TW201100974A - Projection exposure apparatus for semiconductor lithography comprising an optical correction arrangement - Google Patents

Description

201100974 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一種含有投射物鏡的投射曝光裝置，而投射物 鏡又含有光學校正結構。 【先前技術】 在現代的微影投射物鏡中，利用大量波前操縱器(wavefront manipulator)校正光學像差。這些操縱器大部分利用機械操縱光 〇 學元件’以進行波前校正。這利用位置變更及/或利用光學元件 變形來完成。這些操縱器可以校正低階波前像差，諸如一般發 生於以下情況時的波前像差：當物鏡結合所謂的習用設定一起 使用，且生產量約每小時丨2〇個晶圓。 〇 然而，不斷增加的生產量需求迫使在物鏡中必須使用更高 的光強度，因而發生於光學元件上的熱負載也不斷增加。此熱 負載造成波鈿像差(以狀也_咖订也0115):對透鏡而言，係藉由 溫度相依折射率與表面變形而造成波前像差；對鏡而言，^要 由於鏡基板觸脹產生的表面變形而造成波前像差。此外，在 微影發展巾’趨勢朝向照明蚊，如雙極 近光瞳的透鏡上必須使光功率密度強力集中，且=其 所形成^部綠貞載，造隸向及/或綠肖高階及高度局部 =波前像差。1始所提的操㈣，只能有限度地補償這些 ；^- ^ lifetime effect) 前像差也是囉的道理，這雜大科的原因Ϊ 用至：Ξ知:=密度而發生。這些波前像差也-樣’無法利 σ勺才呆縱器有效地進行補償。 201100974 以更有效的方式補償由光衰效應引起之該等波前像差的一 個可月b方法，目前是使用其上應用特殊校正非球面的可交換 板。在物鏡的衰退期以内’這些補償板可反覆交換，以在物鏡 衰退期中，適當地因應波前像差的變更。 雖然具有校正非球面的補償板可以補償像差，但補償板卻 不適合用來補償動態快速多變的像差。此外，在製作補償板之 刖’且尤其因此在將該補償板併入投射物鏡之前，必須先知道 要補償的像差。由於併入補償板時又會引起新的波前像差，在 Ό 此當然不可能完全補償像差。 所出現要解決的問題因而在於尋找波前操縱器，利用此波 . 刖操縱器，可以儘可能靈活的方式補償波前像差，或也可以說 * 是像差，及在此例中，尤其是指徑向及/或方位角高階像差，而 已知此靈活性是如同高空間解析度以及高時態解析度。此問題 的一個較佳解決方案包含可控制的二維校正非球面，尤其可補 償徑向及/或方位角高階像差。 Ο 如已經提到的，就上文意思來看，習知的操縱器大部分屬 於機械類型。因此，例如，DE 198 24 030 Α1說明一種具有適應 鏡的折反射投射物鏡，其中利用致動元件使鏡變形成減少特定 影像像差。 ΕΡ 678 768及DE 198 59 634 Α1同樣地揭露投射曝光裝 置，其中利用致動器使透鏡或鏡變形，以進行影像像差校正。 Ο

G 201100974 於***:的機械元件造成遮蔽與散射光，對 限於透鏡邊緣概念僅限於操縱透鏡的邊緣。此受 的Μ1#ΡΡ在ι ^此的彳父正輪廓的固有限制，特別是徑向級 的固有限制，這即使利用複雜的機制也無法避免。 熱操=作美國專利說明書US6，198,579B1中’已知有 置在透㈣缝操縱器的替代方案’其中熱操縱11同樣地設 ===:級=用文件中提出的熱操縱器如同其 二向級上也出現同樣的限制，且另外意味著因 動：埶::物的熱傳播速度所造成的相對較長時間常數。邊緣致 差iff因此主要適於補償時間上為穩定狀態的波前像 補償暫態波前if長時間常數，此類操縱器僅適於極有限度地

Pelt.-卜杜從DE 198 27 6〇2 A1認識到以設置於透鏡周圍的 ，校正非旋轉對稱影像像差的方法，射元 元件熱行為，致使對通過元件之輕射的非旋轉對稱 通路而S，校正所形成的成像像差。 同樣地’從DE 198 59 634 A1認識到校正光學元 鏡或鏡)之非對稱熱負載的器件與方法，其中同樣地利用致動器 使光學元件變形；同樣地，從US 6 081 388認識到_致動器 或定義的機械力使透鏡表面變形，致使影響成像像差。 … .............. 此外，從US 6 52! 877 m認識到利用透明電阻層局部令塑 光學元件溫度；在US 6466 382 B2中揭露一種替代解決方案曰， 201100974 其提出在透鏡上塗上具有吸收特性的層，該等層具有與可用光 覆盖區互補的構造。 文件 US2007/0019305 A1、US2003/0021040 A1、 WO2006/128613 Al、JP2004/246343 Al、EP0678768 A2、 US6198579B1及DE 10 2005 062401 A1揭露改良諸如半導體微 影投射物鏡之光學系統成像特性的其他概念。 0 W〇 2004/036316揭露一種校正光學元件(諸如鏡及透鏡)之 成像像差的方法，其中利用附加幅照改變光學元件溫度，致使 減少成像像差。然而，在此例中，有問題的是光學元件溫度整 f由於附加幅照而增加’這對使用引用文件中揭露的概念的可 能性具有貞面效應；尤其是柳透鏡與構造(安裝H縱器、…) 的干擾。此效應明顯增加成像/波前像差。 另一文件是US2006/0244940 A1，利用熱影響透鏡實現透鏡 的折射率及/或形狀，其中紅外光橫向輕射至受熱影響的透鏡。 ◎此處缺點同樣是在透鏡的光學利用區外受限的光波结 且因此還有操縱器與***縱透鏡的先驗(pr㈣遠麟。尤其， 以此方式操縱之透鏡的不明散熱非常不利。 【發明内容】 Α中I的之一在於提供一種半導體微影投射曝光裝置， w Q巧鼓活性與對投射曝光裝置光學效能的最小影響， 才工制或調整校正特性的選擇。 7 外 Ο 〇 201100974 利用包含如後射請專利範圍所m 曝光裝置達成此目的。本發明的有利 又射 參考申請專利棚附屬項。 /、，、體貫施例可另 根據本發明實施例的投射曝光裝置 至少-個光學元件:及至少一個幅照 局部加熱嫩賴彻，目軸钟=學=地 此加熱光學元件的電磁輻射以下又稱為「加熱 文中與在投射曝光裝置巾用來成像的電磁:」 稱為「有用輻射」。根據本發明實:例： 在有絲·由至少-倾照構件狀光學元件之熱 J、一 t财’消賴能的構件尤財_成通過光學元件至 /一個表面之流體的構件。 相鄰學ί件具有兩個光學局部元件，尤其是兩個 相U料面平储，且在其_成流射流動通過的通道。 可以流體定㈣行於絲元件的表面，或者流體也 J以具有疋向垂直於光學元件表面的方向分量。 … ------ 電磁加熱輻射可傳播通過流體。 此外，可將電磁加熱㈣導到光學局部元件的兩個通道 形 201100974 成表面上。 在本發明的替代性具體實施例中， 一 ;开.杜她.心為从她.„ ^ L _ 尤子兀•件具有 至少兩個 一局部元 2部元件彼此熱接觸，且其巾第二局部元件具有 件南的導熱率。在關巾，第二局部元件妖 熱器最後形肖散所引入熱能的構件；在二；态第士觸’散 件含有石英玻璃，及第二局部元件含有caF。 苐—局部元 Ο 的那一表面上。 此外，吸收加熱輻射的吸收層可設置在光學局部元件之— 者上；尤其，吸收層可設置在第一與第二光學局部元件之間。 在本發明的進一步具體實施例中，投射曝光裝置可以是 EUV投射曝光裝置；在此例中，將光學元件實現為投射曝光S Ο 置的鏡。在此例中’在鏡中利用加熱輻射引起的額外的鏡表= 熱變形，達成所要的校正效果。 為了消散熱能，例如，將設置通道，冷媒可在通道中流動， 且將通道設在鏡的鏡基板中。 此外，還設想消散熱能的構件是導熱固體，例如體現為諸 如纖維或導熱片的附加元件。此外，還設想藉由例如進一步散 . 熱功能性或利用其消散熱能的導熱特性，補充已經存在且連結 201100974 至鏡的si體組件’諸如運動元件、軸承元件或致動器。 ，此外，亦可利用輻射元件或利用流體消散熱能，該流體通 過鏡’且例如在複數帕(尤其是3至4帕)的壓力下利用氬或氮形 成。 消散熱能的可能具體實施例揭露於德國專利申請案De 1〇 2008049556.5，尤其在連同相關描述的圖19中，其揭露内容以 ㈣方式併人本申請案中。若對本申請案揭露内容與上述申請 案揭露内額之有不_致之處，以本巾請賴露内容為準。 在本發明另一變化中，存在另外操縱加熱輻射不為光學元 件吸收之這些部分的構件。在此例中，另外操縱的構件例如可 體現為吸收元件’其中吸收元件在一實例中可設置在投射曝光 裝，外殼内部。此外’還可以將吸收元件設置在投射曝光敦置 外殼之外；在此例中，有利的是在投射曝光裝置外殼中提供窗 口，允許未被吸收的加熱輻射在吸收元件的方向中傳遞。 〇 ^另外或者是也可以利用反射，操縱未被吸收的加熱輻射。 這例如可藉由存在反射元件的事實達成，反射元件可將加熱_ 射未被吸收的部分反射回到光學元件上，或將這些部分 他光學元件上。 具 為了最佳化根據本發明實施例之投射物鏡的校正效果，此 外可提供連接至影像感測器的控制單元，利用該控制單元可掌 響加熱轄射的參數’諸如方向及/或強度，或影響消散所引入^ 201100974 能之構件的特性，藉此以視情況而定的方式調適及改良校正效 果。 【實施方式】 圖1顯示本發明的第一具體實施例，其中光學元件2由兩 個局部元件21及22形成。在本範例中，將兩個局部元件21及 22形成為平面平行板，由石英玻璃組成。 〇 ^在兩個局部元件21及22之間形成通道6,冷卻液5的流體 可在其中流動通過。在此例中，以箭頭4指示流體的方向。 一而這有一個替代方案，其方式未在圖1中圖解，兩個局部 元件21及22亦可體現成僅通道6由兩個平面限定。這具有以 下優點：可在某種程度上自由選擇兩個光學局部元件21及22 的光學效果。因此’在此例中，尤其可自由選擇光學局部元件 的折射功率。 〇 ±在本例中，將加熱輻射7導到第一局部元件21遠離第二局 件22的那一側上。加熱輻射7以小角度(相對於表面），入 射於第-局部元件21遠離第二局部元件22的那―表面上，使 加熱輕射7不會人射到與第—局部元件21相鄰的光學元件3 ^從圖1可以清楚看出，由於小的人射角導致相同小角度的 ^角’細"的反射部分(未圖解於圖丨中)也未人射在相鄰的 予=件3上，且因此同樣地未對光學元件3造成意外的熱影 /加熱輻射7在局部元件u之表面上的局部吸收導致在冷卻 ，夜5之方向中的第-溫度梯度，該溫度梯度如箭頭8所示。 201100974 ,此1，如果以局部解析方式施加加熱輻射，將形成第二熱 梯度。這些第二梯度具有正交於上述溫度梯度的非零分量。根 據以上第—溫度梯度，熱流出現在箭頭8的方向中；在冷卻液5 的方向中傳導的熱由冷卻液吸收並隨著流體送走。這造成將溫 度梯度局部引人局部元件21的可能性，藉此達成平面平行板^ 的光學校正效果。此外，由於送走消散的熱能，因此可達到非 零(no^vamshmg)梯度的穩態。由於熱能是藉由加熱輻射而非設 置在「有用辕射」之光束路徑中的加熱元件引入投射曝光裝置 的光束路徑，可以假設投射曝光裝置的光學效能由於加熱(此加 熱並非因吸收加熱輻射所引起)所造成的任何減損實際上微 其微。 由溫度梯度所造成的折射率梯度影響局部元件21中的光學 路徑長度或相位。以此方式達成光學元件2的光學校正效果。 舉例而言，所使用的冷卻液5可以是已經在投射物鏡中使 用的沖洗氣(purge gas) ’且利用沖洗氣也可以使物鏡的其餘組件 〇 冷卻下來。此處可舉例提出Η2、N2、氦或乾燥的高純度氣體。 此外，其他氣體或液體(諸如水)尤其也很適合。 在本例中，加熱輻射7可使用具有波長大於2μιη，尤其是 大於4 μηι的輻射。舉例而言，這裡適合使用具有發射波長約為 —一雷射作為輻射源。此外，對使用由石英玻璃組成 的光學局部元件而s ’由於石英玻璃在此波長範圍中亦具有吸 收特性，亦可以選擇波長小於約丨8〇 nm的加熱輻射7。對局部 元件21使用石英玻璃而言’光學有用輻射可具有大於丨9〇 iim 201100974 的波長。對於其中光學局部元件21使用的玻璃具有〇Ή濃度大 於500 ppm的情況’亦可採用具有波長介於約2 65 μιη及2 85^坊 的加熱輻射7，因為ΟΗ吸收峰值在此範圍内。 如果吸收加熱輻射的光學元件使用CaF2，則建議加熱輻射 使用具有波長小於約160 nm或大於9 μηι的電磁輻射。 此外，有利的是，對於投射曝光裝置大於35〇nm的可用坡 0 長(也就是用來曝光晶圓的波長），由光學玻璃組成的光學元件可 以採用具有波長小於350 nm或大於2 μιη(尤其是大於2.5 的加熱輕射。 圖2圖解本發明之一變化，尤其適於使用氣態流體作為冷 卻液5時。 ，本例中，光學元件2僅有第一光學局部元件21，作為流 體的氣流(再次以箭頭4指示)被引導實質平行於該局部元件的 表面而流過該局部元件。此結構相對於圖1所示具體實施例並 未另外麦更。投射物鏡已經使用的沖洗氣可在圖2所示例子中 使用5亥氣體以較佳為增加的質流率，被引導大約平行於光學 局。卩元件21的表面而流過該局部元件。 此結構比第一示範性具體實施例簡單的構造在此例中很有 在圖2所示具體實施例的變化中，流體可具有其移動方向 〇 〇 t鏡中使用 201100974 顯 樣可:==== 更多自由度。 將¥致局°卩70件21關於溫度梯度形成的 射诵本發明之—具體實施例，其中電磁加触射7入 射通過流體至局部元件21面對流體的那一表面上。•铺 溫度梯度帛/絲加妹㈣起的溫度梯度(該 遠離流ί 4的那一侧。：:二8 :示)，未必達到局部元件21 的那-侧上的溫度分布很均;:且二=2咖 ::上具有所要的梯度。光學此 =: 藉ν減少此種分量在投射物鏡中干擾的可能性Γ 在此例中，如果冷卻液5對於埶 的可能透射率，則很有利。這通常對;;上二3長具有最高 的沖洗氣而言，也是同樣的道理。…L又'物， 元件面r°_撞擊在局部 構 ，開啟以下可能性：實現同樣朝外為熱中 為此目的，舉例而言’可 、先子杈正 矛j用流體達成惶定冷卻， έ士 及借助 201100974 加熱輻射7 ’將兩個光學局部元件21及22加熱至物鏡溫度。兩 個局部元件21及22因此顯現為朝外熱中性。由於兩個局部元 件現在被加熱，首先可獲得較高的操縱自由度，其次亦可達到 操縱器範圍增加，這隨著整個輸入的加熱賴射能上升。 圖6顯示本發明之一進一步具體實施例，其中光學元件2 具有兩個彼此熱接觸的局部元件23及24。 0 在本範例中，第一局部元件23以吸收加熱輕射7的光學材 料形成，諸如石英玻璃，而第二光學局部元件24以相對於該石 英玻璃具有較佳導熱率的光學材料形成，諸如CaF2。此材料配 對尤其適於具有可用波長>193 nm的物鏡。在此例中，同樣地， 溫度梯度在第一局部元件23中形成，並形成進而影響可用光之 光學路徑長度或相位的折射率梯度。 在此例中，再次以箭頭8指示溫度梯度。該溫度梯度及隨 之起的熱流，從第一局部元件23傳播通過第二局部元件24 〇 且進入安襞架15，安裝架用作散熱器。在此例中，安裝架15 可設有附加的冷卻器件/散熱器（未顯示）。 长加熱輻射7在第二局部元件24之方向的軸向中，局部施加 流動通過第一局部元件23之非零分量的熱流，如箭頭8所示。 以^方式’在第一局部多件23中，由於其較低導熱率，大幅溫 度杧加局部上升。由於第二局部元件24具有高導熱率(Cah具 有=石英Γ%七倍的導熱率），因而按照箭頭8的方向，將施加的 熱机傻向傳導至光學元件2之邊緣處的散熱器丨5。在此例中， 201100974 在局部元件24中上升的溫度增加明顯小於在局部元件23中的。 局部兀件23(較低導熱率）令的局部溫度增加使其中的折射 率局部變更。此效應亦顯現在第二局部元件24中，但由於此局 部元件加熱程度明顯較小，因而顯現的程度也明顯較小。° 圖7圖解本發明之一變化，其中將加熱輻射7導到第一局 部元件23熱連結至第二局部元件的那一表面上；換句話說，二 熱輻射7被輕射至第二局部元件24。為此目的，有利的是選擇 加熱輻射7的波長在>2 μιη的範圍中，尤其是>4 0111及<9卩瓜。 CO雷射具有發射波長為5.3 μιη’因此尤其適合作為加熱輻 射7的來源。 ^ 圖8顯示本發明之一進一步具體實施例，其中將吸收加熱 輻射7的吸收層17設置在第一局部元件23與二局部元件24^ 間。 〇 對於在石英玻璃吸收不佳之波長範圍中的加熱輕射，尤其 可使用吸收層17,以明顯改變石英玻璃的折射率，或可用於其 中兩個光學局部元件23及24使用相同材料的情況。然而，^ 收層17的一個需求是，對於投射曝光裝置的可用波長，必須具 有明顯較佳的透射性。 ' 對於其中可用波長約193 nm的情況，加熱輕射應選擇小於 180 urn的波長。因此，如對於設置在兩個由CaF2及石英破璃組 201100974 成之局部元件間的吸收層π，應選擇在約155 nm至約觀腿 範圍中的加熱波長。 此外，亦設想選擇在有用輻射波長範圍中的加熱輕射波長。 然而，在此射’有-個_是，光學校正結構中的吸收 比較低。 Ο 〇 圖9醜半賴郷投祕紐置31，射整合所述校正 ，構與光學耕2。該裝置用於曝光構造至塗有感光材料的基板 ^^基板-般主要由魏成，稱為_ 32，可製造半導體組 件，諸如電腦晶片。 在此财，投射曝光裝置31實質上包含：_器件％ ;接 $精較機狀遮罩的器件34 ;觸的鮮％，用於 ==圓32上後來的構造；固定、移動及精確定位該晶圓32 的讀36 ;及成像科，即投射物鏡37，具有複數個光學元件 ’利用在投射物鏡37之物鏡肢4〇巾的安餘％支擇。在 ，例中’可用如在投射物鏡37或照明器件33中任何所要位置 2解的光學元件，設置根據本發_校正結構。投射物鏡37 中有兩個設置校正糾的健位置：分別為接近光瞳平面及接 近場平面之處。此處’已知如果沒有其他辟时分別更接近 ^曈平喊場平面’贱學科接近簡物鏡π的紐平面或 場平面。 在此例中，針對引入成像於晶圓32 上之光罩35的構造提 201100974 供基本功能原理，成像—般以縮倍的方式實行。 個各後所碩方向進—步移動晶圓32，結果使多 由於i投射曝光裝置目同晶圓32上曝光。 〒使日日圓32逐步前進移動，所以投射 於晶圓32上。與曰曰圓32 —起移動期間，按掃描方式成像 ^明ϋ件33提供成像光罩35於晶圓％上所需的投射光束 如’光或類似的電磁輕射。雷射或其類似物可用作此賴 =來源。輻射_絲元件在照㈣件33中成形，致使投射 41在照射於光罩35上後，即具有關於直徑 、極性、波前 形狀等的所要特性。 利用光束41，由投射物鏡37以對應的縮倍方式產生光罩 35的衫像並將此影像轉移至晶圓％上，如上文已經解說的。投 G 射物鏡37具有多個個別折射、繞射及/或反射光學元件38，諸 如透鏡、鏡、稜鏡、端板等。 圖10顯示本發明之一具體實施例，其實現另外操縱加熱輻 射7不為光學元件2吸收之這些部分的第一個可能性。在此例 中’入射輻射7撞擊在光學元件2的區域302上。輻射7的特 定部分在區域302中被吸收，因而使區域302加熱。藉此達成 光學7L件2所要的校正效果。然而，經常會發生這樣的情況： 入射輪射7在區域302中並未全部被吸收，而是輻射7的特定 18 201100974 部分被散射或反射。在此例中，反射輻射部分與吸收輻射部分 的比值尤其取決於入射角、入射輻射的極性、及光學元件2的 表面組成及材料選擇。所需要的是操縱入射輻射7之未被吸收 的部分，達到不會在他處造成不必要干擾的效果。為此目的， 利用吸收器301吸收輻射7之未被吸收的部分，以防止以下情 況：其中在系統中發生進一步反射或散射，及無法控制光學元 件2中未被吸收的部分由光學系統的其他組件吸收。在此例中， 吸收器301可體現為具有尖端的緩衝板，或體現為具有結構化 0 表面的材料或具有吸收層的主體。控制以免吸收輻射7在光學 元件2中未被吸收的部分具有以下效果：輻射7可以比較小的 角度入射在光學元件2上。在此例中，加熱輻射之未被吸收的 部分一般延長了加熱輻射的已吸收部分，且實際上可由吸收器 301抵銷，因此，不會造成不想要的效果如被光學元件2以外 ，光學器件吸收。以此方式實現的較小入射角因而可以明顯減 少有用輻射方向中，物鏡中所需要的額外構造空間。 圖11顯示本發明之另一變化，其中使用反射器3〇4取代使 〇 用吸收器，構造並未另外變更。反射器304將光學元件2中未 被吸收之輻射7的部分反射回到區域302中，結果光學元件2 被輻射7加熱，其效率比沒有反射器的解決方案增加。 未被吸收的輻射不一定要由反射器304反射回到光學元件 21 加熱區域3〇2。藉由對應地傾斜反射器3〇4，同樣可以加熱 光‘元件2的其他區域3〇5，如圖12所示。在此例中，區域302 、(^5在工間上彼此隔開、彼此鄰接或重疊。在設計系統時， 將光4·元件2之角度相依的吸收特性納入考量，即可以有目標 201100974 的方式影響不同加熱區域302及305的熱輸入。 原則上’針對另外操縱輻射7之未被吸收的部分所顯示的 可能性並不限於輻射7的小入射角；事實上，有利的是，二對 實際上所有設想的入射角，可採用圖1〇至12所描述的解決方 案。 、 【圖式簡單說明】 本發明基於一些示範性具體實施例加以詳細解說。 圖中： 圖1顯示本發明的第一具體實施例； 圖2顯示本發明實_之—變化，尤其適於使用氣態流體

圖4顯示本發明實施例之一變化， 一變化，其中加熱輻射撞擊穿過

20 201100974 置； η目m林發明之—具體實闕’其巾實現糾操縱加熱 輕射不為光予元件吸收之這些部分的第一個可能性，· 圖11顯示本發明實施例之另―變化，其中使用反射器取代 使用吸收器’構造並未另外變更；及 圖12顯示圖11所示解決方案的變化。 【主要元件符號說明】 1 光學校正結構 2 、 3 、 38 光學元件 4、8 箭頭 5 冷卻液 6 通道 7 加熱輻射 15、39 安裴架 17 吸收層 21、22、23、24 局部元件 31 投射曝光裝置 32 晶圓 33 照明器件 34 接收及精確定位遮罩的器件 35 光罩 36 固定、移動及精確定位晶圓 37 投射物鏡 40 物鏡外殼 41 投射光束 Ο 〇 201100974 301 302 ' 305 304 吸收器 區域 反射器

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Claims (1)

1. 201100974 七、申請專利範圍： 1. 一種半導體《彡投㈣絲置，包含—光 校正結構包含：至少-個光學树；至少_個_= ’該光學 標性地局部加醜光學元件的電磁加熱細 _ ’例用目 該光學元件， 目輮性地局部幅照 其特徵在於： 入該光學元件之熱能 存在用以消散由該至少一個幅照構件引 的構件。 2·如申請專利範圍第1項所述之投射曝光裝置， 其特徵在於： 該消散熱能轉件涉及形成-紐、尤其是—氣流、的構件， 該流體通過該光學元件的至少一個表面。 3.如申請專利範圍第2項所述之投射曝光裝置， 其特徵在於： 該光學元件包含兩個光學局部元件，其設置相鄰且在其間形 〇 成一通道’該流體可流動通過該通道。 4.如申請專利範圍第3項所述之投射曝光裝置， 其特徵在於： 該通道由該等光學局部元件的平面圍住（bordered)，該等平 面尤其體現為平面平行板。 5·如申請專利範圍第2至4項任一項所述之投射曝光裝置， 其特徵在於： 23 201100974 該電磁加熱輻射傳播通過該流體。 6.如申請專利範圍第3至5項任一項所述之投射曝光裝置， 其特徵在於： 將該電磁加熱輕射導到該等光學局部元件的兩個通道-形成表 面上。 7.如U利範圍第2至6項任-項所述之投射曝光敦置， 其特徵在於： 該流體的移動方向定向平行於該光學元狀—表面 其移動方向定向垂直於絲學元件之—表__分量。、 8.如申4專利範II前述任-項所述之投射曝光裝置， 其特徵在於：

   該光學秘具註少_局部元倾此熱接觸， 且其中第 局部元件較佳是含有CaF並具有一 _ 率，該第-局部元件較佳是含有石有英玻Γ合與其熱起形偷_^能3 9.如申請專利細第8項所述之投射曝光裝置， 其特徵在於： & 該加熱輻射被導到該第一局部元件遠離該第H从 二=，或該加熱韓射被導到該第-局部元件的那 部兀件的那一表面上。 至邊弟二局 24 201100974 10.如申請專利範圍第8至9項任一項所述之投射曝光裝置， 其特徵在於： 用以吸收該加熱輻射的一吸收層設置在該等光學局部元件之 一者上，較佳是設置在該第一光學局部元件及該第二光學 件之間。 Q 11.如申請專利範圍第i項所述之投射曝光裝置，其特徵在於：該

   光學儿件健投轉絲置之—鏡，及該魏曝光裝置」 EUV投射曝光裝置。 12.如申★請專利細第11項所述之投祕光裝置，其特徵在於： 蓄，^等消散舰的構件為魏基板巾—冷媒可流動通過的通 ，較佳是體現為運動元件、 該等消散熱能的構件為導熱固體 轴承元件或致動器，或 流， 該等構件體現為附加元件，尤其是纖維或導熱片，或 該等消散熱能的構件為放射性元件或—越，尤 特別是-壓力為複數帕(較佳是3至4帕)的氮或氣通過該鏡、。 於 構件 專利細前述任-項所述之投㈣光裝置，其特徵在 …卜操縱該加熱触不為該光學元件吸收之這些部分的 之減二件尤越現為適於魏具有該加純射之波長 其特徵在於： 丨4.如申請專鄕述之投姆光裝置， 201100974 該吸收元件設置在該投射曝光裝置的一外殼之外，及泫外殼具有 -窗Π ’在該吸收元件的方向中，傳遞該加熱輕射之^銳收的 部分。 I5.如申請專利範圍第13或14項所述之投射曝光裝置，其特徵在 於’該另外操縱的構件為反射元件，利用該反射元件，可將該輻 ，之未被吸收的部分導到該投射曝光裝置之該光學元件或不同組 件上。 Ο

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