201020782 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及電子裝置、介面電路及存取方法。 【先前技術】 快閃記憶體卡（flash memory card)可儲存大量資料 且不需要外部電力供應來保持資料。此外，快閃記憶體卡 以其小尺寸可滿足便攜式設備（portable device)之尺寸需 要。因此’快閃記憶體卡流行於數位便攜式設備例如數位 相機（digital camera)、手電腦（handheld computer)、 行動電話（mobile telephone )、音樂播放器（music player ) 及便攜式記憶體驅動（portable memory drive)之製造中。 儘管有多種快閃5己憶體卡被製造’記憶棒（Memory Stick ’以下簡稱為MS )卡與安全數位（Secure Digital，以 下簡稱為SD)卡是當前最流行之快閃記憶體卡。同時，為 方便用戶，一些使用快閃記憶體卡儲存資料之電子裝置可 存取多於一種記憶卡。此外，讀卡器必須為主設備（host device)存取不同類型之記憶卡。因此，可存取不同類型之 記憶卡之電子設備，於存取記憶卡之前，必須首先識別記 憶卡之類型。 請參考第2圖，第2圖為根據先前技術之存取不同類 型之記憶卡之電子裝置200之一部分之方塊圖。電子裝置 200包含記憶卡202、插槽204、介面電路206及控制器積 體電路（Integrated Circuit，以下簡稱為1C ) 208。記憶卡 202被***插槽204以藉由控制器1C 208被存取。當記憶 0758-A33258TWF MTKI-07-174 4 201020782 卡202被***插槽204中時，插槽204之多個弓丨腳（pins) 耦接至記憶卡202以接收記憶卡202與控制器IC2〇8之間 交換之不同訊號。記憶卡202可為SD卡或MS卡。 清參考第1A圖’第1A圖為SD卡202與控制器1〔2〇8 之間交換之多個訊號之列表之示意圖。多個訊號包含時脈 訊號SD—CLK、命令訊號SD—CMD以及四個資料訊號 SD—D0、SD—D卜 SD—D2 與 SD—D3。時脈訊號 SDj：lk ^ 自控制器1C 208被送至SD卡202 ’即如第1A圖所示，時 φ 脈訊號SD一CLK之資料傳輸方向為輸出，自控制器IC2〇8 輸出至SD卡202。其他訊號SD—CMD、、SD D1、 SDJD2、與SD_D3之資料於兩個方向上被交換，即如第1A -圖所示’資料傳輸方向為輸出/輸入，既可以自控制器IC 2〇8 輸出至SD卡202 ’也可以自SD卡202輸入至控制器Ic 208 〇 請參考第1B圖，第1B圖為MS卡202與控制器ic 2〇8 之間交換之多個訊號之列表之示意圖。多個訊號包含時脈 • 訊號MS_CLK、匯流排狀態訊號MS_BS以及四個資料訊號 MS_D0、MS_Dh MS_D2 與 MS—D3。時脈訊號 ms_CLK 與匯流排狀態訊號MS_BS僅自控制器1C 208被送至MS 卡202，即如第1B圖所示，資料傳輸方向為輸出，自控制 器1C 208輸出至MS卡202，其他訊號MS_D0、MS_D1、 MS_D2、與MS_D3之資料於兩個方向上被交換，即如第 1B圖所示，資料傳輸方向為輸出/輸入，既可以自控制器 1C 208輸出至MS卡202’也可以自MS卡202輸入至控制 器 1C 208 。 0758-A33258TWF MTKI-07-174 5 201020782 插槽204以多個引腳（multiple pins)接收訊號，所述 之訊號必須傳輸至控制器1C 208之多個輸入輸出（Input/
Output ’以下簡稱為1〇)引腳。介面電路2〇6通過多個訊 號線將插槽204之多個引腳耦接至控制器1C 208之多個10 引腳’以此方式致能記憶卡202與控制器1C 208之間欲交 換之訊號。此外’訊號被交換之前，插槽204之引腳之電 壓必須被保持為預設之初始電壓值，其中，訊號通過多個 引腳於記憶卡202與控制器ic 208之間交換。如果記憶卡 202為MS卡’則當MS卡202被***插槽204時，MS卡 泰 1 降低引腳之電壓至地電平（gr〇und ievei)之初始電壓（initial voltage) ’即引腳之電壓被下拉至地電平；如果記憶卡2〇2 為SD卡’則當SD卡202被***插槽204時，介面電路 206升高引腳之電壓至高電平（high level)之初始電壓， 即引腳之電壓被上拉至高電平。如第1A圖所示，SD卡之 命令訊號SD_CMD以及四個資料訊號SD_D0、SD_D1、 SD_D2與SD_D3之電壓被上拉，並且如第1B圖所示，MS 卡之匯流排狀態訊號MS_BS以及四個資料訊號MS_D0、 ❷ MS_D1、MS_D2與MS_D3之電壓被下拉。 請參考第3A圖，第3A圖為第2圖所示之電子裝置 2〇〇之根據先前技術之介面電路300之一部分之方塊圖。 插槽204通過對應引腳MS—CLK、MS_BS、MS_D0、 MS_D；l、MS—D2與]VISJD3自MS卡202接收列於第1B圖 之列表中之訊號。插槽204亦通過對應引腳SD_CLK、 SD—CMD、SD_D0、SD—Dl、SD—D2 與 SD—D3 自 SD 卡 202 接收列於第1A圖之列表中之訊號。控制器IC 208通過ΙΟ 0758-A33258TWF ΜΤΚΙ-07-174 6 201020782 引腳 IC_I〇a、IC_I〇b、ic—I〇c、IC I〇d、IC—I〇e 與 IC I〇f 自記憶卡202接收訊號。 介面電路300將控制器Ic 2〇8之每一 1〇引腳耦接至 自MS卡接收讯號之引腳其中之一與自81)卡接收訊號之引 腳其中之一，從而減少需要之1〇引腳數量。例如，引腳 MS—BS與引腳SD一CMD輕接至1〇引腳IC—队，引腳 MS—CLK與引腳SD一CLK耦接至1〇引腳IC_I〇b，引腳 MS_D0與引腳SD-D0耦接至1〇引腳冚J〇c。— • 插槽204之兩個卡***引腳SD—INS與MS INS分別 用於_ SD卡與MS卡之***。t SD卡或MS-卡被*** 插槽204中時’對應之卡***引腳SD—腦與之 _電壓其中之一被降低為地電平。介面電路300包含兩個模 組302與304以設定插槽2〇4之引腳之電壓至預設之初始 電壓。當SD卡被***時，卡***引腳SD—腿之電壓被降 低為地電平以打開電晶體312，從而升高節點3〇6之電壓 至高電平vDD，其中節點306耦接至插槽2〇4之引腳。當 籲MS卡***人時’卡插人引腳MSJNS之電壓被降低為地電 平以打開電晶體314與316，從而降低節點308之電壓至 地電平vGND ’其中節點308耦接至插槽2〇4之引腳。 請參考第3B圖，第3B圖為第2圖所示之電子裝置 200之根據先命技術之介面電路之另一部分之示意 圖。部分介面電路350包含兩個二極體352與354。當卡 ***引腳SD—INS與MS_INS中任一引腳之電壓被降低 時’ 一極體352與354其中之一被打開，從而降低控制器 1C 208之卡偵測引腳IC—CD之電壓。請參考第4圖，第4 0758-A33258TWF_MTKI-07-l 74 - 201020782 圖為控制器IC 208之卡彳貞測方法4〇〇之流程圖。控制器ic 208首先偵測卡偵測引腳IC—CD之電壓（步驟4〇2 )。若 卡偵測引腳IC—CD之電壓位於低電平（步驟4〇4)，控制 器1C 208首先發送so卡偵測命令至記憶卡2〇2以偵測記 憶卡202是否為SD卡（步驟406)。若記憶卡2〇2不是 SD卡（步驟408)，則控制器IC20S接著發送撾8卡偵測 命令至記憶卡202以偵測記憶卡202是否為Ms卡（步驟 410)。 然而，介面電路300並不能根據卡摘測引腳ic CD之 電壓直接確定被***插槽204之記憶卡202是MS卡還是 SD卡。因此，控制器1C 208必須依次發送卡债測命令 與MS卡偵測命令以確定記憶卡2〇2之類型。當SD卡2〇2 接收MS卡摘測命令時，SD卡可能被肘；5卡偵測命令擾亂 (⑽fused)，導致SD卡之錯誤狀態（err〇r 。當 MS卡接收SD卡摘測命令時，Ms卡可能被sd卡偵測^ 令擾亂。此外，控制器IC2〇8需要額外之卡偵測引_IC^CD 用於卡偵測，增加控制器1C 208需要10引腳之數目，因 此增加了硬體成本。因此，需要一種新型（n()vel)介 路以耦接插槽204與控制器Ic 2〇8。 【發明内容】 有鑒於此’本發明特提供電子裝置、介面電路及 方法。 根據本發明之-實施例，一種電子裝置，接收第 型記憶卡或第二類型記憶卡，包含：插槽、㈣器電^ 0758-A33258TWF_MTKJ-07-174 201020782 介面電路。插槽通過-組第—弓丨腳㈣至第— 並通過-組第二引腳耗接至第 、尤憶卡 路，經由多個輸入輸出引腳存取第一類型=卡：器電 型記憶卡，並根據自多個輪人輸出引腳中選出之目=類 輸出引腳之電壓確定第—_記憶卡還是第 被***插槽。介面電路轉接於插槽與控 路隐： 之T輸入輸出引腳其中之-輕』這; 類型記憶卡還是第二類型記侉+ 、’根據第一 入輸出引腳之電壓為不同值卡***人插槽來狀目標輸 根據本發明之另-實施例，提供一種介面 於插槽與控制器電路之間’其中备耦接 :’插槽通過-組第-引腳―至:憶棒卡Λ安： :被***插槽時，插槽通過—組第二引_接至安全數位 卡。介面電路包含多個訊號線與卡識別電路。多個訊號 將控制器電路之多個輸人輸出弓丨腳其中之-_至這組第 據:二棒:二第二引腳其中之-。卡識別電路根 據5己It棒卡叙數位卡***人插槽㈣定自多個訊穿 號線之電壓為不同值，以致能控制心 路根據_至目標職線之輸人輸㈣腳之電壓確定記情 棒卡還是該安全數位卡被***插槽。〜 ^據本發明之又-實施例，—種存取方法，用於存取 類型記憶卡與第二類型記憶卡，包含：提供插槽，所 通過-組第—引腳接受第—類型記憶卡或者通過 汉第一引腳接受第二類型記憶卡；其中當第一類型記憶 0758-A33258TWF_MTKI-07-l 74 n 201020782 卡存在於插槽時’插槽降低第―類型卡插人引腳之電壓。 提供控制器電路，經由多個輸入輸出引腳存取第一類型記 憶卡或第二類型記憶卡。於插槽與控寵電路之間配置介 面電路’介面電路將多個輸人輸出引腳其中之—柄接至這 組第一引腳其中之-及這組第二引腳其中之―，並且當第 -類型卡插人引腳之電壓被降低時，介面電路升高搞接至 ^個輸入輸出引腳其中之―的訊號線之電壓，以致能控制 器電路根據减至所狀訊號線之輸人輸出引腳之電壓確 定第-_記針還是第二_記針***人插槽。 本發明藉由所提供之電子裝置、介面電路及存取方 法’於卡㈣命令被送至記憶卡之前，預先·記憶卡之 類型’而不會導致錯誤。此外，降低控制器ic需要之引腳 數目並降低硬體成本。 【實施方式】 為使本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 細說明如下。應注意，以下所述實施例僅用以例示本發明 之目的，其並非本發明之限制。本發明之權利範圍應以申 請專利範圍為準。 請參考第5圖，第5圖為根據本發明之接收多於一種 類型記憶卡之電子裝置500之方塊圖。電子裝置5〇〇包含 插槽504、介面電路506及控制器IC 5〇8。所述之電子裝 置可為一記憶卡讀取器。應可理解，控制器IC 5〇8係為控 制器電路之一實施例。記憶卡5〇2被***插槽5〇4以藉由 0758-A33258TWF^MTKI-07-174 10 201020782
控制器IC 508被存取。於一實施例中，記憶卡502可為 MS卡或SD卡。當被***插槽5〇4之記憶卡5〇2為MS卡 時’插槽504通過一組第一引腳耦接至記憶卡502，其中 這組第一引腳包含時脈引腳MS_CLK、匯流排狀態引腳 MS_BS與四個資料引腳MS—D0〜mS_D3。當被***插槽 504之記憶卡502為SD卡時，插槽504通過一組第二引腳 耦接至記憶卡502 ’其中這組第二引腳包含時脈引腳 SD—CLK、命令引腳SD—CMD與四個資料引腳SD_D0〜 φ SD_D3。此外’當MS卡502被***插槽504時，插槽504 降低MS卡***引腳MS_INS之電壓；當SD卡502被*** 插槽504時，插槽504降低SD卡***引腳SD_INS之電壓。 -介面電路506包含SD卡介面電路512、MS卡介面電 路 514、卡識別電路（card identification circuit) 516 與控 制器 1C 柄接電路（controller IC coupling circuit) 518。SD 卡介面電路512包含分別耦接至這組第二引腳中多個引腳 之多個訊號線。請參考第6A圖，第6A圖為根據本發明之 ❹一實施例之SD卡介面電路612之示意圖。SD卡602a被 ***插槽604中，並且SD卡介面電路612之多個訊號線 耦接至插槽604之一組第二引腳以傳輸訊號SD_CLK、 SD—CMD、SD_INS 與 SD—D0〜SD—D3。此外，當 SD 卡 602a 被***插槽604時，SD卡介面電路612升高這組第二引腳 之電壓至高電平初始電壓VDD。於一實施例中，這組第二 引腳可包含引腳 VDD、VSS、CMD、CLK、DO、Dl、D2、 D3、INS。 MS卡介面電路514亦包含多個訊號線，分別耦接至 0758-A33258TWF_MTKI-07-174 201020782 這組第一引腳中的多個引腳。請參考第6B圖，第6B圖為 根據本發明之一實施例之MS卡介面電路614之示意圖。 MS卡602b被***插槽604中，並且MS卡介面電路614 之多個訊號線耦接至插槽604之一組第一引腳以傳輸訊號 MS CLK、MS BS、MS INS 與 MS D0〜MS D3。當 MS 卡602b被***插槽604時，MS卡602b自動降低這組第一 引腳之電壓至地電平之初始電壓。於一實施例中，這組第 一引腳可包含引腳 VCC、VSS、BS、CLK、DO、Dl、D2、 D3、INS 等。 請參閱第5圖，控制器1C 508經由多個1〇引腳存取 記憶卡502。控制器1C耦接電路518將控制器1C 508之10 引腳輕接至SD卡介面電路512與MS卡介面電路514之訊 號線以於其之間交換訊號。請參考第7A圖，第7A圖為根 據本發明之一實施例之控制器1C耦接電路718之示意圖。 控制器1C輕接電路718包含四個訊號線742、744、746與 748。訊號線742將控制器1C 508之10引腳ic l〇a耦接至 插槽504之引腳MS—CLK。訊號線744將控制器ic 508之 10引腳IC_IOb耦接至插槽504之引腳SD—CLK與引腳 MS—BS。訊號線746將控制器1C 508之1〇引腳IC 1〇(；輛 接至插槽504之引腳SD一CMD與引腳MS_D〇。訊號線748 將控制器1C 508之10引腳IC_IOd耦接至插槽504之引腳 SD D0。 控制器1C 508開始存取記憶卡502之前，控制器IC 508必須首先識別a己憶卡502之類型。假定控制器ic 508 根據10引腳IC_IOe之電壓確定MS卡502還是SD卡5〇2 0758-A33258丁 WF—MTKI-07-174 12 201020782 被***插槽504中。接著，卡識別電路516根據MS卡還 是SD卡被***插槽來設定耦接至1〇引腳ICj〇c之訊號線 746之電壓為不同值，以此致能控制器Ic 5〇8根據1〇引腳 IC_IOe之電壓確定MS卡還是SD卡被***插槽504中。 請參考第7B圖，第7B圖為根據本發明之一實施例之 對應於第7 A圖之控制器1C耗接電路718之卡識別電路716 之示意圖。卡識別電路716包含雙極性接面電晶體（Bip〇lar
Junction Transistor，以下簡稱為 bjt) 722，BJT 722 具有 ❿ 耦接至MS卡***引腳MS_INS之基極，耦接至高電壓源 Vdd之集極以及耦接至訊號線746之射極，其中訊號線746 麵接至插槽504之引腳SD—CMD與引腳MS_D0。當MS . 卡被***插槽504時，插槽504降低MS卡***引腳 MS—INS之電壓至地電平以關閉BJT 722。因為MS卡5〇2 自動降低包含引腳MS_D0之所有第一引腳之電壓至地電 平’並且由於SD卡不存在（nonexistence)引腳SD—CMD 之電壓浮動（floating)，故訊號線746之電壓與MS_D0 ❹ 之電壓一起被降低至地電平。10引腳IC_IOc之電壓因此被 降低至地電平’通知控制器1C 508 MS卡被***插槽504。 當SD卡502被***插槽504時，MS卡***引腳 MS一INS之電壓位於高電平以打開bjt 722。當BJT 722被 打開’位於BJT 722射極之訊號線746之電壓被升高至位 於BJT 722集極之高電壓vDD。由於MS卡502不存在， 引腳MS一D0之電壓浮動，並且訊號線746之電壓被升高至 高電平Vdd。由此’ 10引腳ic_IOc之電壓被升高至高電平 VDD，以通知控制器iC 508 SD卡被***插槽504。因此， 0758-A33258TWT_MTKI-07-174 13 201020782 控制器IC 508能根據10引腳IC_IOc之電壓確定被***插 槽504中之記憶卡502之類型。 請參考第8A圖，第8A圖為根據本發明之另一實施例 之控制器1C耦接電路818之示意圖。控制器1C耦接電路 818包含三個訊號線842、844與846。訊號線842將控制 器1C 508之IO引腳lC_IOa耦接至插槽504之引腳SD_CLK 與引腳MS_CLK。訊號線844將控制器1C 508之10引腳 IC_IOb耦接至插槽504之引腳SD—CMD與引腳MS_BS。 訊號線846將控制器1C 508之10引腳IC_IOc耦接至插槽 504之引腳SDJD0與引腳MS_D0。 請參考第8B圖，第8B圖為根據本發明之一實施例之 對應於第8A圖之控制器1C耦接電路818之卡識別電路816 之示意圖。卡識別電路816包含BJT 822與832,分別具有 耦接至MS卡***引腳MS_INS之基極，以及耦接至高電 壓源VDD之集極。BJT 822之射極耦接至訊號線844，BJT 832之射極耦接至訊號線846,其中訊號線844耦接至插槽 504之引腳MSJBS與引腳SD_CMD，訊號線846耦接至插 槽 504 之引腳 MS_D0 與引腳 SD_D0。BJT 822 與 BJT 832 之運行皆與第7B圖之BJT 722相似。因此，當SD卡*** 入插槽504時，1〇引腳ic_I〇b與IC_IOc之電壓被升高至 高電平VDD ;當MS卡被***插槽504時，10引腳IC_I〇b 與IC_IOc之電壓被降低至地電平VGND。因此，控制器1C 508能根據10引腳IC_I〇c4 IC_IOb之電壓確定被***插 槽504中之記憶卡502之類型。 卡識別電路716與816被MS卡***引腳MS_INS之 0758-A33258TWF_MTKI-07-174 14 201020782 電壓觸發（triggered)。卡識別電路亦可被SD卡***引腳 SD_INS之電壓觸發。請參考第9圖，第9圖為根據本發明 之一實施例之卡識別電路900之示意圖。卡識別電路9〇〇 包含 P 型金氧半（Positive-channel Metal Oxide Semiconductor ’以下簡稱為PMOS )電晶體924、N型金氧 半（Negative-channel Metal Oxide Semiconductor，以下簡 稱為NMOS )電晶體926與電容器（capacitor) 938。當SD 卡被***插槽504時，插槽504降低SD卡***引腳SD_INS • 之電壓至地電平，以打開PMOS電晶體924。因此，PMOS 電晶體924之汲極電壓被升高至高電平Vdd，通知控制器 1C 508 SD卡被***插槽504。
-當MS卡被***插槽504時，SD卡***引腳INS
之電壓位於鬲電平’以打開NMOS電晶體926。因此，NMOS 電晶體926之汲極電壓被降低至地電平Vgnd，通知控制器 1C 508 MS卡被***插槽504。耦接至NM〇s電晶體926 汲極之訊號線可為第8A圖之訊號線844或第7人圖之訊號 Φ 線 746。 ) *月參考第10圖，第10圖為根據本發明之用於控制器 1C 508之識別記憶卡502之類型之方法1000之流程圖。控 制器1C 508首先確定記憶卡502之類型是否已被識別（步 驟1002)。若否，記憶卡502可能是剛剛被***插槽5〇4。 控制器1C 508接著偵測訊號線之電壓（步驟1〇〇4)，所述 之訊號線之電壓可為第7A圖之1〇引腳ICJ〇c或第8八圖 之1〇引腳1C—1〇1)與冗—I〇c之電壓。若訊號線之電壓為低， 例如訊號線之電壓位於低電平（步驟1〇〇6)，則記憶卡 0758-A33258TWF_MTKI-07-174 15 201020782 為MS卡，控制器IC 508送MS卡偵測命令至記憶卡5〇2 以驗證（verify)記憶卡502為MS卡（步驟i〇〇8f。若訊 號線之電壓為高，例如訊號線之電壓位於高電平（步驟 1006)，則記憶卡502為SD卡，控制器Ic 5〇8送SD卡 偵測命令至記憶卡502以驗證記憶卡5〇2為SD卡（步驟 1010)。因此，SD卡502不會接收到MS卡偵測命令，不 會導致SD卡502出現錯誤；MS卡5〇2不會接收到sd卡 偵測命令’不會導致MS卡502出現錯誤。 若記憶卡502之類型已被識別（步驟1〇〇2)，記憶卡 502可能被切斷（diSCOnnected)。若記憶卡5〇2已被識別 為SD卡（步驟1012)，控制器1(：：5〇8送8〇卡偵測命令 至s己憶卡502以確定記憶卡502是否被切斷（步驟丨〇丨4 )。 若記憶卡502已被識別為]v[S卡（步驟1〇12)，控制器ic 508送MS卡偵測命令至記憶卡5〇2以確定記憶卡5〇2是否 被切斷（步驟1016)。 本發明提供介面電路以識別記憶卡之類型。記憶卡之 類型被識別之後，介面電路根據記憶卡之類型升高或降低 控制器1C之一 10引腳之電壓。因此，控制器ic可於卡债 測命令被送至記憶卡之前，預先識別記憶卡之類型，而不 會導致錯誤。此外，用於識別記憶卡之類型之10引腳為記 憶卡與控制器1C之間傳輸命令之10引腳，因此，降低控 制器1C需要之引腳數目並降低硬體成本。 於以上實施例中，MS卡與SD卡分別用於Ms介面與 SD介面。熟悉此項技藝者應可了解，MS介面亦可支援專 業記憶棒（Memory Stick Professional，以下簡稱為 ms Pro ) 0758-A33258TWF_MTKI-07-l 74 \6 201020782 ^ SD ;丨面亦可支援多媒體卡（論出他伽，以下 簡稱為MMC)。因此，本發明之以上理念亦可用於Msp⑺ 卡與MMC。 以上所述僅為本發明之較佳實施例 ，舉凡熟悉本案之 人士援根據本發明之精神所做之等效變化與㈣，皆應涵 蓋於後附之申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 ♦ 第1A圖為SD卡與控制器1C之間交換之多個訊號之 列表之示意圖。 第1 B圖為M s卡與控制器IC之間交換之多個訊號之 列表之示意圖。 f 2圖為根據先前技術之存取不同類型之記憶卡之電 子裝置之一部分之方塊圖。 第3A圖為第2圖所示之電子裝置之根據先前技術之 介面電路之一部分之方塊圖。 • 第3B圖為第2圖所示之電子裝置之根據先前技術之 介面電路之另一部分之示意圖。 第4圖為控制器IC之卡偵測方法之流程圖。 第5圖為根據本發明之可接收多於一種類型記憶卡之 電子裝置之方塊圖。 第6A圖為根據本發明之一實施例之SD卡介面電路之 示意圖。 第6B圖為根據本發明之一實施例之MS卡介面電路 之示意圖。 0758-A33258TWF—MTK1-07-174 17 201020782 第7A圖為根據本發明之一實施例之控制器1C耦接電 路之示意圖。 第7B圖為根據本發明之一實施例之對應於第7A圖之 控制器1C耦接電路之卡識別電路之示意圖。 第8A圖為根據本發明之另一實施例之控制器1C耦接 電路之示意圖。 第8B圖為根據本發明之一實施例之對應於第8A圖之 控制器1C耦接電路之卡識別電路之示意圖。 第9圖為根據本發明之一實施例之卡識別電路之示意 圖。 第10圖為根據本發明之控制器1C識別記憶卡類型之 方法之流程圖。 【主要元件符號說明】 200〜電子裝置； 204〜插槽； 208〜控制器1C電路； 302、304〜模組； 312、314、316〜電晶體； 352、354〜二極體； 5 02〜記憶卡； 506〜介面電路； 512〜SD卡介面電路； 516〜卡識別電路； 602a〜SD 卡； 202〜記憶卡； 206〜介面電路； 300〜介面電路； 306、308〜節點； 350〜部分介面電路； 500〜電子裝置； 504〜插槽； 508〜控制器1C ; 514〜MS卡介面電路； 518〜控制器1C耦接電路 602b〜MS 卡； 0758-A33258TWF MTKI-07-174 18 201020782 604〜插槽； 612〜SD卡介面電路； 614-MS卡介面電路； 716〜卡識別電路； 718〜控制器1C耦接電路；722〜BJT ; 742、744、746、748〜訊號線； 816~卡識別電路； 822 、 832〜BJT ; 900〜卡識別電路； 926〜NMOS電晶體； 818〜控制器1C耦接電路； 842、844、846〜訊號線； 924〜PMOS電晶體； 938〜電容器。
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