TW200910017A - Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto - Google Patents
Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto Download PDFInfo
- Publication number
- TW200910017A TW200910017A TW097121940A TW97121940A TW200910017A TW 200910017 A TW200910017 A TW 200910017A TW 097121940 A TW097121940 A TW 097121940A TW 97121940 A TW97121940 A TW 97121940A TW 200910017 A TW200910017 A TW 200910017A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- coating
- substrate
- lithography
- film
- adhesive
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
200910017 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造器件之方 法。 【先前技術】
C 微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板 之目軚部件上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路 (ic:之製造中。在該情況下’圖案化器件(其或者被稱作光 罩或主光軍)可用以產生待形成於ic之個別層上的電路圖 木可將此圖案轉印至基板(例如,矽晶圓)上之目標部件 (例如’包括晶粒之—部分、—個晶粒或若干晶粒)上。圖 案^轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料 劑)層上。_般而言,單一基板將含有經順次圖案化 ^鄰近目標部件的網路。習知微影裝置包括:所謂的步進 f ’其中藉由—次性將整個圖案曝光至目標部件上來照射 母=目標部件;及所謂的掃描器,其中藉由在給定方向掃 1方向)上經由輕射光束而掃描圖案同時平行或反平行於 =而同步地掃描基板來照射每一目標部件。亦有可能 ^ 案㈣至基板上來將圖案自圖案化器件轉印至基 板0 微影裝置可爲如:# λι 折射率之液體:例如 其中基板浸沒於具有相對較高 件與基板之間的★水)中’以便填充投影系統之最終元 之 办 、工間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中 、工間’例如,光罩與投料統之第—元件之間。在 131836.doc 200910017 (例如)美國專利申請公開案第US 2004/01 19954號及PCT專 利申請公開案第WO 2004/093 160號中提及浸沒微影術。 【發明内容】 在浸沒型微影裝置中,潤濕表面之接觸角可能為顯著 的。然而’接觸角可(例如)由於輻射曝光、機械接觸等等 而在使用期間降級。浸沒液體之使用亦可或或者在液體或 自液體所發散之可能蒸汽附近的投影系統、基板支撐件或 微影裝置之其他部分上導致污潰。舉例而言,污潰可殘留 於可存在於基板支撐件上之感測器上。此可能導致在(例 如)將基板與圖案化器件對準時之不精確性及/或感測器之 縮短使用壽命。 微影裝置中可能出現之額外或替代問題為污染物在裝置 之一或多個部分(例如,感測器)上之沈積及堆積。該等污 染物可能源自(例如)來自抗蝕劑過程之浸出產物。污染物 之沈積可視沈積之位置而導致與(例如)上述接觸角、裝置 部分之使用壽命、對準、調平、感測器格柵退化及/或轄 射阻塞有關的關注。 可將區域缚膜密封件施加於浸沒型微影裝置之基板支撐 件之頂部表面的部分上,以便保護其免於浸沒液體。然 而、,域個別薄膜密封件可能需要區域親水性間隙及/或 〈成门度梯。由於此情形,可能殘留浸沒液體且可能引 入不當力。 、卜微衫裝置之基板支撐件之頂部表面的部分可區域 地塗佈有塗層’以便保護其免於UV輕射。然…等區 131836.doc 200910017 域塗層(例如)由於無意接觸及/或使用降級而經受磨損,從 而導致表面疏水性性質之改變。塗層之損害導致待由塗層 保護之部分(在此情況下為基板支撐件)的昂貴替換或整 修。 存在眾多用於施加塗層之方法,諸如,化學氣相沈積及 離子束濺鍍。使用此等方法之系統主要經設計以極精密地 塗佈所要表面。結果’系統極為昂貴且需要廣泛裝設時 間。 因此,需要(例如)提供一種經適當地保護免於來自(例 如)uv輻射及/或浸沒液體之負面影響的微影裝置。 根據本發明之一實施例,提供一種微影裝置,其包含: 照明系統,照明系統經組態以調節輻射光束; &支撐件,支撐件經建構以支撐圖案化器件,圖案化器件 月匕夠在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經 圖案化輻射光束; 基板支撐件,基板支撐件經建構以固持基板; 投影系、统,投影系、统經組態以將經圖案化輕射光束投影 至基板之目標部件上;及 攜载塗層之可移除式黏著薄膜,可移除式黏著薄膜係在 裝置之至少一部分。 根據本發明之—實施例,提供—種器件製造方法,其包 含: ’、 在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案; 使用微影裝置來將經圖案化輻射光束投影至基板之目標 I31836.doc 200910017 部件上,攜载塗層之可移除式黏著薄膜係在裝置之至少 部分上; 顯影經投影基板,·及 由經顯影基板製造器件。 【實施方式】 現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之 實施例,在該等圖式中,對應參考符號指示對應部分。 圖1示意性地描繪根據本發明之—實施例的微影裝置。 裝置包括:照明系統(照明器)IL,其經組態以調節輕射光 束B(例如,UV輻射或任何其他適當轄射);圖案化器件支 律件(例如’光罩台)Μτ,其經建構以支撑圖案化器件(例 如,光罩)MA且連接至第一***件讀,第—***件 PM經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件。裝 置亦包括.·基板支樓件(例如,基板台)WT,其經建構以固 持基板(例如,塗佈抗钮劑之晶圓)冒且連接至第二定 件PW,第三***件⑽經 n 定位基板。裝置進一步包…=某些參數來精確地 匕枯技&系統(例如,折射旦^ ,系統)PS,其經組態以將由圖案化器件心賦予至^光 束B之圖案投影至基板w之目標部件c(例如,包括 個晶粒)上。 一夕 的 照明系統可包括用於引導 光學組件,諸如,折射、 、成形或控制輻射 反射、磁性、電磁 之各種類型 他類型之光學組件,或其任何組合。 圖案化器件支撐件以視圖案化器件之定向 、靜電或其 微影裝置之 13l836.doc 200910017 =及一其他條件(諸如,圖案化器件是否固持於真 疋的方式來固持圖案化器件 :' 林圖安靜電或其他夹持技術來固持圖宰化哭 件。圖案化器件支擇件可為(例如)框架或台,艮: ,而為固定或可移動的。圖案化器件支撐件可確保圖2 益件(例如)相對於投影系統而處於所要位置本 案化器件4 〜何使用均與更通用之術語,,圖 可吏用之術語”圖案化器件,,應被廣泛地解釋為指代 A板之目二射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在 =案的任何器件。…,例如 右被賦予至輪射光束之圖案包括相移 徵,則該圖案可能不會精確地對應於基板之目標=: 所要圖案。通常’被賦予至輕射光束之圖 部Π所形成之器件(諸如,積體⑽中的特定功能層 圖案化器件可為透射咬反鼾 次反射的。圖案化器件之實例包括 先罩、可程式化鏡面陣列,及可程式化咖面板 微影術中為熟知的,且包括諸 — 之…刑 匕括诸如…變相移及衰減相移 罩财’以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列 之一實例使用小鏡面之矩陣配置,該等小鏡面中 :個別地傾斜,以便在不同方向上反射入射輕射光束。傾 斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輕射光束中 本文所使収術語”投隸廣泛地解料涵蓋任 何類型之投影系統’包括折射、反射、反射折射、磁性、 13I836.doc 200910017 電磁及靜電光學系統或其任何組合’其適合於所使用之曝 光輻射,或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其 他因素。可認為本文對術語"投影透鏡”之任何使用均與更 通用之術語”投影系統》同義。 如此處所描繪,裝置為透射類型(例如,使用透射光 罩)或者,裝置可為反射類型(例如,使用如以上所提及 之類型的可程式化鏡面陣列,或使用反射光罩)。 微影裝i可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板支撐件 (及/或兩個或兩個以上圖案化器件支撐件)的類型。在該等 多平台”機器中,可並行地使用額外支撐件,或可在一或 多個支撑件上執行預備步驟,同時將一或多個其他支樓件 用於曝光。 微影裝置亦可為如下類型:其中基板之至少一部件可由 具有相對較高折射率之液體(例如,水)覆蓋以便填充投 影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝 置中之其他空間’例如,光罩與投影系統之間。浸沒技術 I用,以增加投影系統之數值隸。如本文所使用之術語" 不意謂諸如基板之結構必須浸潰於液體中,而是僅 意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。 參看圖1 ’照明器IL_源s〇接收輕射光束。舉例而 言’當幸i射源為準分子雷射器時’輕射源與微影裝置可為 單獨實體。在該等情況下,不認為韓射源形成微影裝置之 部分’:輻射光束借助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光 束放大态之光束傳送系統BD而自輻射源s〇傳遞至照明器 131836.doc 200910017 IL。在其他情況下,例如,當輻射源為汞燈時,輻射源可 為微衫裝置之整體部分。輻射源SO及照明器il連同光束傳 达系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。 照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分布的 凋整Is AD。if常,可調整照明器之瞳孔平面中之強度分 布的至少外部徑向範圍及/或内部徑向範圍(通常分別被稱 作°外部及G内部)。此外,照明器IL可包括各種其他組 件諸如,積光器ΙΝ及聚光器c〇。照明器可用以調節輻 射光束,以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。 輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐結構(例如, 光罩台)町上之圖案化器件(例如,光罩)MA上,且由圖案 ^器件圖案化。在橫穿圖案化器件MA後,輻射光束B穿過 投影系統p s,投影系統P s將光束聚焦至基板w之目標部件 C上曰。借助於第二***件pw及位置感測㈣(例如,干 "量測器件、線性編碼器,或電容性感測器),基板支標 件WT可精確地移動’例如,以便在輻射光束B之路徑中定 位不同目標部件C。類似地’第—***件PM及另-位置 感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩 庫之機械操取之後或在掃描期間相對於轄射光束B之路徑 來精確地定位圖案化器件MA。一般而言,可借助於形成 第-***件PM之-部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝 程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件mt之移動。類 似地’可使用形成第二***”之—部分的長衝程模組 及紐衝程模組來實現基板支揮件WT之移動。在步進器(座 131836.doc 12 200910017 掃描器相對)之情況下’圖案化器件支樓件MT可僅連接至 ㈣程致動器,或可為固定m用圖案化器件對準標 :M1、M2及基板對準標㈣、p2來對準圖案化器件職 :板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部 卜但其可位於目標部件之間的空間中(此等被稱為切割 道對準標記)。類似地,在-個以上晶粒提供於圖案化器 件MA上之障形中,圖案化器件對準標記可位於該等晶粒 之間。 所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中__ 1·在步《式中’在將被賦予絲射光束之整個圖案 一次性投影至目標部件c上時,使圖案化器件支料财及 基板支樓件WT保持基本上靜止(亦即,單次靜態曝光)。接 著,使基板支標件及/或丫方向上移位,使得可曝光 ^同目標部件C。在步進模式中,曝光場之最大尺寸限制 單次靜態曝光中所成像之目標部件c的尺寸。 2.在掃描模式中’在將被賦予至輕射光束之圖案投影 至目W件C上時’同步地掃描圖案化器件支撐件及基
板支樓件资(亦即,單次動態曝光)。可藉由投影系統PS 之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板支撑件叩目 對於圖案化n件支料Μτ之速度及方^在掃描模式 中’曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部件的 寬,(在非掃描方向上),而掃描運動之長度判定目標部件 之问度(在掃描方向上)〇 3·在另-模式中,在將被軾予至輻射光束之圖案投影 131836.doc 200910017 至目標部件c上時,使圖案化器件支撐件Μτ保持基本上靜 止,從而固持可程式化圖案化器件,且移動或掃描基板支 撐件WT。在此模式中,通常使用脈衝式輻射源,且在基 板支撐件W T之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈 衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式 可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如,如以上所 提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或 完全不同的使用模式。 圖2為基板支撐件WT之頂部表面的平面示意圖。頂部表 面包含各種孔口。中心(圓形)孔口為定位有基板之凹座卜 若干其他組件圍繞中心孔口而定位且經配置為由投影系統 PS之經圖案化光束照明。此等組件可為感測器,諸如,兩 個透射影像感測器2、光點感測器3及整合透鏡干涉計4。 其亦γ為一或多個其他種類之量測器件、密封器件及/或 致動器。為了(例如)適當地保護頂部表面免於來自投影系 統ps之uv輻射,施加攜載功能塗層6之可移除式薄膜見 圖3) 4臈5之内側具備黏著層7。在此情況下之功能塗声 至少保護免於UV輻射。 曰 檇載塗層6之黏著薄膜5可 〜翼* /工^,丨八人Ί才,丨丁 yy i <大體上 整個頂部表面,包括位於頂部表面中之組件H ^目 地,攜載塗層6之黏著薄膜5覆蓋基板支撐#WT之頂_ 面’除了提供於其中之用於位於頂部表面中之組件的開口 以外’及/或除了用於基板w之凹座J以夕卜。因此,攜载塗 131836.doc •14- 200910017 層6之黏著薄膜5包含用於組件及/或基板w之開口。此具有 組件及/或基板可經移除及/或替換而不必移除攜載塗層6之 整個黏著薄膜5的優點。在此情況下之組件可由個別保護 覆蓋元件單獨地覆蓋,個別保護覆蓋元件可有利地由攜載 塗層6之黏著薄膜5之相同材料的部分形成。 根據本發明之一實施例的施加攜載塗層之黏著薄膜會有 利地減少其所黏附至之裝置之部分的輻射誘發性退化。塗 層(例如m於紫外線波長可為不透明的,否則紫外線波長 可損害裝置之部分。亦或或者有可能使用輻射吸收塗層。
將具有精密厚度且具有昂責設備之塗層直接精確地施加至 待保護之裝置之該等部分上不再為必要的。替代地,可 (例如)在製造薄膜之後及/或在施加具有黏著層之薄膜之後 不久於微影裝置外部在更早階段將塗層容易地、快速地且 可靠地施加至薄膜上。可藉由任何適當方法或過程來將塗 層提供於薄膜上。在—實施例中,藉由_、旋塗、浸塗 或低真空電漿過程來施加塗層。隨後,可將薄膜連同塗層 -起容易.也、快速地且可靠地黏附至裝置之所要部分上: 此節省時間及成本。注意,塗層不僅保護裝置之所要部 分’而且保護薄臈及黏著層自身免於轄射誘發性退化。因 為攜載塗層之黏著薄膜為可移除式的,所以必要時,新黏 著薄膜(換言之,具有黏著劑及塗層之整個新薄膜)可容易 替換黏者薄膜。在該替換之後,黏著薄膜所黏附至之裝置 的部分被再次充分地保護一段時間。此大體上延長該部分 之使用哥命且增加使用微影裝置之基板製造過程的精確 I31836.doc -15- 200910017 性。此外,攜載塗層之黏著薄臈可另外或或者有利地施加 至裝置之部分上,其中(例如)因為部分可能決不被加熱而 可能不直接施加有塗層。 薄膜可由諸如金屬箱之薄箱材料製成。薄膜可具有任何 適當厚度。在一實施例中,薄臈之厚度為至少9微米且具 有為11微米之最大厚度。有利地’攜載塗層之薄膜具有與 其所黏附至之裝置之部分(在此情況下為基板支撐件wt)大 體上相同的熱膨脹特性。在-實施例中,薄膜可具備帶狀 物或似風箱結構,使得其能夠連同基板支撐件(必要時)一 起容易地膨脹及/或收縮。 塗層6可由保護免於紫外線輻射之材料製成。在一實施 例中,塗層為疏水性塗層,更特定而言,例如,包含聚合 甲基一矽氧烷之疏水性塗層。此外或作為一替代例,塗 層包含來自聚矽氧及/或氧化鈦家族之化合物。亦可使用 其他有機氧基金屬化合物。塗層可具有任何適當厚度。在 一實施例中,塗層之厚度為至少4〇〇奈米且具有為6〇〇奈米 之最大厚度。 黏著層7包含黏著劑,使得薄膜連同其塗層一起可自其 所黏附至之部分(在此情況下為基板支擇件WT)的頂部表面 被今易地移除(理想地為手動地)。黏著劑應以足夠強度黏 ^至攜載塗層之薄臈,使得在正常操作期間,攜栽塗層之 溥臈保持於適當位置且不易被無意接觸損害。在—實施例 黏著層7包含熱炼黏著劑,特別為壓敏熱炫黏著劑。 舉例而言,可使用三嵌段聚合物,例如,苯乙烯-異戊二 131836.doc • 16- 200910017 烯-苯乙烯。注意,儘管該黏著劑對延長之uv輻射曝光敏 感,但根據本發明之一實施例,因為塗層可保護黏著劑, 所以此並非問題。黏著層可具有任何適當厚度。在一實施 例中,黏著層之厚度為至少9微米且具有為丨丨微米之最大 厚度。
圖4及圖5展示浸沒微影裝置之一實施例,其除了圖】之 實施例以外還包含具有液體限制結構之液體供應系統,有 時被稱作浸沒蓋罩IH,其沿投影系統PS之最終元件與基板 支撐件WT之間的空間之邊界之至少一部分延伸。限制結 構可延伸略微超過投影系統之最終元件。液體供應系統用° 以將液體供應至由限制結構在投影系統“之最終元件與基 板W之間所界定的空間。在此情況下,液體位準上升超= 最終元件,使得提供液體之緩衝區。因此,形成液體之 儲集層,其可由圍繞投影系統“之影像場至基板W之無接 觸式密封件密封於空間中。 根據一實施例,攜載功能塗層之可移除式黏著薄膜提供 於液體限制結構之至少一部分上。詳言之,至少其頂部表 面21可具備攜載塗層之可移除式黏著薄臈。在此情況下, 功能塗層使得其具有-或多個所要性質,特別為=要接觸 角。因此,有可能每次提供具備具有該(該等)所要性質之,, 可更換"頂部層的表面。必要時’塗層亦可使得結構之部 分經適當地保護免於來自浸沒液體之負面影響及/或由於 來自投影系統PS之輻射的退化。亦可或替代地藉由攜載塗 層之該黏著薄膜來保護結構之其他部分。 131836.doc 17 200910017
此外’諸如在圖2及圖3之實施例中,基板支撐件WT亦 可具有黏附至其之攜載塗層之黏著薄膜。此有助於將液體 保持於限制結構内’特別在鄰接基板w之基板支撐件WT 之頂部表面的邊緣部分2 4相反於限制結構之内部周邊邊緣 部分25而安放的情況下。又,其有助於防止將污潰形成至 基板支撐件WT之頂部表面上。在此情況下,塗層理想地 為具有大於85(後退接觸角)或大於95(靜態接觸角)之水接
觸角的疏水性材料。該疏水性塗層被已知避免其藉由含水 液體(例如,浸沒液體)所覆蓋之部分的污潰化。在一實施 ·】中&水性塗層包含氧化鈦。此具有以下優點:其為用 :在UV幸田射之影響下分解在用於微影術之抗蝕劑中之烴 的催化劑。因A ’具有攜載塗層之黏著薄臈的系統在使用 期間可稍微自我清潔。 除了所不實施例以外,眾多替代例為可能的。舉例而 塗層之薄膜可提供於裝置之在裝置操作期間曝光 2射或以浸沒液體潤濕的—❹個其他部分上,例如, 之邱八 、㈣化15件支撐件之部分、基板支撐件 系統:、*及:或杈影系統之部分。詳言之,薄膜可沿投影 '、、’之邊緣部分黏附至投影 案化器件支樓件之頂部上,等 h下側、黏附於圖 浸沒微影裝置中之ΜΜ 亦可黏附於可鄰近 碟片之頂部或底部基板支撐件中之所謂的封閉 構下方之基板i "封閉碟片可臨時替代液體限制結 構。 此(例如)在交換基板期間密封限制結 131836.doc 200910017 在一實施例中,攜載塗層之黏著薄膜中的若干者可經提 供成堆疊於彼此之頂部上。攜載塗層之黏著薄膜可在需要 時(換言之’例如,在其已以其不能再適當地執行其功能 之方式被損害或退化之後)被逐一撕掉。因為現僅需要移 除所使用之薄膜,所以可最小化裝置之停機時間。在一替 代例中,有可能每次按需要儘快地將攜载塗層之新黏著薄 膜置放於舊黏著薄臈之頂部上。 ‘
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在ic製造中之使 用’但應理解,本文所描述之微影裝置可具有其他應用, 諸如’製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測 圖案二平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭,等 等。熟習此項技術者應瞭解,在該等替代應用之情境中, 可認為本文對術語,,晶圓,,或”晶粒之任何使用分別盘更通 用之術語"基板,,或,,目標部件”㈣。可在曝光之前或之後 ===(通常將抗㈣層施加至基板且顯影經曝光抗 触劑之/、)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提 及之基板。適用時’可將本文之揭示應 板處理工具。另外I及其他基 形成多狀,使得本文 有多個經處理層之基板。斤使用之術语基板亦可指代已經含 之==特定地參考在光學微影術之情境中對本發明 之實施例的使用,但應瞭解,本發明可用於1 :印微影術)中,且在情境允許時不 學 術。在㈣微影術中’圖案化器件中之構形界定形成於: I31836.doc 200910017 板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之 抗蝕劑層中,在基板上,抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、 壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後,將圖案化器件 移出抗敍劑’從而在其中留下圖案。 本文所使用之術語"轄射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁 輻射,包括紫外線(uv)輻射(例如,具有為或為約邗5 248 nm ^ 93 nm、15 7 nm或]26 nm之波長)及遠紫外 線(EUV)轄射(例如,具有在為5 nm至20 nm之範圍内的波 長);以及粒子束(諸如,離子束或電子束)。 術語”透鏡,,在情境允許時可指代各種類型之光學組件之 者或、’且σ包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學 儘管以上已描述本發明之特定實施例,但應瞭解,可以 與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述 ::為說明性而非限制性的。因此,㉟習此項技術者將顯 見到可在不脫離以下所闡明之中請專利範圍之範嘴 的十月況下對如所料之本發明進行修改。 【圖式簡單說明】 福繪根據本發明之_實施例的微影裝置; 圖2展示圖1之基板支撐件的俯視圖; 圖3展示圖2之示意性放大側視圖; 圖s显_根據本發明之—實施例的浸沒型微影裝置;及 '不具有圖4之浸沒蓋罩之基板支律件的放大圖。 I王要元件符號說明】 131836.doc -20- 200910017 ί. 1 凹座 2 透射影像感測器 3 光點感測器 4 整合透鏡干涉計 5 可移除式薄膜 6 功能塗層 7 黏著層 21 頂部表面 24 頂部表面的邊緣部分 25 内部周邊邊緣部分 AD 調整器 Β 輻射光束 BD 光束傳送系統 C 目標部件 CO 聚光器 IF 位置感測器 IH 浸沒蓋罩 IL 照明系統 IN 積光器 Ml 圖案化器件對準標記 M2 圖案化器件對準標記 MA 圖案化器件 MT 圖案化器件支撐結構 PI 基板對準標記 131836.doc -21 - 200910017 P2 基板對準標記 PM 第一***件 PS 投影系統 PW 第二***件 SO 輻射源 W 基板 WT 基板支撐件 X 方向 Y 方向 131836.doc -22-
Claims (1)
- 200910017 十、申請專利範圍: 1. 一種微影裝置,其包含: 一照明系統’該照明系統經組態以調節一輻射光束; 一支撐件,該支撐件經建構以支撐—圖案化器件,該 圖案化器件能夠在該輕射光束之橫截面中向該轄射光束 賦予圖案以形成一經圖案化輻射光束; 一基板支撐件’該基板支撐件經建構以固持—基板; 一投影系統,該投影系統經組離 、九、以將該經圖案化輻射 、 光束投影至該基板之一目標部件上;及 攜載一塗層之一可移除式黏 飞f者溥膜,s亥可移除式黏著 薄臈係在該裝置之至少一部分上。 2. 如請求項1之微影裝置,其 琨步包含具有一液體限制 、、口構之一液體供應系統,該潘 泛液體限制結構沿該投影系統 與該基板支撑件之間的一空間之一邊界之至少部分延 伸’攜載該塗層之該薄膜係在該液體限制結構之至少部 分上。 ο 3. 如請求項1之微影裝置,发中摧酱分么 ^ ^ 、中攜載该塗層之該薄膜係在 該裝置之於該裝置之操作期 保作期間曝光於輻射的至少部分 上。 4. 如請求項1之微影裝置,其中 Τ攜载5亥塗層之該薄膜係在 ⑴該照明系統或(ii)該圓案化 持一· 系化為件支撐件或(iii)該基板支 撐件或(iv)該投影糸統或(v)選白广、e ,· Μ )硪自(1)至(1V)之任一組合的至 少部分上。 5. 如請求項4之微影裝置,发中 ,、中攜载該塗層之該薄膜係在 13I836.doc 200910017 5亥^板切件之—頂部表面的至少部分上。 6. ;如:求項5之微影裝置,其中攜載該塗層之該薄膜 该土板支標件之大體上整個該頂部表面。,、 7. 如請求項5之微影裝置, 該基板支撐件之兮丁“ 層之該薄媒覆蓋 中之-或多個哭她 除了用於位於該頂部表面 以外σ之在該基板支料中的—或多個開口 8 ·如睛求項7之微影奘罢 ^ , ’、置,其中位於該頂部表面中之該一 或多個器件包含⑴— I心件或(")-密封器件或(iii) 一 ^或(1V)選自⑴至㈣之任何組合。 對庫於項7之微衫裝置,其中攜載該塗層之該薄膜包含 口該基板支樓件中之該-或多個開ϋ多個開 個黏之链影裝置’其包含以一堆疊所配置之複數 個黏者薄膜,每-者攜載該塗層。 H.如請求項1之微影裝置,其中該薄膜包含-金屬箱。 12.如凊求項1之料旦/壯祖 mi 、微衫裝置,其中該薄膜具有一為11微米之 取大厚度。 心 微影裝置,其中攜載該塗層之該薄臈具有 13.如請求項1之 同的熱膨脹特 、、斤黏附至之該裝置之該部分大體上相 性。 14·如含杳、七 /項1之微影裝置’其中該塗層保護免於紫外線輻 塗層 月求項1之微影敦置,其中該塗層為一疏水性 131836.doc 200910017 16·如請求項 甲基二Si微影裝置’其中該疏水性塗層包含聚合六 17 ·如請求項】+仙, 之 最大厚度影裝置,其中該塗層具有-為_奈米 其中該塗層包含聚矽氧。 其中該塗層包含氧化鈦。 其中该塗層具有一為至少85度 其中該黏著薄臈包含一熱熔黏 其中該黏著薄臈包含一具有_ 18. 如請求項1之微影裝置 19. 如凊求項1之微影裝置 20. 如請求項丨之微影裝置 之水接觸角。 21. 如請求項1之微影裝置 著劑。 22. 如請求項1之微影裝置 為Π微米之最大厚度的黏著層 23 一種器件製造方法,其包含: 在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予—圖案; 使用一微影裝置來將該經圖案化輻射光束投影至一美 板之一目標部件上,攜載一塗層之一可移除式黏著薄骐 係在該裝置之至少一部分上; ' 顯影該經投影基板;及 自該經顯影基板製造一器件。 131836.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/812,507 US7561250B2 (en) | 2007-06-19 | 2007-06-19 | Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200910017A true TW200910017A (en) | 2009-03-01 |
TWI461855B TWI461855B (zh) | 2014-11-21 |
Family
ID=40136116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097121940A TWI461855B (zh) | 2007-06-19 | 2008-06-12 | 具有塗層薄膜黏附其上之部份的微影裝置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7561250B2 (zh) |
JP (2) | JP4934643B2 (zh) |
KR (3) | KR101008293B1 (zh) |
CN (2) | CN101329517B (zh) |
TW (1) | TWI461855B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI417678B (zh) * | 2009-06-19 | 2013-12-01 | Asml Netherlands Bv | 感測器、臺及微影裝置 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7561250B2 (en) * | 2007-06-19 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto |
JP2009010079A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Canon Inc | 露光装置 |
NL1036571A1 (nl) * | 2008-03-07 | 2009-09-08 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Methods. |
JP2010147471A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び少なくとも2つのターゲット部分を照射する方法 |
JP5398307B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2010251745A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-11-04 | Asml Netherlands Bv | 液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
NL2005120A (en) * | 2009-09-21 | 2011-03-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, coverplate and device manufacturing method. |
NL2006506A (en) * | 2010-04-28 | 2011-10-31 | Asml Netherlands Bv | A component of an immersion system, an immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
WO2016012193A1 (en) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102014224717A1 (de) | 2014-12-03 | 2016-07-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element, optische Anordnung und Herstellungsverfahren |
CN110337612B (zh) * | 2016-12-22 | 2021-05-28 | Asml荷兰有限公司 | 一种包括具有改进的抗剥离性的上层的物体的光刻设备 |
NL2024752A (en) * | 2019-02-08 | 2020-08-19 | Asml Netherlands Bv | Component for use in a Lithographic Apparatus, Method of Manufacturing a Component and Method of Protecting Tables in a Lithographic Apparatus |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1292717A (en) * | 1970-02-04 | 1972-10-11 | Rank Organisation Ltd | Improvements relating to anti-reflection coatings |
US4131363A (en) * | 1977-12-05 | 1978-12-26 | International Business Machines Corporation | Pellicle cover for projection printing system |
US5008156A (en) * | 1986-11-07 | 1991-04-16 | Exion Technology, Inc. | Photochemically stable mid and deep ultraviolet pellicles |
JP2524987B2 (ja) * | 1986-12-19 | 1996-08-14 | 株式会社クラレ | 偏光膜の製造方法 |
JPH09260257A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Canon Inc | レンズ汚染を防止した投影露光装置およびそれを用いた半導体デバイス製造プロセス |
US6190743B1 (en) * | 1998-07-06 | 2001-02-20 | Micro Lithography, Inc. | Photomask protection system |
JP2003504861A (ja) * | 1999-07-01 | 2003-02-04 | エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ | 空間濾波による画像向上装置および方法 |
JP4634680B2 (ja) * | 1999-07-08 | 2011-02-16 | ソマール株式会社 | 容易に剥離可能な粘着性フィルム |
KR100894208B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2009-04-22 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 접착제 조성물, 그의 제조 방법, 이것을 사용한 접착 필름,반도체 탑재용 기판 및 반도체 장치 |
JP3514439B2 (ja) * | 2000-04-20 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | 光学要素の支持構造、および該支持構造を用いて構成された露光装置と、該装置によるデバイス等の製造方法 |
JP2002151400A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Canon Inc | 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場 |
JP2002341548A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Sony Corp | ウェーハの処理方法 |
AU2003231551A1 (en) * | 2002-05-01 | 2003-11-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | High refraction film, its coating composition, and an anti-reflection film, a polarizing plate and an image display device including said film |
EP1429190B1 (en) * | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
JP2004288766A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
EP1611482B1 (en) | 2003-04-10 | 2015-06-03 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
KR101242815B1 (ko) * | 2003-06-13 | 2013-03-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조방법 |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
WO2005055296A1 (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに光学部品 |
JP4513534B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
KR101227211B1 (ko) * | 2004-02-03 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4513590B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 光学部品及び露光装置 |
JP4622340B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005268693A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、回路基板および電子機器 |
SG188899A1 (en) * | 2004-09-17 | 2013-04-30 | Nikon Corp | Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006317693A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Nec Toppan Circuit Solutions Inc | 露光方法及び露光用マスク並びにマスク用保護フィルム |
US20070004182A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and system for inhibiting immersion lithography defect formation |
US7728951B2 (en) * | 2005-09-29 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for conditioning an interior space of a device manufacturing apparatus |
KR100800182B1 (ko) * | 2005-11-08 | 2008-02-01 | 광 석 서 | 발수 방오 처리된 대전방지 보호 테이프 |
KR100593814B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2006-06-28 | 에이스 인더스트리 주식회사 | 반도체 다이본딩용 점착테이프 |
US7561250B2 (en) * | 2007-06-19 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto |
-
2007
- 2007-06-19 US US11/812,507 patent/US7561250B2/en active Active
-
2008
- 2008-06-12 TW TW097121940A patent/TWI461855B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-06-12 JP JP2008153774A patent/JP4934643B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-18 CN CN2008101254832A patent/CN101329517B/zh active Active
- 2008-06-18 CN CN2011100368749A patent/CN102073223B/zh active Active
- 2008-06-18 KR KR1020080057325A patent/KR101008293B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-11-09 KR KR1020100110912A patent/KR20100130577A/ko active Application Filing
-
2011
- 2011-04-04 JP JP2011083005A patent/JP5414729B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-29 KR KR1020110099087A patent/KR101374636B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI417678B (zh) * | 2009-06-19 | 2013-12-01 | Asml Netherlands Bv | 感測器、臺及微影裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4934643B2 (ja) | 2012-05-16 |
JP2011146738A (ja) | 2011-07-28 |
KR101374636B1 (ko) | 2014-03-17 |
KR20100130577A (ko) | 2010-12-13 |
KR20110126570A (ko) | 2011-11-23 |
JP5414729B2 (ja) | 2014-02-12 |
CN102073223B (zh) | 2013-04-17 |
KR101008293B1 (ko) | 2011-01-14 |
US7561250B2 (en) | 2009-07-14 |
CN101329517A (zh) | 2008-12-24 |
KR20080112121A (ko) | 2008-12-24 |
CN101329517B (zh) | 2011-02-16 |
CN102073223A (zh) | 2011-05-25 |
JP2009004777A (ja) | 2009-01-08 |
TWI461855B (zh) | 2014-11-21 |
US20080316441A1 (en) | 2008-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200910017A (en) | Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto | |
KR100706072B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
TWI574124B (zh) | 支撐裝置、微影裝置及器件製造方法 | |
TWI424288B (zh) | 微影裝置及器件製造方法 | |
JP2010016389A (ja) | 露光装置、露光装置のコーティング、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス | |
JP2013118366A (ja) | サポート、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP5107414B2 (ja) | リソグラフィ装置、着脱可能部材及び該部材の製造方法 | |
JP5559284B2 (ja) | レチクルアセンブリ、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセスにおけるその使用、およびリソグラフィプロセスの単一スキャン移動において2つ以上のイメージフィールドを投影する方法 | |
JP4418790B2 (ja) | ペリクルをパターン付与装置に接合する方法 | |
TW201007390A (en) | Lithographic apparatus | |
JP2006270071A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2010147471A (ja) | リソグラフィ装置及び少なくとも2つのターゲット部分を照射する方法 | |
JP5216835B2 (ja) | リソグラフィ装置、ギャップ封止部材キット及びギャップ封止方法 | |
JP2006146234A5 (zh) | ||
JP5226759B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5249168B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4756101B2 (ja) | 物品支持体、リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置 | |
TWI394013B (zh) | 微影裝置,投影系統及器件製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |