TW201133702A - Electrostatic chuck device - Google Patents

Description

201133702 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種靜電吸盤（chuck)裝置’更詳而言 之，係有關一種適用在藉由靜電吸附固定半導體晶圓等板 狀試料時，且在半導體製造過程中藉由物理氣相成長法 (Physical Vapor Deposition，PVD)或化學氣相成長法 (Chemical Vapor Deposition，CVD)之成膜處理、電製钱 刻等蝕刻處理、曝光處理等各種步驟中，均可提高載置板 狀試料之載置面中之面内溫度之均勻性，再者可提高加熱 構件之耐電壓性之靜電吸盤裝置。 本案係根據2010年1月29日於日本申請之日本特願 2010-018210號及2010年9月28日於日本申請之日本特 願2010-216823號主張優先權，在本說明書中援用其内容。 【先前技術】 近年來，在半導體製造過程中，隨著元件的高積體化 及高性能化，已要求微細加工技術更進一步的提升。在此 半導體製造過程中，尤以蝕刻技術為一項重要的微細加工 技術’而近年來，在蝕刻技術中，尤以可進行高效率而且 大面積微細加工之電漿蝕刻技術為主流。 上述電聚姓刻技術係為乾钱刻技術之一種，具體而 言’係在作為加工對象之固體材料上藉由阻劑（resist)形 成遮罩樣式（mask pattern)，且於將固體材料支撐於真空 中之狀態下，將反應性氣體導入於真空中，並對此反應性 氣體施加高頻電場，藉此使經加速之電子與氣體分子撞擊 4 322723 201133702 而成為電漿狀態，且使從該電鹱所 (free radical，自由基）及離子 生之自由基（radical) 反應生成物並T以去除，藉此與固體材料產生反應作為 之技術。 於固體材料形成微細樣式 另一方面，尚有使原料氣 合，且將所獲得之化合物沈積於=電漿的作用進行化 術之一的電漿CVD法。此方法係#上而作為薄膜成長技 氣體施加高頻1：場岐電槳；^ 、料對包含原料分子之 速之電子使原料分子分解，再=由經此電渡放電加 膜方法。即使在低溫下不能僅憑“：：：合物沈積之成 電浆中’會由於系統内之氣體彼產生之反應’在 為自由基，而使反應成為可能。里擊而破活性化而使成

在電漿蝕刻裝置、電漿CVD ^ ^ ® Φ , , . 置專使用電漿之半導體 電吸盤裝置作為將晶圓簡單安 裝固疋於试枓口’並且將晶圓維持於所希望之溫度之裝置。 :然：番，習知之電細裝置中，當將電漿照射於被 固疋在靜吸盤裝置之晶圓時，晶圓之表面溫度會上升。 因此，為了抑制晶圓表面溫度之上升，雖係使水等冷卻媒 體循環於靜電吸盤裝置之溫度調整用基座（base)部而將晶 圓從下側予以冷卻，惟此時，在晶圓之面内會產生溫度分 布之情形。例如’在晶圓之_心部溫度變高，而在邊緣部 溫度則變低。 此外，由於電漿侧裝置之構造及方式之不同等，而 在晶圓之面内溫度分布產生差異。 322723 5 201133702 因此’乃提出一種在靜電吸盤部與溫度調整用基座部 之間安裝加熱器（heater)構件之附帶加熱器功能之靜電吸 盤裝置（專利文獻1)。 由於此附帶加熱器功能之靜電吸盤裝置係可在晶圓内 局部地作出溫度分布’因此藉由將晶圓之面内溫度分布配 合膜沈積速度或電漿蝕刻速度來設定，在晶圓上形成樣式 等局部性膜形成或局部性電漿蝕刻可以良好效率進行。 以在靜電吸盤裝置安裝加熱器之方法而言，係有在陶 竟製之靜電吸盤内建加熱器之方法、以網版（screen)印刷 法將加熱器材料依預定樣式塗佈於靜電吸盤之吸附面之背 側’亦即陶瓷板狀體之背面且予以加熱硬化，藉此而安裝 加熱器之方法、或是將金屬箔或片（sheet)狀導電材料黏貼 於則述陶竞板狀體之背面，藉此安裝加熱器之方法等。 再者’使用有機系黏接劑將内建或安裝有加熱器之靜 電吸盤部、及溫度調整用基座部予以黏接一體化，可獲得 附帶加熱器功能之靜電吸盤裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2008-300491號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之課題] 然而’在以網版印刷法將加熱器材料依預定樣式塗佈 j述之習知靜電吸盤之吸附面之背側⑷卩喊板狀體 面）且予以加熱硬化’藉此安裝加熱ϋ之方法，或將金 322723 6 201133702 屬箔或片狀導電材料黏貼於前述陶瓷板狀體之背面之方法 之附帶加熱器功能之靜電吸盤裝置中，使用有機系黏接劑 將靜電吸盤部與溫度調整用基座部予以黏接一體化時，在 有機系黏接劑層產生稱之為細孔（pore)之微細空孔，或是 在有機系黏接劑層與靜電吸盤部及溫度調整用基座部之間 產生稱之為塌陷之未黏接部分時，將電壓施加於加熱器之 情形中，靜電吸盤部與溫度調整用基座部會導通（短路不 良），而有產生絕緣破壞之虞的問題。 此外，藉由有機系黏接劑層之厚度來確保絕緣性時， 難以將此有機系黏接劑層之厚度變薄，而且，由於在有機 系黏接劑層之厚度會產生參差不齊，因此會有無法使載置 靜電吸盤部之晶圓之面之面内溫度充分均勻之問題點。 在使用金屬箔或片狀導電材料之附帶加熱器功能之靜 電吸盤裝置中，於黏貼有金屬箔或片狀導電材料作為加熱 器樣式之部分與無加熱器樣式之部分會產生段差，且僅以 片狀黏接材料與冷卻基座黏接時，會有無法覆蓋加熱器之 凹凸，而於黏接層易於產生空孔等之問題點。此外，在使 用具有熱可塑性之片狀黏接材料時，亦會在有加熱器之部 分與無加熱器之部分的邊界產生空孔，而有放電及剝離之 危險，並且具有因為加熱器與冷卻基座間之熱傳遞之參差 所導致靜電吸盤之面内溫度分布之控制性降低之問題點。 本發明係有鑑於上述問題而研創者，其目的在提供一 種靜電吸盤裝置，可防止靜電吸盤部與溫度調整用基座部 之間之絕緣破壞，並且可提升耐電壓性，再者，可提升靜 7 322723 201133702 電吸盤部之板狀試料之載置面之面内溫度之均句性，並且 對於靜電吸盤部與溫度難隸座部之間更均自地施加電 壓’藉此而可提升設於靜電吸盤部之加熱構件之耐電壓性。 [解決課題之手段] 本發明人等為了解決上述問題致力檢討之結果， 只要透過黏接材料將薄厚之加熱構件黏接於與靜電吸盤部 之載置面相反狀主面’且將溫賴整絲座部之靜電吸 盤部侧之面之整體或-部分藉由片狀或薄膜狀絕緣材料予 以覆蓋，及透過將液狀黏接劑硬化而成之絕緣性有機系黏 接劑層而將此靜電吸盤部與溫度調整用基座部予以黏接一 體化’即可防止靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間的絕 緣破壞，並且提升_電壓性，再者，可提升靜電吸盤部之 載置面之面内溫度之均勻性’㈣可提升加熱構件之耐 壓性’終至完成本發明。 亦即，本發明之第一態樣係一種靜電吸盤裝置，係具 備靜電吸盤部，將一主面設為載置板狀試料之載置面 且内建有靜電吸附用内部電極、及溫度調整用基座邙，將 靜電吸盤部調整為所希望之溫度’其中，在與前述靜電吸 盤部之前述載置面相反侧之主面，係透過黏接材料黏接有 加熱構件，前述溫度調整隸座部之㈣靜電吸盤部侧之 面之整體或一部分，係由片狀或薄膜狀絕緣材料所覆蓋， 黏接有加熱構件之前述靜電吸盤部、與由片狀或薄膜狀絕 緣材料所覆蓋之前述溫度調整用基座部，係透過將液狀黏 接劑硬化而成之絕緣性有機系黏接劑層而黏接一體化。 322723 8 201133702 在此靜電吸盤裝置中，係透過將液狀黏接劑硬化而成 之絕緣性有機系黏接劑層而將靜電吸盤部與溫度調整用基 座-Pf轉接-體化，藉此使絕緣性有機系黏接劑層將靜 電吸盤部與溫度調整用基座部之間的絕緣獲得良好的維 持。藉此’在靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間不會再 有產生導通（短路不良）之虞，結果，在靜電吸盤部與溫度 调整用基座部之間亦無再產生絕緣破壞之虞，此等之間的 耐電壓性獲得提升。 此外’透過黏接材料將加熱構件黏接於與靜電吸盤部 之載置面相反侧之主面，並且藉由片狀或薄膜狀絕緣材料 將溫度調整用基座部之靜電吸盤部侧之面之整體或一部分 予以覆蓋’藉此使靜電吸盤部與加熱構件之間隔及加熱構 件與溫度調整用基座部之間隔保持為一定，及提高靜電吸 盤之載置面中之面内溫度之均勻性，並且使該加熱構件與 溫度調整用基座部之耐電壓性更為提升。 再者’藉由將絕緣性有機系黏接劑層介設於黏接有加 熱構件之靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間，即使在使 所載置之板狀試料急速升降溫之情形下，有機系黏接劑層 仍可對靜電吸盤部發揮緩衝急遽膨脹、收縮之緩衝層功 能’而防止在靜電吸盤部產生破裂（crack)或破損等。藉 此’靜電吸盤部之耐久性獲得提升。 本發明之第二態樣係一種靜電吸盤裝置，其中，前述 片狀或薄膜狀絕緣材料係藉由片狀或薄膜狀黏接材料而黏 接於前述溫度調整用基座部。 9 322723 201133702 將片狀錢置巾’係使w狀或薄膜狀黏接材料 而保二=::黏:於溫度調整用基座部，藉此 使黏接材ί 料讀部^緣性，成且 之面内溫度之均定，而提高靜電吸盤部之載置面中 靜電態樣係一種靜電吸盤農置，其中，前述 在此L厚係為〇.7職以上而且為3.0咖以下。 為〇 ㈣裝置中’係藉由將靜電”部之厚度設 分的強决 而且為3.〇丽以下，可對靜電吸盤部赋予充 載而使靜電吸盤部本身之熱容量變小，且使與所 狀試料之熱交換效率、熱響應性亦優異。 加熱本發明之第四態樣係一種靜電吸盤裴置，其中，前述 係為由厚度Ο·2,以下之非磁性金屬所構成之薄 板狀加熱器元件（61挪印〇。 為〇 =此靜電吸盤裝置中，係藉由將加熱構件設為由厚度 而使力咖訂之非磁性金屬所構成之薄板狀加熱器元件， :熱器元件之樣式難以反映於板狀試料，而易於將板 w科之面内溫度維持於所希望之溫度樣式。 黏接本發明之第五態樣係一種靜電吸盤裝置，其中，前述 "材料係為矽酮（Si 1 icone)系或丙烯酸（acryi ic) 黏接材料。 、 烯在此靜電吸盤裝置中，係將黏接材料設為矽_系或丙 、，系之黏接材料，藉此減輕靜電吸盤部及加熱器 〜’而使耐久性更為提升。 ‘、、、 322723 10 201133702 黏接2明之第六態樣係—種靜電吸盤裝置，其中，前述 黏接材料之厚度之參差縣1()_以下。 月α 二Ί及盤裝置中，黏接材料之厚度之參差係為10 I下Π 使靜電吸盤部與加熱構件之間隔以 料之=確度〜χ控制，錢11由加熱構件加熱之板狀試 料之面内溫度之均句性獲得提升。 本發明之第七態樣係一種靜電吸盤裝置， 二 部係具備：載置板，將-主面設為前_置= 牙’與载置板-體化，用以支撐載置板 部電極，設於載置板與支撲板之間，前述載置: '、氧化鋁-碳化矽複合燒結體或氧化釔燒結體所構成。 ^此靜電吸縣置中’係將載置板設為氧她—竣化石夕 結體或氧⑽燒結體’藉此提升對於腐歸氣體及 兵電浆之耐久性，機械性強度亦獲得保持。 本發明之第八態樣係一種靜電吸盤裝置，其中，前述 載置板之厚度係為〇 3mm以上而且為2. 〇咖以下。 、在此靜電吸盤裝置中，係將載置板之厚度設為0.3mm 以上而且為2. 〇mm以下，藉此即可將板狀試料予以確實地 吸附固定，因此’可將板狀試料充分地加熱，而不會有因 為施加於靜電吸附用内部電極之電壓而放電的危險性。 [發明之功效] 依據本發明之靜電吸盤裝置，由於係透過片狀或薄膜 狀黏接材料將加熱構件黏接於靜電吸盤部之另一主面，且 透過有機彡賴_將減有該加熱構件之靜電吸盤部與 322723 11 201133702 藉由絕緣性片而全面或部分覆蓋之溫度調整用基座予以黏 接一體化，因此可藉由該絕緣構件將靜電吸盤部與溫度調 整用基座部之間的絕緣予以良好地維持，結果，可防止絕 緣破壞。因此，可使靜電吸盤部與溫度調整用基座部之間 的耐電壓性提升。 此外，由於透過片狀或薄膜狀黏接材料將加熱構件黏 接於靜電吸盤部之另一主面，因此可將靜電吸盤部與加熱 構件之間隔保持為一定，而可提升靜電吸盤部之載置面中 之面内溫度之均勻性。此外，可使加熱構件與溫度調整用 基座部之間之耐電壓提升，即使是使用溫度調整用基座部 作為電漿用電極時，亦可將更高的電壓施加於溫度調整用 基座部。 此外，由於使有機系黏接劑層介設於靜電吸盤部與溫 度調整用基座部之間，因此可使該有機系黏接劑層對靜電 ，盤。卩發揮緩和急遽之膨脹、收縮之缓衝層之功能，因此， 二防止在靜電吸盤部產生破裂或破損等，而可提升靜電吸 盤部之耐久性。 石山再者’由於係將構成靜電吸盤部之载置板設為氧化銘-複合燒結體或氧化紀燒結體，因此可提升對於腐钱 【實施『電激之耐久性，而亦可充分保持機械性強度。 ^圖式朗本發明之靜電吸盤裝置之實施形態。 所作之1體實施形態係為使發明之旨趣更易於理解 具體說明者’只要未制指定，並㈣以限定本發 12 322723 201133702 明。 第1圖係為顯林發明—實施形態 剖面圖，靜電吸盤裝置1主要係由以下構件所二裝置之 狀靜電吸盤部2 ;將此靜電吸盤部2 :，··圓板 且具有厚度的圓板狀溫度調整用基座部希望之溫度 電吸盤部2之下表面（另—主面）之預有轉於靜 ，於黏接材料4之下表面，材== ’·透過黏接材料6點接於溫度調整 用土座4 3之上表面之絕緣構件7;及 :下表面之加熱器元件5與溫度調整用基座部=2 構件7相對之狀態下將此蓉早w *拉 、.緣 劑層8。 下將此4予以黏接一體化之有機系黏接 靜電吸盤部2係藉由以下構件所構成 置半導艘晶圓等板狀試料w之載置面之載置 置板η -體化’心支撐職置板u之支撐板 載/板11與支魏12之間之靜電吸_内部電極 及靜電Λ附用内部電極13周圍予以絕緣之絕緣材料層 式置’用以將直流電磨施 ;靜電吸附用内部電極13之供電用端子丨5。 前述載置板U及支撐板12係為將重叠之面之形狀設 為相同之81板狀者’其係為具有氧化|g_碳切（偏AC) 複合燒結體、氧化!呂（A12Q3)燒結體、氮化銘（ain)燒結體、 氧化記⑽)燒結體等之機械性強度，而且對於腐:性β氣體 及其電漿具有耐久性之絕緣性m結體所構成者。 322723 13 201133702 在載置板11之裁置面係形成有複數個直徑較板狀試 料之厚度小的突起部16 ’此等突㈣16係成為支撑板狀 試料W之構造。 載置板1卜支樓板12、靜電吸附用内部電極13及絕 緣材料層14之合計厚度，亦即靜電吸盤部2之厚度係以 0.7mm以上而且為3· 〇_以下為佳。靜電吸盤部2之厚度 低於0.7mm時，紐確_電健部2之機雜強度，^ -方面’靜電吸盤部2之厚度超過3 Qmm時，靜電吸盤部 2之熱容量會過大’岐所載置之板狀簡w之熱響康性 劣化。再者，㈣靜^讀狀橫方向之熱傳遞的增加， 難以將板狀試料W之面内溫度維持於所希望之溫度樣式。 以下IS置二U之厚度係以°.3随以上而且為2、 ’ 之厚度低於〇· 3mm時，由於施加於靜 電吸附用内部電極13之電壓而放電之危險性增高，另1 面，載置板11之厚度超過2· 〇mm時，無法將板狀試料 分固定’因此’難以將板狀試料w充分加熱。 靜電吸附用内部電極13係作為用以產生電荷且 電吸附力將板狀簡定之靜電吸㈣電極者 其用途，可適當調整其形狀或大小。 此靜電吸附用内部電極13係藉由氧化铭_碳化鈕 (Al2〇3_Ta4C5)導電性複合燒結體、氧化銘-鎢ourn導電 f生複口燒、、、。體、氧化|g_碳化珍（Ah()3_s⑹導電性複合繞沾 體、氮化銘-嫣（A1M)導電性複合燒結體、氣化紐^ (A1 N-Ta)導電性複合燒結體、氧化纟㈣⑽-糾導電性複 322723 14 201133702 合燒結體等導電性陶瓷、或鎢（W)、钽（Ta)、鉬（Mo)等高熔 點金屬所形成。 靜電吸附用内部電極13之厚度雖未特別限定，惟以 0.1/zm以上而且為100#m以下為佳，尤以5/zm以上而且 為20 以下為更佳。靜電吸附用内部電極13之厚度低於 0. 1/zm時，無法確保充分的導電性，另一方面，靜電吸附 用内部電極13之厚度超過100/zm時，會由於靜電吸附用 内部電極13與載置板11及支撐板12之間的熱膨脹率差， 而導致在靜電吸附用内部電極13與載置板11及支撐板12 之黏合界面容易產生破裂。 此種厚度之靜電吸附用内部電極13係容易藉由濺鍍 法或蒸鍍法等成膜法、或是網版印刷法等塗工法而形成。 絕緣材料層14係用以圍繞靜電吸附用内部電極13以 保護靜電吸附用内部電極13不受腐蝕性氣體及其電漿影 響，並且將載置板11與支撐板12之邊界部，亦即靜電吸 附用内部電極13以外之外周部區域予以黏合一體化者，而 與構成載置板11及支撐板12之材料相同組成或主成分係 由相同的絕緣材料所構成。 供電用端子15係為用以將直流電壓施加於靜電吸附 用内部電極13所設之棒狀元件。以供電用端子15之材料 而言，只要是耐熱性優異之導電性材料，即無特別限制， 惟以熱膨脹係數近似於靜電吸附用内部電極13及支撐板 12之熱膨脹係數者為佳，例如，構成靜電吸附用内部電極 13之導電性陶瓷，或鎢（W)、钽（Ta)、鉬（Mo)、鈮（Nb)、 15 322723 201133702 科伐（Kovar)合金等金屬材料均適用。 前述供電用端子15係藉由具有絕緣性之絕緣子17而 對溫度調整用基座部3絕緣。 再者，供電用端子15係黏合一體化於支撐板12，再 者，載置板11與支撐板12係藉由靜電吸附用内部電極13 及絕緣材料層14而黏合一體化，以構成靜電吸盤部2。 溫度調整用基座部3係用以將靜電吸盤部2調整為所 希望之溫度者，且為具有厚度之圓板狀者。 以此溫度調整用基座部3而言，係例如以在其内部形 成有使水循環之流路（未圖示）之水冷基座等為佳。 以構成溫度調整用基座部3之材料而言，只要是導熱 性、導電性、加工性優異之金屬，或包含此等金屬之複合 材料，則無特別限制，例如IS (A1)、紹合金、銅（Cu)、銅 合金、不鏽鋼（SUS)等均適用。溫度調整用基座部3之至少 曝露於電漿之面，係以施行氧化鋁膜處理（alumite treatment)，或使氧化銘等絕緣膜成膜為佳。 黏接材料4係具有聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、環氧樹 脂等耐熱性及絕緣性，且為與後述之加熱器元件5相同樣 式形狀之片狀或薄膜狀黏接性樹脂，厚度係以5/zm至 100/zm為佳，尤佳為10/zm至50//m。 黏接材料4之面内之厚度之參差係以10//m以内為 佳。黏接材料4之面内之厚度之參差超過10//m時，會在 靜電吸盤部2與加熱器元件5之面内間隔產生超過10/zm 之參差，結果，從加熱器元件5傳遞至靜電吸盤部2之熱 16 322723 201133702 的面内均勻性會降低，且靜電吸盤部2之載置面中之面内 溫度變得不均勻，因此不理想。 加熱器元件5係為透過黏接材料4而配設於支撐板12 之下表面者，例如，如第2圖所示，係由彼此獨立之2個 加熱器，亦即形成於中心部之内加熱器5a、及在該内加熱 器5a之周緣部外方形成為環狀之外加熱器5b所構成，在 與此等内加熱器5a及外加熱器5b各個兩端部之供電用端 子的連接位置21係分別連接有第1圖所示之供電用端子 22，而該供電用端子22係藉由具有絕緣性之絕緣子23而 對溫度調整用基座部3絕緣。 前述内加熱器5a及外加熱器5b係分別以使寬度狹窄 之帶狀金屬材料蛇行的樣式為轴中心，且繞著此軸重複地 配置，而且鄰接之樣式彼此連接，而作成1條連續帶狀的 加熱器樣式。 在加熱器元件5中，係將前述内加熱器5a及外加熱器 5b分別獨立控制，藉此即可將藉由靜電吸附固定於載置板 11之載置面之板狀試料W之面内溫度分布予以精確度良好 地控制。 加熱器元件5之加熱器樣式係可藉由如上所述彼此獨 立之2個以上的加熱器樣式來構成，此外，亦可藉由1個 加熱器樣式來構成，惟如上述之内加熱器5a及外加熱器 5b藉由彼此獨立之2個以上之加熱器樣式來構成加熱器元 件5時，由於可藉由個別控制此等彼此獨立之加熱器樣式 來自由控制處理中之板狀試料W之溫度，因此較理想。 17 322723 201133702 〇 lmm、、器元件5係將具有厚度為〇.2mm以下，較佳為 板mm以下之一定厚度的非磁性金屬薄板，例如鈦（Ti)薄 )z專板、鉬（M〇)薄板等藉由光微影（photography) ^刻加工為所希望之加熱器樣式來形成。當加熱器元件 ，厚度超過〇.2_時’加熱器元件5之樣式形狀會反映 反狀試料w之溫度分布，而難以將板狀試料W之面内溫 度維持於所希望之溫度樣式。 =外，备以非磁性金屬形成加熱器元件5時，即使在 由於Γ境氛圍中使用靜電吸盤卜加熱器元件亦不會 ⑽：頻而自行發熱，因此，易於將板狀試料W之面内溫 所t望之4溫度或—^之溫度樣式，故較佳。 元^ t ’當使用—定厚度之非磁性金屬薄板形成加熱器 而且發L量由在熱器元件5之厚度在整個加熱面為-定， 固加熱面亦一定，因此可使靜電吸盤部2 之载置面中之溫度分布均句化。 加埶器^"、器疋件5中’係可藉由將前述内加熱器5a及外 獨立控制，而使加熱器元件5之加熱器樣式 載置板i、it載^料W。因此’可將藉由靜電吸附固定於 點接材料6 & & m 基座部3之上 為用以將絕緣構件7黏接於溫度調整用 讲t上表面者’與黏接材料4同樣，係為聚醯亞胺 或;膜環氧樹脂等具有耐熱性及絕緣性之片狀 戈4膜狀之黏接性樹脂，厚度係以5_至刪_為佳， 322723 201133702 尤佳為1〇βηι至50/zm。 一黏接材料6之面内厚度之參差係以1〇/Zm以内為佳。 當黏接材料6之面内厚度之參差超過10um時，在溫度調整 用基座部3與絕緣構件7之間隔會產生超過1〇/zm之參 差，結果，藉由溫度調整用基座部3控制靜電吸盤部2之 溫度之面内均勻性降低，且靜電吸盤部2之载置面中之面 内溫度不均勻，因此不理想。 絕緣構件7係為聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、環氧樹脂 等具有絕緣性及耐電壓性之薄膜狀或片狀樹脂，而絕緣構 件7之面内厚度之參差係以10//m以内為佳。當絕緣構件 7之面内厚度之參差超過1〇/zm時，會因為厚度大小而在 溫度分布產生高低差，結果，會對藉由調整絕緣構件7之 厚度所作溫度控制造成不良影響，故不理想。

絕緣構件7之導熱率係以0.05W/mK以上而且為〇 5w /抓以下為佳，尤佳為0. lW/mK以上而且為〇. 25W/mK 以下。 當導熱率未達〇. lW/mK時，將難以透過絕緣構件7從 靜電吸盤部2傳遞熱能至溫度調整用基座部，而使冷卻速 度降低，故不佳，另一方面，當導熱率超過lW/mK時，則 透過絕緣構件7從加熱器部至溫度調整用基座部3之熱傳 遞會增加，而使升溫速度降低，故不佳。 有機系黏接劑層8係為在使透過黏接材料4黏接於靜 電吸盤部2之下表面之加熱器元件5與透過黏接材料6黏 接於溫度調整用基座部3上之絕緣構件7相對向之狀態 19 322723 201133702 下，將此等予以黏接一體化，並且具有熱應力之缓和作用 者，而有機系黏接劑層8之厚度係以50/ζιη以上而且為 500 //m以下為佳。 此係由於當有機系黏接劑層8之厚度低於50/im時， 靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3之間的導熱性雖良 好，惟熱應力緩和不充分，易於產生破裂或龜裂（crack) 之故，另一方面，當有機系黏接劑層8之厚度超過500 /zm 時，將無法充分確保靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3 之間的導熱性。 前述有機系黏接劑層8係由例如將矽酮系樹脂組成物 加熱硬化之硬化體或丙烯酸樹脂所形成。 石夕酮系樹脂組成物係為财熱性、彈性優異之樹脂，且 為具有石夕氧烧（si loxane)鍵結（Si-0-Si)之石夕化合物。此石夕 酮系樹脂組成物係可以例如下列公式（1)或公式（2)之化學 式來表示。

R -〇-Si-0- ··.("!)

R

惟R係為Η或烷基（CnH2n+1 : η係為整數）。 R —0-Si-0—…（2) Ο 20 322723 201133702 惟R係為Η或烷基（CJk+i : η係為整數）。 以此種矽酮樹脂而言’尤以熱硬化溫度為70°C至140 °(：之矽酮樹脂為佳。當熱硬化溫度低於70°C時，於使靜電 吸盤部2之支撐板12及加熱器元件5、與溫度調整用基座 部3及絕緣構件7相對向之狀態下黏合時，會在黏合過程 中開始硬化，作業性劣化，故不佳。另一方面，當熱硬化 溫度超過140°C時，靜電吸盤部2之支撐板12及加熱器元 件5、與溫度調整用基座部3及絕緣構件7之熱膨脹差增 大，且靜電吸盤部2之支撐板12及加熱器元件5、與溫度 調整用基座部3及絕緣構件7之間的應力增加，而有在此 等部件之間產生剝離之虞，故不佳。 以前述石夕酮樹脂而言，硬化後之楊氏係數（Y〇ung’ s Modulus)係以8MPa以下之樹脂為佳。當硬化後之楊氏係數 超過8MPa時’於有機系黏接劑層8施以升溫、降溫之熱循 環負載時’無法吸收支撐板12與溫度調整用基座部3之熱 膨脹差’而使有機系黏接劑層8之耐久性降低，故不佳。 有機系黏接劑層8係以含有在平均粒徑為以上而 且為l〇#m以下之無機氧化物、無機氮化物、無機氮氧化 物所構成之填料（filler)，例如氮化鋁（A1N)粒子之表面形 成有由氧化矽（Si〇〇所構成之覆蓋層之表面覆蓋氮化鋁 (A1N)粒子為佳。 表面覆蓋氬化紹（A1N)粒子係為了改善石夕酮樹脂之導 熱性而混入者，且藉由調整該混入率，即可控制有機系黏 接劑層8之導熱率。 21 322723 201133702 亦即’藉由提高表面覆蓋氮化鋁（AIN)粒子之混入率， 即可將構成有機系黏接劑層8之有機系黏接劑之導熱率增 大。 此外，由於在氮化鋁（A1N)粒子之表面形成有由氧化矽 (Si〇2)所構成之覆蓋層，因此相較於未施行表面覆蓋之單 純的氮化鋁（A1N)粒子’具有優異的耐水性。因此，以石夕_ 系樹脂組成物為主成分之有機系黏接劑層8之耐久性可得 以確保，結果，可使靜電吸盤裝置1之耐久性大幅提升。 此外，表面覆蓋氮化鋁（A1N)粒子係由於氮化鋁（A1N) 粒子之表面為由具有優異对水性之氧化石夕（Si eh)所構成之 覆蓋層所覆蓋，因此氮化鋁（A1N)不會有因為大氣中之水分 而加水分解之虞，亦無氮化鋁（A1N)之導熱率降低之虞，而 使有機系黏接劑層8之耐久性提升。 另外’表面覆蓋氮化鋁（A1N)粒子亦無成為半導體晶圓 等板狀試料W之污染源之虞，由此點而言，亦可謂為較佳 之填料。 表面覆蓋氮化鋁（A1N)粒子係可藉由覆蓋層中之Si與 矽酮系樹脂組成物而獲得更堅固的鍵結狀態，因此可使有 機系黏接劑層8之伸展性提升。藉此，可緩和因為靜電吸 盤部2之支撐板12之熱膨脹率與溫度調整用基座部3之熱 膨脹率之差所引起的熱應力，而可將靜電吸盤部2與溫度 調整用基座部3以良好精確度堅固地黏接。此外，由於相 對於使用時之熱循環負載的耐久性充分，因此靜電吸盤裝 置1之耐久性提升。 322723 22 201133702 表面覆蓋氮化鋁（A1N)粒子之平均粒徑係以l#m以上 而且為ΙΟ/zro以下為佳’更佳為2//ιη以上而且為以 下。 當此表面覆蓋氮化鋁（A1N )粒子之平均粒徑低於1 一 01 時，粒子彼此間之接觸會不充分，結果會有導熱率降低之 虞，此外，當粒徑過細時，會招致處理等之作業性降低， 故不佳。另一方面，當平均粒徑超過l〇wm時，黏接層之 厚度會易於產生參差，故不佳。 此外，有機系黏接劑層8亦可在楊氏係數為lGPa以 下’以具有柔敕性（蕭氏（Sh〇re)硬度為A1〇〇以下）之熱硬 化型丙烯酸樹脂黏接劑形成。此時，亦可含有或不含填料。 接著說明靜電吸盤裝置1之製造方法。 首先，藉由氧化鋁-碳化矽（A12〇3_Sic)複合燒結體或氧 化釔（Y2〇3)燒結體製作板狀載置板11及支撐板12。此時， 係將包含碳化矽粉末及氧化鋁粉末之混合粉末或氧化釔粉 末成形為所希望之形狀，之後，在例如140(TC至200(TC之 溫度、非氧化性氣體氛圍、較佳為惰性氣體氛圍下烘烤預 定時間’藉此可獲得載置板11及支撐板12。 接著，在支撐板12形成複數個用以嵌入保持供電用端 子15之固定孔。 接著，將供電用端子15製作成可密接固定於支撐板 12之固定孔的大小、形狀。以供電用端子15之製作方法 而言，係有例如在將供電用端子15設為導電性複合燒結體 時，將導電性陶瓷粉末成形為所希望之形狀而進行加壓燒 322723 23 201133702 成之方法等。 此時’以用於供電用 係以由與靜電吸附用=1严電性陶究粉末而言， 電性喊粉末為佳。 13相同之材質所構成之導 此外’供電用端子15為金屬時，有使用高熔點金屬， 藉由研磨法、粉末冶金等使用m點金屬， — 1寻金屬加工法等來形成之方法等。 接者，在嵌人有供電用端子15之支雜12之表面之 ，定區域，為了與供電用端子15接觸，係將上述導電性陶 究粉末等導電㈣分散於有機溶媒之靜電錢軸部電極 形成用㈣液綺塗佈並㈣錢作祕電吸關内部電 極形成層。 以塗佈法而言，由於需塗佈成均句的厚度，因此係以 使用網版印刷㈣為理想。❹卜，以其他方㈣言，係有 藉由蒸鐘法或贿岐上述高熔點金屬之薄膜成膜之方 法、配設由上述導電性料或高_金制構成之薄板而 作成靜電吸附用内部電極形成層之方法等。 此外’在支撲S 12上之形成有靜電吸附用内部電極形 成層之區域以外的區域’為了使絕緣性、财腐錄、耐電 裝性提升’而形成包含與載置板u及支撐板12相同組成 或主成分相同之粉末材料的絕緣材料H絕緣材料層係 可例如將塗佈液以網版印刷等塗佈於上述預定區域並 乾燥來形成，該塗佈液係為將與载置板丨丨 同組成或主成分相同之絕緣材料粉末分散於撐板12相 接著，在支樓板12上之靜電吸附用内二機溶媒者。 電核形成層及 322723 24 201133702 絕緣材料層之上面重疊載置板11，接著，將此等部件在高 /息、冋歷下進行熱衝壓（hot press)予以一體化。熱衝壓之 氣體風圍係以真空、或Ar、He、N2等惰性氣體氛圍為佳。 此外，熱衝壓之一軸加壓時之壓力係以5至1〇Mpa為佳， 溫度係以140(Tc至185(TC為佳。 藉由此熱衝壓，靜電吸附用内部電極形成層即被燒成 而成為由導電性複合燒結體所構成之靜電吸附用内部電極 13同時，支撐板12及载置板11係透過絕緣材料層14而 黏合一體化。 蠢匕外供電用端子15係在高溫、高壓下藉由熱衝壓再 度燒成，而密接固定於支撐板12之固定孔。 再者’將此等黏合體之上下表面、外周及氣體孔等進 饤機械加工作成靜電吸盤部2。 之預疋區域，黏接聚醯亞胺樹脂、 八有耐熱性及絕緣性而且與加熱器 接著，在靜電吸盤部2之支樓板12之表面（下表面） 矽鲖樹脂、環氧樹脂等 元件5相同樣式形狀之 片狀或膜狀黏接性樹脂而作成黏接材料4。 聚酿亞胺樹脂、碎酮樹脂、 石夕酮樹脂、環氧榭脂黧且古紛埶柹>9級绫

且將此非磁性金屬 #接材料4亦可藉由在支撐板12之表面（下表面）黏接 322723 25 201133702 法進行蝕刻加工 為所希望之加熱器樣式而 薄板藉由光微影 作成加熱器元件 表面糾料4而形成在支撐板12之 附帶杨熱器元件之二:器樣式之加熱器元件5之 接著’製作預定大小及形狀 端子22之製作方仏電用如子以供電用 , 法係與上述供電用端子15之製作方法 :可例如有以供電用端子22為導電性複合燒結體時， 電性陶瓷粉末成形為所希望之形狀而進行加壓燒成之 方法等。 此外’供電用端子22為金屬時，可例如有使用高熔點 金屬，藉由研磨法、粉末冶金等金屬加工等來形成之方法 等。 另一方面’對由铭（A1)、|呂合金、銅（cu)、銅合金、 不鏽鋼（SUS)等所構成之金屬材料施行機械加工，且視需要 形成使水循環於金屬材料内部之流路等，而且，形成用以 嵌入保持供電用端子15及絕緣子17之固定孔、及用以嵌 入保持供電用端子22及絕緣子23之固定孔而作成溫度調 整用基座部3。 對於溫度調整用基座部3之至少曝露於電漿之面，係 以施行氧化鋁膜處理、或是使氧化鋁等之絕緣膜成膜於該 面為佳。 接著，將溫度調整用基座部3之與靜電吸盤部2之黏 合面，使用例如丙酮（acetone)進行脫脂、洗淨’且在此黏 26 322723 201133702 合面上的預定位置，黏接聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、環氧 樹脂等具有耐熱性及絕緣性之片狀或薄職黏接性樹脂而 作成黏接材料6。 接著’在黏接材料6上，黏接與黏接材料6相同平面 形狀之聚醯亞胺樹脂、矽酮樹脂、環氧樹脂等具有絕緣性 及耐電壓性之薄膜狀或片狀樹脂而作成絕緣構件7。 接著，在疊層有黏接材料6及絕緣構件7之溫度調整 用基座部3上之預定區域，塗佈例如由矽酮系樹脂組成物 所構成之黏接劑。黏接劑之塗佈量係設為預定之範圍内， 以使靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3在藉由間隔件 (spacer)保持一定間隔之狀態下黏合一體化。 以黏接劑之塗佈方法而言，例如有使用刮刀等以手動 方式塗佈以外，尚有棒式塗佈（barc〇ating)法、網版印刷 法等’惟由於在溫度調整用基座部3上之預定區域需以良 好精確度形成，因此係以使用網版印刷法等為佳。 塗佈後’透過黏接劑將靜電吸盤部2與溫度調整用基 座部3重疊。此時，係將立設之供電用端子15及絕緣子 Π、供電用端子22及絕緣子23***嵌入於溫度調整用基 座部3中穿設之供電用端子收容孔（未圖示）。 接著’將靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3之間隔 壓’虞至間隔件之厚度，且將所擠壓出之多餘的黏接劑去除。 藉由以上方式，靜電吸盤部2及溫度調整用基座部3 即透過黏接材料6、絕緣構件7及有機系黏接劑層8而黏 合一體化’而獲得本實施形態之靜電吸盤裝置1。 27 322723 201133702 以此方式所獲得之靜電吸盤裝置l，由於係將透過片 狀或薄膜狀黏接材料4黏接有加熱器元件5之靜電吸盤部 2、及溫度調整用基座部3，透過有機系黏接劑層8及片狀 或薄膜狀絕緣構件7而黏接一體化，因此靜電吸盤部2與 溫度調整用基座部3之間的絕緣可維持在良好狀態。因 此，可使靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3之間的耐電 歷性提升。 此外，由於透過片狀或薄膜狀黏接材料4將加熱器元 件5黏接於靜電吸盤部2，因此可提高靜電吸盤部2之載 置面中之面内溫度之均勻性，而可使加熱器元件5之耐電 壓性更進一步提升。 再者，由於使有機系黏接劑層8介設於黏接有加熱器 元件5之靜電吸盤部2與溫度調整用基座部3之間，因此 使有機系黏接劑層8對於靜電吸盤部2發揮作為緩和急遽 膨脹、收縮之緩衝層功能，而可防止靜電吸盤部2中之龜 裂或破損等，因此，可使靜電吸盤部2之耐久性提升。 (實施例） 以下藉由實施例及比較例具體說明本發明，惟本發明 並不限定於此等實施例。 (實施例1) (靜電吸盤裝置之製作） 藉由公知之方法，製作在内部埋設有厚度為20/zm之 靜電吸附用内部電極13的靜電吸盤部2。 靜電吸盤部2之載置板11係為含有8. 5質量％之碳化 28 322723 201133702 石夕的氧化銘-碳化石夕複合燒社辦 〇 ^ n c- ^ ，且直徑為298mm，厚度為 〇.5_之圓板狀。此外，藉由將载置板 =度為細之多數個突起部16而 16之頂面設為板狀試料W之保持面，而可使冷卻 ^體⑽於形成於凹部與靜電吸附之板狀試料W之間的 溝0 之12亦與載置板U同樣為含有8. 5質量% 的氧化链彻複合燒結體，且直徑為， 厚度為2mm之圓板狀。 吸盤=將2板U及支樓板12予以點合-體化，靜電 及盤。P 2之整體厚度即成為2.5咖。 另一方面’藉由機械加工製作直徑為35〇丽、高度為 =之度調整w基转3。在溫度調㈣基座部3 之内㈣喊使冷煤循環之流路（未圖示）。 此外，以氧化IS燒結體來製作寬度為2_，長度 為2000 /zm、高度為200_之角狀間隔件。 接著，使用丙_將靜電吸盤部2之切板12之表面（下 表面）進行脫脂、洗淨，且在此表面之預定區域，黏接由厚 度為20 之％氧_旨所構成之純劑片*作成黏接材料 4 〇 +接著，在黏接材料4上載置厚度為剛_之欽（Ti) 薄板。接著’在真空中’於15Q〇Cir加壓減，且將靜電 吸盤部2與鈦（Ti)薄板予以黏接固定。 接著，藉由光微影法將鈦（Ti)薄板，蝕刻加工成第2 322723 29 201133702 圖所示之加熱器樣式而作成加熱器元件5。此外，使用炼 接法將鈦製供電用端子22立設於加熱器元件5。 藉此’獲得附帶有加熱器元件之靜電吸盤部。 接著，使用丙酮將溫度調整用基座部3之與靜電吸盤 部2之黏合面進行脫脂、洗淨，且在此黏合面上之預定位 置，黏接由厚度為2Mm之環氧樹脂所構成之黏接劑片作 為黏接材料6 ’接著’在此黏接劑片上，黏接厚度為5〇_ 之聚醯亞胺薄膜作為絕緣構件7。 此外’在氮化铭⑽）粉末中，混合相對於上述氮化銘 (A1N)粉末為20νο1%之㈣樹脂_氮化紹（細）粉末， 此混^崎腳麟處理，顿财_樹脂組成物。 平均10至2〇βπι者。 馬 M = j由職印刷法將糊系樹脂組成物塗佈於叠 片及《亞胺薄膜之溫度調 : I部=㈣系樹脂組成物將靜電吸盤部與溫度調整用ί 接者 :静電吸盤部之加熱 部之間隔壓疼至角狀間隔 :U触用基座 ll〇°C下保持12小時，使石々问度，亦即2〇〇_之後，在 吸盤部與溫度咖基硬化而將靜電 吸盤裝置。 I ’而製作實關1之靜電 (評估） 分別就實施例1之靜以盤裝置之⑴财電壓性、（2) 322723 30 201133702 石夕aa圓之面内溫度控制及升降溫特性、（3)準電漿入熱下之 矽晶圓之面内溫度控制進行評估。 (1 )耐電壓性 在溫度調整用基座部3與加熱器元件5之間，從lkV 起’=次以IkV階段性地上升，而施加最大值1〇kV的電壓 來測置各電壓中之洩漏電流。在此，係製作溫度調整用基 座4 3與加熱器元件5之間之有機系黏接繼8的厚度為 !·〇〇以m、200/zm、30〇win之3種靜電吸盤裝置，且評估各 個裝置之耐電壓性。 、'’《果，3種靜電吸盤裝置於施加之電壓時之洩漏 電机均為〇· 1以A以下，顯示極為良好的耐電壓性。 (2)矽晶圓之面内溫度及升降溫特性 a•使直徑為300mm之石夕晶圓靜電吸附於靜電吸盤部2 之載置面，且使20。(：之冷卻水一面循環於溫度調整 用基座部3之流路（未圖示），一面對加辞器元件5 之外加熱器5b及内加熱器5a通電使石夕晶圓之中心 /皿度成為40 C ’且使用熱像（thermography，商標 名稱）TVS-200EX(日本AVIONICS公司製）測量此時 之矽晶圓的面内溫度分佈。結果如第3圖所示。第 3圖中’A係顯示梦晶圓之一直徑方向之面内溫度分 布B係顯不與碎晶圓之上述一直徑方向正交之直 獲方向之面内溫度分布。 b.接著’提高加熱器元件5之外加熱器5b之通電量， 依升溫速度3· 6t/秒使之升溫，使矽晶圓外周部 322723 201133702 之溫度成為6(TC，且將此時之石夕晶圓之面内溫度分 布使用熱像TVS-200EX(日本AVI0NICS公司製）進行 測量。結果如第4 _示1 4圖中，纟係顯示石夕 晶圓之-直徑方向之面内溫度分布’ B係顯示與石夕 晶圓之上述-直徑方向正交之直徑方向之面内溫度 分布。 c.再停止加熱器元件5之外加熱器％之通電，依降溫 速度4. 0 C /秒使之降溫，使石夕晶圓夕卜周部之溫度 成為3Gt ’將此時之碎晶圓之面内溫度分布使用熱 像TVS-200EX(日本刪⑽公司製）進行測量。結 果，第5圖所示。第5圖中，A係顯示碎晶圓之， 直仏方向之面内溫度分布，B係顯示與破晶圓之上 述-直徑方向正交之直徑方向之面内溫度分布。 依據上述a至c之測量結果，可得知矽晶圓之面内溫 度係在±2(TC之範圍内受到良好控制。 ⑶準電漿入熱下之矽晶圓之面内溫度控制 將靜電吸盤褒置1固定於真空室㈣⑽^Γ)内，來測量 準電漿入熱下之之面内溫度^在此，作為準電毁入 熱，係使用配設於從靜電吸盤裝置i之載置面起_m上 部也直_ 3(H)ram之面狀且外周部發熱量較内部多之外部 所進行之加熱。另外，使_〇rr之壓力之肋氣體 3於切晶圓與靜電《部2之靜電⑽面之間所形成 首先使直傻300mm之矽晶圓靜電吸附於靜電吸 322723 32 201133702 盤部2之載置面，且使20°C之冷卻水一面循環於溫度調整 用基座部3之流路（未圖示），一面對加熱器元件5之外加 熱器5b及内加熱器5a進行通電，以使整體矽晶圓溫度成 為 40°C。 d. 接著，一面維持上述通電狀態，一面再對外加熱器 5b亦進行通電。將此時之矽晶圓之面内溫度藉由熱 電偶進行測量後發現，矽晶圓中心部之溫度係為60 °C，而矽晶圓外周部之溫度係為70°C。 e. 接著，在維持加熱器元件5之内加熱器5a及外加熱 器5b之通電狀態下，降低加熱器元件5之外加熱器 5b之通電量。將此時之矽晶圓之面内溫度藉由熱電 偶測量後發現，在矽晶圓全域中，溫度係固定為60 °C。 依據上述d至e之測量結果可得知，即使在準電漿入 熱下，矽晶圓之面内溫度亦可在10°C之範圍内受到良好地 控制。 (實施例2) (靜電吸盤裝置之製作） 除將靜電吸盤部2之載置板11及支撐板12設為氧化 釔燒結體，及將靜電吸附用内部電極13設為氧化釔-鉬導 電性複合燒結體以外，均比照實施例1來製作實施例2之 靜電吸盤裝置。 (評估） 比照實施例1評估實施例2之靜電吸盤裝置。 33 322723 201133702 結果，⑴關於耐電壓性方面，施加黯或4Kv之電 壓時之泡漏電流為以下，顯示出極為良好的财電壓 性。 (2)在石夕晶圓之面内溫度控制及升降溫特性方面，可得 知石夕晶圓之面内溫度在2G°C之範圍内受到良好地控制。此 外，（3)在準電漿入熱下之石夕晶圓之面内溫度控制方面，亦 可得知石夕晶圓之面内溫度在抓之範圍内受到良好地控 制。 (比較例1) (靜電吸盤裝置之製作） 除將由具有黏性之液狀環氧樹脂所構成之黏接劑塗佈 於靜電吸盤部2之支撐板12之表面（下表面）之預定區域而 化成黏接劑層，且在此黏接劑層上，黏接固定厚度為 之欽（Tl)薄板以外’均比照實施例1來製作比㈣1之靜 電吸盤裝置。 (評估） 比照實施例1來評估比較例丨之靜電吸盤裝置。 結=⑴關於耐電壓性方面，施加10kv請之電 性二m電流為〇.5/^以下，雖顯示極為良好的耐電壓 坊1二疋在梦晶®1之面内溫度控制及升降溫特性方面， 面内溫度成為⑽之範圍，可得知面内溫度均 此t，(3)在犧入熱下之碎晶圓之面内溫度 I 矽晶圓之面内溫度亦成為±5.〇ΐ之範圍， 知面内溫朗句性降低。 _ Μ 322723 34 201133702 (比較例2) (靜電°及盤裝置之製作） 陈未將片黏接劑及聚醯亞胺薄膜依序黏接於溫度調整 用基座部3之與靜電吸盤部2之黏合面上以外，均比照實 施例1來製作比較例2之靜電吸盤裝置。 (評估） 比照實施例1來評估比較例2之靜電吸盤裝置。 、、、σ果，（1)關於耐電壓性方面，在溫度調整用基座部3 ^加熱器元件5之間的有機系黏接劑層8之厚度為1〇〇 ^ 於:2. 6kV至爾會產生放電，而在厚度為別一時， 舍V會產生放電’而在厚度為3〇〇_時，於猶則不 放電、。結果在有機系黏接劑層8之厚度為300以"1 合.·-不極為良好的耐電壓性，但厚度為2叫^以下時， ㈣或其以下之電壓產生放電，而使耐電壓性降低。 另-方面’⑵切晶圓之_溫度控制及升降溫特性 制，2晶圓之面内溫度在±2代之範圍内受到良好地控 下:仲知©内溫度均勻性提升。此外’⑶在準電浆入熱 工曰二曰圓之面内溫度控制方面，石夕晶圓之面内溫度在±ι〇 升。㈣内亦雙到良好地控制，可得知面内溫度均句性提 【圖式簡單說明】 剖面圖 =:圖係為顯林㈣—實施形態之靜電吸盤裝置之 第2圖係為_在本發明—實施形態切電吸盤裝f 322723 35 201133702 中，加熱器元件之加熱器樣式之一例之平面圖。 第3圖係為顯示在實施例之靜電吸盤裝置中，冷卻時 之矽晶圓之面内溫度分布圖。 第4圖係為顯示在實施例之靜電吸盤裝置中，保持於 50°C時之矽晶圓之面内溫度分布圖。 第5圖係為顯示在實施例之靜電吸盤裝置中，升溫時 之矽晶圓之面内溫度分布圖。 【主要元件符號說明】 1 靜電吸盤裝置 2 靜電吸盤部 3 溫度調整用基座部 4 黏接材料 5 加熱器元件 5a 内加熱器 5b 外加熱器 6 黏接材料 7 絕緣構件 8 有機系黏接劑層 11 載置板 12 支撐板 13 靜電吸附用内部電極 14 絕緣材料層 15 供電用端子 16 突起部 17 絕緣子 21 與供電用端子之連接位置 22 供電用端子 23 絕緣子 W 板狀試料 36 322723

Claims (1)

1. 201133702 七、申請專利範圍： 1. 一種靜電吸盤裝置，係具備：靜電吸盤部，將一主面設 為載置板狀試料之載置面，並且内建有靜電吸附用内部 電極、及溫度調整用基座部，將靜電吸盤部調整為所希 望之溫度，其特徵為： 在與前述靜電吸盤部之前述載置面相反側之主 面，係透過黏接材料黏接有加熱構件， 前述溫度調整用基座部之前述靜電吸盤部侧之面 之整體或一部分，係藉由片狀或薄膜狀絕緣材料所覆 蓋， 黏接有加熱構件之前述靜電吸盤部、與由片狀或薄 膜狀絕緣材料所覆蓋之前述溫度調整用基座部，係透過 將液狀黏接劑硬化而成之絕緣性有機系黏接劑層而黏 接一體化。 2. 如申請專利範圍第1項所述之靜電吸盤裝置，其中，前 述片狀或薄膜狀絕緣材料係藉由片狀或薄膜狀黏接材 料而黏接於前述溫度調整用基座部。 3. 如申請專利範圍第1或第2項所述之靜電吸盤裝置，其 中，前述靜電吸盤部之厚度係為0.7mm以上而且為 3. Omm以下。 4. 如申請專利範圍第1或第2項所述之靜電吸盤裝置，其 中，前述加熱構件係為由厚度0. 2mm以下之非磁性金屬 所構成之薄板狀加熱器元件。 5. 如申請專利範圍第1或第2項所述之靜電吸盤裝置，其 1 322723 201133702 中，前述黏接材料係為石夕酮（s i 1 i cone )系或丙烯酸 (acrylic)系之黏接材料。 6. 如申請專利範圍第1或第2項所述之靜電吸盤裝置，其 中，前述黏接材料之厚度之參差係為10ym以下。 7. 如申請專利範圍第1或第2項所述之靜電吸盤裝置，其 中，前述靜電吸盤部係具備：載置板，將一主面設為前 述載置面；支撐板，與載置板一體化，用以支撐載置板； 及前述靜電吸附用内部電極，設於載置板與支撐板之 間， 前述載置板係由氧化鋁-碳化矽複合燒結體或氧化 釔燒結體所構成。 8. 如申請專利範圍第7項所述之靜電吸盤裝置，其中，前 述載置板之厚度係為0. 3mm以上而且為2. Omm以下。 2 322723