιη的金箱。對 曰 ㈣m μ制n 靖金_服膜，經過 ”接者膜1攸作綱制光微影步驟，於航 排列有由金屬細線16構成的多個格子（正方形狀)、的導電 ^為?(Γ成材料3。金屬細線16的線寬為…’線 成材料3上，以乾燥塗佈厚度為約 μ的方式來塗佈後述的透明包覆層3並乾燥獲得且 ==的接著膜3。然後，以11〇ΐ、3〇kgW、3〇 ; t條件’使用熱壓機將接著膜3加熱壓接於市售的亞克 <透明包覆層1的組成物> 聰（日立化成工業（股）製；高 重量份、购叫東都化成⑷ (於^认氧樹脂）25重量份、1PDI (日立化成工業 公製:遮罩異氛_12.5重量份、2_乙基冰甲基咪 透日^ 330重量份、環己嗣15重量份、上述 =包覆相成分賴於ΜΕΚ及環己酮，製作透明包覆 二的清漆。賴清漆流驗麵魅進行加熱乾燥所得 的膜的折射率為1.57。 <透明包覆層2的組成物> 使ΥΡ-30 (東都化成（股）製；苯氧基樹脂，_=6 66 201232632 ^ >· /

萬）100重量份、YD-8125 (東都化成（股）製；雙酚A 型環氧樹脂）10重量份、IPDI (日立化成工業（股）製； 遮罩異氰酸酯）5重量份、2-乙基-4-甲基咪唑0.3重量份、 MEK 285重量份、環己酮5重量份、上述透明包覆層的成 分溶解於MEK及環己酮，製作透明包覆層2的清漆。將 該清漆流延於玻璃板並進行加熱乾燥所得的膜的折射率為 1.55 〇 <透明包覆層3的組成物> 使HTR-600LB (帝國化學產業（股）製；聚丙烯酸酯， Mw=70萬）100重量份、Coronate L(曰本聚胺曱酸酷（股） 製，3官能異氰酸酯）4.5重量份、二月桂酸二丁基錫〇 4 重量份、甲苯450重量份、乙酸乙酯1〇重量份、上述透明 包覆層的成分溶解於曱苯及乙酸乙酯，製作透明包覆層3 的清漆。將該清漆流延於玻璃板並進行加熱乾燥所得的 的折射率為1.47。 、 (實例44) 除了將金屬細線16的線寬設為9 μιη以外，鱼實似 同樣地獲得接著膜。 w例4i (實例45) 除了將金屬細線16的線寬設為i μιη以外，盥實 同樣地獲得接著膜。 ^Μ2 (實例46) 除了將金屬細線16的線間隔設為500 μιη以外，與每 例43同樣地獲得接著膜。 〃只 67 201232632 (實例47) 除了將金屬細線16的線間隔設為200 μιη以外，與實 例41同樣地獲得接著膜。 (實例48) 除了將透明基體12的厚度設為25 μιη以外，與實例 41同樣地獲得接著膜。 (實例49) 將透明基體12的厚度設為50 μιη，將金屬細線16的 線間隔設為300 μιη，將厚度設為2 μιη，除了此方面以外， 與實例42同樣地獲得接著膜。 (實例50) 將金屬細線16的線寬設為6 μιη，將厚度設為2 μιη， 除了此方面以外，與實例43同樣地獲得接著膜。 (比較例21 ) 除了將金屬細線16的線寬設為20 μιη以外，與實例 41同樣地獲得接著膜。 (比較例22) 除了將金屬細線16的線間隔設為20 μιη以外，與實 例42同樣地獲得接著膜。 (比較例23 ) 除了將金屬細線16的厚度設為15 μηι以外，與實例 42同樣地獲得接著膜。 (比較例24) 使用透明包覆層4{笨酚-曱醛樹脂（Mw=5萬，η=1.73)} 68 it 201232632 作為透明包覆層64，除了此方面以外，與實例41同樣地 獲得接著膜。 (比較例25) 使用透明包覆層5{聚二曱基矽氧烷（Mw=4.5萬， n=1.43) }作為透明包覆層64，除了此方面以外，與實例 43同樣地獲得接著膜。 (比較例26) 使用透明包覆層6{聚偏二氟乙烯（Mw=12萬，n=1.42)} 作為透明包覆層64，除了此方面以外，與實例43同樣地 獲得接著膜。 (比較例27) 使用厚度為60 μηι的含有填充劑的聚乙烯膜（可見光 透射率為20%以下）作為透明基體12，除了此方面以外， 與實例41同樣地獲得接著膜。 對使用有以上述方式獲得的接著膜的構成物的可見光 透射率、視認性進行測定。將結果表示於表5與表6中。 69 201232632 J-a6 寸卜 6e 鬥 光學特性 視認性 I良好| jtfU jQid. ▲ 可見光透射率 (%) oo 〇 t^· § IQ 卜 接著劑 接著劑1 (η=1.57) 接著劑2 (n=1.55) 接著劑3 (η=1·47) 接著劑1 接著劑2 接著劑3 接著劑1 接著劑1 接著劑2 接著劑3 導電圖案 厚度 (μιη) (Ν m CN m CN (Ν (N (Ν 線間隔 (μηι) 300 __1 200 300 300 200 500 200 300 300 〇 線寬 (μπ〇 Os ν—^ Ο VO 圖案形成法 化學钱刻 化學蝕刻 化學蝕刻 化學敍刻 化學蝕刻 化學姓刻 化學姓刻 化學蝕刻 化學钱刻 i 化學ϋ刻 導電性材料 金箔 金箔 金箔 金箔 金箔 |金箔| |金箔| 金箔 |金箔| 金箔 透明基體 厚度 (μηι) CN yr) CA (N 材料 PET PET PET 1 PET I PET 1 1 PET 1 PET I PET I PET I PET 實例41 實例42 實例43 1實例44 1實例45 實例46 實例47 實例48 |實例49 實例50 201232632

Jft6 寸卜 6rn 鬥9<】 光學特性 1 視認性 NG ϋ NG I 1 1 1 1 可見光透射率 (%) 〇 § <20 1 <20 1 . 1 <20 <20 接著劑 1 _1 接著劑1 (n= 1.57) j 接著劑2 (η=1.55) 接著劑2 接著劑4 (n=1.73) 接著劑5 (n=l_43) 接著劑6 i (n=1.42) 接著劑1 導電圖案 厚度 (μιη) (N m <N m CN 線間隔 (μιη) 300 200 | 300 I 300 200 500 200 線寬 (μηι) σ\ 圖案形成法 化學蝕刻 化學蝕刻 化學蝕刻 化學蝕刻 化學蝕刻 化學蝕刻 化學钮刻 導電性材料 金箔 金箔 金箔 金箔 金箔 金箔 金箔 透明基體 厚度 (μιη) (N <N 材料 PET 1 PET PET PET PET PET 填充劑的聚乙烯 比較例21 比較例22 m <N jj jj 比較例25 比較例26 |比較例2^1 201232632 可見光透射率的測定是使用雙光束分光光度計（（股） 曰立製作所製，200-10型），並使用400 nm〜800 nm的透 射率的平均值。視認性是自距〇·5 m的場所目測貼附於亞 克力板的接著膜，根據能否辨識出導電材料上描繪的導電 圖案來進行評價，將無法辨識的情況記為「良好」，將可辨 識的情況記為NG。 再者，本發明的觸控面板、觸控面板的製造方法以及 導電膜並不限於上述實施形態，當然可不脫離本發明的宗 旨而採用各種構成。 【圖式簡單說明】 圖1是表示第1實施形態的導電膜的一例的平面圖。 圖2是局部省略地表示導電膜的剖面圖。 圖3是將一部分予以放大來表示導電膜的一例的平面 圖。 圖4是將一部分予以放大來表示導電膜的其他例子的 平面圖。 圖5是將一部分予以放大來表示導電膜的又一例子的 平面圖。 圖6是將一部分予以放大來表示導電膜的又一例子的 平面圖。 圖7A〜圖7C是表示第1實施形態的導電膜的製造方 法的一例的步驟圖。 圖8是表示對於銀鹽感光層的數位寫入曝光中的曝光 能量與影像濃度的關係的特性圖。 72 201232632 圖9A以及圖9B是表示第1實施形態的導電膜的製造 方法的其他例子的步驟圖。 圖10A以及圖1 〇B是表示第1實施形態的導電膜的製 造方法的又一例子的步驟圖。 圖Π是表示第1實施形態的導電膜的製造方法的又一 例子的步驟圖。 圖12是局部省略地表示第2實施形態的導電膜的剖面 圖13Ag〜圖i3C是表示導電膜的製造方法的步驟圖。 圖14疋表示觸控面板的構成的分解立體圖。 圖15是局部省略地麵制導親的分解立體圖。

示將第1導電膜與第2導電膜加 圖2〇是局部省略地表示將第

例子的平面圖。 輔助線與第2辅助線來形成一條 73

201232632 a L 線的狀態的說明圖。 【主要元件符號說明】 10a、10b :導電膜 10A :第1導電膜 10B :第2導電膜 12 :透明基體 12A :第1透明基體 12B :第2透明基體 14 :導電部 14A :第1導電部 14B :第2導電部 16 :金屬細線 16a :第1金屬細線 16b :第2金屬細線 18 :開口部 20 :網眼圖案 22 :網眼形狀 24 :交叉部 26 :波紋抑止部 26a :第1抑止部 26b :第2抑止部 26c :第3抑止部 26d :第4抑止部 62 :接著層 74 it 201232632 62a :第1接著層 62b :第2接著層 64 :透明包覆層 66 :金屬箔 120 :導電圖案 120A :第1導電圖案 120B :第2導電圖案 150 :觸控面板 154 :積層導電膜 157 :顯示裝置 158 :顯示面板 200A :第1補助圖案 200B :第2補助圖案 202A :第1大格子 202B :第2大格子 204 :小格子 206A :第1連接部 206B :第2連接部 208 :中格子

Claims (1)

1. 201232632 易 七、申請專利範固： 1·種觸控面板’包括對觸控位置進行檢測的導電膜 (10)，、上賴控吨㈣徵在於： 上述導電膜包括導電部（14)，上述導電部（14) 具有由金屬製的細線（16)形成的網眼圖案（2〇)， 於上述網眼圖案（20)的交叉部（24)，形成有使觸控 位置=檢測能力提高的觸控位置檢測能力提高部 (26)， 虽將上述父又部（24)的面積設為Sa，將上述觸控位 置檢測能力提高部（26)的面積設為Sb時， Sax〇.〇l<Sb$Sax5.00。 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中當將 上述，叉部（24)的面積設為Sa，將上賴控位置檢測能 力提高部（26)的面積設為Sb時， Sax〇.5〇SSb$Sa><5.〇〇。 、、^；如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中當將 上述亡又部（24)的面積設為Sa ’將上述觸控位置檢測能 力提尚部（26)的面積設為Sb時， Sax0.50SSbSSaxl.50。 、4·如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中當將 j士又部（24)的面積設為Sa，將上賴独置檢測能 力提高部（26)的面積設為Sb時， Sax〇.9〇SSbSSaxl.l〇。 5· -種觸控面板，包括導電膜（1())，上述觸控面板 的特徵在於： 76 201232632 w / 上述導電臈（10)包括導電部（14)，上述導電部（14) 具有由金屬製的細線（16)形成的網眼圖案（20)， 於上述網眼圖案（2〇)的交又部（24)，形成有波紋抑 止部（26)， §將上述父又部（24)的面積設為，將上述波紋抑 止部（26)的面積設為Sb時， Sax〇.01<Sb$Sax5.0〇。 6.如申請專利範圍第5項所述之觸控面板，其中當將 上述交叉部（24)的面積設為sa，將上述波紋抑止部（26) 的面積設為Sb時， Sax0.50gSbSSax5.00。 7 ·如申請專利範圍第5項所述之觸控面板，其中當將 上述交叉部（24)的面積設為Sa，將上述波紋抑止部（26) 的面積設為Sb時， Sax〇.50SSbSSaxl.50。 、、匕如申。月專利範圍帛5項所述之觸控面板，其中當將 上述父又部（24) #面積設為Sa，將上述波紋抑止部 的面積設為Sb時， Sax0.90SSbSSaxl.10。 9. -種觸控面板的製造方法，料包含製作導電膜 (10)的導電膜製作步驟的觸控面板（15〇)的製造方法， 上述觸控面板（150)的製造方法的特徵在於： 上述導電膜製作步驟包括如下的步驟： 將導電材料的金屬络㈤）隔著接著層（62)而貼合 77 201232632 於透I基體（12)的一個主面上（12a)，上述金屬羯（66) ^貼δ面的粗糙面形狀轉印至上述接著層（62)，上述金屬 =;(66)的朝上述接著層⑹貼合的上述貼合面^祕 - 刻製程來將已貼合的上述金屬箱（66)的 度為一 出有二覆於上述導電圖案（12。）與露 上述接荖展^〜）的'^刀，上述透明包覆層（64)與 上边接者層（62)的折射率之差為Q1以下。 法，項所述之觸控面板的製造方 是利用上述透二：層二 =述金射 1(66)的上述貼合面的上述 法二述之觸控面板的製造方 (158)上種電^置於顯示裝置⑽）的顯示面板 逑導電部⑼且料:/徵在於包括導電部⑼，上 * (2〇), ’、有由金屬製的細線（16)形成的網眼圖 止部二)述網眼圖索⑽）的交叉部⑻’形成有波紋抑 78 201232632 •j ^ I T-/ l··邱述交又部（24)的面積設為Sa，將上女 止。卩（26)的面積設為sb時， 將上述波紋抑 Sax〇.01cSbSSax5 00。 13·如申請專利範圍第口 上述交又部⑻的面積料Sa，虹述當將 的面積設為Sb時， ^上义皮紋抑止部（26) Sax〇.5〇ssb$Sax5 0〇。 H_如申請專利範圍第12項所 =:(srr 一將上述波以 Sax〇.50$Sb$Saxl.50。 5·如申μ專利範圍第12項所述之 士述交又部⑼的面積設為％，將上述波紋抑止字 的面積設為Sb時， K b) Sax0.90SSbSSaxl.10。 16.如申請專利範圍第12項所述之導電膜，其 上述網眼圖案（2G)的金屬製㈣1細線（16a)與第2 細線（16b)交又，藉此來構成上述交又部（24)，、 上述波紋抑止部（26)包括： 第1抑止部（26a)，形成於上述第}細線（16a)的— 個側面與上述第2細線（i6b)的一個側面之間； 第2抑止部（26b)，形成於上述第i細線（16a)的一 個側面與上述第2細線（16b)的另一個侧面之間； 第3抑止部（26c)，形成於上述第1細線（丨⑷的另 79 201232632 一個侧面與上述第2細線（16b)的一個側面之間；以及 第4抑止部（26d)，形成於上述第i細線（16a)的另 一個側面與上述第2細線（16b)的另一個側面之間。 17.如申請專利範圍第16項所述之導電膜，其中當將 上述第1抑止部（26a)、上述第2抑止部（26b)、上述第 3抑止部（26c)、以及上述第4抑止部（26d)的各面 為 Sbl、Sb2、Sb3、以及 Sb4 時， " Sb=Sbl + Sb2 + Sb3 + Sb4。 18. 如申請專利範圍第12項所述之導電膜， 細線（16)的線寬為j μηι〜15μιηβ 、肀上让 19. 如申請專利範圍第U項所述之導電膜 細線（16)的線寬為】μιη〜9μιη。 、/、中上述 20·如申請專利範圍第12項 細線⑽的線間隔為65帅〜二導電臈，其中上述 21 -種導電膜’其特徵在於包括： 透明基體（12); 導電部（14)，由金屬細綠（16) 06)隔著接著層（62)而形成於^^述金屬細線 一個主面（12a)上；以及 疋透明基體（12)的 透明包覆層（64)，形成為 有上述接著層（62)的部分予以勺覆電祁（14)與露出 之差=下層。(62)與上‘覆層⑽的折射率 22.如申請專利範圍第21項所述之導電膜，其中上述 201232632 金屬細線（16)的線寬為9 μιη以下。 23. 如申請專利範圍第21項所述之導電膜，其中上述 金屬細線（16)的厚度為3 μιη以下。 24. 如申請專利範圍第21項所述之導電膜，其中上述 導電部（14)包括2個以上的導電圖案（120)，上述2個 以上的導電圖案（120)分別沿著第1方向延伸，且沿著與 上述第1方向正交的第2方向排列，且由上述金屬細線（16) 形成。 25. 如申請專利範圍第24項所述之導電膜，其中上述 導電圖案（120)具有排列有多個由上述金屬細線（16)與 開口部形成的網眼形狀的圖案。 26. 如申請專利範圍第24項所述之導電膜，其中沿著 上述第1方向，分別經由由上述金屬細線（16)形成的連 接部（106)來將2個以上的大格子（202)予以連接，從 而構成上述導電圖案（120)， 各上述大格子（202 )分別是將2個以上的小格子（204 ) 加以組合而構成。 81