JP4596883B2 - 環状ヒータ - Google Patents
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ヒータ112bの温度を検出する第3温度センサ146が接続されている。これら第1〜第3温度センサ142,144,146は、図示の例では、ファイバ式接触温度計から構成されており、第1の温度センサ142は、ウェハWと接触する静電チャック108のチャック面に露出するように配置され、第2温度センサ144は、内側リング体112aと接触する下部電極106の表面に露出するように配置され、第3温度センサ146は、外側の環状ヒータ112bと接触する下部電極106の表面に露出するように配置されている。
情報に基づいてヒータ148を調整し、外側の環状ヒータ112bの温度を制御する。また、外側の環状ヒータ112bは、内側リング体112aとは異なり、絶縁性材料から形成されているため、上記イオンの衝突に起因する発熱は比較的少なく、また外側の環状ヒータ112bで生じた熱は、下部電極106に放熱され易いため、ヒータ148の発熱量の調整のみで、外側の環状ヒータ112bを所定温度に調整していた。しかし、ウェハW上と内側リング体112a周辺のラジカル密度の安定が不十分であった。
調整するために環状セラミックスに対する高融点金属からなる巻回体の割合が増す程、熱膨脹係数差による内部応力が大きくなり、製作が困難となる、あるいは製作可能であっても、残留応力が大きい為、昇降温による熱応力が加わることで、抵抗発熱体148の断線や環状ヒータ112b自体のクラック、破損といった問題が発生しやすいとの課題があった。
止できる。
成し、該メタライズ層21とロウ材22を介して上記抵抗発熱体8と給電端子20とを接続することが好ましい。このような給電構造とすることで、給電端子20から抵抗発熱体8に確実に給電できる。具体的には穴7c内面に銀・銅・チタン等のメタライズ処理21を行ない、環状絶縁体と熱膨張差の小さいFe−Ni−Co合金やモリブデン、タングステン、モリブデン合金、タングステン合金等で作製された給電端子20をアルミ、銀、銅、またはこれらの金属合金等のロウ材22でロウ付けすると、温度変化に対し耐久性があり、強固に給電端子20を接続できて好ましい。
も、環状リング体6は冷却され難いため、ウェハWよりも温度が高くなる場合がある。これを防止する為に環状絶縁体7の一方の主面に凹部39を設け、そこにHe、Arといった不活性ガスを貫通孔41、40を通し流すことで冷却し、ウェハWの周辺の温度を均一に保つことができる。
った。
シリコン接着した。尚、下部電極には環状ヒータを載置できる段と冷却媒体用の流路とを形成した。
2)プロセスガス:アルゴン
3)プロセス時間:2分
4)プラズマパワー:300W
5)ウェハ吸着電圧:±400V
6)ウェハ温度:80℃
7)ヒータ温度:80℃
そして、それぞれの結果を表1に示す。
線が発生するかを調べた。
2)プロセスガス:アルゴン
3)プラズマパワー:300W
4)ウェハ吸着電圧:±400V
5)ウェハ温度:100℃
6)冷却水温度:40℃
それぞれの結果を表2に示す。
2)プロセスガス:アルゴン
3)プラズマパワー:300W
4)ウェハ吸着電圧:±400V
5)ウェハ温度:20℃
6)温度サイクル:20℃で1分保持し、80℃に1分で昇温、20℃に1分で降温
その結果、5000回の温度サイクル後の抵抗変化は0.2%以下と極めて小さく、クラックは発生せず、非常に信頼性の高い給電方法であることが分かった。
4 :下部電極
5 :設置面
6 :環状リング
7 :環状絶縁体
7a:加熱面
7b:主面
7c:穴
7d:穴
8 :抵抗発熱体
10:処理室
11:対向電極
20:給電端子
21:メタライズ層
22:ロウ材
23:コイルスプリング
24:導電膜
26:ビヤホール導体
37:溝部
38:Oリング
39:凹部
40:貫通孔
41:貫通孔
49:凸部
50:ウェハ処理装置
51:処理容器
54:ウェハ保持部材
56:冷却媒体用の流路
70:環状ヒータ
100:ウェハ処理装置
102:処理室
104:処理容器
106:下部電極
108:静電チャック
108a:薄膜
108b:電極
110:高圧電流電源
112:リング体
112a:内側リング体
112b:環状ヒータ
114:第1ガス供給孔
116:第2ガス供給孔
118:第1ガス供給管
120:第2ガス供給管
121:第1開閉バルブ
122:流量調整バルブ
124:第2開閉バルブ
130:第3ガス供給孔
132:第3ガス供給管
138:ガス供給源
140:制御器
142:第1温度センサ
144:第2温度センサ
146:第3温度センサ
148:発熱体
150:可変電源
152:冷媒循環路
154:整合器
156:高周波電源
158:上部電極
158a:ガス吐出孔
160:処理ガス供給管
162:第2排気管
164:第1圧力調整ユニット
166:第2圧力調整ユニット
168:圧力計
170:第1排気管
172:圧力調整バルブ
174:第3開閉バルブ
184:Oリング
186:第3圧力調整ユニット
W :ウェハ
Claims (3)
- 一方の主面を加熱面とし、他方の主面は上記加熱面に平行に形成されている環状絶縁体の内部に上記加熱面に平行に帯状の抵抗発熱体を備えてなり、凸状の下部電極の周辺上部の表面に、上記下部電極の突出部を取り囲むとともに上記他方の主面が上記周辺上部の表面と対向して載置される環状ヒータにおいて、上記環状絶縁体の上記他方の主面に、上記帯状の抵抗発熱体へ給電可能な導電膜を形成するとともに、該導電膜と上記帯状の抵抗発熱体とを複数のビヤホール導体を介して接続し、さらに上記導電膜を取り囲む溝部を形成し、かつ、該溝部にOリングを設置し、該Oリングと上記周辺上部の表面と上記他方の主面とで上記導電膜を封止可能としたことを特徴とする環状ヒータ。
- 一方の主面を加熱面とし、他方の主面は上記加熱面に平行に形成されている環状絶縁体の内部に上記加熱面に平行に帯状の抵抗発熱体を備えてなり、凸状の下部電極の周辺上部の表面に、上記下部電極の突出部を取り囲むとともに上記他方の主面が上記周辺上部の表面と対向して載置される環状ヒータにおいて、上記環状絶縁体の上記他方の主面に上記帯状の抵抗発熱体を貫通し、内面にメタライズ層が被着された穴を形成し、上記メタライズ層と給電端子とを接続可能に構成するとともに、上記穴を取り囲む溝部を形成し、かつ、該溝部にOリングを設置し、該Oリングと上記周辺上部の表面と上記他方の主面とで上記穴を封止可能としたことを特徴とする環状ヒータ。
- 上記他方の主面に複数の凸部を設けたことを特徴とする請求項1又は2に記載の環状ヒータ。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
KR20190010125A (ko) * | 2017-07-21 | 2019-01-30 | 주식회사 엘케이엔지니어링 | 정전척의 에지 링 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5143029B2 (ja) * | 2008-01-08 | 2013-02-13 | 日本碍子株式会社 | 接合構造及び半導体製造装置 |
JP5325457B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2013-10-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5496630B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック装置 |
JP5423632B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-02-19 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP5702964B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2015-04-15 | 日本発條株式会社 | アース電極の接点及びその製造方法 |
US9753463B2 (en) * | 2014-09-12 | 2017-09-05 | Applied Materials, Inc. | Increasing the gas efficiency for an electrostatic chuck |
JP6530228B2 (ja) * | 2015-04-28 | 2019-06-12 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
JP7033926B2 (ja) * | 2017-04-26 | 2022-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR102435888B1 (ko) * | 2017-07-04 | 2022-08-25 | 삼성전자주식회사 | 정전 척, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
CN117681352B (zh) * | 2024-01-29 | 2024-04-05 | 四川金元管业有限公司 | 一种frtp复合材料加热成型*** |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH084913Y2 (ja) * | 1991-05-14 | 1996-02-14 | 日本特殊陶業株式会社 | 家庭用加熱用品 |
JPH09306921A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Hitachi Ltd | 熱処理方法および装置 |
JPH11220008A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
JP2000036490A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Tokyo Electron Yamanashi Ltd | プラズマ処理装置およびその方法 |
JP2003224181A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
JP2003282763A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Kyocera Corp | 回路基板 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH084913Y2 (ja) * | 1991-05-14 | 1996-02-14 | 日本特殊陶業株式会社 | 家庭用加熱用品 |
JPH09306921A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Hitachi Ltd | 熱処理方法および装置 |
JPH11220008A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
JP2000036490A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Tokyo Electron Yamanashi Ltd | プラズマ処理装置およびその方法 |
JP2003224181A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
JP2003282763A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Kyocera Corp | 回路基板 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190010125A (ko) * | 2017-07-21 | 2019-01-30 | 주식회사 엘케이엔지니어링 | 정전척의 에지 링 |
KR102021353B1 (ko) | 2017-07-21 | 2019-09-16 | 주식회사 엘케이엔지니어링 | 정전척의 에지 링 |
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