TW201102456A

TW201102456A - Film deposition apparatus

Info

Publication number: TW201102456A
Application number: TW99107179A
Authority: TW
Inventors: Hitoshi Kato; Manabu Honma; Hiroyuki Kikuchi
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2009-03-13
Filing date: 2010-03-12
Publication date: 2011-01-16
Also published as: KR20100103416A; JP5141607B2; JP2010219125A; CN101831632B; TWI494464B; US20100229797A1; CN101831632A; KR101569944B1; US9093490B2

Description

201102456 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明關於一種成膜裝置，係藉由將反應氣體供應到基板的表面而在基板形成薄膜。【先前技術】以半導體製造過程之成膜方法而言，一般為人熟知者係在基板上進行成膜之製程，其係藉由在真空氣氛下使第1反應氣體吸附在基板之半導體晶圓（以下簡稱「晶圓」）等的表面後，將供應之氣體切換成第2反應氣體，且透過二氣體的反應來形成1層或複數層的原子層或分子層，並多次進行此循環，而將這些層予以積層。此 ‘粒例如被稱為ALD(Atomic Layer Deposition，原子層二積）與 MLD(Molecular Layer Deposition ,分子層沉積) 等]可按照循環次數精準地控制膜厚，同時膜質之面内 ^勻性亦佳，而為一種可對應於半導體裝置的薄膜化之有效方法。氧化膜之3方法的適#制，例如可舉出❹在閘極係使用二(特丁胺使用臭氧(〇3」)反應氣體_氣體）’且以實施為第2反應氣體（氧化氣體）。器的上部中央I"，之裝置而言，係使用在真空容央具有㈣頭之牧葉式成膜裝置，而有—種 5 201102456 方法受到討論’該方法係從基板財央部上方側來供應反應氣體’亚從處理容器的底料將未反應的反應氣體及反應副產物予以排出。然而上述成膜方法由於利用沖洗氣體來進彳了氣體替換需花費較長時間，此外循環次數亦咼達例如數百次，而有處理時間長之問題，因此希望能有一種可以高產能來進行處理之成膜裝置及成膜方法。因此，例如專利文獻丨、2所記載，被提出有一種裝置，係藉由例如將複數片基板载置在圓形載置台的圓周方向上，而一邊使此载置台旋轉並一邊對著基板來切換且供應反應氣體以進行成膜。例如在專利文獻1中提出一種結構，係將反應氣體從反應容器的頂部供應到該反應容器内，並於載置台之圓周方向上設置有供應有相異反應氣體所相互地區劃之複數個處理空間。再者專利文獻2中提出一種結構，係藉由在腔體的頂部設置例如2個反應氣體喷嘴，而將不同的反應氣體朝載置台噴出，並使載置台旋轉，且使該載置台上的基板通過反應氣體喷嘴下方，來交互地供應反應氣體到各基板而進行成膜。此種類型之成膜裝置，由於未進行反應氣體的沖洗步驟，且以一次搬出入與真空排氣動作便可處理複數片基板，故可削減進行上述動作所花時間並提南產能。但在藉由載置台的旋轉來一邊使基板進行公轉且一邊使之與反應氣體接觸而進行成膜之結構中，有難以 6 201102456 在载置台的半徑方向上保持均勻一致的氣體濃度之虞。其原因是，載置台之切線速度係周緣側較旋轉中心側要大，且載置台之半徑方向的旋轉速度不同，故在基板與反應氣體的交界之氣體的流動方式容易在基板之半技方向上產生變化。結果會有形成在基板上之薄膜的膜厚在半徑方向上產生變化，而無法確保膜厚的高面内均勻性之疑慮。此外如專利文獻2所記載，將沖洗氣體供應至反應氣體的供應區域彼此間之結構令，依沖洗氣體的供應部與排氣口的位置關係，會有進入反應氣體的供應區域之沖洗氣體量在載置台的半徑方向上產生變化之虞。因此會有因反應氣體被該沖洗氣體稀釋的程度不同，而造成反應氣體濃度在半徑方向上產生變化的可能性。再者，即使第1反應氣體與第2反應氣體相同，但目標膜厚不同’抑或載置台之旋轉速度與製程壓力等其他的製程條件不同時’亦會有因朝著载置台的半徑方向之反應氣體的流量產生變化而使得基板上之薄膜的膜厚均勻性降低之疑慮。近幾年來隨著元件之微細化而要求對圖案上之良好的嵌入特性，比起以往更要求對基板進行面内均勻性高的成膜處理，故期待有一種可對應於

製程條件的變更，且更加提高基板的半徑方向上之反應氣體的濃度均勻性之技術D 專利文獻1 :曰本專利第3144664號公報（第i圖、弟2圖、申請專利範圍第1項） 7 [Si 201102456 專利文獻2 :日本特開2001-254181號公報（第1圖及第2圖）【發明内容】本發明係鑑於上述課題而研創者，其目的在於提供一種可提高成膜處理的面内均勻性之技術。本發明第1様態提供一種成膜裝置，其係藉由在真空容器内供應反應氣體到基板表面來形成薄膜。該成膜裝置具備：載置台，係設置在真空容器内，並具有沿著以該載置台的中心部為中心之圓所形成之基板的載置區域；主氣體供應部，係為了供應反應氣體到載置台的載置區域，而與載置台對向地設置；補充用氣體供應部，係為了補充主氣體供應部所供應之反應氣體在載置台之半徑方向上的氣體濃度分布，而對著載置台的表面供應反應氣體；以及旋轉機構，係用以使載置台相對於主氣體供應部及補充用氣體供應部而相對地以該載置台的中心部作為旋轉軸而於鉛直轴周圍進行旋轉。【實施方式】依據本發明實施形態，即使從主氣體供應機構對載置台表面供應之反應氣體在載置台的半徑方向上之濃度產生偏差，由於係利用補充用氣體供應機構來將補充用反應氣體供應到反應氣體濃度低的區域，故可提高載置台的半徑方向上之反應氣體的濃度均勻性，其結果便 8 201102456 可提高膜厚等的面内均勻性。斤以下，一邊參照添附圖式，一邊就本發明之非限定範例所例示之實施形態加以說明。於所添附之所有圖1式中，就相同或相對應之構件或零件，則賦予相同或相^ 應之參考符號，而省略重複的說明。此外，圖式係以顯示構件或零件間的相對比為百的，因此，二;二應由，該項技術者參照以下的非限定實施：態：加以決定。本發明實施形態之成膜裝置，如第1圖（沿著圖的I-1，線之剖面圖）所示，係具有··扁平的真空°容哭俯視形狀為幾近於圓形；以及旋轉台2，係口' 空容器1内，且於該真空容器丨的中心形成二鲑中心之戴置台。真空容器"系以頂板U可從容= 成。頂板？係藉由内部的減壓狀ΐ ^ a ；, If 時，則係利用去d + 竹孭板11分離旋轉」之驅動機構來將其舉起到上方。的上端。旋轉轴ϊϊΐ!向延伸之旋轉轴22 下端係安裝貝牙真裔1的底部14，且其係顺時針^吏遠旋轉軸22於鉛直軸周圍（在此範例中 23係收輛在1旋轉之驅動部23。旋轉軸22及驅動部毁置於其上開口之筒狀機箱體2 0内。此機箱體2 〇面之凸緣部分為氣密地安裝在真空容器1 201102456 之底部14的下® ’以維持機箱體2㈣内部'氣氛與外部氣氛之氣密狀態。在旋轉台2之表面部，如第2圖及第3圖所示般係沿著旋轉方向（圓周方向）而設置有用以載置複數片（例如5片）基板（晶圓）之圓形凹部24。此外，在第3圖為了方便而僅在1個凹部24描繪有晶圓w。在此第4圖係沿著同心圓將紅轉台2裁切且横向地展開顯示之展開圖，如第4(a)圖所示，凹部24的直徑僅比晶圓的直徑要大上約例如4mm，此外其深度係設定為與晶圓的厚度相同之大小。因此，當將晶圓載置於凹部24時，晶圓的表面會與旋轉台2的表面（未載置有晶圓之區域) 實質上成為相同的高度。由於晶圓表面與旋轉台2表面間的高度差過大時，於該落差部分會產生壓力變動，故由達成晶圓面内之良好的膜厚均勻性之觀點來看，晶圓表面與旋轉台2表面之高度實f上為相同較佳。所謂晶圓，面與旋轉台2表面之高度實質上為相同，係指相同的高度’或雨面的差約在5mm以内’但最好是按昭加工精確度等而儘可能地使兩面的高度差接近於零再者，在凹部24底面處係形成有貫穿孔(未圖示），其係貫穿有支撐晶圓的内面且用以使該晶圓升降之後述' 頂料銷(參照第9圖）。 m 凹部2 4係相當於將晶圓予以定位以使晶圓不合因旋轉台2的旋轉所伴隨之離心力而飛出之基板載^區域。在其他的實施形態中，基板載置區域（晶圓載置區 10 201102456 域）不限於凹部，而亦可藉由下述方式來構成，例如將用以導引晶圓周緣之導引構件沿著晶圓的圓周方向而複數地排列在旋轉台2的表面，抑或在旋轉台2設置靜電夾頭等夾頭機構。利用夾頭機構來吸附晶圓時，利用該吸附而使晶圓所在之區域便成為基板載置區域。如第2圖及第3圖所示，真空容器1係在旋轉台2 的上方以從中心部放射狀地延伸之方式，而於真空容器 1之圓周方向（旋轉台2之旋轉方向）上，相隔特定間隔而配置有複數個氣體喷嘴。該等氣體喷嘴分類為：原料氣體喷嘴群3，係將第 1反應氣體(例如原料氣體)供應到真空容器1内；氧化氣體喷嘴群4，係將第2反應氣體(例如氧化氣體)供應到真空容器1内；以及分離氣體喷嘴群，係供應分離氣體到真空容器1内。原料氣體喷嘴群3係例如包含有3 個氣體喷嘴，氧化氣體喷嘴群4係例如包含有3個氣體喷嘴，而分離氣體噴嘴群係例如包含有分離氣體喷嘴 51、52。詳細而言，原料氣體喷嘴群3具有：第1主氣體喷嘴31，係將第1反應氣體(例如原料氣體)供應到凹部24 所載置之晶圓W ;以及例如2根第1補充用氣體喷嘴 32、33，係為了補充該第1主氣體喷嘴31所造成旋轉台2的半徑方向上之原料氣體濃度分布，而將補充用原料氣體供應到旋轉台2的表面。此外，氧化氣體喷嘴群 4具有：第2主氣體喷嘴41，係將第2反應氣體(例如 11 201102456 氧化氣體)供應到凹部24所載置之晶圓W ;以及例如2 根第2補充用氣體喷嘴42、43，係為了補充該第2主氣體喷嘴41所造成旋轉台2的半徑方向上之氧化氣體濃度分布，而將補充用氧化氣體供應到旋轉台2的表面。，上述第1主氣體喷嘴31、第1補充用氣體喷嘴32、 33 '第2主氣體喷嘴41、第2補充用氣體喷嘴42、43、分離氣體喷嘴51、52係與旋轉台2呈對向地而從該旋轉台2之中心附近延伸至周緣的半徑方向之方式設置，例如係於該基端側處被安裝在真空容器1之側周壁 12A。上述氣體噴嘴31〜33、41〜43、51、52的基端部（氣體導入端口 31a〜33a、41a〜43a、51a、52a)係貫穿該側周壁12A。在圖式之範例中，雖然氣體喷嘴31〜33、41〜43、 51、52係從真空容器1的侧周壁12A被導入到真空容器1内，但亦可從後述環狀突出部6來導入。此時，可採用在突出部6的外周面與頂板11的外表面設置有呈開口的L字型導管，且在真空容器1内而於L字型導管的一側開口連接有氣體喷嘴31〜33、（41〜43、51、52)，並在真空容器1的外部而於L字型導管的另一侧開口連接有氣體導入端口 31a〜33a(41a〜43a、51a、52a)之結構。第1主氣體噴嘴31及第1補充用氣體喷嘴32、33 係分別透過分別具有流量調整部31c〜33c之供應路徑 31b〜33b而連接至原料氣體（第1反應氣體，BTBAS(二 12 201102456 (特丁胺基)矽烷）氣體）的氣體供應源30，而第2主氣體喷嘴41及第2補充用氣體喷嘴42、43係分別透過分別具有流量調整部41 c〜43c之供應路徑41 b〜43b而連接至氧化氣體（第2反應氣體，03(臭氧）氣體）的氣體供應源 40。此外分離氣體喷嘴51、52皆係連接至分離氣體(n2 氣體（氮氣))的氣體供應源(未圖示）。在此範例中，氧化氣體噴嘴群4、分離氣體喷嘴51、原料氣體喷嘴群3及分離氣體喷嘴52係按照此順序且按順時針方向排列。接下來針對原料氣體喷嘴群3加以說明，如第5圖及第6圖所示’於第1主氣體噴嘴31處，係沿著喷嘴 31的長度方向而從其前端部N1橫跨基端部N2間隔地排列設置（參照第5圖（a))有用以將原料氣體噴出至例如其下方側之噴出口 34a。第1補充用氣體噴嘴32、33 在此範例中係相對於旋轉台2的旋轉方向（以下簡稱「旋轉方向」）而設置在第1主氣體噴嘴31的兩側。。、於第1補充用氣體喷嘴32上形成有噴出口 34b之區域與於第1補充用氣體噴嘴33上形成有喷出口 34c 之區域在沿著旋轉台2的半徑方向之方向上係彼此之 2互不同。亦即’如第5(b)圖所示，第1補充用氣體 ' 從第1補充用氣體噴嘴32的前端部N1而排 =在沿著第1補充用氣體噴嘴32長度方向上之特定區 s ，且在其下方側具有喷出原料氣體之喷出口 34b。藉 :式’則第1補充用氣體噴嘴32可將補充用原料氣 _供應到旋轉台2的半徑方向上之旋轉中心側（以下簡 201102456 稱「旋轉中心側」）。另一方面，如第5(c)圖所示，第1 補充用氣喷f 33係、從第}補充用喷嘴33的基端部 N2,排列在{著第丄補充用氣體喷嘴”長度方向上之特疋的+區域’且在其下方侧具有噴出原料氣體之噴出口 34C。藉此方式’則第1補充用氣體噴嘴33可將補充用原料氣體供應到旋轉台2的半徑方向上之周緣侧（以下簡稱「周緣側」）。以下’有時將第1補充用氣體喷嘴32稱為第1中心侧補充用氣體喷嘴32，而將第i補充用氣體喷嘴33 稱為第1周緣侧補充用氣體噴嘴33。再者第5圖中的令考符號37係用以將氣體喷嘴31〜33安裝在侧周壁 12A之安裝構件。 —此外，針對氧化氣體喷嘴群4，如第6(a)圖所示，於第2主氣體嘴嘴41處，係橫跨喷嘴41之整個長度方向而間隔地排列設置有用以將氧化氣體喷出至例如下方侧^噴出口 44a。再者，第2補充用氣體喷嘴42、43 ^此例中係相對於旋轉方向而設置在第2主氣體喷嘴41之上游倒。於第2補充用氣體喷嘴42處，在前端侧區域之下方侧，為了供應補充用氡化氣體到旋轉台2 的說轉中心側’係沿著長度方向而排列設置有氧化氣體之喷出口 44b ;而於第2補充用氣體喷嘴43處，在前端側區域的下方侧’為了供應補充用氧化氣體到旋轉台 2的周緣側’係沿著長度方向而排列設置有氧化氣體的喷出口 44c。以下，有時將第2補充用氣體喷嘴似稱為 2〇11〇2456 弟2中心側補充用氣體贺嘴42，而脾證q 一、而將弟2補充用氣體喷嘴43稱為第2周緣側補充用氣體嘴嘴43 ^ 第6(a)圖係概略地顯示旋轉台2與氣體噴嘴μ〜％以及41〜43之位置關係，而第6(b)〜6(d)圖係沿著第6⑷ 圖的A-A線、B-B’線、C-C’線之概略剖面圖。具體而言，第6(b)圖係顯示原料氣體喷嘴群3之旋轉台2的周緣側之概略剖面圖，第6(c)圖係顯示原料氣體喷嘴群之旋轉台2的半徑方向的中央附近之概略剖面圖，而第 6 (d)圖係顯示原料氣體噴嘴群3之旋轉台2的中央附近之概略剖面圖。如此地，於旋轉台2之半徑方向上，在該周緣侧處係從第1主氣體喷嘴31及第i周緣侧補充用氣體喷嘴33，在半徑方向之巾央侧處雜第丨主氣體喷嘴31，在旋轉中心側處則係從第i主氣體喷嘴及第1中〜側補充用氣體喷嘴32而朝向晶圓w供應原料氣體。原料氣體噴嘴群3的下方區域係成為用以使 BTBAS氣體吸附在晶圓之第！處理區域刊，而氧化氣體贺嘴群4的下方區域則成為用以使〇3氣體吸附於晶圓且將BTBAS氣體予以氧化之第2處理區域p2。關於第1及第2主氣體喷嘴31、41、第】及第2中心側補充用氣體噴嘴32、42 1及第2周緣側補充用氣體噴觜33、43的位置、第1及第2中心侧補充用氣體喷嘴M、42的前端侧區域、第i及第2周緣側補充用氣體喷嘴33、43之基端側區域的位置或大小、喷出口 15 201102456 34a〜34c、44a〜44c的形狀或大小、排列間隔可適當地設定。分離氣體喷嘴51、52係具有作為分離氣體供應機構之功能，而連同後述凸狀部5的下面〔例如平坦且低的頂面54(第1頂面))一起形成用以分離第1處理區域 P1與第2處理區域P2之分離區域D。於該等分離氣體喷嘴51、52處，係間隔地在長度方向上穿設有用以將分離氣體喷出至下方側之噴出口 5(參照第4圖）。如第2圖至第4圖所示，在此分離區域D之真空容器1的頂板11係設置有俯視形狀為扇型且突出於下方之凸狀部5，該凸狀部5係以旋轉台2的旋轉中心為中心，且將沿著真空容器1的内周壁附近所繪製之圓而於圓周方向上予以分割所構成。分離氣體喷嘴51、52係收納在於此凸狀部5之圓的圓周方向中央處而延伸於該圓的半徑方向所形成之溝部53内。在此範例中，從分離氣體噴嘴51、52的中心軸到凸狀部5之扇型兩邊緣(旋轉方向上游側之邊緣及下游側之邊緣）的距離係設定為相同的長度。此外，在本實施形態中，溝部53雖係以將凸狀部5予以二等分之型態所形成，但在其他實施形態中，例如從溝部53來看，亦可以凸狀部5之旋轉台2的旋轉方向上游側比旋轉方向下游側更寬之方式來形成溝部53。因此，於分離氣體喷嘴51、52之圓周方向兩侧會具有凸狀部5的下面（例如平坦且低的頂面5(第1頂 201102456 面）），而在此頂面5的圓周方向兩侧則會具有比該頂面 54還高的頂面55(第2頂面）。此凸狀部5的作用在於阻止第1反應氣體(原料氣體)及第2反應氣體（氧化氣體) 侵入其與旋轉台2之間，並形成用以阻止該等反應氣體混合之狹窄空間（分離空間）。亦即，舉分離氣體喷嘴51為例時，會阻止03氣體從旋轉台2的旋轉方向上游侧侵入，且阻止BTBAS氣體從旋轉方向下游侧侵入。所謂「阻止氣體的侵入」，係指從分離氣體喷嘴51所噴出的分離氣體(N2氣體）會擴散到第1頂面54與旋轉台2的表面之間，在此範例中會被喷出到與該第1頂面54鄰接之第2頂面55的下方側空間，藉由此方式則來自該鄰近空間之氣體便無法侵入。然後所謂「氣體便無法侵入」，並非僅指完全無法從鄰近空間進入到凸狀部5的下方側空間之情況，而亦指雖然有些許侵入，但確保了分別從兩側侵入之〇3 氣體及BTBAS氣體不會在凸狀部5内互相混合的狀態之情況，而只要可得到此種作用，便可發揮分離區域D 的作用之第1處理區域P1的氣氛與第2處理區域P2 的氣氛之分離作用。因此，狹窄空間的狹窄程度係設定為狹窄空間（凸狀部5的下方空間）與鄰接於狹窄空間之區域(在此範例中為第2頂面55的下方空間）之壓力差為可確保「氣體便無法侵入」的作用左右大小，其具體尺寸係依凸狀部5的面積等而不同。再者，關於吸附在晶圓之氣體當然可通過分離區域D内，而阻止氣體的侵 17 201102456 入，係指著氣相中的氣體。 ^外’在頂板11的下面，係對向於較旋轉台2之私^卩21要更外周側的部位，而沿著該核心部21的外置f大出部6 °此突出部6係與凸狀部5連續地形 '且大，部6的下面係與凸狀部5的下面(頂面54) 产^的问度°第2圖及第3圖係顯示將凸狀部5留置 4^^體12内’而將頂板11拆離之狀態。此外，突 °巧狀部5不限於為—體，亦可為分開的個體。 ”本I實施形態中係針對直徑3〇〇mm的晶圓w而堆二/f薄膜Λ日^ ’凸狀部5在與自旋轉中心相距約的突出部6之交界部位係具有例如約 146mm 之 =方向上的長度(與旋轉台2為同傾之圓弧的長度)，而曰曰曰圓的载置區域(凹部24)之最外側部位，則具有例如約 502_之圓周方向上的長度。此外，如第4⑻圖所示從此外側雜之凸狀部5的溝部53 一侧的内壁，到接近該内壁之凸狀4 5的端部為止之圓周方向的長度乙為施麵。再者，士第4(二)圖所示，凸狀部5的下面(亦即頂面54)與旋轉台2 表面之冋度h可為例如〇 5mm〜1Qmm ’較佳為約4顏。此時，紅轉台2之旋轉速度係設定為例如 lrpm〜5GGrpm °為了雜分祕域D的錄祕，係配合旋轉台2之_妨的蚊翻等，而根_如實驗等來設定凸狀部5的大小與凸狀部5之下面(第i頂面％與旋轉台2 表面的高度h。亚且’第1及第2主氣體噴嘴31、4卜第i補充用氣體 201102456 ^ 32、33、第2補充用氣體喷嘴42、幻以及分離氣體喷 )^在真空容器1内係具有約400mm之長度。與該等氣體嘴嘴31〜33、41〜43、5卜52相對應之嘴出σ 34a〜34c、 :4::4c 5〇、5〇係具有例如約〇 5mm的開口口徑，且沿著该等规體噴嘴的長度方向而例如約觸10mm地排列設置。有相對應的噴出口 3%繞之第1及第”心體i嘴32=^ %、&之前端顺域的長度，可自例如氣體貝鳥32、42的前端部⑽(第5圖)起而為例如湖麵左右。有相對應的噴出口地及地之第1及第2周緣等氣时33、43的基端侧區域之長度，可自例如該此端部，第5圖)起而為例如咖醜左右。等之非活體:言，雖可不限於Ν2氣體而使用Ar氣體塑St不性氣體而為氯氣等，只要之氣體，至於氣體的種類並無特別限制。狀部5的下面)齡^周方向係具有第1頂面54(凸下面）。第1圖孫麵J、逛同的第2頂面55(頂板11的圖係顯示設設置有高的頂面55之區域的剖面，第7 5之周緣部(直空容哭Τ^54之區域的縱剖面。在扇型凸狀部成L字型之彎曲部56#^_對向之方式而形成有彎曲從容器本體12娜，故^ = 5係錢在徽11，且可的内周面之間會麵許^^卩56的相域容縣體I2 同樣地，係以防止反庫氣二:。此彎曲部56亦與凸狀部5 反應赠從兩侧侵入來防止兩反應氣體的 201102456 Γ二為目的所设置’曲部56的内周面與旋轉台2的外端面 ^隙’以及料部56的外周面與容器本體12之間隙，係 ^與相f於旋轉台2表面之頂面54的高度㈣同程度的寬二在此城J巾，賊轉台2的表面舰域，可看見彎曲部 6的内周蝴成了真空容H 1的内周壁。 ^第7圖所示’容器本體12 _周壁在分祕❹中，％的外周面接近而形成為垂直面，但在分離區域外部位巾’如第1騎示’則係從例如與旋轉台2的八η目對向之部位跨越底部14而向外侧凹陷。將此凹陷部區域7時’如第丨圖及第3圖所示，在此排氣區域7的底雜設置有例如2偏排氣口 71、❿該等排氣口 η、過職管73而連接在真空排氣機構(例如共用的真工泵相)。此外，第丨财之參考舰

可針對排氣口 71、72設置2健力機器75，或^H =的=調整器75。為了使分離區域D之分離作用確實地 71、72從俯視方向來树，係設置在分離區域 =之轉方向_ ’而相地進行妓觀體_AS氣體體)的排氣。在此範例中，—側的排氣口 71係設置主氣體噴嘴31與相對於第i主氣體噴嘴 ===的分離區域D之間，此外，另_侧的排氣口在= t置在P錢體㈣41與姆於第2域射嘴位在旋轉方向下游側的分離區域D之間。、在本實施形態中係設置有2個排氣口 71、72, 實施形態中，例如亦可在包含有分離氣體噴嘴心區： 201102456 D與相對於該分離區域d而位在旋轉方向下游側的第2主氣體喷嘴41之間設置追加的排氣口，或亦可設置4個以上的排氣口。此外，在本實施形態中，排氣口 7卜72係經由設置在比旋轉台2還低的位置之真空容器！的内周壁與旋轉台2的 f緣之間的_來將真空容器丨料魏，但在其他實施形恶中’亦可設置在真空容器i的側周壁12A。此時，排氣口 7卜=亦可設置在比旋轉台2還高的位置。如此地，藉由設置排氣σ 7卜72 ’則;^著旋轉台2上面流動之氣體會朝著旋軺台2的外側流動，故與從旋轉台2相對向之頂面來排氣的 It況相比較從可抑制微塵的揚起之觀點來看係有利的。如第1圖及第7圖所示，在旋轉台2與真空容器1的底部Η之間的空間係設置有加熱機構(加熱器單元8)，可隔旋轉台2來將旋轉台2上的晶圓加熱至製程配方所決定:溫 ^。於旋轉台2關緣附近的下方側處，為了將從旋轉台2 0上方空間至排氣區域7為止之氣氛與配置有加熱器單元$ ==加熱H單元收容找)之氣舒以區隔，*設置以將加熱器單元8的整個周圍加以包圍。此覆蓋構二」係，上緣部分具有朝外靖曲之錄部，將凸緣部之間的_減小’同時凸緣部的上面係具ί特嫩空間内。間。此外 201102456 ==轉軸22之間隙也變為狹窄，而透過該等上述後，機箱體’真空容器1係與機箱體20相連通。然到狹窄空^ 4置有肋將作為沖洗氣體之Ν2氣體供應空容器Γ的曰广Γ加以沖洗之沖洗氣體供應管82。此外’在真轨…I _ ^ 14處係連接有朝加熱器單元8下方的空間(加供應作為沖洗氣體之Ν2氣體之複數個沖、”藉由設置沖洗氣體供應管82、83 ’而如第8圖中以箭頭符號來表示沖洗氣體的流動般，利用Ν2氣體來將從機箱體20 _加絲單元收容雜之空間加财洗，並經由排氣區域7來將此沖洗氣體從旋轉台2與覆蓋構件81之間的間隙排出到排氣口 71、72。藉此方式則可防止BTBAS氣體或〇3氣體從第1處理區域^與第2處理區域p2其中一者經由旋轉台2的下方而繞進到另—者。亦即，此沖洗氣體亦具有分離氣體的作用。此外’真空容器1的頂板11之中心部係連接有分離氣體供應管61，而通過此供應管來將分離氣體…2氣體)供應到頂板11與核心部21之間的空間62。被供應到此空間62之分離氣體係經由突出部6與旋轉台2之狭窄間隙60而沿著旋轉台2的上面(設置有凹部24(晶圓載置區域)之面)朝周緣喷出。由於在空間62及間隙60充滿著分離氣體，故可在第玉處理區域P1與苐2處理區域P2之間’隔著旋轉台2的中心部來防止反應氣體(BTBAS氣體或Ο;氣體)混合。亦即，本貫施形態之成膜裝置係藉由迴轉台2之迴轉中心部與真空容 22 201102456 器1而被加以區_分轉i處频域η P2 ’並具有分離氣體會被加以沖洗且沿著旋轉處理區域朝該迴轉台2的表面噴出分離氣體的喷心之中==有此外，在此所謂之噴出口係相當 £域C。窄間隙60。祁田〜出^ 6與迴轉台2的狹此外，如第2圖、第3圖及第9圖所示，直側壁處係形成有用以在外部的輸送臂轉台的 =:_送一，師二 St 此外，旋轉台2令之晶圓載置區域(凹部冲在此搬送口 15之位置來與輸送# 10之間進行日圓w 轉台2的下方側之與該收送位置相對^部兴：曰二有收运用頂枓銷16(係用以貫穿凹部24而從内面舉起s曰圓)的升降機構(未圖示）。㈣Γί ’此實施形態之成膜裝置係設置有用以進行整個裝之控制部1〇0。此控制部100具有例如由電腦所構成之製程控制H隐、使用者介面部議、記憶體裝置 10=使用者介面部1〇〇b具有顯示成膜裝置的動作狀況示器、成膜裝置200的操作者用以選擇製程配方、或製釭=理者用以變更製程配方的參數之鐽盤與觸控面板(未圖不）等。告°己隐體裝置100c係記憶有在製程控制器1〇〇a實施種種的f私之控制程式、製程配方以及各種製程之參數等。此外， °亥等私式係具有用以在成膜裝置200進行例如後述動作(成膜方法)之步騍群。該等控制程式或製程配方係依據來自使用者 201102456 界面部100b的指示，而從製程控制器1〇〇a被讀取並實行。轉程式可㈣於電腦可讀式記憶媒體励d，並透過與忒等相對應之輸出入裝置（未圖示）而安裝至記憶體裝置 1〇〇C。電腦可讀式記憶媒體可為硬碟、CD、CD-R7RW、 DVD-R/RW、軟碟、半導體記憶體等。又，亦可透過通訊線路來將程式下載至記憶體裝置100c。其次，就本實施形態的作用加以說明。將目標膜厚予以變更時’或將成财之真空容器i _壓力或旋轉台2之旋轉速度等的製雜料以變更時，係進行製程條件的調整作業來^定要使用第1補充用氣體喷嘴32、33及第2補充用氣，喷嘴42、43中__錢氣體喷嘴，來將肋補充原料氣體或氧化氣體的氣體濃度分布之原料氣體等的供應量作多少，度的供應。於情町，係分職第1域體喷嘴31 及第2主氣胆噴嘴41供應原料氣體及氧化氣體來對晶圓w ，行成膜處理，此時測量形成在晶gjw上之薄膜膜厚的面内二布。其-人’根據此膜厚的面内分布，來掌握原料氣體(btbas 氣f)之躺晶圓W半徑方向的氣财度分布。接著，跟據此氣體漢度分布來決定應使用之第】補充用氣體喷嘴％、幻與補充用原料氣體的供應量，以將補充闕料氣體供應到原料氣體濃度低的區域。 =邊參照第H)圖及第„圖且―邊具體地朗。第1〇⑻ 圖，第11(a)圖係顯示形成在晶K w上的薄膜M在旋轉台2 半徑方向上的膜厚，在圖中，點pH系位於旋轉台2的旋轉中〜側(第1主氣體噴嘴31的前端侧），點打係位於旋轉台2 24 201102456 二主氣體喷嘴31之基端侧)。因此，形成在晶圓方向上之:轉中的膜第1〇⑻圖中，沿著旋轉台2的半徑麵轉令心側的膜厚係比周緣側圖中向上之周緣側的膜厚係比旋轉之膜厚所示’當旋轉中心側之膜厚比周緣側旋射_之厕氣體的濃度較低，故 «在刖知側區域形成有噴出口 34b之第i :喷:32來供應補充用原料氣體，則可對旋轉中： ===時’係設定來自第1中心側補充用氣體喷嘴32 料1=料氣體的供應量以提高旋轉台2半徑方向上之原料氣體濃度的均勻性。第1主氣體喷嘴31與第1中心側補充用氣體噴嘴斤供應之原料氣體的濃度會沿著旋轉台2的半徑方向而被均句化，如第10_所示’便可在晶圓w上形成半徑方向上的膜厚均勻性高之薄賴。此外，為了圖示的方便，第剛圖及第11_中係將第！主氣體噴嘴3卜第i中心侧補充用氣體喷嘴32、帛1周緣側補充用氣體喷嘴％排列在上下方向》此外，如第11(a)圖所示，當周緣側的膜厚比旋轉中心侧的膜厚還料，由於周緣側之補氣_濃度錄，故藉由在基端侧區域形成有喷出口 3如之第丨周緣側補充用氣體喷嘴33來供應補充用原"料氣體，則可對周緣側補充原料氣體。此時，係設定來自第1周緣側補充用氣體喷嘴33之補充用原料氣體的供應4以提南旋轉台2半彳轉向上之原料氣體濃度 25 201102456 的均勻性。結果’第1主氣體喷嘴31與第丨周緣側補充用氣體喷嘴 33所供應之原料氣體的濃度會沿著半彳i方向而被均勻化，如第11(b)圖所示，便可在晶圓w上形成半徑方向上的膜厚均勻性高之薄膜Μ。此外，例如當晶圓W中央側的膜厚變大，而旋轉中心側及周緣侧簡厚變小時，則使㈣！巾心_氣體喷嘴 32及第1周緣側補充用氣體喷嘴33兩者。再者，關於用以供應氧化氣體之第2補充用氣體喷嘴 42、43 ’當晶圓W半徑方向之氧化氣體的氣體濃度均句性惡化時，原料氣體(BTBAS)會被不均勻地氧化，故膜質之面内均勻性會降低。因此，要求_之膜f (例如介電率)的面内分布’然後根據此面内分布來掌握氧化氣體轉台2半徑，方向上·體濃度分布，並根據此氣體^度決定應使用之第2 用氣體噴嘴42、43與補充用氧化氣體之供應量’而可將·用氧化氣體供應到氧化氣體濃度低的區域。接著，以將第1中心側補充用氣體噴嘴32、第ι周緣側補充用氣體嘴嘴33、第2中心側補充用氣體噴嘴42 ^第; 周緣姻細⑽喷嘴43作細氣體噴嘴使用之情況為範例，來加以說明使用有本實施形態成膜裝置的成膜方法。首先，打開未圖示之閘閥，且從外部利用輪送臂⑺並、焉過搬送口 15來將晶圓W搬入到真空容器丨内，且將其保= 在位於面臨搬送口 15位置之旋轉台2的凹部24上方八士、— 26 201102456 9圖所示’藉由通過凹部24底面的貫穿孔來使頂料銷16升降’而將晶圓W载置在凹部24。。使旋轉台2間歇性地旋轉來進行此種程序，而分別將晶圓w載置於旋轉台2之5個凹部24内。接著，利用真空= 浦料來將真空容器1内真空抽氣到事先設定的壓力，並Γ邊使旋轉台2順時針方向地旋轉，—邊糊加熱器單^來= 晶圓W予以加熱。詳細而言’旋轉台2係利用加熱器單元8 而被事先加熱到例如約30(rc，且藉由將晶圓w載置在此旋轉台2來進行加熱。利用未圖示之溫度感測器確認晶圓％的溫度達到所設定之溫度後，從分離氣體噴嘴5卜&喷出N 氣體:並從第i主氣體喷嘴31、第i中心侧補充用氣體喷嘴2 32及第1周緣侧充職射嘴33供應BTBAS氣體，且從第2主氣體噴嘴4卜第2中心侧補充用氣體噴嘴42及第2 周緣侧補充用氣體喷嘴43供應〇3氣體。晶圓W係藉由旋轉台2的旋轉，而交互地通過設置有原料氣體噴嘴群3之第i處理區肋與設置有氧化氣體喷嘴群 4之第2處理區域P2，故會吸附_AS氣體，接著會吸附 03氣體且BTBAS分子會被氧化而形成丨層或複數層二氧化石夕分子層，如此地依序積層氧化石夕分子層而形成特定膜氡化矽膜。、此外’在成膜進行中亦從分離氣體供應管61供應有分離氣體(N2氣體）’藉此方式來從中心區域c(亦即從突出部“ 旋轉台2的中心部之間)沿著旋轉台2的表面喷出叫氣體。、在本貫施形悲中，在配置有原料氣體噴嘴群3、氧化氣體噴 27 201102456 嘴群4之第2頂面55的下方之空間中’容器本體12的内周壁係朝外侧凹陷而形成有棑氣區域7，且排氣口 71、72係位於排氣區域7的下方，故第2頂面55下方侧之空間的壓力，會變得比第1頂面54下玄之狹窄空間及中心區域C的壓力還低。又’第1頂面54及突出部6之自旋轉台2起的高度卜，係以容易產生此種壓力差之方式來設計。接下來’將成膜中之真空容器丨内的氣體流動樣態概略地顯示在第12圖。從第2主氣體喷嘴41、第2中心側補充用氣體喷嘴42、第2周緣側補充用氣體噴嘴43朝下方嘴出’ 而碰撞到旋轉台2表面（晶圓W表面及晶圓W的非載置區域表面兩者)並沿著其表面朝向旋轉方向下游侧之Ο;氣體，會因從中心區域C所喷出之&氣體與排氣口 72的吸引作用而朝向該排氣口 72。此外，該〇3氣體的—部分會朝向位於下游側之分雜域D ’ g入到翻凸狀部a下方的狹窄空間。然而，此凸狀部5之頂面μ的高度及圓周方向上的長度，係依據成膜時的製程條件(氣體流量、壓力、旋轉台2之旋速度等）而設定為可防止氣體侵入到頂面54下方之尺=大小，故如第4酬所示，A氣體幾乎無法流入到扇型凸狀 5下方的狹窄帥。贼即使有少量的&氣體流人到凸狀部 5下方之狹窄空f曰1，仍無法到達分離氣體嘴嘴si的附近，而是會被從分靴时嘴51所倾之N滅體推_旋轉上游側(亦即第2處理區域P2側），並連同從中心區域出之n2氣體，-起從旋轉台2周緣與真空容器i内周壁之門隙經由排氣區域7而被摒出到排氣口 72。 3 28 201102456 匕再者，從第1主氣體嘴嘴3卜第！中心側補充用氣體喷，32、第1周緣側補充用氣體喷嘴33朝下方側喷出，並沿著旋轉台2表面朝向旋轉方向下游側之BTBAS氣體，會完 ^無法侵人位於該旋轉方向下關之扇型凸狀部5下方的= 窄空間，抑或即使侵入仍會被推回到第i處理區域ρι側，並且會連同從中心區域c所喷出之N2氣體，—起從旋轉台2 周，與真空容H 1内周壁之間隙經由排氣區域7而被排出到排氣口 71。亦即，在各分離區域〇中，雖阻止了在直空容哭 1内流動之反應氣體(BTBAS氣體或〇3氣體)的侵;；，但: 附在晶圓之氣齡子會直接通過分祕域(亦㈣扇型凸狀部5還低的頂面54下方），而有助於成膜。此外乐處理區域P1之BTBAS氣體(第2處理區域 P2之〇3氣體)雖擬侵入到中心區域c内，但如第12圖所示，由於從中心區域C係將分離氣體朝向旋轉台2的周緣喷出，故會藉由該分離氣體來阻止侵人，抑或雖有些許侵入但仍备被推回，便可阻止通過中心區域而流人 ^ 1處理區域Ρΐ)β Λ ^ 然後在/刀離區域D中，由於係將.弯曲部56設置於扇的周緣，且·彎曲部56與旋轉台2的外端面之間的 =、係如i所述地變得財，故實質上阻止了氣體的流通。 ’、:’亦冒阻止第i處理區域ρι之btbas氣體(第2處理品V P2之〇3氣體)通過旋轉台2外端面與容器本體η内周 ^間，間而流入到第2處理區域P2(« i處理區朗)。 *弟1處理區域P1的氣氛與第2處理區域卩2的氣氛脅 29 201102456 藉由2個$麵域D而被完全地分離，且氣體會被排出到排氣口 71，而〇3氣體會被排出到排氣口 72。其結果為:兩反應氣體(在此範例中為BTBAS氣體及〇3氣體)即使在氣氛中也不會在晶Κ上相互混合。此外，在此範例中，由於k利用A氣體來沖洗旋轉台2下方的加熱料元收容空間’故;^全不會有流入到排氣區域7的例> BTBAS氣體通過加熱$單破容空間而流賴應有〇3氣體的第2處理區域之虞。如此地當成膜處理結束後，以和搬入動作相反的動作並利用輸送臂1〇來依序地將各晶圓搬出。此處，說明處理參數的一例。利用直徑3〇〇mm之晶圓 W來作為被處理基板時，迴轉台2的轉速為例如 lrpm〜500rpm ’處理壓力為例如丨〇67Pa(8T〇rr)，晶圓w的加熱溫度為例如350°C，來自第1主氣體喷嘴31之BTBAS氣體的供應流量為例如100sccm，來自第1中心側補充用氣體喷嘴32、第1周緣側補充用氣體噴嘴33之BTBAS氣體的供應流量分別為50sccm、50sccm，來自第2主氣體喷嘴41之〇3氣體的供應流量為例如l〇〇〇〇sccm，來自第2中心側補充用氣體喷嘴42、第2周緣侧補充用氣體喷嘴43之03氣體的供應流量分別為lOOOsccm、lOOOsccm，來自分離氣體噴嘴 51、52之N2氣體的流量為例如20000sccm，而來自真空容器 1的中心部之分離氣體供應管61的N2氣體流量為例如 5000sccm。又，針對1片晶圓之反應氣體的供給循環數，亦即晶圓分別通過處理區域PI、P2的次數係配合目標膜厚而改變，但為多數次(例如600次）。 201102456 上述貫施形您係將複數片晶圓W設置在迴轉台2的迴轉方向，並迴轉迴轉台2以依序地通過第〗處理區域？1與第2 處理區域P2，即進行所謂的alD(或MLD)，故可高產能地進行成膜處理。然後，由於具有在迴轉方向上設置於第1處理區域P1與第2處理區域P2之間並包含有分離氣體噴嘴 5卜;52及低頂面之分離區域D，以及藉由迴轉台2的旋轉中心部與真空容器1所區隔開來而將分離氣體朝向旋轉台2周緣喷出之中心部區域C，並將擴散至分離區域D兩側之分離氣體及中心部區域C所喷出之分離氣體連同反應氣體—起經由旋轉台2周緣與雜容器㈣壁關雜除，因此可防止兩反應氣_混合。其絲為，可進行良好的細處理，且旋轉台2上完全不會產生反應生成物或會被盡量地抑制而可抑制微塵粒子的發生。此外，本發明亦可_於在旋轉台2 載置有1片晶圓W的情況。口在使用旋轉台之成膜裝置中，由於沿著旋轉台2半徑方向之切線速度不同’-般而言，在糾與反應氣體的交界之氣體的流動方式容易產生變化，故僅_第丨主氣體喷嘴Μ 來供應原料氣體’便會難以在旋轉台2的半徑方向上保勻-致的原料氣體漢度，是，由於在半徑方向上之原料氣體浪度低的區域係使用第1 +心侧補充用氣體噴嘴32 “i 周緣側補充贱射嘴33任-錢全部來供應原料氣體，故可提高旋轉台2半徑方向上之原料氣體的漢度均句性。者，同樣地可提高半徑方向上之氧化氣體喊度均勻性可提高晶圓W上所細之膜在半徑方向上的膜厚均句性愈 31 201102456 膜質均勻性。在此，例如第10⑻圖所示，在旋轉台2之旋轉中心側的膜厚較薄’而在周緣側的膜厚較厚的理由，可考慮如下。在本實施形態之成臈裝置中，由於亦可從設置在旋轉台2的旋轉中心之中心區域C來供應N2氣體，故會因該N2氣體而使得旋轉中心側的原料氣體在半徑方向上被稀釋，結果，該旋轉中心，的原料濃度便會變低’而在旋轉台2之半徑方向上，旋轉中心側的膜厚則會變得比周緣側的膜厚還薄。再者例如第Π⑻圖所示’在旋轉台2之旋轉中心側的膜厚f厚’而在周緣側較薄的理由，可考慮如下。亦即，使旋轉σ 2旋轉時’如上所述地由於切線速度在旋轉台2的周緣側係較旋射心侧要來得大，故即使從第1主氣體喷嘴31 而於其長度方向上均勾地供應有原料氣體，且從第2主其Γ方向蝴地供職咖，在旋轉台低。，，（吼粗>辰度仍會較旋轉中央側之氣體濃度容易變氣二向旋轉台2的周緣側所設置之排下’於半徑方向上之用結^ I 在此種情況在旋轉台2之半二fr體濃度會變稀’其結果為，的膜厚還薄。°，躲側賴厚便會較旋轉中心側主氣體喷嘴體與氧化氣 32 32 201102456 體，亦難以在晶圓w的半徑方向上維持相同的氣體濃度，故使用第1補充用氣體喷嘴32、33及第2補充用氣體喷嘴42、 43來供應補充用氣體而提高晶圓w半徑方向上的氣體濃度均勻性之方式係為有效的。此外，於變更目標膜厚、製程條件(氣體流量、壓力、旋轉台2的旋轉速度等)時，可使用第〗補充用氣體喷嘴32、33、第2補充用氣體噴嘴42、43，來調整旋轉台2半徑方向上的氣體濃度分布’故比起僅使用第i主氣體噴嘴31或第2主氣體喷嘴33的情況’更可在大範圍内調整半徑方向上的氣體濃度分布，並可容易地進行面内均勻性更高之成膜處理。再者，在上述實施形態中，如第13圖所示，亦可以延伸至旋轉台2的圓周方向上之型態來構成補充用氣體喷嘴。在第13圖所示之範例中，第丨及第2中心侧補充用氣體噴嘴 32A、42A係具有：第j部分A1，係從前端側到中途朝旋轉台2的半徑方向延伸；以及第2部分A2，係可連通地連接於第1部分A卜並朝旋轉台2的圓周方向延伸；而喷出口 35a、 45a係形成在例如第2部分A2的下面。此外，第1及第2周緣側補充用氣體嘴嘴33A、43A係具有：第！部分A1，係從月;J端側到中途朝旋轉台2的半徑方向延伸；以及第2部分 A2，係可連通地連接於第丨部分A1，並朝旋轉台2的圓周方向延伸；其噴出口 35b、45b係形成在例如第2部分A2的下面。使用此種補充用氣體噴嘴32A、33A、42A、43A時，由於形成有噴出口 35a、35b、45a、45b之區域係延伸至晶圓 W的移動方向’故具有可加長從補充用氣體喷嘴32A、33A、 33 201102456 42A、43A所供應之氣體與晶圓的接觸時間之優點，並有充分的時間來使從補充用氣體喷嘴所供應之原料氣體與氧化氣體吸附在晶圓。水 —並且’在上述實施形_巾’補充用氣體噴嘴亦可構成為第14圖所示般的形狀。在第14圖所示之範例中，補充用氣體噴嘴32B、33B、42B、43B係具有比第丨主氣體噴嘴Ή 及第2主氣㈣嘴41的寬度更大的寬度，而在下面處，旋轉台2的圓周方向上係具有長(例如精圓狀)的噴出口 36a、36b、 46a、46b 〇此種補充用氣體喷嘴32B、33B、42B、4犯，亦可由具有比主氣體喷嘴31、41的管徑還大之管徑的管體所構成，或亦可由横向比縱向還大的楕圓狀管體所構氣體喷嘴細、别'4迅、4犯之喷出口36&二、=用 46b在旋轉台2的圓周方向上係比主氣體噴嘴31、41的噴出口 34a、44a還長，故補充用氣體噴嘴32B、43、42B、4犯所供應之氣體與晶圓的接觸時間會變長。在上述實施形態_，關於第2主氣體噴嘴41亦可不設置補充用氣體喷嘴。此外，亦可針對分離氣體喷嘴51、52而設置用以補充晶® W半徑方向上之分離氣體的氣體濃度分布之分離氣體用補充域體噴嘴。再者，補充耻體喷嘴之個數不限於2根’亦可為】根或3根以上。此外，只要補充用氣體喷嘴可在旋轉台2之半徑方向上將補充用氣體供應到氣體濃度低的區域，則可設置在任何位置。並且，亦可利用1 個補充用氣射嘴麵補充用氣體供應辭徑方向上之複數個氣體濃度低的區域。此外在上述之範射，雖僅在補充用 34 201102456 氣體噴嘴之長度方向±的細⑽成有嘴.，但亦可於該整個長度方向上形成有噴出口，同時在特定範圍的一部分中加大喷出口，抑或在特定範圍的一部分中縮短喷出口的排列間隔，而從補充用氣體噴嘴長度方向上之—部分喷出要較其他部分更多量的補充職體。如此地，_可較其他區域脅出更多量的補充職體到旋轉台2半徑方向上之氣體濃度低的區域’以藉此方式來補充氣體濃度分布。此外，以本 =施形態之氣射出口而言，不僅是上述如口㈣可為縫隙’至於其形狀則可適當地設定。接著，就本發明其他實施形態一邊參照第15圖〜第μ 圖而i加以·。在此實施形態中，作為補朗氣體供應機構係使用可在噴嘴長度方向上罐氣體的喷出量之嘴出位，調整氣體喷嘴9，來調整旋轉台2半徑方向上的原料氣體 =度刀布。參知苐15圖時，贺出位置調整氣體噴嘴9係以從旋轉台2旋轉中心附近放射狀地延伸於旋轉台2半徑方向之 =式所設置。在圖式之範例中，喷出位置調整氣體噴嘴9係安裝在第1處理區域P1之第1主氣體噴嘴31的旋轉台2旋轉方向上游側處之真空容器1的侧周壁12A。一此喷出位置調整氣體喷嘴9，如第16圖所示，係具有2 重管構造，其包含：外管91 ;以及内管92，係在此外管91 的内部而與外管91設置為同心狀。内管92係在外管91的内部而自由旋轉於水平軸周圍。外管91的内徑為例如1〇〜14_ 左右，内管92的外徑為例如6〜8mm左右，而外管91與内管92之間隙為1mm〜2mm左右’更佳為約imm左右。 201102456 外管91之基端侧係構成為例如凸緣部％，而透過密封構件(〇型環93a)氣密地安裝在真空容器的側周壁12A之内壁。在外官91的下面處，係以特定間隔沿著從旋轉台2的旋轉中心部朝向周緣部之方向而排列設置有噴出口 91a。另— 方面，内管92之基端側係貫穿真空容器丨之側周壁12八而朝真空容器1的外觀伸，且連接在仙f 92旋轉於水平轴周圍之旋轉機構(馬達M1)。在真空容器的侧駿i2A與内管 92之間係設置有具有軸承功能之密封構件(例如磁場屏蔽構件94)。在此|&例中’於真空容器j之侧周壁12八的外部處，係從側周壁12A朝外部延伸之内管92的周圍處形成有氣體供應室95。此氣體供應室95係透過密封構件(〇型環9坤而氣密地連接在侧懸12A之外壁，且翻f %之間係設置有具有軸承魏之密封構件⑽α磁場碰構件规），如地’内管92便為在確保真空容器丨的氣密性之狀轉地結構。双氣肢供應室95係連接有原料氣體之供應路徑％^ 在於内管92的氣體供應室％内之部分细彡成有氣體導λ ’糟此方式來將原料氣體供應到内管％内。此外， 92係例如沿著其長度方向而形成有作為氣體喷出口之個，隙97。此縫隙97具有傳導率調整構件之功能。在圖 ^乾例中，例如第16圖及第17圖所示，複數個縫隙97儀 ==。園周方向上的不同位置’且係形成在長度方向如第释)圖所^難97係叫_随而形成在例 36 201102456 如將内管92在關方向上予以3 #分之第2位輝度的位置）、第2位置(120度的位置）、第3位置(24〇度的位置）。一邊參照第17圖一邊就此圖案之具體範例加以說明。在第口⑻ 圖令，横轴係表示内管92的長度，縱軸係表示内管％的圓周方向角度，射以斜線顯示之部分係表示缝隙。再者，所謂内管92的長度’如第16圖所示，係指在真空容器（内之長^。在第17⑻圖之範例中’於第j位置處，係在内管％之前端侧區域與基端側區域形成有_奶，而於第2位置處，係在内管92 U端側區域形成有缝隙奶，而於第3位置处係在内管92之基端側區域形成有缝隙97c。此外，所謂前端側區域係指對應於旋轉台2的旋轉中心域’崎謂基__係挪應於麟纟特=域=;=狹;Γ亦可以將喷出，在 .,. Λ术予士成。亦即，只要將氣體噴出口形成位置=置:整ί體噴嘴9於長度方向上擬喷出原料氣體之膜=狀與位置則可適當地設定。其糊原_=種喷出位置調整氣體喷嘴9，被導人至内管幻之外=體a _管92之_ 97a〜97c^_ 外s 91之間隙，並從容器1内。此時丄出而被供應到真空口 9U上如據_ 97之位縣調整料9i之喷出出之原料氣予並對應於此來將從噴出口 91a所流 %與内ί 調整。亦即，若外f 91的噴出口的缝隙97之距離愈近，則外管91與内管92 37 201102456 3 外管91之氣體噴出量便會广夕。另-方面，由於外管91與内管92之間_隙係小如左右’故料管91的知口 9la細管92 ，離愈遠，導率會愈小，藉此_自柯9 ^ f便會變少，或變得幾乎不灿。如㈣，由於可調整噴出位置調整氣體嗔嘴9長度方向上之原料氣體的噴出量^ 可供應補充用原料氣體到旋轉台2半徑方向上之所欲區域。 =，藉由使内管92旋轉，且使擬賁出原料氣體的位置之缝隙97與外官91a之噴出口 91a相對向，而可供應補充用原^乳體舰轉台·半徑方向之所欲區域。例如^ 以第π⑻圖之〇度的位置⑷位置)之_97以朝(下= 式來使内管92旋轉之範例。藉此，由於從縫隙W位於上方，嘴出π 9la會噴出更多量的原料氣體，故在此範例中，從噴出位置調整氣體喷嘴9的前參丨區域及基端舰域便會供應有更多量的祕氣體。此外，例如第18(觸係以第17⑷ 圖=24。度之位置(第3位置〕的缝隙We為朝下之方式來使内s 92㈣之簡’此時從噴纽置調整氣體喷嘴9之基端侧區域會供财更乡量_料氣體。 +如此地’依據本貫施形態，藉由調整噴出位置調整氣體 f紫9之内$ 92的旋轉位置，則可調整第！反應氣體(原料乳體)在旋射2半徑方向上的氣粉布，且提高半徑方向上的原料氣體濃度之均姑，結果便可提高成膜處理的面内均勻+性。亦即’由於從與内管92的縫隙97相對向之外管 91的喷出口 91a會喷出更多量的原料氣體，故亦可在外管％ 38 201102456 長度方向上之擬喷出多量原料氣體之區域處，來適當調整朽管92以使縫隙97與喷出口犯相對向。此外，内管％之縫隙97 ’亦可例如依第17(b)圖所示之圖案來形成。此時，缝隙97不僅是在内官92圓周方向上之3個位置處，而亦可形成在圓周方向上的！處’抑或形成在2個以上的複數個地方。此外’如第15圖所示，在本實施形態中，雖係利用補充用氣體嗔嘴42、43來調整第2反應氣體(氧化氣體)在旋轉台2半挂方向上之氣體濃度分布，但亦可使时出位置調整氣體嗔嘴9來調整氧絲體在半财向上峨體漠度分布，抑或取代分離氣财嘴Μ、52 *使时恤置調整氣财嘴9來利用分離氣體以調整半徑方向上的氣體濃度分布。接著，關於喷出位置調整氣體喷嘴的其他範例，參照第 19圖加以說明。此範例的喷出位置調整氣體喷嘴ιι〇係取代如第16圖所示之噴出位置調整氣體喷嘴9的内管％，而具備有棒狀的桿體12G。在外管ni _部處，係在水平軸周圍旋轉自如地收容有與輕U1設置成同讀之桿體12〇，並於杯體120的周圍設置有形成傳導率調整構件的凸部 121。外管hi的内挂為例如左右，而桿體no之凸邠121與外管之間隙為lmm〜2mm左右，更佳為約 1mm ° 外官111的基端側係構成為例如凸緣部112，且介由作為密封構件之0型環113而賴地安裝在真空容器丨的側周壁12A，並於外管的下面處’在整個長度方向上以特定間隔而排列設置有作為氣體噴出口之噴出口 114。此外，此 39 201102456 外管ill的基端侧係連接有貫穿真空容器丨的刪壁以而設置之原料氣體的供應路徑115。桿體m的基端側係貫穿真空容器丨_周壁12A，而 ^接在使龍m旋水平_ _雜機構(馬達释之參考符號116為例如磁場屏_件，其係設置在侧 ^ 12_具_承功能之密封構件。在此桿 :=ί ，係例如沿著其長度方向而形成有傳導率調二m。例如第19圖所示’此凸部ΐ2ι為桿體12〇 0周方向上之-部分，且桿體120長度方向上之一部分应外 =的噴出口 m相對向時，係設定為將喷出口 ιΐ4覆蓋之大小。在此噴出位置調整氣體噴嘴110卜被導 ⑴ =體間隙之補氣體係從外管m之喷出口 ιΐ4而的位ΐί;::上7ι;Γ:ψ依設置在捍體12°之凸部121 二，來調整外★ m之喷出孔114上方 ^其來調雜他U14所郎之補氣齡： =可:f喷出位置調整氣體喷物長度方向= ===可概卿娜編轉台2半徑精及第2〇_，在凸部121對向於外管m 1出114之區域卜由於桿體12 1咖左右且傳導率變小 ^ 111之間隙為合變少，切采自貝出σ出之氣體喷出量便 ^方^為幾乎不會嘴出。另一方面，在凸部⑵非 ’ °、贺出口 114之區域t，由於桿體12〇與外管⑴之間 201102456 p系大且傳導轉變大，故氣體容m且來自噴出口 ii4 之氣體喷出量會好。因此，預先將在噴出位整氣體喷 ? 110長度方向上擬將原料氣體朝晶圓㈣出之區域予二決定，並藉由在該區域以外的其他區域中使凸部121對向於外管ill的喷出π m，則可供應補充用氣體到所欲區域/ 在喷出位置調整氣體噴嘴110中，藉由使設置在桿體12〇之凸部1以接近或遠離開外管ιη的嗔出口 m，來調整喷出H14上方之傳導率而調整來自喷出孔114之原料氣體的育出f ’如舰來調整噴出位置赃氣體噴嘴11G長度方向上之原料氣體的喷出位置。因此在仙位置罐中，例如第21圖所示，亦可使桿體竭目對於11U 而在水平方向移動之水平移動機構122來作為移動機構，而在凸部121接近外管lu的喷出口 114之位置與遠離的位置之間來使凸部121移動。此時，如第21圖所示，由於在喷出位置調整氣體喷嘴110之長度方向中，凸部m位在喷出口 114上方之區域處則傳導率會變小，故原料氣體的噴出量會艾少，抑或幾乎變得為不會噴出，結果便可在喷出位置調整氣體噴嘴11G之長度方向上來調整補充用氣體的噴出位置。此外在此範例中，亦可使外管U1側滑動。再者’噴出位置調整氣體喷嘴11〇例如第22圖所示，亦可利用使桿體120相對於外管ηι而在上下方向移動之升降機構123來作為移動機構，而在凸部121接近外管lu的喷出口 114之位置與遠離的位置之間來使凸部ι21移動。在此範例中，由於係在維持真空容器〗内之氣密性的狀態下來使 41 I S 1 201102456 桿體120升降，故在侧周壁12A之外侧係以包圍桿體12〇的移動區域之方式而形成有移動室124。第22圖的參考符號125 係作為密封構件之〇型環，且參考符號126係兼作為密封構件與軸承之磁場屏蔽。在此範例中，於喷出位置調整氣體喷嘴110之長度方向上，由於當凸部121接近噴出口 114時傳導率會變小，故原料氣體的噴出量會變少，抑或變得為幾乎不會噴出。另一方面，由於當桿體12〇離喷出口 ι14愈遠則傳導率會變得愈大，故原料氣體的噴出量會變多，結果便可在噴出位置調整氣體喷嘴11〇長度方向上調整補充用氣體的喷出位置。再者，在此範例中，亦能使外管111可升降地移動。在上述實施形態中’關於第2主氣體喷嘴41，雖係藉由補充用氣體喷嘴42、43來調整旋轉台2半徑方向上之氣體濃度分布，但在氧化氣體的半徑方向上之氣體濃度分布的調整方面’亦可使用喷出位置調整氣體喷嘴9、11〇來進行。此外，使用分離氣體來調整半徑方向上之氣體濃度分布時，亦可取代分離氣體贺嘴51、52而使用喷出位置調整氣體喷嘴9、 110。此時，可不限於1根喷出位置調整氣體喷嘴9、no，而亦可使用2根以上之喷出位置調整氣體喷嘴9、11〇，只要此喷出位置調整氣體喷嘴9、11〇可在旋轉台2的半徑方向上將補充用氣體供應到補充用氣體氣體濃度低的區域，則可設置在任意位置。並且，以本實施形態之氣體噴出口而言，可為喷出口或縫隙，其形狀可適當地設定。在以上的貫施形癌中’雖旋轉台2之旋轉轴22係位於真 42 201102456 斑中心部’且將分離氣體供應到旋轉台2的中心部 1的上面部之間的空間’但本發明其他實施形態 ^ t置亦可如第23圖所示般來予以構成。在第23圖的 :裝置中，真空容器1中央區域的底部14係突出於下方側 :形成有驅動部的收容空間⑽，並且在真空容器丨中央區 2上面形成有凹部⑶，且在真空容器丨中心、部處，於收 =空間130底部與真空容器1之凹部131上面之間則介設有柱13^，而藉由中心部來防止來自第〗主氣體喷嘴η之 BTBAS氣體與來自第2主氣體噴嘴42之&氣體相互混合。、，vuj外，以包圍支柱132之形態而設置有旋轉套筒133，亚沿著此旋轉套冑133❿設置有環狀旋轉台2。然後，將藉由馬達134所驅動之驅動齒輪部135設置在收容空間130，矛·!用此驅動齒輪部135並透過形成在旋轉套筒133下部的外周之齒輪部136來轉動旋轉套筒133。參考符號137、138及 139係轴承部。此外’沖洗氣體供應管84係連接在收容空間 130的；|部’且於真空容器1上部連接有用以供應沖洗氣體至凹部.131的側面與旋轉套筒133的上端部之間的空間處之分離氣體供應管85。在第23圖中，為了將N2氣體供應至凹部131的侧面與旋轉套筒133的上端部之間的空間處而使用 2個分離氣體供應管85，但另一方面，為了使BTBAS氣體與〇3氣體不會透過旋轉套筒133附近的區域而相互混合，亦可設置3個以上之分離氣體供應管85。在第23圖之實施形態中，由旋轉台2側來看時’凹部 131的侧面與旋轉套筒133的上端部之間的空間係相當於分 43 1 S ] 201102456 離氣體噴出口，然後藉由此分離氣體噴出口、旋轉套筒133 及支柱132 ’來構成仅於真空容器1的中心部之中心區域。在以上之實施形態中，雖係使形成载置台之旋轉台2於錯直轴周圍旋轉，但在本發明之其他實施形態中，如第24 圖所示，亦可使原料氣體嘴嘴群、氧化氣體喷嘴群、分離氣體喷嘴旋轉。此範例之成膜裝置係具備有在真空容器内旋轉於鉛直軸周圍的旋轉筒140，而此旋轉筒140係設置有原料氣體喷嘴群、氧化氣體嘖^•群、分離氣體噴嘴。此範例之載置台141與上述旋轉台2不同之處在於載置台141在成膜中不會在錯直軸周圍旋轉，而其他方面則具有相同的結構。例如，於載置台141的表面處，係沿著以旋轉筒14〇的旋轉軸為中心之圓而形成有作為基板載置區域之複數個叫部142。原料氣體喷嘴群150(第1主氣體噴嘴1M、第1中心側補充用氣體0152、弟1周緣側補充用氣體喷嘴ία)、氧化氣體喷嘴群160(第2主氣體噴嘴161、第2中心側補充用氣體喷嘴162、第2周緣偷J補充用氣體噴嘴163)及分離氣體喷嘴171、172係以延伸於载置台141的半徑方向之方式而= 接於旋轉筒10,並經由此旋轉筒140的内部來將各種氣體供應於各氣體喷嘴。用以形成分離區域之凸狀部143亦連接^ 此旋轉筒140,且會隨著旋轉筒10的旋轉而進行旋轉。此外，在旋轉筒140的下部形成有排氣口 144，真空容器係介由排氣口 144而被真空排氣。如此地，雖然氣體噴嘴群150、160、分離氣體喷嘴17ι、 172及凸狀部143為會旋轉之結構，但由於在載置台141的 201102456 中心侧與周緣侧之間，於載置台半徑方向上的切線速度不同’而使得晶圓w半徑方向上的氣體濃度容易變得不均勻，故從補充用氣體噴嘴152、153、162、163來將補充用氣體供應到載置台141半徑方向上之氣體濃度低的區域係為有效。本發明實施形態之成膜裝置及使用此裝置之成膜方法不限於使用2種反應氣體，而亦可適用於使用】種成膜氣體而在基板上形成薄膜之情況或依序地供應有3種以上的反應氣體到基板上之丨月況。例如使用3種以上的反應氣體時，係以例如第1反應氣體喷嘴、分離氣體喷嘴、第2反應氣體喷嘴、分離氣體喷嘴、第3反應氣體喷嘴及分離氣體喷嘴之順序來將各氣體喷嘴配置在真空容器1的圓周方向，而為了補充至少1個反應氣體喷嘴所供應之反應氣體在載置台半徑方向上的氣體濃度分布，則只要配置至少丨個補充用氣體供應機構即可。此外，本發明實施形態之成膜裝置及利用此成膜裝置之成膜方法可使用的製私氟體除了上述範例之外，亦可舉出有二氯矽烷(DCS)、六氣二矽曱烷(HCD)、三甲基鋁(TMA)、二 (二曱胺基）矽烷（3DMAS)、四（乙基甲基胺基酸= (TEMAZr)、四（乙基曱基胺基酸)^(TEMAH)、二(四曱基庚二酮酸)-鰓(Sr(THD)2)、（甲基戊二酮酸)(雙四曱基庚二酮酸)_ 鈦(Ti(MPD)(THD))、單胺基矽烷等。將安裝有以上所說明的成膜裝置之基板處理裝置顯示於第25圖。圖中’參考符號⑻係例如收納有％片晶圓而稱為七開式晶圓盒(Front-Opening Unified Pod，FOUP)之密閉型 [S1 45 201102456 器’參考符號182係配置有輸送㈣3之大氣搬送室，係可在大氣氣氛與真空氣氛之間切換氣氛裝载至(預備真工至）’而參考符?虎伽係配置有2座臂18二、18:b之真空搬送室’至於參考符號188、⑽係本發明實施雜之成職置。搬送容器m係從外部被搬送到具有未圖示的載置台之搬人搬出端口而連接在大氣搬送室 182後，利用未圖示之開關機構來開啟蓋子並藉由輸送臂⑻ 來從該搬送容器181内取出晶圓。接著，會被搬入職載室 184(185)内’且將室内從大氣氣氛切換成真空氣氛後，利用輸送臂職、職來取出晶圓並搬入到成膜裝置188、其中-者’而進行該成膜處理。如此地，藉由具備例如複數個(例如2個)5片晶圓處理用的本發明成膜裝置，則可以高產能來實施所謂的ALD(MLD；)。 ^ 以上之範例中，可至少就！個主氣體供應機構而設置用以補充旋轉台2半徑方向上之反應氣體的氣體濃度分布之補充用氣體供應機構’此時’為了補充丨個主氣體供應機構的氣體濃度分布，可晴使用第2 ®所示之補充用氣體噴嘴與嘴出位置調整氣體噴嘴9(11G)兩者。並且，主氣體供應機構及補充用氣體供應機構只要為沿著載置台的半徑方向而從氣體噴出口來供應反應氣體與補充用反應氣體之結構，則不限於具有氣It仙口之噴嘴狀結構。設置在錢體供應機構及補充用氣體供應機構之氣體喷出口可為喷出口或縫隙。本申凊案係根據2009年3月13日向日本專利局所提出申請之專利申請2_-〇61350號，而主張該申請案的優先權， 46 201102456 並參考該申請案的所有内容而援用於此。【圖式簡單說明】第1圖為第3圖之Ι·Ι，線剖關’係顯示本發明實施形態之成膜裝置的縱剖面。第2圖係顯4 1 ffi之細裝㈣内部概略結構之立體圖。第3圖係第1圖的成膜裝置之橫剖俯視圖。第4(a)圖、第4(b)圖係顯示第1圖的成膜裝置中之處理區域及分離區域的縱剖面圖。第5(a)圖〜第5(c)圖係顯示補充用氣體噴嘴之氣體喷出口的形成區域之縱剖面圖。第6(a)圖〜第6(d)圖係顯示原料氣體噴嘴群及氧化氣體喷嘴群之俯視圖與剖面圖。弟7圖係頒示弟1圖之成膜裝置的一部分之縱剖面圖。第8圖係顯示分離氣體或沖洗氣體流動的樣態之說明圖。第9圖係上述成膜裝置的部份剖切立體圖。第10(a)圖、第10(b)圖係顯示形成在晶圓w之膜厚與來自補充用氣體喷嘴之補充用氣體之供應區域的關係之縱剖面圖。第11(a)圖、第11(b)圖係顯示形成在晶圓W之膜厚與來自補充用氣體喷嘴之補充用氣體之供應區域的關係之縱剖面圖。

47 S 201102456 予以日圖係顯示糊分離氣體來將補腫及氧化氣體刀離且排出的情況之說明圖。圖係_補細氣體喷嘴的其他範例之俯視圖。圖。弟Μ圖係顯示補充用氣體嘴嘴的另—其他範例之俯視俯视g。15圖係顯示使用有噴出位置調整氣體噴嘴的範例之 =6(_、帛16(b)圖係顯示上述嘴出位置調整氣馬之縱剖面圖與内管的剖面圖。貝嘴嘴圖、第17幌係顯示形成在噴出位置調整氣體宵的内言之縫隙位置的說明圖。作用面圖圖18(b)圖係顯示上述噴出位置調整氣體噴嘴的第19圖係顯示喷出位置調整氣體噴嘴的其他範例之縱 °1】面圖。一第20(a)圖、第20(b)圖係顯示上述噴出位置調整氣體嘴的作用之縱剖面圖β 、第21(a)圖、第21(b)圖係顯示噴出位置調整氣體噴嘴的另〜其他範例之縱剖面圖。第22(a)圖、第22(b)圖係顯示噴出位置調整氣體噴嘴的另一其他範例之縱剖面圖。第23圖係顯示本發明之其他實施形態的成膜裝置之縱剖面圖。 ·’ 第24圖係顯示本發明之另一其他實施形態之成膜裝置 48 201102456 的縱剖面圖。第25圖係顯示使用有本發明的成膜裝置之基板處理系統的一例之概略俯視圖。【主要元件符號說明】 1 真空容器 2 旋轉台 3 原料氣體喷嘴群 4 氧化氣體噴嘴群 6 突出部 7 排氣區域 8 加熱器單元 9 喷出位置調整氣體喷嘴 10 輸送臂 11 頂板 12 容器本體 12A 側周壁 13 環 14 底部 15 搬送口 16 頂料銷 20 機箱體 21 核心部 22 旋轉轴 49 201102456 23 24 30 31 31a〜33a、41a~43a、51a、52a 31b〜33b 31c〜33c 32、33 32A、32B、33A、33B、42A、 42B、43A、43B 34a〜34c、35a、35b、36a、36b、 44a~44c、45a、45b、46a、46b 驅動部凹部氣體供應源第1主氣體喷嘴氣體導入端口供應路徑流量調整部第1補充用氣體喷嘴補充用氣體喷嘴喷出口 37 40 41 4lb〜43b 41c 、 43c 42、43 51 ' 52 54 55 安裝構件氣體供應源第2主氣體喷嘴供應路徑流量調整部第2補充用氣體喷嘴分離氣體喷嘴第1天頂面第2天頂面 56 彎曲部 60 間隙 61 分離氣體供應管 50 201102456 62 空間 71 ' 72 排氣口 73 排氣管 74 真空泵浦 75 壓力調整器 81 覆盍構件 82 、 83 、 84 沖洗氣體供應管 85 分離氣體供應管 91 外管 92 内管 93 凸緣部 93a、95a 0型環 91a 噴出口 92a 氣體導入口 94、95b 磁場屏Ik構件 95 氣體供應室 96 供應路徑 97 、 97a〜97c 缝隙 100 控制部 100a 製程控制器 100b 使用者介面部 100c 記憶體裝置 100b 使用者介面部 lOOd 電腦可t買式記憶媒體 51 201102456 110 喷出位置調整氣體喷嘴 111 外管 112 凸緣部 113 0型環 114 喷出口 116 磁場屏蔽構件 120 桿體 121 凸部 122 水平移動機構 123 升降機構 125 0型環 126 磁場屏敝 130 收容空間 131 凹部 132 支柱 133 旋轉套筒 134 馬達 135 驅動齒輪部 136 齒輪部 137、138、139 軸承部 140 旋轉筒 141 載置台 142 凹部 143 凸狀部 52 201102456 144 排氣口 150 原料氣體喷嘴群 151 第1主氣體喷嘴 160 氧化氣體喷嘴群 161 第2主氣體噴嘴 171 、 172 分離氣體喷嘴 152 、 153 、 162 、 163 補充用氣體噴嘴 181 搬送容器 182 大氣搬送室 183、187a、187b 輸送臂 184 、 185 裝載室 188 、 189 成膜裝置 200 成膜裝置 h 高度 A1 第1部分 A2 第2部分 C 中心區域 D 分離區域 M 薄膜 Ml ' M2 馬達 PI 第1處理區域 P2 第2處理區域 w 晶圓 53

Claims

201102456 七、申請專利範圍： 1. 一種成膜裝置，其係藉由在真空容器内供應反應氣體到基板表面來形成薄膜，其具備：載置台，係設置在該真空容器内，並具有沿著以該載置台的中心部為中心之圓所形成之基板的載置區域；主氣體供應部，係為了供應反應氣體到該載置台的載置區域，而與該載置台對向地設置；補充用氣體供應部，係為了補充該主氣體供應部所供應之反應氣體在該載置台半徑方向上的氣體濃度分布，而對著該載置台的表面供應該反應氣體；以及旋轉機構，係用以使該載置台相對於該主氣體供應部及補充用氣體供應部而相對地以該載置台的中心部作為旋轉轴而於錯直轴周圍進行旋轉。 2. 如申請專利範圍第1項的成膜裝置，其中該補充用氣體供應部係以從該載置台之中心部及周緣部的一側延伸至另一側之形態而設置，且由至少於其長度方向的一部分形成有氣體喷出口之補充用氣體噴嘴所構成。 3. 如申請專利範圍第2項的成膜裝置，其中該補充用氣體供應部包含有複數個該補充用氣體喷嘴，而該複數個補充用氣體噴嘴由載置台之半徑方向來看，係以形成有氣體噴出口的區域彼此之間相互不 54 同之方式所構成。 4.如_請專利範圍第2 μ + * 氣體噴嘴具傷㈣成㈣置，其中該補充用 -侧=另係:著從該载置台”心部及周緣部的方向而形成有氣體噴出口; 棒狀體，係在該外管之隙而設置成同心狀，且由管‘二卜⑽有間成· 如·及彳干體之任一者構傳導率調整構件，係為出口上方側的傳導率，而：::周正该外官之氣體喷上之至少一部分， ·以及在該棒狀體長度方向兮外係為了使該傳導率調整構件在接近 5亥外官的氣體喷出口之相耍Α 牧、噴出Π之位置之置與遠離該外管的氣體對地移動。間移動，而使該棒狀體與該外管相 =請專賴’ 4項的成膜裝置，其中該棒狀體 π由内部供應有反應氣體立 ^ 版〈s肢所構成，且該傳導羊，構件為形成在該管體之氣體喷出口。如申請專利範圍第5項的成構係為了使形成在該管體之^其巾該移動機機：貪出口’而使該管體旋轉於水平軸周圍之旋轉 ί申請專利翻第6項的錢裝置，其中該補充用虱體喷嘴形成有複數個該氣還賞出口，而該複數個 55 201102456 氣體噴出口係形成在該管體圓周方向上的不同區域，且為該管體長度方向上的不同區域；而該旋轉機構，係為了使形成在該管體圓周方向上的不同區域之該複數個氣體喷出口接近該外管的氣體喷出口，而使該管體旋轉於水平軸周圍。 8. 如申請專利範圍第4項的成膜裝置，其中該棒狀體係由桿體所構成，且該傳導率調整構件為凸部，該凸部係以覆蓋該外管的氣體噴出口之方式而設置在該桿體的周圍。 9. 如申請專利範圍第8項的成膜裝置，其中該移動機構為旋轉機構，該旋轉機構係為了使該凸部接近該外管的氣體喷出口，而使該桿體旋轉於水平轴周圍。 10. 如申請專利範圍第9項的成膜裝置，其中該桿體周圍形成有複數個該凸部，該複數個凸部係設置在該桿體圓周方向上的不同區域，且為該桿體長度方向上之不同區域；該旋轉機構係為了使該複數個凸部接近該外管的氣體喷出口，而使該桿體旋轉於水平軸周圍。 11. 如申請專利範圍第1項的成膜裝置，係藉由在該真空容器内依序地將會相互反應之該第1反應氣體與該第2反應氣體供應到基板表面且執行此供應循環來積層多層反應產物的層而形成薄膜；其中該主氣體供應部包含有第1主氣體供應部及第 56 201102456 2主氣體供應部，該二主氣體供應部係為了將第1 反應氣體及與該第1反應氣體產生反應之第2反應氣體供應到該載置台的表面，而以相互分離之方式設置在相對於該載置台之主氣體供應部的相對旋轉方向；該成膜裝置為了將該供應有第1反應氣體之第1處理區域與供應有第2反應氣體之第2處理區域的氣氛予以分離，而在該移動方向上更進一步地具備有位於該第1及該第2處理區域間之分離區域。 12.如申請專利範圍第11項的成膜裝置，其中該分離區域具備：分離氣體供應部，係用以供應分離氣體；以及頂面，係位於該分離氣體供應部之該旋轉方向兩側，而用以在其與載置台之間形成有為了使分離氣體從該分離區域流到處理區域側之狹窄空間。 57 S ]