TW200947312A - Radio frequency identification tag and method of fabricating the same - Google Patents

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TW200947312A
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Isao Sakama
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Description

200947312 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於利用RF ( Radio Frequency :無線)傳 送被記錄在1C晶片的ID (Identification:識別資訊)等 資訊的無線射頻識別(RFID,Radio Frequency Identification )標籤。 ❹ 【先前技術】 以防止物品等之不當帶出的手段而言,使用一種採用 磁性體材料之感測標示物(marker )或被稱爲磁性標籤等 之防止犯罪標籤。感測標示物係由軟磁性體所構成,藉由 由被設置在入口等的閘門裝置所發出的交流磁場,藉由巴 克豪森效應(Barkhausen effect ),在閘門(gate )裝置 內的檢測線圈發生電壓脈衝。 因此,當拿取已被安裝有感測標示物的物品而通過閘 Ο 門時,閘門裝置會對電壓脈衝進行檢測,而發出警報聲音 〇 此外,亦有對於經由正規的帶出手續而帶出的物品不 會發出警報的感測標示物。此係在軟磁性體上配置半硬質 磁性體材料,藉由控制將半硬質磁性體材料作磁化或不磁 化’而可控制軟磁性體材料所具有的巴克豪森效應。藉此 ’藉由在閘門裝置的檢測線圈所發生的電壓脈衝,可判別 爲正規帶出、抑或是不當帶出。 在專利文獻1中,係揭示一種由藉軟磁性材料所得之 200947312 箔層所構成的感測標示物、及在不會與該箔層相重疊的位 置具備有1C晶片的RFID標籤的組合所構成的安全標籤。 (專利文獻1)日本特開2004-227508號公報(第1 圖) 【發明內容】 (發明所欲解決之課題) 藉由專利文獻1所記載的技術,可具有藉由利用磁性 所進行的感測來監視物品的功能、以及利用藉由無線通訊 來收送1C晶片之資訊的RFID標籤來管理物品。但是,在 專利文獻1中,形成爲並聯裝設有以磁性進行動作的軟磁 性體部與安裝有1C晶片的無線標籤的標籤,若軟磁性體 箔與RFID的天線接近時,RFID標籤的天線特性即會改變 而會發生無法獲得原來的通訊距離等的問題,而無法使彼 此接近配置。因此會有標籤形狀變大、或RFID的讀取方 向受到限定的課題。 本發明係鑑於以上所示之問題點而硏創者,課題在於 提供一種具有磁性標籤與安裝有1C晶片之RFID標籤的2 個功能,且可將該RFID標籤的通訊範圍更加擴大的物品 管理用RFID標籤。 (解決課題之手段) 本發明之RFID標籤爲了達成前述目的而具有以下構 成。因此,本發明之RFID標籤係安裝有可藉非接觸而與 200947312 外部收送資訊之1C晶片的RFID標籤’安裝有1C晶片之 具導電性的天線係在其至少一部分帶有磁性的天線。可藉 由在該天線設置磁性體部來實現。此外’爲了實現該情形 ,以天線而言,使用安裝有1C晶片之具導電性的第1天 線與屬於磁性體且具導電性的第2天線之構成亦包含在本 發明中。在此,形成爲由第1天線與第2天線送出被儲放 在ic晶片之資訊的構成。此時,亦可形成爲將第1天線 0 與第2天線作電性連接的構造。 此外,將用以送出以磁性體所構成之感測標示物(磁 性標籤)與1C晶片之資訊的天線(或1C晶片本身)配置 成預定的位置關係亦包含在本發明中。此時’將天線與感 測標示物在該RFID標籤之長度(長邊)方向中呈串聯方 向配置在該RFID標籤的端部。此外,在本發明中’將該 RFID標籤以天線(或1C晶片)成爲其附加對象物之端部 的方式予以附加亦包含在本發明中。此外,此時,對於複 Ο 數之附加對象物的各個,如上所述附加RFID標籤’將附 加對象物的端部對齊而作配置,由該等RFID標籤讀取資 訊亦包含在本發明之一態樣中。例如在書本的背部封皮附 加RFID標籤,當將其豎立在書架時,天線(或1C晶片) 的位置被配置成大致水平,關於複數書本之資訊的讀取變 得更爲容易。 其中,在本發明中,以磁性體而言,使用軟磁性體更 爲適合。 200947312 (發明之效果) 藉由本發明之RFID標籤,可使磁性標籤功能與RFID 標籤功能有效率地並存。 【實施方式】 以下一面參照圖示,一面列舉用以實施本發明之最佳 形態(以下稱爲「實施形態」)之較佳例而加以說明。 © (第1實施形態) 首先,一面參照第1圖,一面說明第1實施形態的 RFID標籤。第1圖(a)係顯示本實施形態之RFID標籤10 的基本形狀。形成爲在由導體所構成的第1天線1上安裝 有1C晶片3的RFID部與由軟磁性體材料所構成的第2天 線2作電性連接的形態。在第1天線1係形成有用以進行 第1天線1與1C晶片3之阻抗匹配的L字型開縫4,以 進行與1C晶片的阻抗匹配。關於第1天線1與1C晶片3 Q 的連接方法,容後詳述。第1天線1與第2天線2係具有 重疊部50,屬於導體的2個天線會直接接觸或者會透過未 圖示的黏著材或接著材而作電性連接。第1天線1與第2 天線2係藉由基底薄膜5予以保持。 以第1天線材料而言,係可使用Al、Cu、Ag等金屬 。在本實施形態中,係使用10 厚的A1箔。以第2天 線 2之材料而言,係有透磁合金(permalloy) 、B-C-Fe 合金、非晶質金屬、例如以Co-Fe-Si-B爲主成分的非晶質 -8 - 200947312 金屬等。 第1圖(b)係由橫向顯示RFID標籤構造的示意圖。顯 示在第1天線1上安裝有1C晶片3’第2天線2以重疊部 50由上重疊在第1天線1上的形態。 第1圖(c)係顯示第1天線與第2天線的重疊順序呈相 反的實施形態。此係當已經在物品安裝有磁性標籤時,如 第1圖(c)所示,即使在磁性標籤2a之上,透過重疊部 Φ 5 0a安裝已安裝有1C晶片3的第1天線,亦獲得與第丄圖 (b)同等的效果。而且相反地,若已經安裝有RFID標籤時 ,即使以第1圖(b)的形態安裝,亦獲得同等的效果。 第2圖係顯示使習知構造的磁性標籤與RFID標籤在 長邊方向串聯組合的標籤11。在RFID標籤部的天線6安 裝有1C晶片3。天線6若爲雙極構造,即爲所使用頻率之 電氣上的1/2λ長。具體而言,若爲屬於微波頻帶的 2_45GHz頻帶,天線6的長度爲53mm左右。該長度係依 © 所安裝物品的材質等’而使其長度改變。不用在天線6的 長邊方向與天線6相接地配置磁性標籤7,且藉由基底薄 膜9予以保持。 若使第1圖中之具有磁性標籤功能的第2天線2與第 2圖中之磁性標籤7的長度爲相同時,以第1圖中的第1 天線1長與第2圖中的RFID的天線6長的差、及天線6 與磁性標籤7的間隔部分’具有表示本實施形態之第1圖 的RFID標籤可小型化的優點。 接著,將讀取第1圖所示之本實施形態之RFID標籤 200947312 10與第2圖所示之習知構造之標籤n中之ic晶片3之資 訊的通訊範圍作比較。 如第3圖(a)、(b)所示,在A4尺寸的書籍12各自安 裝標籤10及11。安裝位置係在書籍12的背部附近。其中 ,所謂附近可爲預先設定的預定範圍內。在該狀態下,藉 由頻率2.45GHz的輸出3 00mW的讀取器裝置、天線增益 6dBi的天線,測定出其通訊距離。第1天線1及第2天線 2的天線寬幅爲1.5mm。其結果顯示於第4圖(a)、(b)。在 @ 本實施形態的標籤10中,可獲得如(a)之讀取範圍13所示 之通訊範圍。表示讀取器天線若存在於該通訊範圍,即可 讀取1C晶片3的資訊。若爲習知構造的標籤11,以(b)所 示之讀取範圍14所表示的範圍爲可讀取1C晶片3之資訊 的範圍。在此,將與書籍12的長邊方向呈直角的方向定 義爲讀取方向X、將呈平行的方向定義爲讀取方向Y。 讀取方向X之各自最大通訊距離在本實施形態的標籤 (a) 中爲180mm,在習知構造的標籤(b)中爲200mm。讀取 方向 Y的最大通訊距離在(a)中爲llOmrn,在習知構造的 (b) 中並無法讀取1C晶片3的資訊。將本實施形態的標籤 1〇與習知構造 U的讀取性作比較。在與書籍12距離 2 0mm的周圍移動讀取器天線,測定可讀取1C晶片3之資 訊的範圍。在(a)中,以實線 A-A’表示的範圍爲 3 3 0mm。 在(b)中,以實線B-B’表示的範圍爲140 mm,本實施形態 的標籤10可在2.4倍寬廣範圍內讀取1C晶片3的資訊。 此外,若將可讀取1C晶片3之資訊的區域、亦即讀 -10- 200947312 取範圍13、14的面積作比較,相較於習知構造的標籤11 ,本實施形態的標籤10藉由測定確認出寬1.8倍。 本實施形態之標籤的較大特徵在於:在本實施形態的 標籤構造中,可由屬於標籤之長邊方向的Y方向讀取1C 晶片3的資訊。在習知構造中,如(b)所示,在與標籤11 呈平行的方向,僅可在接近天線6寬幅的範圍內與1C晶 片進行通訊。相對於此,在本實施形態的構造中,如(a)所 0 示,由與第1天線1和第2天線2呈平行的方向、讀取方 向X及屬於書籍12之底邊側的讀取方向Y亦可讀取1C 晶片3的資訊。 接著,使用第5、6圖,說明第1天線長與第2天線 長的最適化。在此,將第1天線長定義爲L1,將第2天 線長定義爲L2,將標籤天線長定義爲L=L1+L2。第5圖 係經測定以Ll= 25mm而使第2天線的長度變化時之RFID 標籤10之通訊距離的結果。顯示通訊距離取決於L2長而 ❹ 產生變化。該變化係在L爲所使用頻率的λ /2的整數倍、 亦即L= ( λ /2) χη (η:整數)下爲極大。在此的λ係取 決於天線所相接物品的介電係數而產生變化。第6圖係顯 示將RFID標籤長L固定,將第1天線長L1從2 6mm (相 當於1/2λ長)縮短時的通訊距離。由此26至15mm之間 係緩慢地降低通訊距離,從1 5mm急遽地減少。此係起因 於由於L1長變短,而使第1天線與1C晶片3的阻抗匹配 成爲失配(mismatching)。 如第7圖所示,當排列複數書籍12a至12h時,以本 -11 - 200947312 實施形態中的標籤l〇a至1 〇h,係利用由位於與書籍背部 呈平行之方向的讀取器天線15a所放射的電波16a、及由 位於與底邊呈平行之方向的讀取器天線15b所放射的電波 16b,可讀取被安裝在1C晶片3的資訊。在習知構造的標 籤11中,並無法讀取來自書籍底部之1C晶片3的資訊。 各自的讀取器天線係與讀取器裝置17相連接。 藉由本實施形態,如上所述在複數書籍的背部安裝標 籤,且對該等標籤進行管理的方法係由標籤的通訊特性考 Q 慮由與書籍背部呈平行的方向X、與書籍的底邊方向Y來 讀取的2個方法。 在如書籍存貨管理之類的情形下,可利用屬於前者之 由背部方向進行讀取的方法來對應。此外,在書籍的即時 管理時,亦即,以即時管理現在在該棚架有些什麼東西時 ,經常由棚架板的下方進行讀取的方法較爲有效。此係可 藉由第8圖所示之形態來實施。以RFID標籤l〇a至10h 、書籍12a至12h、讀取器天線15c、讀取器裝置17、棚 ❹ 架板36所構成。藉由由被配置在棚架板下方的讀取器天 線15 c所放射的電波,可讀取1C晶片3的資訊。藉此, 可輕易地進行即時的物品管理。藉由使用放射範圍較爲寬 廣的天線,可管理更多的書籍。其中,在第8圖中,係將 第1天線或1C晶片在RFID標籤或書籍的端部對齊而配置 ,亦可配置成以相對地成爲大致一定的位置的方式對齊。 藉由以上之實施形態,可提供一種安裝有1C晶片的 第1天線與具有磁性標籤功能的第2天線成爲一體,而且 -12- 200947312 具有磁性標籤功能、及更寬廣之1C晶片之通訊範圍的 RFID標籤。 在本實施形態中,雖係在第1天線1之長邊方向的端 部安裝第2天線2,但是亦可在第i天線1之長邊方向的 兩端分別安裝1支第2天線2。 (第2實施形態) φ 藉由第9圖說明第2實施形態。在實施形態1中,將 安裝有1C晶片3的第1天線1與由軟磁性體所形成的第2 天線2作電性連接。如(a)所示,在第2實施形態中,係將 形成第1天線1與第2天線2的材料形成爲相同,使用具 導電性的軟磁性體,作成第1天線1與第2天線2 —體化 的天線18。亦即,天線的至少一部分帶有磁性。換言之, 在天線設有磁性體部。在該天線1 8係形成有進行1C晶片 3之阻抗匹配的開縫22。以跨越該開縫22的方式在天線 © 18安裝1C晶片3,藉此可得與第1實施形態同等的通訊 特性。同時,可形成亦具有作爲磁性標籤之功能的RFID 標籤。在本實施形態中,係形成爲利用基底薄膜20來保 持安裝有1C晶片3的天線18的構造。在本實施形態中, 係使用200 μιη厚之具導電性的非晶質合金箔。基底薄膜 20係使用PET材(50μιη厚)。(b)係由橫向圖示本實施形 態之標籤者。 在本實施形態中製造RFID標籤時,具有可省略第1 天線加工、第2天線加工、及第1天線與第2天線之連接 -13- 200947312 工程的效果。此外,第1天線與第2天線無須重叠即成爲 一體,因此標籤天線不會因天線重疊部分而變厚,可製造 出平坦的標籤,而且更爲薄型的標籤。亦具有由於該標籤 的平坦化或薄型化,關於標籤耐久性或安裝性,亦可改善 的優點。 使用第10圖,說明本實施形態中的RFID製造工程。 在第1 0圖(a)中係說明在具導電性的軟磁性體2 1形成開縫 22的形成方法。在滾筒狀軟磁性體21使用L字型的模具 _ 5 2,藉由鑽孔而在軟磁性體2 1形成L字型的開縫2 2。 藉此,如(b)所示,藉由模具52,在軟磁性體21連續 形成有L字型穿孔。圖中虛線30係表示切斷位置的線, 藉由由虛線30切斷,可形成天線18。 接著,使用第11圖,說明開縫22的形成方法。爲了 形成爲藉由之前說明的模具52所形成的L字型穿孔與天 線1 8,藉由切斷工程形成開縫。如(a)所示,藉由連續的 軟磁性體21的切斷位置30A、30B、30C,可形成(b)、(c) Q 、(d)所示之L字型開縫25。當藉由(b)所示之切斷位置 30A予以切斷時,無法製成後述之藉由開縫25所形成的 截線(stub ),因此無法進行1C晶片3與天線的阻抗匹配 。在(c)中’可形成爲所希望的L字型開縫而形成截線, 因此可取得與1C晶片3的阻抗匹配。(d)中雖然截線大小 變小’但是可進行1C晶片3與天線的阻抗匹配。在標籤 天線係形成有3 1 b、3 1 c的凹陷,但是在電氣特性上沒有 很大的差異。 -14- 200947312 因此,適當地設定藉由鑽孔所形成的L字型穿孔與切 斷位置30,藉此可形成開縫。具體而言,如(e)所示,使 由L字型的端部的切斷位置30D比切斷寬幅精度更加加大 △ X,藉此可良率佳地製造出標籤。 第12圖係顯示RFID標籤29之製造工程的圖。在連 續的軟磁性體使用穿孔模具24而形成L字型的穿孔。接 著將基底薄膜26加襯而保持軟磁性體21。在此安裝1C晶 φ 片3。另外安裝保護薄膜27,在背面係安裝附有剝離紙的 接著材料28,藉由切斷齒37予以切斷,藉此完成RFID 標籤29。 以開縫的形成方法而言,亦可藉由蝕刻來形成’但是 會有鈾刻液的選擇、或蝕刻速度控制等課題,藉由鑽孔而 形成開縫具有不會依存於被加工材料而可加以適用的優點 ❷ (第3實施形態) 第3實施形態係藉由在第1及第2實施形態的磁性標 籤部分安裝半硬質磁性材料之小片’可控制軟磁性體的巴 克豪森效應。使用第13圖’說明該構造。(a)係上視圖, (b)、(c)係由橫向圖示在實施形態1中之第1圖(b)、(c)所 示構造加上本實施形態之功能的標籤構造者。(b)、(c)均 形成爲在第2天線2上安裝有半硬質磁性體之小片的形態 。第14圖係在第2實施形態所示標籤構造安裝有半硬質 磁性材料之小片者。以半硬質磁性體材料而言,有Fe合 -15- 200947312 金、Co合金等,若有厚度50至100μηι、3mm程度的長度 ,即可賦予充分的失活性能。 藉由形成爲本實施形態的構造,可提升物品管理的精 度。在物品帶出管理中,首先,讀取1C晶片的資訊’在 資料庫上進行出庫處理時,將半硬質磁性體磁化,使巴克 豪森效應停止。亦即,即使通過閘門,亦不會發出警報。 利用同一裝置,使1C晶片的資訊讀取處理與磁化處理形 成爲一連串的處理,藉此可更加確實地進行。在1C晶片 n 之資訊的讀取操作中,亦具有與1C晶片的通訊範圍較大 的本實施形態的構造可更加輕易且確實地進行的優點。 (第4實施形態) 第4實施形態係藉由在本實施形態之RFID標籤10的 端部配置1/2 λ長的第3天線,藉此可延長由RFID標籤 10之長邊方向(讀取方向Y)的通訊距離。使用第15圖 加以說明之。如(a)所示,在書籍1 2背部附近安裝本實施 0 形態的RFID標籤1〇。安裝位置係安裝在封皮35的背面 側,俾以提升RFID標籤的隱蔽性。此外,在書籍的封皮 面安裝第3天線34。在(b)顯示C-C’的剖面圖。第3天線 34係藉由導體所構成,藉由黏著材或接著材而與書籍相固 接。以天線材料而言,係使用Al、Cu、Ag等泛用的金屬 材料。亦可使用導電性油墨,藉由印刷來形成。如(c)所示 ’ RFID標籤10與第3天線34係以各自天線的端部相重 疊的方式作配置。雖然不需要直接接觸,但是2個天線的 -16- 200947312 距離愈分開,結合愈弱,會降低第3天線的效果。RFID 標籤10的天線與第3天線34所成角度可爲任意角度。爲 了效率佳地進行動作,最好第3天線34與讀取器天線呈 平行的方式作配置。將RFID標籤10與第3天線34直接 重疊,亦可如實施形態2般利用軟磁性體予以一體化。 (關於天線與1C晶片的阻抗匹配) φ 以下詳加說明在天線41設置阻抗匹配用的開縫而搭 載1C晶片3之具體例。第16圖係顯示在天線41之供電 部搭載1C晶片3之工程的工程圖,(a)係顯示天線41與 1C晶片3的供電部分,(b)係顯示在天線41搭載有1C晶 片3時之供電部分的透視放大圖,(c)係顯示天線41與1C 晶片3之接合部的剖面圖。 如第16圖(a)所示,在天線41的供電部分係形成有用 以在1C晶片3與天線41之間進行阻抗匹配的L字型開縫 ® 43,以該開縫43形成以L字型的開縫所包圍的部分作爲 截線41 b。此外,在1C晶片3係以跨越開縫43的間隔而 形成有訊號輸入輸出電極3a、3b。
亦即,開縫43的寬幅係形成爲比1C晶片3之訊號輸 入輸出電極3a、3b之電極間隔稍微狹窄的程度’因此如 第16圖(b)所示,當在天線41搭載1C晶片3時,1C晶片 3的訊號輸入輸出電極3a、3b會跨越開縫43而與天線41 相連接。藉此,將藉由開縫43的形成所得之截線41b串 聯連接在天線41與1C晶片3之間,藉此在天線41與1C -17- 200947312 晶片3之間,係作爲串聯連接有截線41b之電感成分而發 揮作用。因此,藉由該電感成分,天線41與1C晶片3的 輸入輸出阻抗被予以匹配(整合)。亦即,藉由開縫43 與截線41b來形成匹配電路。其中,如第16圖(c)所示’ 1C晶片3的訊號輸入輸出電極3a、3b係藉由超音波接合 、金屬共晶結合、或異向性導電薄膜(未圖示)等接合方 法,藉由金凸塊而與天線41作電性接合。 此外,天線4 1A所形成的開縫亦可爲T字型而非爲L q 字型。第16圖(d)係在天線41A中在T字型開縫43A的供 電部搭載1C晶片3的槪念圖。如第16圖(d)所示,將天線 41A的開縫43A形成爲T字型,即使將截線41c、41d串 聯連接在1C晶片3與天線41A之間,亦與L字型開縫43 的情形相同,可使天線41A與1C晶片3的阻抗作匹配。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明之一實施形態之標籤天線構造的面圖 〇 〇 第2圖係習知構造之標籤天線構造的面圖。 第3圖係顯示本發明第1實施形態中之RFID標籤之 安裝位置圖。 第4圖係顯示本發明第1實施形態中之RFID標籤之 通訊範圍圖。 第5圖係顯示第2天線長與通訊距離的關係圖。 第6圖係顯示第1天線長與通訊距離的關係圖。 -18- 200947312 第7圖係顯示本發明第1實施形態中之RFID標籤應 用例圖。 第8圖係顯示本發明第i實施形態中之rfid標籤讀 取方法的示意圖。 第9圖係顯示本發明第2實施形態的示意圖。 第1 0圖係顯示本發明第2實施形態之天線形成方法 的示意圖。 Ο 第11圖係顯示本發明第2實施形態之天線切斷位置 圖。 第1 2圖係顯示本發明第2實施形態之RFID標籤之製 造製程圖。 第13圖係本發明第3實施形態中之標籤天線圖。 第14圖係本發明第3實施形態中之標籤天線圖。 第15圖係本發明第3實施形態中之標籤天線圖。 第16圖係關於1C晶片與天線之連接的說明圖》 【主要元件符號說明】 1、 la、 lb、 lc:第 1 天線 2、 2b、2c :第2天線 2a :磁性標籤 3 : 1C晶片 3a、3b :訊號輸入輸出電極 4、 43 :開縫 5、 9、20 :基底薄膜 19- 200947312 6 : RFID天線 2a、7 :磁性標籤 1 Oh :本 :書籍 © 10、10a ' 10b ' 10c、10d、10e、1 Of ' 10g、 發明之標籤 11 :習知構造的標籤 12、 12a、 12b、 12c、 12d、 12e、 12f、 12g、 12h 13:實施形態1之標籤10的讀取範圍 14:習知構造之標籤11中的讀取範圍 15a、15b、15c:讀取器天線 16a、16b :電波 1 7 :讀取器裝置 18 :天線 2 1 :軟磁性體 22 :開縫 23 :實施形態2的標籤天線
24 :穿孔模具 2 5 :開縫 26 :基底薄膜 27 :覆蓋薄膜 2 8 :背面黏著層 29 :第2實施形態的RFID標籤 30、30A、30B、30C、30D :切斷位置 31a、 31b、 31c:切斷面 3 3 :半磁性體 -20- 200947312 34 :第3天線 35 :封皮 36 :棚架板 37 :切斷齒 :截線 縫 5 0 c :重疊部 4 1、4 1 A :天線 41b 、 41c 、 41d 4 3 A : T字型開 50、50a、5 0b、 52 :模具
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Claims (1)

  1. 200947312 七、申請專利範圍: 1. 一種無線射頻識別標籤’係以無線傳送被記錄在IC 晶片之資訊的無線射頻識別(RFID )標籤’其特徵爲具有 前述1C晶片;及 與前述1C晶片相連接,至少其一部分帶有磁性的天 線。 2. 如申請專利範圍第1項之無線射頻識別標籤,其中 ,前述天線係由連接有前述1C晶片的第1天線、及與前 述第1天線作電性連接之帶有磁性體的第2天線所構成。 3. 如申請專利範圍第2項之無線射頻識別標籤,其中 ,前述第1天線係連接於前述第2天線之長邊方向的單側 或兩側的端部。 4. 如申請專利範圍第2項之無線射頻識別標籤,其中 ,在前述第2天線之上配置有半硬質磁性材料的小片。 5 .如申請專利範圍第2項之無線射頻識別標籤,其中 ,當將動作頻率的波長設爲λ時,前述第1天線與第2天 線長的總和爲電性長度的λ /2的整數倍長。 6.如申請專利範圍第5項之無線射頻識別標籤,其中 ,當將動作頻率的波長設爲λ時,前述第1天線係電性長 度爲λ /4長以下。 7 .如申請專利範圍第2項之無線射頻識別標籤,其中 ,前述第1天線與前述第2天線係彼此相疊合,或者透過 黏著材,藉由靜電結合而作電性連接。 -22- 200947312 8 .如申請專利範圍第2項之無線射頻識別標籤’其中 ,前述第1天線係具備有進行前述1C晶片的輸出與阻抗 匹配的匹配電路, 前述匹配電路係藉由形成在前述第1天線的開縫、及 藉由該開縫所形成的截線予以實現。 9. 如申請專利範圍第8項之無線射頻識別標籤,其中 ,前述開縫係藉由L字型或T字型而形成, 〇 前述1C晶片係以藉由前述開縫使端子間被分離的方 式,被安裝在前述第1天線。 10. 如申請專利範圍第2項之無線射頻識別標籤’其 中,以對前述RFID標籤的長邊方向呈交叉的方式配置第 3天線。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之無線射頻識別標籤,其 中’前述第3天線係在前述第2天線的端部相交叉。 12.如申請專利範圍第1〇項之無線射頻識別標籤,其 ® 中’前述第3天線係當將動作頻率的波長設爲λ時,前述 第3天線長係電性長度爲λ /2的整數倍長。 iS.—種無線射頻識別標籤製造方法,其特徵爲包含 在由軟磁性體所構成的天線材料形成開縫的開縫形成 工程;安裝基底薄膜的基底薄膜安裝工程;安裝1C晶片 的IC晶片安裝工程;安裝半硬質磁性體的半硬質磁性體 $裝X程;在標籤背面安裝供安裝用黏著材的黏著材安裝 工程;安裝保護1C晶片的薄膜的保護薄膜安裝工程;及 -23- 200947312 將標籤分離的切斷工程。 14.如申請專利範圍第13項之無線射頻識別標籤製造 方法,其中,前述開縫形成工程係藉由鑽孔來形成開縫。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之無線射頻識別標籤製造 方法,其中,在前述切斷工程中,使由開縫端部至切斷位 置的距離大於切斷裝置的切斷位置精度。 -24-
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