TW201036176A - Wavelength conversion film-forming composition for photo-electric converter, wavelength conversion film for photo-elective converter, and photo-electric converter - Google Patents

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Description

201036176 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種目的在提升由光能至電力之變換效 率之光電變換裝置’例如用以形成設置在太陽電池上之波 長變換膜之組成物。此外，本發明並關於一種使用該組成 物所形成之波長變換膜。 〇 【先前技術】 pn接合型、色素增感型等各種太陽電池正在進行硏 究、實用化中。然而，已實用化之傳統之太陽電池，其光 電變換效率尙不能說夠高。 爲提升變換效率’有檢討將入射光之波長中對於光電 變換無貢獻之波長（例如紫外光區域），改成對於光電變 換有貢獻之波長（例如可見光區域），該具有波長變換功 能之太陽電池。此種太陽電池，例如揭示於以下專利文獻 〇 1至專利文獻1 〇中。 先前技術文獻 專利文獻1 :特開平7 - 1 4 2 7 5 2號公報 專利文獻2:特開平9-230396號公報 專利文獻3:特開2000-313877號公報 專利文獻4:特開2001-308365號公報 專利文獻5:特開2003-243682號公報 專利文獻6 :特開2004-297025號公報 201036176 專利文獻7 :特開2006- 1 73545號公報 專利文獻8 :特開2006-269373號公報 專利文獻9 :特開2006-303033號公報 專利文獻10:特開2007-265629號公報 【發明內容】 發明之揭示 發明所欲解決之課題 如上述專利文獻1至專利文獻1 〇所示者，到目前爲 只所提案之具有波長變換功能之太陽電池，係具有將波長 變換物質，亦即螢光體，進行分散之膜之特徵。又在專利 文獻1中，揭示了使單數或複數之波長變換物質進行分散 之其他物質（透明樹脂等）所成之波長變換層，與該波長 變換物質共同形成之波長變換層。惟在同文獻之實施例中 ，卻僅記載了將前者之N-甲基-2-苯胺基-萘-6-磺酸分散 於聚甲基甲基丙烯酸酯或P型矽層中之波長變換層之例子 ，其並未具體記載由波長變換物質所成之波長變換層之例 子。 具有使螢光體進行分散之波長變換功能之膜，如爲提 高波長變換所致之效果而將該螢光體過剩地導入時，被認 爲將有凝集等所發生之膜變質之問題、以及在膜中難以均 一地進行分散等問題。進而，如使用銪（Eu )、铽（Tb )等之稀土類兀素或稀土類錯合物時，又有近年關於稀土 類化合物之需要增加及資源分配偈限性所導致之價格高騰 -6- 201036176 之問題，都被認爲是難以實現低成本之問題所在。 本發明之目的，係爲獲得一種光電變換裝置用波長變 換膜形成組成物，其可期待提升因波長變換所致之光電變 換效率，並可實現低成本。進而本發明之目的，並在提供 一種以上述組成物所形成之光電變換裝置用波長變換膜及 具有該變換膜之光電變換裝置。 〇 解決課題之手段 本發明係一種光電變換裝置用波長變換膜形成組成物 ，其特徵係含有：具有螢光部位（螢光發生部位）之聚合 物或低聚物，以及溶劑。 本發明之光電變換裝置用波長變換膜形成組成物中所 含之聚合物或低聚物，係於該聚合物或低聚物之主鏈或側 鏈上有前述螢光部位導入者，具體而言，該螢光部位係蒽 或其衍生物、香豆素或其衍生物、螢光素或其衍生物、鹼 Ο 性蕊香紅、曙紅、茈或其衍生物、芴或其衍生物、或芪或 其衍生物。 本發明之波長變換膜形成組成物所含之前述聚合物或 低聚物，係丙烯樹脂、甲基丙烯樹脂、酚醛清漆樹脂、氨 基塑料聚合物、聚醯胺、聚醯亞胺、聚酯、聚芴、聚芴衍 生物、聚矽氧烷、聚矽烷、或聚碳矽烷。前述聚合物或低 聚物之數平均分子量Μη，例如係5 00~50,000之範圍。
本發明之波長變換膜形成組成物所含之溶劑’例如有 丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA)、丙二醇單甲醚（PGME 201036176 )、丙二醇單***、乳酸乙酯、環己酮、環己醇、了-丁 內酯、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇、2,3 -丁二醇、三乙 二醇、二乙二醇單***乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、 二乙二醇單甲醚、二乙二醇單***、二乙二醇單丁醚、二 乙二醇二丁醚、二丙二醇單甲醚、丙三醇、醋酸丁酯、醋 酸己酯、二丙酮醇、碳酸丙烯酯、四氫糠醛、乙醯基丙酮 、甲苯、Ν,Ν-二甲基甲醯胺、Ν-甲基-2-吡咯烷酮（ΝΜΡ )等之有機溶劑。前述溶劑，亦可爲2種以上之有機溶劑 之組合。如將本發明之波長變換膜形成組成物中，扣除溶 劑之成分作爲固態成分時，相對於該組成物之固態成分之 比例，例如係3〜40質量％，較佳係7〜30質量％。 本發明之波長變換膜形成組成物中所含之前述聚合物 或低聚物，係進而具有交聯部位者。交聯部位，例如有經 基、羧基、環氧基、氨基、矽烷醇基、炔基。 本發明之波長變換膜形成組成物，亦可進而含有交耳節 劑。藉由具有交聯部位或使用交聯劑，如在前述聚合物$ 低聚物之安定性（尤其是耐熱性、耐光性）不完全時，就 可藉由交聯使其安定性獲得提升。交聯劑，例如有六甲氧 基甲基三聚氰胺、四甲氧基甲基苯并鳥糞胺、丨，3,4,6_四 (甲氧基甲基）甘脲、1，3,4,6-四（丁氧基甲基）甘腺、 1,3,4,6-四（羥基甲基）甘脲、1，3-雙（羥基甲基）尿素、 1，1，3,3-四（丁氣基甲基）尿素、1,1,3,3-四（甲氧基甲基 )尿素、嵌段異氰酸酯（將4,4'_二苯基甲烷二異氰酸醋 、聚伸甲基聚苯基聚異氰酸酯、甲代苯撐二異氰酸醋、六 -8- 201036176 伸甲基異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、四甲基伸二甲苯 基二異氰酸酯等’以甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、 2 -乙基己醇、環己醇等之醇類、苯酚類、丙二酸二甲酯、 乙醯乙酸乙酯等之活性伸甲基類、甲乙酮肟、丙酮肟、環 己酮肟、苯乙酮肟、二苯甲酮肟等之肟類、ε_己內醯胺 、r-己內醯胺、点-己內醯胺等之己內醯胺類加以保護之 化合物）。 〇 本發明之波長變換膜形成組成物，亦可進而含有抗氧 化劑及/或自由基捕捉劑（radical scavenger)作爲添加物 。抗氧化劑、自由基捕捉劑，皆可適用一般習知之化合物 ’當前述聚合物或低聚物之安定性（尤其是耐熱性、耐光 性）不完全時，可使其安定性獲得提升。此等之添加物， 可與交聯劑倂用，亦可不與交聯劑倂用；可與具有交聯部 位之聚合物或低聚物倂用，亦可不與其倂用。 又本發明，亦以由上述波長變換膜形成組成物所形成 〇 之光電變換裝置用波長變換膜作爲對象。本發明之波長變 換膜’除了可以旋轉塗佈法、噴塗法、浸漬式塗佈法等各 種塗佈法而簡單地形成外，亦可在160。(：左右（例如100 °C至220°C )之比較低溫下而成膜。 如此所得到之上述光電變換裝置用波長變換膜，亦適 用於太陽電池。 進而’藉由在作爲基材之薄膜上，塗佈本發明之波長 變換膜形成組成物，亦可得到波長變換膜。 此外’將本發明之波長變換膜形成組成物作爲原料， 201036176 再藉由延伸等亦可形成波長變換膜。 發明之效果 本發明之光電變換裝置用波長變換膜形成組成物由於 不使用稀土類化合物之故，可以低成本提供光電變換裝置 用波長變換膜，而且可期待以低成本提升太陽電池之光電 變換效率。 此外，藉由將分散有波長變換物質（螢光體）之膜， 改以使用有螢光部位（螢光發生部位）以化學性結合之聚 合物或低聚物使其形成膜者，除了可將取代螢光體之螢光 部位（螢光發生部位）更多地導入膜中外，還可提升所形 成之波長變換膜之安定性。進而，藉由選擇適當的螢光部 位’就可進而期待其提升各種太陽電池之光電變換效率。 【實施方式】 實施發明之最佳型態 本發明之波長變換膜形成組成物所含之聚合物或低聚 物’例如有丙烯樹脂、甲基丙烯樹脂、酚醛清漆樹脂、氨 基塑料聚合物、聚醯胺、聚醯亞胺、聚酯。在此所謂之酚 醛清漆樹脂，亦可爲苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆之任一 者。前述聚合物或低聚物，亦可使用聚芴或其衍生物、聚 矽氧烷、聚矽烷、或聚碳矽烷。 上述聚合物或低聚物之螢光部位（螢光發生部位）， 例如有蒽或其衍生物（2-蒽羧酸、9-蒽羧酸、2-乙烯基蒽 -10- 201036176 、9-乙烯基蒽、9-羥基甲基蒽等）、香豆素或其衍生物（ 4-羥基香豆素、7-羥基香豆素等）、螢光素或其衍生物（ 螢光素異硫氰酸酯等）、鹼性蕊香紅（鹼性蕊香紅B、鹼 性蕊香紅6G等）、曙紅（曙紅-Y、曙紅-B等）、茈或其 衍生物（3,4,9,10-茈四羧酸二酐等）、芴或其衍生物（9-芴醇、1-芴羧酸、9-芴羧酸、9,9-雙（4-羥基苯基）芴等 )、或芪或其衍生物（4,4’-芪二羧酸等）。螢光部位（螢 〇 光發生部位），例如亦可導入於聚合物或低聚物之側鏈。 又螢光部位（螢光發生部位）在聚合物或低聚物之側鏈上 之導入，例如可以接枝聚合行之。螢光部位之導入比例並 無特別之限制，可爲超過相對於聚合物或低聚物之〇莫耳 %之任何比例。 本發明之波長變換膜，具有一種將對光電變換無貢獻 之波長，變換爲對光電變換有貢獻之波長之功能。具體而 言，本發明之波長變換膜，係將某種波長變換爲較其爲長 €) 之波長，例如將較3 70 nm爲短之波長變換爲3 70 nm以上 之波長者。其中，尤以將紫外光區域之波長（10 nm〜3 6 5 nm)變換爲可見光區域之波長（ 3 70 nm〜8 00 nm)者爲其 特徵。此外，對於光電變換有貢獻之波長之範圍，會因爲 太陽電池之種類而變化，舉例而言，即使是矽系太陽電池 ，亦會因爲所使用之矽之結晶型態而變化。例如在非晶矽 太陽電池，約爲400 nm至700 nm ;多結晶矽太陽電池， 約爲600 nm至1100 nm。因此，對於光電變換有貢獻之 波長，未必限於可見光區域之波長。 -11 - 201036176 本發明之波長變換膜所適用之太陽電池’並不限於特 定種類，可適用於使用非晶矽、多晶矽等之矽系太陽電池 、使用 GaAs、CIS、CIGS等之化合物之半導體系太陽電 池、有機薄膜型太陽電池、色素增感型太陽電池、量子點 型太陽電池等之有機系太陽電池。再者，該波長變換膜， 只要是設在太陽電池之受光部即可，至於其配置態樣則無 特別之限制。 以下，茲具體地說明本發明。惟本發明並不受這些合 成例或實施例之任何限制。 實施例 本說明書所記載之聚合物之平均分子量，係以凝膠滲 透色層分析（以下，簡稱爲GPC )所進行之測定結果。所 使用之裝置、條件等皆如下述。 合成例1至6及9 GPC 裝置：HLC-8220 GPC ( Tosoh (股）製） GPC管柱·· Asahipak (註冊商標）GF5 10HQ (昭和電工（ 股）製）
管柱溫度：40°C 溶劑：1 0 mmol/L溴化鋰水合物 二甲基甲醯胺（DMF ) 溶液 流量：0.6 ml/分 標準樣品：聚苯乙烯（昭和電工（股）製） -12- 201036176 合成例7、8及10 GPC 裝置:HLC-8220GPC ( Tosoh (股）製） GPC 管柱：Shodex (註冊商標）KF803L、KF802 > KF801 (昭和電工（股）製） 管柱溫度：40°C 溶劑：四氫呋喃（THF ) 流量：1.0 ml/分 〇 標準樣品：聚苯乙烯（昭和電工（股）製） 本說明書所記載之環氧基價，係以滴定所得之測定結 果。 所使用之裝置、條件等皆如下述。 滴疋裝置·自動滴疋裝置GT-100 (三菱化學（股）製） 滴定樣品：0.1 mmol/L過氯酸 醋酸溶液 溶液：丙二醇單甲醚 〇 合成例1 在以氮氣取代之反應容器中，加入式（丨）： [化1] (1) :〇 g及四氨呋喃 所示之單體（東京化成工業（股）製）40 -13- 201036176 128 g，於還流下攪拌。再於其中’滴入α，α'_偶氮二異 丁腈2 g及四氫呋喃4 0 g之混合溶液。攪拌1 2小時後’ 將反應溶液冷卻至室溫’滴入於二***2,100 g中’進行 再沈澱。所得到之聚合物進行GPC之平均分子量’以標 準聚苯乙烯換算，其重量平均分子量19，000 ’數量平均分 子量7,800。環氧基價則爲6.9 mol/kg。
合成例2 對於合成例1所得到之聚合物3.00 g ’加入蒽衍生物 之一種之式（2 ): [化2]
°W〇H (2) 所示之單體（東京化成工業（股）製）0_46 g、苄基三乙 基氯化銨0.11 g及丙二醇單甲醚14.28 g，於還流下攪拌 24小時。將反應溶液冷卻至室溫，滴入於二***200 g中 ，進行再沈澱。其環氧基價則爲5.6 mol/kg。所得到之聚 合物，係以式（1-2)表示，且構造單位A及構造單位B 則以線狀呈規則或不規則之排列。 -14- 201036176 [化3]
B (1-2) 合成例3 對於合成例1所得到之聚合物3 · 0 0 g，加入香豆素之 一種之式（3 ): [化4]
所示之單體（東京化成工業（股）製）0.34 g、苄基三乙 基氯化銨o.ll g及丙二醇單甲醚13.79 g，於還流下攪拌 24小時。將反應溶液冷卻至室溫，滴入於二***2〇〇 g中 ，進行再沈澱。其環氧基價則爲6.1 m ο 1 / k g。所得到之聚 合物，係以式（1_3)表示’且構造單位A及構造單位C 則以線狀呈規則或不規則之排列。 -15- 201036176 [化5]
(1-3) 合成例
對於合成例1所得到之聚合物3.00 g，加入香豆素之 一種之式（4 ): [化6] (4)
HO 所示之單體（東京化成工業（股）製）0.34 g、苄基三乙 基氯化銨0.11 g及丙二醇單甲醚13.79 g，於還流下攪拌 24小時。將反應溶液冷卻至室溫，滴入於二***200 g中 ，進行再沈澱。其環氧基價則爲5.6 mol/kg。所得到之聚 合物，係以式（1-4)表示，且構造單位A及構造單位D 則以線狀呈規則或不規則之排列。 -16- 201036176 [化7]
(1-4) 合成例5 對於合成例1所得到之聚合物3.0 0 g，加入鹼性蕊香 紅之一種之式（5 ): [化8] 〇 h3ch2ct ch2ch3 ch2ch3 _ 、ch2ch3 (5) 所示之單體（東京化成工業（股）製）0.99 g、苄基三乙 基氯化銨0.1 1 g及丙二醇單甲醚16.41 g，於還流下攪拌 24小時。將反應溶液冷卻至室溫，滴入於二***200 g中 ，進行再沈澱。其環氧基價則爲6.8 moΙ/kg。 合成例6 -17- 201036176 對於合成例1所得到之聚合物3.0 〇 g ’加入螢光素之 一種之式（6 ): [化9] (6)
J\^COOH
所示之單體（東京化成工業（股）製）69 g、苄基三乙 基氯化銨0.11 g及丙二醇單甲醚15.20 g’於還流下攪拌 24小時。將反應溶液冷卻至室溫’滴入於二***200 g中 ’進行再沈澱。其環氧基價則爲6·7 mol/kg。 合成例7 準備一種含有聚合物之溶液’且該聚合物係式（7) 所示之具有構造單位E及構造單位Β(Ε: Β=〇·65: 〇.35 之莫耳比率）之共聚物。該聚合物之GPC測得之平均分 子量，以標準聚苯乙_換算係重量平均分子量36，000。 -18- 201036176 [化 10]
上述式（7)所示之聚合物’係將α，α'_偶氮二異丁 腈作爲自由基起始劑，並以經基丙基甲基丙烯酸醋及環氧 丙基甲基丙烯酸酯在0.65: 0.35之莫耳比率下，使其等 聚合所得到之下式所示之聚合物，然後，對於該聚合物以 9 -蒽羧酸（前述式（2)所示）進行加成反應而得到。 [化 11]
Ηα
Λ入八 A人A
合成例8 準備一種含有式（8)所示構造單位之聚合物之溶液 。該聚合物之GPC測得之平均分子量，以標準聚苯乙烯 換算係重量平均分子量6,100、數平均分子量2,700。 -19- 201036176
上述式（8)所示之聚合物’係對於環氧基甲酚酚醛 清漆以9-蒽羧酸進行加成反應而得到。 合成例9 使用式（9a)所示之CyMEl (註冊商標）303 (六甲 氧基甲基三聚氰胺）及式（9b)所示之CYMEL(註冊商 標）1 123 (四甲氧基甲基苯并鳥糞胺）（以上均爲Cytec 工業社）’再根據特表2003-531252公報所記載之實施例 3 (調劑I )所得到之含聚合物之溶液。該聚合物係氨基 塑料聚合物之一種，其以GPC測得之平均分子量，以標 準聚苯乙烯換算係重量平均分子量1 1,000、數平均分子量 2,200。在本合成例之聚合物中，由式（9b)衍生之苯并 鳥糞胺構造單位係被推定爲螢光部位者。 -20- 201036176 [化 13]
(9a)
合成例1 〇 對於陽離子交換樹脂（商品名稱：Amberlyst 15 JWET，羅門•哈斯社製）24.8 0 g，加入式（10)、式（ 11 )、式（12)、式（13 ): 0 [化 14] /~V-Si(OMe)3 (10) (11)
Me—Si(OMe)3 (12)
Si(OMe)4 (13) 所示之單體（皆爲東京化成工業（股）製）各3.96 g、 -21 - 201036176 2.96 g、5.45 g、48.71 g、以及水 21.61 g 及丙二醇單甲 醚61.09 g，於室溫下攪拌48小時。 其後，將上述離子交換樹脂藉由過濾加以除去。再將 過濾液滴入至加熱至80°C之丙二醇單甲醚乙酸酯143.79 g中，攪拌4小時後，於減壓下餾去丙二醇單甲醚乙酸酯 、以及副產物之甲醇及水。所得到之反應生成物（聚合物 或低聚物）經GPC測得之平均分子量，以標準聚苯乙烯 換算係重量平均分子量1，5 00，數平均分子量1,1〇〇。在 本合成例所得到之聚合物或低聚物中，上述式（1 0 )所衍 生之Ph-Si (苯基甲矽烷基）被推定係螢光部位者。 實施例1 對於合成例2所得到之聚合物1.0 〇 g，加入作爲溶劑 之丙二醇單甲醚乙酸酯2.16 g及N，N-二甲基甲醯胺1.08 g °將該溶液藉由旋轉塗佈器塗佈於石英基板上之後，再 於加熱板上以205 °C烘烤1分鐘。使用分光螢光光度計F-7000 ((股）日立高新技術製），將經過烘烤所得之塗膜 測定其螢光時，其激態波長係3 65 nm，螢光波長係450 實施例2 對於合成例3所得到之聚合物1 . 〇 〇 g，加入作爲溶劑 之丙二醇單甲醚乙酸酯2.16 g及Ν,Ν-二甲基甲醯胺1.08 g °將該溶液藉由旋轉塗佈器塗佈於石英基板上之後，再 -22- 201036176 於加熱板上以205 °C烘烤1分鐘。使用分光螢光光度計F-7000 ((股）日立高新技術製），將經過烘烤所得之塗膜 測定其螢光時，其激態波長係276 nm，螢光波長係370 實施例3 對於合成例4所得到之聚合物1 . 〇 〇 g，加入作爲溶劑 〇 之丙二醇單甲醚乙酸酯2.16 g及Ν,Ν -二甲基甲醯胺1.08 g。將該溶液藉由旋轉塗佈器塗佈於石英基板上之後，再 於加熱板上以2 05 °C烘烤1分鐘。使用分光螢光光度計F-7000 ((股）日立高新技術製），將經過烘烤所得之塗膜 測定其螢光時，其激態波長係3 22 nm，螢光波長係388 實施例4 〇 對於合成例5所得到之聚合物1 · 0 0 g，加入作爲溶劑 之丙二醇單甲醚乙酸酯2·16 g及Ν,Ν -二甲基甲醯胺1.08 g。將該溶液藉由旋轉塗佈器塗佈於石英基板上之後，再 於加熱板上以205 °C烘烤1分鐘。使用分光螢光光度計F_ 7000 ((股）日立高新技術製），將經過烘烤所得之塗膜 測定其螢光時’其激態波長係5 65 nm，螢光波長係587 實施例5 -23- 201036176 對於合成例6所得到之聚合物1 · 00 g，加入作爲溶劑 之丙二醇單甲醚乙酸酯2.16 g及N，N-二甲基甲醯胺1.08 g。將該溶液藉由旋轉塗佈器塗佈於石英基板上之後，再 於加熱板上以205 °C洪烤1分鐘。使用分光螢光光度計F-7000 ((股）日立高新技術製），將經過烘烤所得之塗膜 測定其螢光時，其激態波長係3 60 nm，螢光波長係526 實施例6 對於含有合成例7之聚合物之溶液5.00 g，加入作爲 溶劑之丙二醇單甲醚乙酸酯5.00 g。將該溶液藉由旋轉塗 佈器塗佈於石英基板上之後，再於加熱板上以205 °C烘烤 1分鐘。使用分光營光光度計F-7000 ((股）日立高新技 術製），將該塗膜測定其螢光時’其激態波長係3 66 nm ，螢光波長係465 nm。 實施例7 對於含有合成例8之聚合物之溶液5.00 g ’加入作爲 溶劑之丙二醇單甲醚乙酸酯5.00 g。將該溶液藉由旋轉塗 佈器塗佈於石英基板上之後，再於加熱板上以205 °C烘烤 1分鐘。使用分光螢光光度計F_7000 ((股）日立高新技 術製），將該塗膜測定其螢光時’其激態波長係325 nm ，螢光波長係460 nm。 -24- 201036176 實施例8 對於含有合成例9之聚合物之溶液5.00 ί 溶劑之丙二醇單甲醚乙酸酯5.00 g。將該溶液 佈器塗佈於石英基板上之後，再於加熱板上以 1分鐘。使用分光螢光光度計F-7000((股） 術製），將該塗膜測定其螢光時，其激態波長 ，螢光波長係390 nm。 〇 實施例9 對於含有合成例1 0所得到之聚合物或低 5.00 g，加入作爲溶劑之丙二醇單甲醚乙酸酯 該溶液藉由旋轉塗佈器塗佈於石英基板上之後 板上以2 0 5 °C烘烤1分鐘。使用分光螢光光度 (股）日立高新技術製），將該塗膜測定其螢 態波長係263 nm，營光波長係296 nm。 〇 在上述各實施例中所形成之塗膜，由於不 有波長變換功能之故，因此其作爲設置在光電 太陽電池）上之波長變換膜係有用者。進而， 變換膜之太陽電池，並可期待其光電變換效率 例而言，在實施例1、3、6、7及8中所形成 爲可將紫外光區域之波長變換爲可見光區域之 在紫外光區域之感度低，可見光區域之感度高 就相當有用。 ，加入作爲 藉由旋轉塗 2 0 5 °C烘烤 曰立高新技 係 2 6 0 n m 聚物之溶液 5.00 g 。將 ，再於加熱 計 F-7000 ( 光時，其激 論何者皆具 變換裝置（ 具有該波長 之提升。舉 之塗膜，因 波長，所以 之太陽電池 -25- 201036176 比較例1 對於合成例1所得到之聚合物3.00 g ’加入合成例2 所使用之式（2 ): [化 15] ΟγΟΗ (2) 所示之單體（東京化成工業（股）製）〇.4ό g、以及作爲 溶劑之丙二醇單甲醚乙酸酯15.00 g。將該溶液藉由旋轉 塗佈器塗佈於石英基板上之後’再於加熱板上以205°C烘 烤1分鐘。在塗佈面上觀察到被認爲是由上述式（2 )所 示之單體衍生之異物。 波長變換膜之適用例 圖1係在矽系太陽電池上，設置有本發明之波長變換 膜之例子。圖1(A)所示之太陽電池之斷面構造中，在 裏面電極101上，層合了 p層102、η層103及防反射膜 1〇4 ’表面電極ι〇5則與η層103連接而形成，進而再設 置一覆蓋材料106。一般而言，在表面電極105及防反射 膜1 04及覆蓋材料丨〇6之間，還進而設置一未圖示之封閉 材料’且在裏面電極101之外側，又進而設置一未圖示之 封閉材料及背板。該背板之外側亦可設置一全反射層。表 面電極105，亦可表現爲受光面電極。覆蓋材料〗06，係 玻璃製或樹脂製，而前者則稱爲覆蓋玻璃。在此例中，波 -26- 201036176 長變換膜丨〇〇’係設置於η層103與防反射膜i〇4之間。 圖UB) ’其波長變換膜100設置於防反射膜104 與覆蓋材料1 06間之點，係與圖1 ( A )相異之例子。藉 由使波長變換膜100具有覆蓋材料之功能，其構成上亦可 省略覆蓋材料1〇6(圖1(C)參照）。在圖1(B)之例 子中’緊鄰著波長變換膜100之覆蓋材料1〇6亦可爲裝卸 自由之構造。同樣地’在圖1 (C)之例子中，具有作爲 Ο 覆蓋材料之功能之波長變換膜100亦可爲裝卸自由之構造 者。 圖1 ( D ) ’其波長變換膜100設置於覆蓋材料1〇6 上之點’係與圖1(A)至圖1(C)相異之例子。進而， 緊鄰著波長變換膜100之覆蓋材料106亦可爲裝卸自由之 構造。 【圖式簡單說明】 Ο 圖1: (Α)至（D)，係在矽系太陽電池中，關於由 本發明之波長變換膜形成組成物所形成之波長變換膜之$ 用例示意圖。 【主要元件符號說明】 100 :波長變換膜 101 :裏面電極 1 0 2 : ρ 層 1 0 3 : η 層 -27- 201036176 104 :防反射膜 1 0 5 :表面電極 106 :覆蓋材料
C -28-

Claims (1)

  1. 201036176 七、申請專利範圍： 1. 一種光電變換裝置用波長變換膜形成組成物，其特 徵係含有：具有螢光部位之聚合物或低聚物，以及溶劑。 2 ·如申請專利範圍第1項之光電變換裝置用波長變換 膜形成組成物’其中該聚合物或低聚物，係於該聚合物或 低聚物之主鏈或側鏈上有該螢光部位導入者。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之光電變換裝置用波長 0 變換膜形成組成物’其中該螢光部位係蒽或其衍生物、香 豆素或其衍生物、螢光素或其衍生物、鹼性蕊香紅、曙紅 、茈或其衍生物、芴或其衍生物、或芪或其衍生物。 4.如申請專利範圍第1〜3項中任一項之光電變換裝置 用波長變換膜形成組成物’其中該聚合物或低聚物，係丙 烯樹脂、甲基丙烯樹脂、酚醛清漆樹脂、氨基塑料聚合物 、聚醯胺、聚醯亞胺、聚酯、聚芴、聚芴衍生物、聚矽氧 烷、聚矽烷、或聚碳矽烷。 C) 5.如申請專利範圍第1〜4項中任一項之光電變換裝置 用波長變換膜形成組成物，其中該溶劑係自丙二醇單甲醚 乙酸酯、丙二醇單甲醚、乳酸乙酯、環己酮、丁內醋 、二乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二 丁醚、乙醯基丙酮、甲苯及Ν，Ν-二甲基甲醯胺所成群中， 選擇至少一種之有機溶劑。 6.如申請專利範圍第1〜5項中任—項之光電變換裝置 用波長變換膜形成組成物’其中該聚合物或低聚物係進而 具有交聯部位。 -29- 201036176 7 .如申請專利範圍第1〜6項中任一項之光電變換裝置 用波長變換膜形成組成物，其中係進而具有交聯劑。 8. 如申請專利範圍第1〜7項中任一項之光電變換裝置 用波長變換膜形成組成物，其中係進而含有抗氧化劑及/ 或自由基捕捉劑。 9. 一種光電變換裝置用波長變換膜，其特徵係由申請 專利範圍第1〜8項中任一項之波長變換膜形成組成物所形 成者。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項之光電變換裝置用波長變 換膜，其中其係用以將紫外光區域之波長變換爲可見光區 域之波長者。 1 1 . 一種太陽電池’其特徵係具有申請專利範圍第9 或1 0項之光電變換裝置用波長變換膜。 -30-
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