TW201035006A - Novel materials for organic electroluminescent devices - Google Patents

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TW201035006A
TW201035006A TW098136487A TW98136487A TW201035006A TW 201035006 A TW201035006 A TW 201035006A TW 098136487 A TW098136487 A TW 098136487A TW 98136487 A TW98136487 A TW 98136487A TW 201035006 A TW201035006 A TW 201035006A
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aromatic
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Amir Hossain Parham
Christof Pflumm
Holger Heil
Arne Buesing
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Merck Patent Gmbh
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Description

201035006 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有多環橋接的通式(1) 、(2)、( 3 ) 、 ( 4 )和(5 )之稠合芳香族化合物。再者,本發明 係關於本發明化合物在有機電子裝置上之用途,和關於製 備本發明化合物之方法。再者,本發明係關於含有本發明 化合物之電子裝置。 ❹ 【先前技術】 正發展有機半導體以作爲一些在廣義上可以歸屬爲電 子工業之不同類型的應用。使用這些有機半導體作爲功能 性材料之有機電致發光裝置(OLED )的結構被描述於例
如 US 4539507、US 5151629、EP 0676461 和 WO 98/27136。然而,仍需要改善這些裝置: 1_於依據先前技藝之系統中’ 一或多種摻雜劑通常 〇 用於發光層之主體材料。明顯的具有可以作爲在發光層中 之純淨物質的化合物,因爲此表示於裝置製造中的技術簡 單化。 2. 仍需要改善有機電致發光裝置的壽命,以供長壽 命闻品質的應用。 3. 許多現行用於有機電致發光裝置之有機化合物的 熱安定性是令人不滿意的,意指在材料經由質量昇華的純 化上和材料經由熱蒸發的塗覆上皆產生相當大的問題。此 特別適用於含有苯乙烯基胺基之化合物,其常常作爲發藍 -5- 201035006 光之化合物。 4.仍需要改善效率和操作電壓。 關於螢光OLED,依據先前技藝所使用之主體材料特 別爲稠合芳香族化合物,特別是蒽或芘衍生物,尤其是針 對發藍光之電致發光裝置,例如9,10-雙(2-萘基)蒽( U S 5 9 3 5 7 2 1 )。其他的蒽衍生物係揭示於 W Ο 0 1 / 0 7 6 3 2 3 、WO 0 1 /02 1 729、WO 04/0 1 3 073、WO 04/0 1 8 5 8 8、WO 0 3/08 7 023、或 WO 04/0 1 8 5 8 7。基於芳基取代的芘和筷之 主體材料係揭示於WO 04/016575。爲了高品質應用,欲 具有可利用之經改良的主體材料。 可於發藍光化合物的情況中提及之先前技藝係使用芳 基乙烯基胺類(例如,WO 04/0 1 3 073、WO 04/01 6575、 WO 04/0 1 8 5 87 )。然而,這些化合物爲熱不安定,且不能 無分解而被蒸發’其在合成和O LED製造方面要求高度的 技術複雜性’且因此表示工業上的缺點。其他缺點是這些 化合物的發光顏色:雖然發深藍光(CIE y座標範圍0.15-0.18)係描述於使用這些化合物之先前技藝,已不可能在 依據先前技藝之簡單裝置中再現這些顏色座標。相反地, 在此得到發綠光-藍光。爲了高品質應用,因此需要具有 可利用之經改良的發光劑,特別關於裝置和昇華安定性和 發光顏色。有機電致發光裝置中所使用之電子傳輸化合物 通常爲A1Q3(三羥基喹啉酸鋁)(us 4539507)。此具 有許多缺點:其不能經由蒸氣沈積塗覆而不會留下殘留物 ’因爲其在昇華溫度時會部分分解,其表示特別是針對製 -6 - 201035006 造工廠的主要問題。其他缺點是A1Q 3的強吸濕性,其爲 低電子移動性,其導致較高電壓且因此較低功率效率。爲 了避免顯示器的短路’欲增加層厚度;用A!q3是不可能 的,由於低電荷載子移動性和電壓的增加。再者,A1 Q3的 固有顏色(固體時爲黃色)由於再吸收和弱的再發射可導 致色差(colour shifts ),特別是在藍光OLED中,證實 其非常不利。在此只可能產生在功效和顏色位置上頗有損 0 失之藍光OLED。儘管該等缺點,迄今A1Q3對OLED中之 廣泛變化之電子傳輸材料的要求而言仍爲最佳的折衷物。 因此’對經改良的材料有持續性的需求,特別是螢光 發光劑和三重態發光劑的主體材料,而且是發光化合物, 特別是發藍光化合物、電洞傳輸材料和電子傳輸材料,該 經改良的材料爲熱安定性,使有機電子裝置得到良好的功 效且同時具有長壽命、於裝置製造和操作期間得到可再現 的結果’可以簡卓地合成且是筒產率方式得到,和具有高 Q 的熱安定性。 【發明內容】 因此,本發明的目的係在於提供此類化合物。 出人意外地,已發現下面式(1)至(5)之雙橋接芳 香族系統由於良好性質而極適合作爲用於有機電致發光裝 置之功能性材料,因爲其在激發和發射波長之間只展現出 小的差値(斯托克斯位移)。由先前技藝知道功能性材料 常常帶有可撓性單位,例如烯烴的雙鍵,其增加轉動自由 201035006 度的度數且因此增加斯托克斯位移。此外,本發明化合物 中的剛性單位保證高的熱安定性和高玻璃轉移溫度,且因 此可以昇華而不會分解。對達到長壽命而言,高玻璃轉移 溫度是必要的,特別是在高溫時使用。 爲此目的,本發明提供通式(1 ) 、 ( 2 ) 、 ( 3 )、 (4 )或(5 )之化合物:
式⑷ 式(5) 其中: X 於每一情況中彼此獨立地爲選自下列之二價橋: B(R') ' C(R*)2 ' Si(R')2 ' C = NR* ' ' O ' S ' C = 0、S = 0、S02、N(R】)、PiR1)和 PpC^R1 ; Y 於每一情況中彼此獨立地爲CR或N ; R 於每一情況中彼此獨立地爲Η、D、F、Cl、Br、I、 N(R2)2、N(Ar)2、C( = 0)Ar、P( = 0)Ar2 ' S( = 0)Ar、 201035006 S(-0)2Ar ' CR2 = CR2Ar、CN、N〇2、Si(R2)3、B(OR2)2 、OS02R2、具有1至40個c原子之直鏈烷基、烷氧 基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀的 院基、院氧基或院硫基(上述每一者可經一或多個基 團R2取代’其中一或多個不相鄰的ch2基團可經下 列置換:R2C = CR2、c Ξ C、Si(R2)2、Ge(R2)2、
Sn(R2)2 ' C = 0 、 C = S 、 C = Se 、 C = NR2 、 p( = 〇)(R2) 、 s〇 ❹ 、3〇2、>1112、〇、3或0:(^112,和其中—或多個只原 子可經下列置換:D、F、Cl、Br、I、CN或N〇2)、 或具有5至40個芳香族環原子之芳香族或雜芳香族 環系統(其於每一情況中可經一或多個非芳香族基團 R取代)、或具有5至40個芳香族環原子之芳氧基 或雜芳氧基(其可經一或多個非芳香族基團r取代) 、或适些系統的組合;其中二或多個基團R可形成 單-或多環的脂族或芳香族環系統; Q R1 於每一情況中彼此獨立地爲Η、D、F、e 1、BI·、I、 CN、N〇2、B(OR2)2、Si(R2)3、具有】至 4〇 個 c 原子 之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至4〇個(:原 子之支鏈或環狀的烷基、烷氧基或烷硫基(上述每一 者可經一或多個基團R2取代’其中一或多個不相鄰 的CH2基團可經下列置換:_R2c = Cr2_、.C Ξ c·、 Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C = 〇 ' c = s、c = Se、 C = NR2、' -S-、-COO-、或-c〇NR_2_,且其中—或 多個H原子可經D、F、ci、Br、卜CN或N〇2置換 201035006
氧基(其可經一或多個非芳香族基團Rl
亦可彼此形成單-或多環的脂族或芳香族環系統; R2於每一情況中彼此獨立地爲H、D或具有1至20個C 原子之脂族或芳香族烴基團;
Ar於母 況中彼此獨_1/_地爲具有5至40個芳香族環 原子之方香S矢或雜方香族環系統,其可經一或多個非 方香族基團R取代;鍵結至相同原子上的2個基團 A r在此亦可經由單鍵或二價基團c (R 1) 2而彼此連接 〇 由先目II 技藝(Journal of the Chemical Society(1937), 1 096- 1 1 03 )知道下面化合物:
爲了本發明之目的’這些化合物亦可以被使用,但爲 了本發明之目的而從產物保護中排除。 若上面所定義之基團在化合物內出現許多次,則基團 在每一次出現時可彼此獨立地爲相同或不同地對應至個別 201035006 的定義。 再者,在本發明內使用下面一般定義: 爲了本發明之目的,芳基包含5至60個C原子;爲 了本發明之目的,雜芳基包含2至60個C原子和至少1 個雜原子,但前提是C原子和雜原子的總和爲至少5。雜 原子較佳地選自N、Ο和/或S。芳基或雜芳基在此意指簡 單的芳香族環(即,苯)、或簡單的雜芳香族環(例如’ n 吡啶、嘧啶、噻吩等等)、或稠合芳基或雜芳基(例如’ 萘、蒽、菲、喹啉、異喹啉、苯並噻吩、苯並呋喃、和吲 哚等等)。於這些化合物中,萘和喹啉爲特佳的。 爲了本發明之目的,通式(1)至(5)中之基團 Ar 特佳地爲苯、聯苯、萘、吡啶、嘧啶、吡畊、嗒畊、三畊 、喹啉、異喹啉、呋喃、噻吩、吡咯、苯並呋喃、苯並噻 吩和吲哚,其中苯、萘、吡啶、唾啉和異喹啉爲最佳的。 爲了本發明之目的,芳香族環系統的環系統包含5至 Q 60個C原子。爲了本發明之目的,雜芳香族環系統的環 系統包含2至60個C原子和至少1個雜原子,但前提是 C原子和雜原子的總和爲至少5。雜原子較佳地選自N、Ο 和/或S。爲了本發明之目的,芳香族或雜芳香族環系統欲 意指不一定只包含芳基或雜芳基之系統,但取而代之的是 其中複數個芳基或雜芳基亦可被非芳香族單位(較佳地低 於1 0%的非Η之原子,例如sp3-混成的C、N或Ο原子) 打斷。因此,爲了本發明之目的,例如,9,9,-螺聯莽' 9,9-二芳基荛、三芳基胺、二芳基醚、芪等等之系統亦欲 -11 - 201035006 意指芳香族環系統,其爲二或多個芳基例如被直鏈或環狀 烷基或被矽基打斷的系統。 爲了本發明之目的,其中此外個別的Η原子或CH2基 團可另外經上述基團取代之-至Ca-烷基較佳地意指甲 基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基 、三級丁基、2 -甲基丁基、正戊基、二級戊基、環戊基、 正己基、環己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2_三氟乙基、乙烯 基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己 烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、 丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、或辛炔基。C,-至 C40 -烷氧基較佳地意指甲氧基、三氟甲氧基 '乙氧基、正 丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基' 二級丁氧基、 三級丁氧基或2-甲基丁氧基。 具有5-60個芳香族環原子之芳香族或雜芳香族環系 統(其於每一情況中亦可經上述基團R取代,且g可·,經由 任何所欲之位置而連接至芳香族或雜芳香族基匱| )意指特 別衍生自下列之基團:苯、萘、蒽、苯並葱、菲、$、疾 、菲、丙二稀合蒹、稠四苯、稠五苯、苯並在、聯苯、聯 伸二苯、聯三苯、聯伸三苯 '荛、螺聯苐、二氫菲、二氫 芘、四氫芘、順-或反-茚並荞、參茆并苯、異參節并苯、 螺參茚并苯、螺異參茚并苯、呋喃、苯並呋喃、異苯並肤 喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並 噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、嗤啉、異喹啉 -12- 201035006 '吖啶、啡啶、苯並-5,6-喹啉、苯並_6,7_唾啉、苯並_ 7,8-喹啉、啡噻畊、啡嚀畊、吡唑、吲唑、咪唑、苯並咪 唑、萘並咪唑、啡並咪唑、吡啶並咪唑、吡畊並咪唑、喹 与啉並咪唑、嗜唑、苯並,唑、萘並嘴唑、蒽並嘴唑、菲 並of唑、異嘴唑、1,2 -噻唑、丨,3 _噻唑、苯並噻唑、嗒畊、 苯並嗒畊、嘧啶、苯並嘧啶、喹嚶啉、丨,5_二氮蒽、2,7_ —氮芘、2,3-一氮比、1,6 -二氮芘、丨,8•二氮芘、4,5二氮 0 芘、4,5,9,10 -四氮茈、吡D幷、啡η并、啡〇§哄、啡噻u并 '熒 紅環(fluorubin )、嘌啶、氮咔唑、苯並咔啉、啡啉、 1,2,3-二唑、1,2,4-二唑 '苯並***' 碧二唑、 1,2,4 - d碧二唑、1,2,5 -噚二唑、〗,3,4 _ D碧二唑、丨,2,3 _ 噻二唑 、1,2,4-噻一唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4_噻二唑、1,3,5_三[1并 、1’2,4-二 D并、1,2,3 -二拼、四唑、四拼、 四畊、1,2,3,5 -四畊、嘌呤、喋啶、吲呻、苯並噻二唑。 於本發明之較佳具體例中,基團X在每一次出現時係 Q 相同或不同地選自C^h'NR1、^)、^、或C = 0。基團X 在每一次出現時係特佳地相同或不同地爲C (R1) 2。 於本發明之其他較佳具體例中,式(1 )至(5 )中之 〇、1或2個符號Y表示Ν’且其他符號γ在每一次出現 時係相同或不同地表示CR。特佳地,所有符號γ在每一 次出現時係相同或不同地代表CR。 於本發明之其他較佳具體例中,符號R在每一次出現 時係相同或不同地表示H、D、F、N(Ar)2、CN、具有1至 2〇個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至4〇個c原子 -13- 201035006 之支鏈或環狀的烷基或烷氧基(上述每一者可經一或多個 基團R2取代,其中一或多個11原子可置換)、或具 有5至25個芳香族環原子之芳香族或雜芳香族環系統( 其於每一情況中可經一或多個非芳香族基團R取代)、或 這些系統的組合;其中二或多個基團R可形成單_或多環 的脂族或芳香族環系統。符號R在每一次出現時特佳地係 相同或不同地表示H、N(Ar)2、具有1至10個c原子之 直鏈烷基或具有3至40個c原子之支鏈或環狀烷基(特 別是甲基)、或具有5至25個芳香族環原子之芳香族或 雜方香族環系統(其於每一情況中可經一或多個非芳香族 基團R取代)’·其中二或多個基團R可形成單-或多環的 脂族或芳香族環系統。 於本發明之其他較佳具體例中,符號R 1在每一次出 現時係相同或不同地表示H、D、具有1至20個C原子之 直鏈烷基或烷氧基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀 的烷基或烷氧基(上述每一者可經一或多個基團R2取代 ,其中一或多個Η原子可經F置換)、或具有5至25個 芳香族環原子之芳香族或雜芳香族環系統(其可經一或多 個非芳香族基團R1取代)、或這些系統的組合;其中二 或多個取代基R1亦可彼此形成單-或多環的脂族或芳香族 環系統。於特佳的具體例中,符號R1在每一次出現時係 相同或不同地表示H、D、具有1至10個C原子之直鏈烷 基或具有3至10個C原子之支鏈或環狀烷基(特別是甲 基)、或具有5至10個芳香族環原子之芳香族或雜芳香 -14- 201035006 族環系統(其可經一或多個非芳香族基團R 1取代),特 別是苯基(其可經一或多個非芳香族基團Rl取代);其 中一或多個取代基Ri亦可彼此形成單-或多環的脂族或芳 香族環系統。 於本發明較佳的具體例中,下面符號定義適用於通式 (1 ) 、( 2 ) ' ( 3 ) 、( 4 )和(5 )之化合物: X 於每一情況中彼此獨立地爲選自下列之二價橋: 〇 C(R )2、C^NR1、。=。(11丨)2、〇、s、C = 〇 和 n(R丨); γ 於每一情況中彼此獨立地爲C R或N ; R 於每—情況中彼此獨立地爲Η、D、f、、 C( = 0)Ar、CR2 = CR2Ar、CN、具有 1 至 ι〇 個 c 原子 之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至1〇個C原 子之支鏈或環狀的烷基、烷氧基或烷硫基(上述每一 者可經一或多個基團R2取代’其中〜或多個不相鄰 的CH2基團可經下列置換:r2c = CR2、c、C = 0、 Q NR2、0、S或C〇NR2,和其中一或多個H原子可經 D、F或CN置換)、或具有5至40個芳香族環原子 之芳香族或雜方香族環系統(其於每一情況中可經一 或多個基團R2取代)、或具有5至4〇個芳香族環原 子之芳氧基或雜芳氧基(其可經一或多個基團R2取 代)、或這些系統的組合;其中二或多個基團R或二 或多個基團R’可形成單-或多環的脂族或芳香族環系 統; R1 於每一情況中彼此獨立地爲Η、D ' F、Cl、Br、I、 -15- 201035006
CN、N02、B(〇R2)2、si(R2)3、具有 1 至 40 個 C 之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個 子之支鏈或環狀的烷基、烷氧基或烷硫基(上述 者可經一或多個基團R2取代,其中一或多個不 的 CH2基團可經下列置換·· -R2C = CR2-、-C ξ Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C = 0、C = S、C = C = NR2、0- ' -S-、-COO-、或-CONR2-,且其中 多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或N〇2 )、或芳基胺或經取代的咔唑(其於每一情況中 一或多個基團R2取代)、或具有5至40個芳香 原子之芳香族或雜芳香族環系統(其可經一或多 芳香族基團R1取代)、或具有5至40個芳香族 子之芳氧基或雜芳氧基(其可經一或多個非芳香 團R1取代)、或這些系統的組合;其中二或多 代基R1亦可彼此形成單-或多環的脂族或芳香族 統; R2 於每一情況中彼此獨立地爲H、D或具有1至 原子之脂族或芳香族烴基團;
Ar 於每一情況中彼此獨立地爲具有5至20個芳香 原子之芳香族或雜芳香族環系統,其可經一或多 芳香族基團R1取代;鍵結至相同原子上的2個 Ar在此亦可經由單鍵或而彼此連接。 於式(1 )至(5 )之化合物的特佳具體例中: X 在每一次出現時係相同地或不同地選自c ( R 1 、 原子 C原 每~ 相鄰 C… Se、 一或 置換 可經 族環 個非 環原 族基 個取 環系 個C 族環 個非 基團 NR1 -16- 201035006 、ο、S 或 c = 0,特別是 ¢:(1^)2 ; Y 在每一次出現時係相同地或不同地爲CR1或Ν,其中 式(1)至(5)中之〇、1或2個符號Υ表示Ν,特 別是在每一次出現時係相同地或不同地表示CR ; R 在每一次出現時係相同地或不同地爲 Η、D、F、 N(Ar)2、CN、具有1至20個C原子之直鏈烷基或烷 氧基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀的烷基或 0 烷氧基(上述每一者可經一或多個基團R2取代,其 中一或多個Η原子可經F置換)、或具有5至25個 芳香族環原子之芳香族或雜芳香族環系統(其於每一 情況中可經一或多個非芳香族基團R取代)、或這些 系統的組合;其中二或多個基團r可形成單-或多環 的脂族或芳香族環系統;特佳者爲Η、N(Ar)2、具有 Ϊ至10個C原子之直鏈烷基或具有3至1〇個C原子 之支鍵或環狀院基(特別是甲基)、或具有5至25 〇 個芳香族環原子之芳香族或雜芳香族環系統(其於每 一情況中可經一或多個非芳香族基團R取代);其中 一或多個基團R可形成單-或多環的脂族或芳香族環 系統;
Rl在每一次出現時係相同地或不同地爲Η、D、具有1 至20個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至2〇個 C原子之支鏈或環狀的烷基或烷氧基(上述每一者可 經一或多個基團R2取代’其中一或多個Η原子可經 F置換)、或具有5至25個芳香族環原子之芳香族 -17- 201035006 或雜芳香族環系統(其可經一或多個非芳香族基團R1 取代)、或這些系統的組合;其中二或多個取代基R 1 亦可彼此形成單-或多環的脂族或芳香族環系統;特 佳者爲Η、具有1至1〇個C原子之直鏈烷基或具有3 至10個C原子之支鏈或環狀烷基(特別是甲基)、 或具有5至10個芳香族環原子之芳香族或雜芳香族 環系統(其可經一或多個非芳香族基團R1取代), 特別是苯基(其可經一或多個非芳香族基團R 1取代 );其中二或多個取代基R1亦可彼此形成單-或多環 的脂族或芳香族環系統; 其他符號具有如上述之意義。 式(1)至(5)的較佳具體例爲下面所描述之式(la )至(5a):
其中所使用之符號具有上述之意義,和在每一結構中 最多2個符號Y表不N。特別地’所使用之符號具有上述 -18- 201035006 之較佳意義。 這些化合物的特佳具體例爲下面所描述之化合物(1 b )至(5b):
式(3b)
其中R和X具有上述之意義。 極特佳者爲式(lb)至(5b)之化合物,其中X在每 一次出現時係相同地或不同地表示C (R 1 )2、NR 1、Ο、S或 〇 C = 0,特別是表示ce1 )2,其中c(ch3)2或C(苯基)2爲特 佳的。 於本發明之特佳具體例中,通式(1 ) 、 ( 2 ) 、 ( 3 )、(4 )或(5 )之化合物符合下面結構式1至1 8 4 : -19- 201035006
暑 Q Q 1 2 3 翁 OO^ 4 5 6 Ο 7 8 9 ό 6 〇i 10 11 12 s% 身 13 14 15 -20- 201035006
-21 - 201035006 37 38 39 Oc^^cK^O 40 41 42 43 44 45 46 48 49 50 51 喻 52 53 54 do 御 % 55 56 57 -22- 201035006
5聊 3聊 ύ 58 59 ' 60 W 61 62 63 瓣g |雜f 64 65 66 67 68 69 1鄭| 71 72 "% 74 75 Q OV 職 76 77 78 -23- 201035006 雖 悉 82 83 84 參 3備 3爭δ 85 86 87 % d# 纖 88 89 90 f 91 92 93 94 95 96 %>% 97 98 99 -24- 201035006
ο %〇 100 101 102 瑜} 。命 103 104 105 106 107 108 嗤 〇〇 f>^0 %〇 109 110 111 臀 % 嚼 〇〇 112 113 114 %b〇 咏:P % 116 117 被α 118 119 120 -25- 201035006
00^ 121 122 123 软 125 128 129 ί5〇 C %> 130 131 132 133 134 135 卿 136 137 138 'ΨΗ 139 140 141 -26- 201035006
% 142 143 144 *芦 势ρ 禽^ 145 146 147 货%ψ· ^}ψ 148 149 150 莽\° ? 卿 151 152 153 $ 154 155 156 -27- 201035006 ^ Φ χχχταχτ 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 171 172 173 174
-28- 201035006 175 176 177 178 179 180 脅ί 181 182 183 184 〇 於上面所定義之化合物中,存有一或多個可聚合之官 能基或一或多個拉電子基或推電子基之化合物可爲較佳的 若拉電子基已被引入至式(1)至(5)之化合物中, 例如咪唑、三畊或嘧啶衍生物或其他拉電子基,則得到本 身可以相應地被使用之電子傳輸材料。相比之下,推電子 基如芳基胺基團的取代作用得到本身可以相應地被使用之 電洞注入或電洞傳輸材料。取決於此類型材料的確切铲構 ,亦可以使用這些芳基胺基:代的化合物作爲螢光摻:劑 201035006 。若上述之本發明化合物爲未經取代或單芳香族取代,其 可以作爲螢光發光劑或作爲螢光或憐光發光劑的主體材料 〇 若上面所定義之化合物存有可聚合之官能基,其可以 用於聚合化合物。可以以此方式製備二聚物、寡聚物、聚 合物、或樹枝狀聚合物。爲此目的,特佳者爲經反應性脫 離基如氯、溴、碘、醐酸或_酸酯取代之化合物。其亦可 以作爲製備對應的共轭 '部分共輕或非共轭聚合物、寡聚 物的共聚單體’或亦作爲樹枝狀聚合物之核心。聚合反應 在此較佳地經由鹵素官能基或釅酸官能基而發生。 爲了本發明之目的’術語寡聚物適用於具有約3至9 個重複單位之化合物。爲了本發明之目的,聚合物意指具 有10或更多個重複單位之化合物。 再者’本發明因此係關於含有一或多種如上所定義之 式(1) 、 (2) 、 (3) 、 (4)或(5)化合物之二聚物 、寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物,其中—或多個基團R 表示鍵結至下一個重複單位之鍵。取決於化合物的連接, 化α物形成寡聚物或聚合物的主鏈,或寡聚物或聚合物或 樹枝狀聚合物的側鏈。寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物可 爲共軛、部分共轭或非共轭。寡聚物或聚合物可爲直鏈' 支鏈或樹枝狀。於直鏈連接的結構中,式(1)至(5)的 單位可彼此直接連接’或其可經由二價基團而彼此連接, 例如經由經取代或未經取代的伸烷基、經由雜原子、或經 由二價芳香族或雜芳香族基團。於支鏈結構中,例如式( -30- 201035006 1)至(5)的三或更多個單位可經由三價或多價基團予以 連接,例如經由三價或多價芳香族或雜芳香族基團’而 形成支鏈寡聚物或聚合物。 如上所述之相同較佳者適用於寡聚物和聚合物中式( 1)至(5)之重複單位。 關於寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物之製備’通式( 1 ) 、( 2 ) 、( 3 ) 、( 4 )或(5 )之官能化化合物被均 聚合或與其他單體共聚合。於製備共聚物的情況中,式( 〇 1) 、(2) 、(3) 、(4)或(5)之化合物的存在量較 佳地爲0.1至50莫耳%。適當的且較佳的共聚單體係選自 蒹(例如,EP 842208或WO 00/22026)、螺聯蒔(例如 ,EP 707020、EP 894107 或 WO 06/06 1 1 8 1 )、對-伸苯基 (例如,WO 92/18552)、咔唑(例如,WO 04/070772 或 WO 04/113468)、噻吩(例如,EP 1028136)、二氫菲( 例如,W Ο 0 5 / 0 1 4 6 8 9 )、順-或反-茚並蒹(例如,W 〇 ◎ 04/041 901 或 WO 04/1 1 341 2 )、酮(例如,WO 05/0403 02 )、菲(例如,WO 05/104264 或 DE 10200503 7 734)、或 亦爲複數個這些單位。這些聚合物通常亦包含其他單位, 例如發光(螢光或磷光)單位,例如,乙燃基三芳基胺( 例如,DE 1 02005060473 )或磷光金屬錯合物(例如,w〇 06/003000)、和/或電荷傳輸單位,特別是以三芳基胺爲 底質者。 因爲1或2個鹵素官能基(較佳地爲溴)可以選擇性 地被引入至本發明化合物,可能具體地製造二聚物、三聚 -31 - 201035006 物、四聚物、五聚物等等。因此,例如2個單官能化之化 合物可以以Suzuki偶合或Yamamoto偶合予以偶合而得到 對應的二聚物。對應的四聚物係藉由鹵化反應和進一步偶 合至單官能化之化合物而選擇性地被得到。再者,2個單 官能化之化合物可以被偶合至二官能化之化合物,而得到 對應的三聚物。偶合反應在此較佳地爲Suzuki偶合。對 應的五聚物係藉由鹵化反應(較佳地爲溴化反應)和進一 步偶合單官能化之化合物而選擇性地被得到。同樣地可能 進一步藉由如使二聚物、三聚物、四聚物、五聚物等等鹵 化和使彼與芳基胺以H a r t w i g - B u c h w a 1 d偶合反應而官能化 彼,得到對應的芳香族胺。 本發明之式(1 )至(5 )化合物可以藉由熟習該領域 者已知的合成步驟予以製備。因此,各種骨架可以例如藉 由酸催化環化對應的三級醇而予以製備,如一般示於式( 1 )至(5 )之化合物的流程圖1。此骨架可以藉由標準方 法’例如藉由 Friedel-Crafts烷基化或醯基化,而予以官 能化。再者,骨架可以藉由有機化學的標準方法予以溴化 。溴化的化合物代表進一步官能化反應之基礎。因此,其 可以藉由Suzuki偶合至芳基釅酸或芳基釅酸衍生物,或 藉由Stille方法偶合至有機錫化合物,而被轉換成延伸的 方香族化合物。藉由Hartwig-Buchwald方法偶合至芳香族 或脂族胺得到對應的胺。再者,溴化的衍生物可以經由鋰 ft S應、和I與親電子劑如苯甲腈反應接著酸性水解而被轉換 使用氯二苯基膦接著氧化反應而被轉換成鱗氧化 -32- 201035006 物。 於一甲酯( 可以用於合成之起始物爲例如2_溴異 试舞鎮酸 $ 4 -甲基#
Organic Letters 2006,8(25),584 1 -5844 )孰
(WO 99/ 1 03 3 9 )。 流程圖1 : 5,6 -和6,6 -連接的芳香族化合物的
流程_
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聚磺酸 — ·
聚热
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Ar 本發明據此亦關於製備本發明之通式(1 )、( 2 )、 (3 ) 、 ( 4 )和(5 )之化合物的方法,特徵在於下列步 -33- 201035006 驟: a) 使官能化的萘或官能化的蒽或對應的其他官能化 稠合芳香族化合物偶合至芳香族和/或雜芳香族化合物’ b ) 在萘或蒽和芳香族和/或雜芳香族化合物之間經 由環閉合反應形成一或多個二價橋。 可以被進行的其他步驟爲: c) 由步驟a )和b )所得之母結構藉由氯化、溴化 或碘化予以官能化, d ) 接著以 Hartwig-Buchwald偶合至芳香族胺’或 以Suzuki偶合至芳基麵酸或芳基醒酸衍生物,或聚合反 應。 於本發明之方法中,二價橋較佳地由 Β(Ι^)、CUR1、 、SiCR^a ' C = NR' ' C = C(R'>2 ' Ο ' S ' C = 0 ' S = 0 ' S02 > N(R。、Ρ(Ι^)和ΡΡΟ#1形成,其中所使用之符號和下標 具有上面所指之意義。 萘或蒽上的官能基較佳地爲醞酸基團或釅酸衍生物。 偶合至芳香族或雜芳香族化合物的官能基較佳地爲氯、溴 或碘,特佳地爲溴。芳香族或雜芳香族化合物上的其他官 能基較佳地爲式C( = 0)-0-R之2個酯基團,其中R表示具 有1至20個C原子之烷基。形成二價橋的其他官能化反 應可以例如藉由有機鋰化合物或Grignard化合物的加成反 應予以進行,得到三級醇。 本發明亦關於本發明化合物或二聚物、寡聚物、聚合 物或樹枝狀聚合物於有機電子裝置之用途。有機電子裝置 -34- 201035006 較佳地爲有機發光裝置(0LED )、有機積體電 )、有機場效電晶體(0-FET)、有機薄膜 O-TFT )、有機發光電晶體(〇_LET )、有機太 (0-SC)、有機光偵測器 '有機感光器、有機場 (organic field-quench devices )( 0-FQD )、發 電池(LEC )、或有機雷射二極體(Ο-雷射)。 本發明化合物在電子裝置內較佳地作爲發光 0 、作爲主體材料、作爲電洞傳輸化合物和/或電 合物。爲了作爲電洞注入或電洞傳輸材料,本發 較佳地具有推電子基,例如芳基胺基團等等。爲 子傳輸材料,本發明化合物較佳地具有拉電子基 唑、三畊或嘧啶衍生物。爲了作爲主體材料,本 物較佳地以其未經取代形式或單芳香族取代形式 。其因此可以作爲螢光或磷光發光劑的主體材料 爲發光劑,較佳的是,至少一個取代基R爲芳 Q N(Ar)2或CR2 = CR2Ar基團,或化合物爲未經取代 於本發明之裝置內使用具有5-或6-員環之雙 族化合物相較於先前技藝具有下列之優點:其具 壽命且同時具有更高效率。此外,這些化合物亦 量昇華,且不會顯著的分解,和因此相較於許多 技藝之材料更顯著地易於處理。 本發明亦關於本發明化合物’取決於確切的 佳地在對應的層內作爲電荷傳輸材料和/或電荷 之用途。這些可爲電洞傳輸層、電洞注入層 '電 路(0-IC 電晶體( 陽能電池 驟滅裝置 光電化學 劑化合物 子傳輸化 明化合物 了作爲電 ,例如咪 發明化合 爲適當的 。爲了作 基胺基團 的烴。 橋接芳香 有更長的 可以更大 依據先前 結構,較 注入材料 子傳輸層 -35- 201035006 、或電子注入層。亦可㊆作爲電荷阻擋材料,例如電洞阻 擋材料、電子阻擋材料、或激子阻擋材料。 同樣地’本發明關於有機電子裝置或有機電致發光裝 置(有機發光二極體’ OLED )、有機積體電路(〇_IC ) 、有機場效電晶體(0-FET )、有機薄膜電晶體(〇_TFT )、有機發光電晶體(0-LET) '有機太陽能電池(o-sc )、有機光偵測器、有機感光器、有機場驟滅裝置(〇_ FQD)、發光電化學電池(LEC)、或有機雷射二極體( 0 -雷射)’但特別地是有機電致發光裝置(=有機發光二 極體,OLED) ’其包含一或多種如上所定義之式(1)至 (5 )之化合物。 式(1)至(5)之化合物較佳地在電子裝置中之層內 〇 本發明因此亦關於層,特別是有機層,其包含一或多 種如上所定義之式(1)至(5)之化合物。 爲了產品保護,如上所提及之式(1)至(5)之化合 物的相同較佳者適用於有機電子裝置。 有機電致發光裝置包括陰極、陽極和至少一層發光層 。除了這些層之外,其亦可包括其他層,例如於每一情況 中,一或多層電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電 子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層和/或電荷產生層( IDMC 2003,Taiwan; Session 21 0LED(5), T. Matsumoto, Τ. Ν ak a d a, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J. Kido, Multiphoton Organic EL Device Having Charge -36- 201035006 Z叮e")。一或多層具有如激子阻擋功能之夾 層同樣地可被引入至2層發光層之間。然而,應指出的是 ’這些層的每一者不一定必須存在。這些層可包括如上所 定義之通式(1)至(5)之化合物。 於本發明之較佳具體例中,式(1 )至(5 )之化合物 作爲發光層中的發光化合物。有機電致發光裝置在此可包 括一層發光層或複數個發光層,其中至少一層發光層包括 0 至少一種如上所定義之式(1 )至(5 )之化合物。若存有 複數個發光層’這些發光層較佳地總共具有複數個介於 3 8 0nm和75 0nm之間的的最大發光,大體上獲得發白光, 即,能發螢光或發磷光之各種發光化合物用於發光層。特 佳者爲3層系統,其中3層顯示出發藍光、綠光和橙光或 紅光(關於基本結構參見例如WO 0 5/0 1 1 0 1 3 )。 若式(1)至(5)之化合物作爲發光層中的發光化合 物,其較佳地與一或多種基質材料(=主體材料)組合使 Q 用。含有基質(主體)和摻雜劑之系統中的主體材料意指 以較高比例存在於系統中的成分。於含有一種主體和複數 個摻雜劑之系統中,主體意指其比例於混合物中爲最高之 成分。 含有式(1 )至(5 )之化合物和基質材料的混合物包 括介於1和5 0體積%之間(較佳地介於2和5 0體積%之 間,特佳地介於3和4 0體積%之間’特別是介於5和1 5 體積%之間)的式(1)至(5)之化合物’基於含有發光 劑和基質材料之整體混合物計。相應地’混合物包括介於 -37- 201035006 99和50體積%之間(較佳地介於98和5〇體積%之間,特 佳地介於97和60體積%之間,特別是介於95和85體積 %之間)的基質材料,基於含有發光劑和基質材料之整體 混合物計。 爲此目的’適合的主體材料(基質材料)爲來自各種 類型之物質的材料。較佳的主體材料係選自:寡聚芳烴( 例如’ EP 67646 1的2,2,,7,7,-四苯基螺聯苐或二萘基蒽) ’特別是含有稠合的芳香族基團之寡聚芳烴、寡聚芳烴乙 烯(例如’ EP 676461的DPVBi或螺-DPVBi)、多足金屬 錯合物(polypodal metal complexes )(例如,WO 04/081017)、電洞傳導化合物(例如,w〇 04/ 058911) 、電子傳導化合物[特別是酮、膦氧化物 '亞砸等等(例 如,WO 05/084081 和 WO 05/084082)]、阻轉異構物( atropisomer )(例如,WO 06/048 26 8 )、醒酸衍生物(例 如’ W ◦ 0 6 / 1 1 7 0 5 2 )、或苯並蒽(例如,未公開的申請案 DE 1 02007024850_6 )。特佳的主體材料係選自含有萘、 蒽、苯並蒽和/或芘、或這些化合物的阻轉異構物之寡聚 芳烴、酮、膦氧化物、和亞颯。非常特佳的主體材料係選 自含有蒽、苯並蒽和/或芘、或這些化合物的阻轉異構物 之寡聚芳烴。爲了本發明之目的,寡聚芳烴欲意指其中至 少3個芳基或伸芳基彼此鍵結之化合物。非常特佳者爲 9,10-二芳基蒽衍生物(其中至少一個芳基爲稠合的芳基) ’或2,9,10-三芳基蒽衍生物(其中至少一個芳基爲稠合 的芳基)。 -38- 201035006 其他較佳的應用是使用化合物作爲螢光或磷光發光劑 的主體材料。關於作爲磷光發光劑之基質材料的化合物, 較佳的是,橋接基團係相同地或不同地選自CnVh和NR1 ,其中一或多個基團X爲NR1,和其中R1爲如上面所定 義者,且特佳地表示缺電子雜芳基,例如三D并、喃D定、H比 阱、吡啶或咪唑。 發光層中之式(1)至(5)之主體材料的比例介於 〇 5 0.0和9 9 · 9體積%之間(較佳地介於8 0.0和9 9 · 5體積% 之間,特佳地介於9 0 · 0和9 9 · 0體積%之間)。相應地, 摻雜劑的比例介於0 · 1和5 0.0體積%之間(較佳地介於 0.5和2 0.0體積%之間,特佳地介於1 · 0和1 〇 · 〇體積%之 間)。 較佳的摻雜劑係選自單苯乙烯基胺、二苯乙烯基胺、 三苯乙烯基胺、四苯乙烯基胺、和芳基胺。單苯乙烯基胺 意指含有一個苯乙烯基和至少一個胺之化合物,其較佳地 Q 爲芳香族。二苯乙烯基胺意指含有二個苯乙烯基和至少一 個胺之化合物’其較佳地爲芳香族。三苯乙烯基胺意指含 有三個苯乙烯基和至少一個胺之化合物,其較佳地爲芳香 族。四苯乙烯基胺意指含有四個苯乙烯基和至少一個胺之 化合物’其較佳地爲芳香族。爲了本發明之目的,芳基胺 或芳香族胺意指含有三個直接鍵結至氮之芳香族或雜芳香 族環系統之化合物,其至少一者較佳地爲具有至少1 4個 芳香族環原子之稠合環系統。苯乙烯基特佳地爲芪,其亦 可進一步在雙鍵或在芳香族環系統上經取代。此類型摻雜 -39- 201035006 劑的範例爲經取代或未經取代的三芪胺和其他如 WO 06/0003 8 8、WO 06/05 873 7、WO 06/0003 89 ' WO 07/ 065 5 49和WO 07/1 1 561 0所述之摻雜劑。再者,較佳的摻 雜劑爲依據WO 06/1 22630之化合物。再者,較佳的摻雜 劑爲如依據WO 08/0 06449或WO 07/140847之單苯並茚並 荛或二苯並茚並莽的芳基胺衍生物或雙(二芳基胺)衍生 物。再者,再次爲較佳的摻雜劑爲未公開之申請案DE 1 020080354 1 3.9所揭示之化合物。 式(1 )至(5 )之化合物的可能其他用途是作爲電洞 傳輸層或電洞注入層內的電洞傳輸或電洞注入材料。若一 或多個橋X表示S或NR1,和/或若一或多個基團R表示 N(Ar)2,則此用途特別適合。再者,此類型化合物亦可以 用於電子阻擋層。 式(1 )至(5 )之化合物的其他可能用途是作爲電子 傳輸層內的電子傳輸材料。爲此目的,特別適合者爲經至 少一種缺電子的雜芳香族基團取代之式(1 )至(5 )之化 合物。缺電子的雜芳香族基團爲具有至少一個氮原子之 6-員雜芳香族環和對應的稠合系統,例如,吡啶、吡Π并、 嘧啶、嗒阱、三畊、喹啉、喹嚀啉或啡啉,或具有至少一 個氮原子和選自N、0和S之另外雜原子之5·員雜芳香族 環和對應的稠合系統’例如,吡唑、咪唑、D碧唑、嗜二唑 或苯並咪唑。若式(1)至(5)之化合物作爲電子傳輸材 料,橋X較佳地表示QR1)2。此外,若至少一個橋X表 示C = 0、Ρ( = 〇)Ι^、SO或so2’化合物亦適合作爲電子傳 -40- 201035006 輸材料。再者,此類型化合物亦可以用於電洞阻擋層。 再者,較佳者爲有機電致發光裝置,其中一或多層係 藉由昇華法予以塗覆,其中材料係在真空昇華單位內在初 始壓力低於1 (Γ5 m b a r (較佳地低於1 〇 -6 m b a r,特佳地低於 l〇_7mbar)予以蒸氣沈積。 同樣地,較佳者爲有機電致發光裝置,特徵在於:一 或多層係藉由OVPD (有機蒸氣相沈積)法或有載體氣體 0 昇華的幫助而予以塗覆’其中材料在壓力介於1 0_5mbar和 1 bar之間時予以塗覆。 再者’較佳者爲有機電致發光裝置,特徵在於:一或 多層係由溶液,例如,藉由旋轉塗佈,或以任何所欲之印 刷方法,例如,網印、膠版印刷或平版印刷,但特佳地 LITI (光所引起的熱成像、熱轉印)或噴墨印刷,而予以 製造。爲此目的,需要可溶解的化合物(若需要其可得自 適當的取代反應)。這些方法亦特別適合寡聚物和聚合物 〇 這些方法一般爲熟習該領域者所知道的,且可以被熟 習該領域者毫無問題地應用於含有如上所定義之式(i) 至(5)之化合物的有機電致發光裝置。 現參考一些貫例更詳細地說明本發明,應瞭解實例不 會限制本發明之範圍。 【實施方式】 實例: -41 - 201035006 除非另有指明否則,下面合成係在保護性氣體氛圍下 於乾燥溶劑中進行。 流程圖2 · 一般合成步驟:
實例1 : 製備2- (4 -甲基萘-1-基)異酞酸二甲酯1的合成步驟:
35 g( 148 mmol) 4 -甲基萘醒酸、33.8 g( 124 mmol )2 -溴異酞酸二甲酯和2 2 0 m 1的2 Μ N a 2 C Ο 3溶液懸浮於 -42- 201035006 1升甲苯和1升EtOH中,混合物用N2飽和,加入2.9 g (3 mmol )肆(三苯基膦)鈀(〇 ),且混合物沸騰受熱 2小時。混合物被倒入至3升的水/MeOH/6 M HC1 1 : 1 : 1之混合物中,米黃色沈澱物用抽吸過濾、用水、EtOH和 甲苯清洗、和乾燥。依據 W-NMR,產物含量爲約95%, 整體產量37g(90%)。 〇賴2: 製備2-[3- ( 1-羥基-1-甲基乙基)-2- ( 4-甲基-萘-1-基) 苯基]丙-2-醇2的合成步驟:
在保護性氣體下,73 g( 227 mmol) 2-(4 -甲基-萘-基)異酞酸二甲酯(來自實例1 )開始被引入至2 000 ml 的THF中且冷卻至Ot:。在此溫度時,逐滴加入300 ml 的2 Μ氯化甲基鎂溶液,且隨後使混合物處於室溫整夜。 將600 ml的飽和NH4C1溶液和900 ml的水/濃HC1 8 : 1 加到溶液中。分離相,且在真空中移除溶劑。依據1 Η -NMR,產物含量爲約90%,整體產量76_2 g ( 90% )。 實例3 : -43- 201035006 製備1,1,5,5,9-五甲基-1,5-二氫苯並[m,《,〇]乙烯合蒽3的 合成步驟:
在保護性氣體下,66.9 g ( 200 mmol ) 2-[3- ( 1-羥基- 1-甲基-乙基)-2- (4 -甲基萘-1-基)苯基]丙-2 -醇(來自 實例2 )開始被引入至26 8 g ( 2734 mmol )聚磷酸中’且 冷卻至〇 °C。混合物隨後在1 〇 (TC攪拌3小時,且接著冷 卻至室溫。將水加到冰冷的混合物中,混合物用乙酸乙酯 萃取,且溶劑在真空中移除。依據】H-NMR,產物含量爲 約9 6 %,整體產量6 0 g ( 9 4 % )。 實例4 : 製備3-溴-1,1,5,5,9-五甲基-1,5-二氫苯並[m,η,〇]乙烯合蒽 4的合成步驟:
在保護性氣體下,51 g ( 173 mmol )的1,1,5,5,9-五 -44- 201035006 甲基氮苯並[w,n,o]乙嫌合恵(來自貫例3)開始被 引入至1 500 ml的氯仿中,且冷卻至〇°C。將3 1 g ( 1 74 mmol )的NB S分數次加到此溶液中,且混合物攪拌整夜 。將Na2S03溶液加到混合物中’分離相,且溶劑在真空 中移除。依據W-NMR,產物含量爲約95%,整體產量46 g ( 7 1%)。 〇 實例5 : 雙(4-二級丁基苯基)(1,1,5,5,9-五甲基-1,5-二氫苯並 [〜《,〇]乙烯合蒽-3-基)胺5的合成步驟:
❹ 32.7 g( 86.6 mmol) 3-溴-1,1,5,5,9-五甲基-1,5 -二氫 苯並[w,«,〇]乙嫌合蒽(來自實例4)和27 g( 95.9 mmol )雙(4_三級丁基苯基)胺於1 000 ml二噁卩山的脫氣溶液 用 N2飽和1小時。然後,先將〇.9 ml ( 4.3 mmol ) Ρ(*Βιι)3、接著 0.480 g(2.1 mmol)乙酸鈀加到溶液中, 且隨後加入12.6 g(131 mmol)固體NaOtBu。反應混合 物回流受熱1 8小時。混合物冷卻至室溫之後,小心地加 入1 0 0 0 m 1的水。有機相用4 X 5 0 m 1的Η 2 〇清洗、用 -45- 201035006 M g S Ο4乾燥、且溶劑在真空中移除。藉由再結晶得到純淨 產物。依據HPLC,產物含量爲99.9%,整體產量4〇 g( 8 0%)。 實例6 : 製備3-硝基-1,1,5,5,9-五甲基-1,5_二氫苯並[所,„,〇]乙烯合 惠6的合成步驟:
於冰冷的5 0 ml的2頸燒瓶中在保護性氣體氛圍下小 心地混合12.0 ml冰醋酸和ι·3 9 ml (33.5 mmol)發煙硝 酸。於25 0 ml的四頸燒瓶中在保護性氣體氛圍下,lo.o g (33.5 mmol )芳香族化合物3溶於75 ml硝基苯。在0 °C ’逐滴緩慢地將冰醋酸/硝酸混合物加到此溶液中,和 緩慢地使反應混合物回溫至室溫,以TLC監測。當反應完 全時,分批小心地加到冰-水中,加入足夠量的乙酸乙酯 ,和分離相、乾燥和蒸發,得到9.8 g ( 8 5 % )黃-棕色固 體之產物,其可以直接用於下一步的轉換反應。 實例7 : 製備1,1,5,5,9-五甲基-1,5,8b,10b-四氫苯並[m,η,〇]乙烯合 -46- 201035006 蒽-3-基胺7的合成步驟:
10.0 g(29.1 mmol)硝基化合物6懸浮於100以的 甲醇中,且在保護性氣體氛圍下加入0.74 g的Pd/C( 10% 〇 ) ’混合物冷卻至〇 °c。於此溫度,以小部分方式小心地 加入2.9 g(78.6 mmol ) NaBH4。反應溶液經由TLC監測 且使其緩慢地回溫至室溫。當反應完全時,在冰冷情況下 ,加入1 0 0 m 1的甲醇和排除氫。隨後在〇 °c小心地加入水 ’且混合物用足夠量的二氯甲烷萃取、乾燥和蒸發。粗產 物邊攪拌邊用熱甲苯/庚烷1 ·· 25清洗,得到6.8 g ( 74% )灰白色固體產物。 〇 w 實例8 : 製備參(1,1,5,5,9-五甲基- l,5,8b,10b-四氨苯並乙 烯合蒽-3-基)胺8的合成步驟:
-47- 201035006 4.15 g( 13.25 mmol)胺 7 和 10.0 g( 26.5 mmol)溴 化物4懸浮於1 2 5 ml的甲苯中,且混合物透過通入N2脫 氣3〇分鐘。將0.66 ml的參-三級丁基膦(1 M/1於甲苯中 )注入至懸浮液中,和加入 59.5 mg (0.27 mmol)的 Pd(OAc)2。接著簡單地將混合物脫氣,然後加入1.91 g ( 18.9 mmol)的NaOtBu (脫氣,爲固體),和反應混合物 在激烈回流下攪拌3小時。反應溶液被冷卻、用甲苯/乙 酸乙酯稀釋、和透過Alox B (活性等級1 )過濾。在庚烷 /甲苯1 0 ·· 1中結晶,得到8 · 7 g ( 7 3 % )白色粉末之產物 實例9 : 〇 L E D的製造 本發明OLED的製造係依據WO 04/0589 1 1之一般方 法進行,其適於在此所述之環境(層厚度變化、所使用之 材料)。 下面實例9.1至9.4呈現一些OLED的結果。塗有結 構化ITO (銦錫氧化物)之玻璃板形成OLED的基板。爲 改善加工,20 nm的PEDOT (由水旋轉塗佈;購自H. C. 8丈&1'〇让,0〇3131',〇61:11^117;聚(3,4-伸乙基二氧基-2,5-噻吩 ))塗覆至基板。 OLED係由下面層序列組成: 基板 / PEDOT ( 20 nm) / HIL1 ( 5 nm ) / HIL2 (110 nm 或 140 nm) / HTM ( 20 nm ) / 發光層= EML(30nm) / A1Q3 ( 20 nm),和最後爲陰極。來自實例9.1和9.2之 -48- 201035006 OLED包括厚度爲110 nm之HIL2層,和來自實例9.3和 9.4之OLED包括厚度爲14〇nm之HIL2層。 除了 PEDOT之外的所有材料皆在真空室中予以熱蒸 氣沈積。發光層在此總是由基質材料(主體)和摻雜劑組 成’其藉由共蒸發與主體摻混。陰極係由厚度爲1 nm之 LiF層和沈積在頂部且厚度爲1 〇〇 nm之A1層所形成。表 1顯示用於建造OLED所使用之材料的化學結構。 0 這些0LED以標準方法描述特徵;爲此目的,測定電 致發光光譜、效率(以cd/A測量)、由電流-電壓-亮度特 性線(IUL特性線)計算之功率效率(以lm/W測量)與 亮度的函數關係、和壽命。壽命定義爲初始亮度爲25,000 cd/m2或6000 cd/m2減少至一半後的時間。使用電壓定義 爲OLED達到亮度爲1 cd/m2時的電壓。 表2顯示2個OLED (實例9.1和9.2 )的結果,其說 明本發明化合物作爲電洞傳輸材料之用途。所使用之本發 0 明電洞傳輸材料(HTM)爲來自表1之化合物HTM1。使 用先前技藝的化合物NPB作爲比較例。與先前技藝相比 ’化合物HTM 1以在實際上未改變操作和使用電壓下增加 效率和壽命而優於N P B。 實例9.3和9.4顯示發藍光〇leD,其中先前技藝的 摻雜劑D2用於實例9·3,而本發明之摻雜劑D3用於實例 9.4。如所見’本發明之物質展現出顯著地深黑-藍色座標 ’即’較低的CIE y値。雖然,D3展現出相似的電流效 率(以cd/A測量),即,量子效率與先前技藝相比顯著 -49- 201035006 地被改善,其亦顯示於表2。本發明之化合 先前技藝之化合物D2的其他優點爲經增力[ D3展現出深黑-藍色座標和因此必須在明羅 始亮度6000 cd/m2的D2更大的電流下操們 化合物得到幾乎5 0 %的壽命的顯著改善。Μ 比D2更高的固有安定性。 物D 3相較於 的壽命:雖然 比所使用之初 ,使用本發明 顯示D3具有 -50- 201035006
表1 Ρ iSl ΝΡΒ aiq3 V V/ N^TV^N ~〇xCm3tP^ 9 v HIL1 HIL2 Η1 D1 ΗΤΜ1 D2 D3 -51 - 201035006 CN^ Ο WStt 390 h 420 h 在 6000 cd/m2 壽命 110 h 160 h 在 1000 cd/m2 Cffix/y 0.28/0.61 0.28/0.60 _I 0.142/0.151 0.143/0.111 顏色 邀 蕖 細 m 在 1000 cd/m2 E〇E 5.0% 5.7% 4.2% 5.2% 在1000 cd/m2 效率 I 17.1 cd/A I 19.2 cd/A 5.1 cd/A 5.4 cd/A 在 1000 cd/m2 電壓 5.0 V I 5.1 V 6.4 V i 6.1 V 使用電壓 2.8 V I I 2.7 V 3.3 V 3.2 V HTM NPB HTM1 NPB NPB I EML H1 + 10% D1 H1 + 10% D1 + T- CM 工in Q + co 工m Q 實例 T-* ci CM σ> 9.3 寸 oi -52-

Claims (1)

  1. 201035006 七、申請專利範圍: 1 ·—種式(1 ) 、( 2 ) 、 ( 3 ) 、 ( 4 )或(5 )之化 合物:
    式⑷ 式(5) 其中: Ο X 於每一情況中彼此獨立地爲選自下列之二價橋: B(R') ' C(R')2 ' Si(R')2 ' C = NR' ^ C = C(R')2 ' Ο ' S ' C = 0、S = 0、S02、NiR1)、PiR1)和 P( = 〇) R1 ; Y 於每一情況中彼此獨立地爲C R或N ; R 於每一情況中彼此獨立地爲H、D、F、C1、B r、I、 N(R2)2 、 N(Ar)2 、 C( = 0)Ar 、 P( = 〇)Ar2 、 S( = 〇)Ar 、 S( = 0)2Ar、CR2 = CR2Ar、CN、N〇2、Si(R2)3、B(OR2)2 、OS 02R2、具有1至40個C原子之直鏈烷基、烷氧 基或烷硫基或具有3至40個C原子之支鏈或環狀的 -53- 201035006 烷基、烷氧基或烷硫基(上述每一者可經一或多個基 團R2取代’其中一或多個不相鄰的CH2基團可經下 列置換:r2C = cr2、C ξ c、Si(R2)2、Ge(R2)2、 Sn(R2)2、C = 0、C = S、C = Se、C = NR2、p( = 〇)(R2)、s〇 、S〇2、NR2、O、S或CONR2,和其中一或多個H原 子可經下列置換:D、F、C卜Br、I、CN或N02 )、 或具有5至40個芳香族環原子之芳香族或雜芳香族 環系統(其於每一情況中可經一或多個非芳香族基團 R取代)、或具有5至40個芳香族環原子之芳氧基 或雜芳氧基(其可經一或多個非芳香族基團R取代) 、或這些系統的組合;其中二或多個基團R可形成 單-或多環的脂族或芳香族環系統; R1 於每一情況中彼此獨立地爲Η、D、F、CI、B r、I、 CN、N〇2、B(OR2)2、Si(R2)3、具有 1 至 40 個 C 原子 之直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個c原 子之支鍵或環狀的院基、院氧基或院硫基(上述每一 者可經一或多個基團R2取代,其中一或多個不相鄰 的 CH2基團可經下列置換_· -R2C = CR2-、C三C、 Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C = 0、C = S、C = Se、 C = NR2、-〇·、-S-、-COO-' 或- CONR2-,且其中—或 多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或N〇2置換 )、或芳基胺或經取代的味唑(上述每一者可經一或 多個基團R2取代)、或具有5至40個芳香族環原子 之芳香族或雜芳香族環系統(其可經一或多個非芳香 -54- 201035006 族基團R1取代)、或具有1至2〇個芳香族環原子之 芳氧基或雜方氧基(其可經一或多個非芳香族基團R1 取代)、或這些系統的組合;其中二或多個取代基 亦可彼此形成單-或多環的脂族或芳香族環系統: R3 4於每一情況中彼此獨立地爲Η、D或具有1至2〇個c 原子之脂族或芳香族烴基團; Ar 於每一情況中彼此獨立地爲具有5至40個芳香族環 原子之芳香族或雜芳香族環系統,其可經一或多個非 芳香族基團R1取代;鍵結至相同原子上的2個基團 Ar在此亦可經由單鍵或二價基團¢:(1^)2而彼此連接 但排除下面3個化合物:
    1 每一次出現時係相同或不同地表示Η、D、F、N(Arh、CN -55- 2 如申請專利範圍第1項之化合物,其中符號R在 3 如申請專利範圍第1項之化合物,其中基團X在 每一次出現時係相同地或不同地選自C (R 1) 2、N R 1、Ο、S 、或 C = 〇。 4 如申請專利範圍第1或2項之化合物,其中式(1 )至(5)中之最多3個符號Y表示N,且其他符號Y表 示CR。 201035006 、具有1至20個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至 20個C原子之支鏈或環狀的烷基或烷氧基(上述每_者 可經一或多個基團R2取代,其中一或多個Η原子可經F 置換)、或具有5至25個芳香族環原子之芳香族或雜芳 香族環系統(其於每一情況中可經一或多個非芳香族基團 R取代)、或這些系統的組合;其中二或多個基團R可形 成單-或多環的脂族或芳香族環系統。 5 ·如申請專利範圍第1項之化合物,其中符號Rl在 每一次出現時係相同或不同地表示H、D、具有丨至2〇個 C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至20個C原子之支 鏈或環狀的院基或院氧基(上述每一者可經一或多個基團 R2取代,其中一或多個Η原子可經F置換)、或具有5 至25個芳香族環原子之芳香族或雜芳香族環系統(其可 經一或多個非芳香族基團R1取代)、或這些系統的組合 ;其中二或多個取代基R1亦可彼此形成單-或多環的脂族 或芳香族環系統。 6 ·如申請專利範圍第1項之化合物,其中 X 在每一次出現時係相同地或不同地選自 、0、S 或 C = 0,特別是 CiR1)]; Y 在每一次出現時係相同地或不同地爲CR1或N,其中 式(1)至(5)中之最多1個或2個符號Y表示N, 特別地在每一次出現時係相同地或不同地爲CR ; R 在每一次出現時係相同地或不同地爲 H、D、F、 N(Ar)2、CN、具有1至20個C原子之直鏈烷基或烷 -56- 201035006 氧基或具有3至20個C原子之支鏈或環狀的烷基或 烷氧基(上述每一者可經一或多個基團R2取代,其 中一或多個Η原子可經F置換)、或具有5至25個 芳香族環原子之芳香族或雜芳香族環系統(其於每一 情況中可經一或多個非芳香族基團R取代)、或這些 系統的組合;其中二或多個基團R可形成單-或多環 的脂族或芳香族環系統;特佳者爲Η、N (A r) 2、具有 & 1至10個C原子之直鏈烷基或具有3至40個C原子 之支鏈或環狀的烷基(特別是甲基)、或具有5至25 個芳香族環原子之芳香族或雜芳香族環系統(其於每 一情況中可經一或多個非芳香族基團R取代):其中 二或多個基團R可形成單-或多環的脂族或芳香族環 系統: R1 在每一次出現時係相同地或不同地爲Η、D、具有1 至2〇個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有3至20個 Q c原子之支鏈或環狀的烷基或烷氧基(上述每一者可 經一或多個基團R2取代,其中一或多個Η原子可經 F置換)、或具有5至25個芳香族環原子之芳香族 或雜芳香族環系統(其可經一或多個非芳香族基團Ri 取代)、或這些系統的組合;其中二或多個取代基R1 亦可彼此形成單-或多環的脂族或芳香族環系統;特 佳者爲H'具有1至10個C原子之直鏈烷基或具有3 至1〇個c原子之支鏈或環狀的烷基(特別是甲基) 或具有5至10個方香族環原子之芳香族或雜芳香 -57- 201035006 族環系統(其m或多個非芳香族基_ Rl取代) ,特別是苯基(其可經〜 卖多個非芳香族基團R】取 代):其中二或多個基團+ M R亦可彼此形成單-或多環 的脂族或芳香族環系統; 其他符號具有如申請專利# _ _ R圍第丨項中所提及之意義 7.如申請專利範圍第1 Ig ^ ^ * 項之化合物,其係選自式 la)至(5a)之化合物:
    其中所使用之符號具有如申請專利範圍第】項中所提 及之意義,和在每一結構中之最多2個符號γ表示N。 8_如申請專利範圍第1項之化合物’其係選自式( lb )至(5b )之化合物: -58 - 201035006
    Ο 其中R和χ具有如申請專利範圍第1項中所提及之意 義 9· 一種二聚物、寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物, 其包括一或多種如申請專利範圍第1至8項中任一項之式 (1) 、 (2) 、 ( 3 ) 、 (4)或(5)之化合物,其中一 或多個基團R表示鍵結至下一個重複單位之鍵。 1〇·—種製備如申請專利範圍第1至8項中任一項之 〇 化合物之方法,其係以下列步驟爲特徵: a )使官能化的萘或官能化的蒽或對應的其他官能化 芳香族化合物偶合至芳香族和/或雜芳香族化合物, b )在萘或蒽與芳香族和/或雜芳香族化合物之間經 由環閉合反應形成一或多個二價橋。 11·如申s靑專利範圔第1 〇項之方法,其包括下面其 他反應步驟: c )藉由步驟a )和b )所得之母結構藉由氯化、溴 化或碘化予以官能化, -59- 201035006 d ) 接著以Hartwig-Buchwald偶合至芳香族胺,或 以Suzuki偶合至芳基醞酸或芳基醐酸衍生物,或聚合反 應。 1 2 · —種如申請專利範圍第1至9項中任一項之化合 物之用途,其係用於有機電子裝置,較佳地用於有機發光 裝置(OLED )、有機積體電路(0-IC )、有機場效電晶 體(0-FET )、有機薄膜電晶體(Ο-TFT )、有機發光電 晶體(0-LET)、有機太陽能電池(ο-SC)、有機光偵測 器、有機感光器、有機場驟滅裝置(organic field-quench device ) ( O-FQD )、發光電化學電池(LEC )、或有機 雷射二極體(〇 -雷射)。 I3· —種有機電子裝置’特別是有機電致發光裝置( 有機發光二極體或聚合物發光二極體)、有機積體電路( O-IC)、有機場效電晶體(O-FET)、有機薄膜電晶體( O-TFT)、有機發光電晶體(〇-LET)、有機太陽能電池 (o-sc )、有機光偵測器、有機感光器、有機場驟滅裝置 (O-FQD)、發光電化學電池(LEC )、和有機雷射二極 體(〇-雷射)’其包括—或多種如申請專利範圍第1至9 項中任一項之化合物。 14· 一種有機層,其包括一或多種如申請專利範圍第 1至9項中任一項之化合物。 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項之有機電子裝置,其中 利用該如申請專利範圍第1至9項中任一項之化合物作爲 發光層中之發光化合物’和/或作爲發光層中之螢光或磷 -60- 201035006 光發光劑的主體材M ^ θ ’和w或作爲電洞注入或電 中之黾洞傳輸材料’和/或作爲電子阻擋層中之 材料’和/或作爲電洞阻擋層中之電洞阻擋材料 爲電子注入或電子傳輸層中之電子傳輸材料。 洞傳輸層 電子阻擋 ’和/或作
    -61 - 201035006 四、指定代表圖: (一) 、本案指定代表圖為:無 (二) 、本代表囷之元件代表符號簡單說明:無
    -3- 201035006 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學 式:式(1)〜(5)
    式⑷ 式(5)
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