TW200849603A - Method for forming pattern, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device - Google Patents

Description

200849603 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種圖案形成方法、半導體裝置之製造方 法及半導體裝置，尤其係關於一種導電性圖案之形成方法 及使用該方法之薄膜電晶體之製造方法及薄膜電晶體。 【先前技術】 於半導體裝置及液晶顯示器等圖像顯示裝置之領域中’ 為了形成電路而使用多種導電性材料。近年來，該等用途 中，高密度化、高精細化得以發展，對於導電性材料以及 配線形成方法亦要求具有較高之解析度及可靠性。 先前以來，安裝於電氣.電子零件中之電極基板領域 中，於需要較高之解析度之情形時，主要係藉由光微影法 而於特定之基板上形成電路圖案。 使用光微影法形成雷路安 、、㈣古土 Μ路圖案之方法如下所述··藉由濺鍍 法4方法而於基杯μ你4曾 r)成膜膜，使光阻材料(感光樹 月曰）成膜於導電性臌卜，# w > 宰，之後^ w仃曝光.顯影而形成光阻圖 木之後，精由對該光阻圖案 去除自弁阳同安中 卞$用先罩而進行蝕刻，藉此 圖木路出的多餘部分的 去除光阻圖幸，而…上 m具後，猎由 影法，能夠以-解斤期望之電路圖案。藉由上述光微 缺 =析度形成非常微細之電路圖案。 乂驟數量非常多且繁雜， 影、及乾燥等之_ ’ 且疋成曝光、顯 環境管理的要求非^ + 輝對於设備之精度及 又，，可能導致規模較大。 於糟由濺鍍法而形成 ^生膜之情形時，作為成臈 I28083.doc 200849603 條件，必須進行高溫處理，因此對基板之熱負擔變得非常 大，故而，t然會導致基板產生熱膨脹或熱劣化。因此， 於藉由光微影法而於基板上形成電路圖案之情形時，基板 之選擇受到極大的限制。又，於上述蝕刻步驟中，當進行 濕式蝕刻時，基板係浸潰於蝕刻液中，因此會使基板及金 屬膜之基礎層等、藉由前段步驟所製作的部位受到損傷。 因此，作為不使用光微影法而形成微細之圖案之方法， 揭不有如下之印刷法：於表面被矽橡膠覆蓋之被稱作橡皮 布的第1版之整個表面上，塗佈油墨（樹脂）而形成薄膜，其 後，將表面側具有凹凸圖案之第2版按壓至第丨版之薄膜的 形成面側，藉此，使上述薄膜之多餘圖案轉印至第2版之 凸起邛之頂面並去除該多餘圖案，藉此，將殘留於第1版 之表面上之薄膜圖案（樹脂圖案）轉印至被轉印基板上（例 如’參照專利文獻1)。 又，揭示有如下方法：使用含金屬粒子、水性溶劑及水 /令|±树月曰之導電性油墨組合物，藉由上述專利文獻1中揭 示之印刷法，而形成導電性圖案（例如，參照專利文獻2)。 此處，隨著電子機器之薄型化，當使用上述印刷法來形 成半導體裝置之電路圖案時，較佳的是電路圖案之厚度較 小，因此，上述電路圖案之膜厚必須形成在5〇〇 nm以下。 口此，要求使塗佈成膜於上述第丨版上之導電性膜自身實 現薄膜化。 [專利文獻1]日本專利特開號公報 [專利文獻2]日本專利特開2006-278845號公報 128083.doc 200849603 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而，當使用專利文獻1中揭示之印刷法來形成電路圖 案時，樹脂中分散有金屬粒子，因此液黏度會上升，且難 以調整至適合於版印刷法之黏度（50 cps〜500 cps)。因此， 難以形成較薄之導電性膜。x，存在如下問題：構成第1 版之表面之矽橡膠通常呈現斥液性，故而難以全面且均勾 地於第m上之整個表面上塗佈樹脂，又，若樹脂之乾燥 性較差，則對於被轉印基板之轉印性會劣化。 又，於專利文獻2中揭示之印刷法中，如上所述，由呈 現斥液性之石夕橡膠構成的第！版上，即便塗佈含有水性溶 劑之導電性油墨組合物亦會斥液’故而難以形成膜厚均勻 之導電性膜。因此，存在難以穩定地形成微細且精密之導 電性圖案的問題。 為了解決如上所述之問題，本發明之目的在於提供一種 可於第，1版上形成膜厚均勾之導電性薄膜的圖案形成方 法、半導體裝置之製造方法及半導體裝置。 [解決問題之技術手段] 為了實現如上所述之目的，本發 η Λ g “ 不嗌月之圖案形成方法的特 徵在於依序進行如下步驟。首 繁w m 1 U於弟1步驟中，進行於 W版上塗佈液組合物，該液組合物包 脂族胺進行表而彳夂放_ 9日肪S夂或 導電性= 電性粒子及有機溶劑，藉此形成 ¥電丨生膜之步驟。其次， 有凹凸進行將表面側具 圖案之弟2版㈣至上述第】版之導電性臈之形成面 128083.doc 200849603 側將導電性膜之第1圖案轉印至第2版之凸起部之頂面並 去除#此於第1版上形成使第1圖案反轉的第2圖案之步 驟。於第3步驟φ，、仓^ 爾中進仃將第1版之第2圖案之形成面側按 壓至被轉印基板之矣 ^ 表面上，猎此將第2圖案轉印至被轉印 基板之表面上之步驟。 根據如此之圖崇再彡+ + 架❿成方法，使用含有已由脂肪酸或脂族 胺所修飾表面之導電性粒子及有機溶劑的液組合物，藉此 經修飾表面後之導雷把★ r 等丨生粒子向有機溶劑中之分散性提高。 根據使用如此之液組合物之圖案形成方法，即便不添加用 以確保上述導電性粒子之分散穩定性之黏合劑，亦可謀求 液組合物之低黏度化。藉此，可於第1版上形成均勾膜厚 之導電性薄膜。因此’可於被轉印基板之表面穩定地形成 微細、精密且膜厚較薄之導電性圖案。 又’本發明中之半導體裝置之製造方法及藉由該製造方 法而獲得之半導體裝置的特徵在於，應用上述圖案形成方 ο :於半導體裝置之源極.汲極電極或閑極電極之形成方 法0根據如此之半導體裝罟夕制、生+丄 ^ 导體4置之製造方法及半導體裝置，於 =上形成均㈣厚之導電性薄膜，藉此可穩定地形成 试細、精密且膜厚較薄之源極.没極電極或問極電極。 [發明之效果] 如上所述，根據本發明之圖案 木形成方法、使用其之半導 體衣置之方法及半導體裝置， 上，穩定地形成微細、精密且膜厚 p基板之表面 此藉由印刷法，可形成半導體裳置之;^μ性圖案，因 孓碱細電極圖案，且可 128083.doc 200849603 簡化半導體裝置的製造步驟。 【實施方式】 以下，根據圖式詳細說明本發明之實施形態。 作為本發明之圖案形成法之實施形態的一例，以包含底 閘極·底部接觸型薄膜電晶體之半導體裝置之製造方法為 例，參照圖1之製造步驟剖面圖加以說明。本實施形態 ， 中’使用本發明之圖案形成方法而形成上述薄膜電晶體之 源極·汲極電極。 〇 如圖Ua)所示，作為橡皮布之第1版1〇,係由包括玻璃基 板11以及設置於玻璃基板丨丨上之例如聚二曱基矽烷 (PDMS，Polydimethylsilane)層12的平版而構成。該第1版 1 〇例如係藉由旋塗法於玻璃基板丨丨上塗佈PDms之後、實 施加熱處理使PDMS硬化而製成的，且1>;〇河8層12之表面側 设置為平坦。 並且，作為本發明之特徵性構成，如圖1(b)所示，例如 藉由頂ir而塗佈法，於上述第丨版丨〇上塗佈液組合物，該液 組合物包含已藉由脂肪酸或脂族胺進行表面修飾之導電性

包含已藉 直使用之用以確保分散穩定性 128083.doc 修飾之導電性粒子之液組合 _常高，即便於室溫下放置一 性粒子有沈殿。藉此，就量 可確保具有充分之保存穩定 機溶劑中之分散性較高，藉 -10- 200849603 之含樹脂成分的黏合劑，亦可行，故而可使液組合物實現 低黏度化。 f 此處，如先前技術中所述，於形成薄膜電晶體等半導體 I置之電路圖案（配線圖案）時，要求電路圖案之膜厚為 nm以下’因此’第mi()上形成之導電性膜d的乾燥膜厚 必須為50G nm以下。该膜厚於濕潤（_)狀態下係由上述導 電性粒子之濃度而決定，例如，當上述導電性粒子之濃度 為10該膜形成為5 _以下之均句膜厚。此時，上 述液組合物之黏度較好的是3〇 mpas以下，且黏度之下限 值為0.8 mPas左右。再者，該下限值係根據所使用之溶劑 之黏度值而規定。 此處，作為上述導電性粒子，可列舉金、銀、銅、始、 ^:鎳二以及該等之混合物。相比於使用其他金屬粒子之 w藉由使用銀奈米粒子作為導電性粒子，可進一步降 度…較佳。作為上述導電性粒子，可藉由所 二1’、或濕式法中之任一者而製成者…可使用粒徑 ”、’ nm以下、較好的是u _左右之導電性粒子。 族上述導電性粒子進行表面修飾之脂肪酸或脂 之化合物之分散穩定性較高，藉由_ 儿…而表現出導電性’且材料 肪酸，例如可使用月桂酸、肉豆蔻:：付4。作為脂 及硬脂酸；作為脂族胺，例如可使用心：酸、油酸、以 之-級胺、了使用&數處於上述範圍内 ―級胺、三級胺、以及二胺或酿胺化合物等胺 128083.doc 200849603 衍生物。作為上述脂族胺之具體例，可列舉油胺及硬脂醯 胺0 又，作為藉由脂肪酸或脂族胺對該導電性粒子進行表面 修飾之方法，通常可適當地使用例示之方法。作為使用銀 粒子之具體例，可列舉··於四氫呋喃（THF，tetrahydrofimn) 等有機溶劑中混合銀奈米粒子，並添加肼化合物等還原 劑，繼而適當添加所期望之脂肪酸及脂族胺，實施加熱處 理，藉此使脂肪酸及脂族胺附著於銀粒子表面。

又，上述經表面修飾後之導電性粒子，於液組合物中之 含有比例為0·1 wt%〜80 wt%，較好的是5 wt%〜2〇 wt〇/。。 並且，藉由使用含上述導電性粒子中藉由油酸進行表面 修飾後之銀奈米粒子之液組合物，可於第1版丨〇上形成膜 厚為500 nm以下之均勻的導電性膜D，又，於後段步驟中 可高精度且切實地進行導電性膜D向第2版之多餘轉印，故 而較佳。 又，關於分散有上述經表面修飾後之導電性粒子之有機 溶劑，既可使用1種溶劑，亦可根據需要而混合2種以上之 溶劑加以使用。有機溶劑中尤其好的是非極性溶劑，其原 因在於其可維持液組合物中之導電性粒子 作為具體例，灣戊院、己院、庚院、辛烧、:二二; 二烷、異戊烷、異己烷、異辛烷、環己烷、甲基環己烷、 以及環戊烷等烴系溶劑。又，亦可較佳使用曱笨、：曱 苯、以及均三甲苯等芳族系溶劑。又’於使用1種有機溶 劑之情形％，較好的是使用沸點為5〇〇c以上且i 5〇它以下 128083.doc 200849603 之有機溶劑。作為如此之有機溶劑，可使用沸點為80.7。(： 之環己烷、沸點為98T：之庚烷、以及沸點為11〇6。〇之甲 苯。 除了非極性溶劑外，作為可使用之有機溶劑，可根據印 刷性而使用酯系溶劑、醇系溶劑、以及甲嗣系溶劑等。例 如’作為酯系溶劑，可列舉乙酸甲酯、乙酸乙酯、以及丙 酸乙酉旨等。作為醇系溶劑，可列舉乙醇、丙醇、以及異丙 醇等。作為甲_系溶劑，可列舉丙明、甲基乙基嗣、以及 甲基異丁基㈣。該等溶劑具有適用於印刷性之功能。 作為向第1版10上塗佈如上所述之液組合物之塗佈法， 除了上述頂端塗佈法外，可列舉滾塗法、噴塗法、浸塗 淋幕式平面塗佈法、拉絲旋式塗佈法、凹板印刷式塗 佈法、氣刀塗佈法、刮刀塗佈法、絲網塗佈法、以及模塗 法等。關於塗佈法，較理想的是相應於卷狀、平版狀等之 第1版10之形狀而進行選擇。上述塗佈法中尤其好的是頂 端塗佈法，因其塗佈特性優良。 繼而，如圖1(c)所示，將表面側具有凹凸圖案之例如由 玻璃版構成之第2版20，按壓至上述第}版1〇之形成有導電 性膜D的一面側。上述凹凸圖案係以使凸圖案成為下述導 私丨生圖案之反轉圖案的方式而形成。藉由使用通常之光微 影技術之蝕刻而形成該第2版2〇的凹凸圖案，藉此，可來 成微細且精密之凹凸圖案。 此處，第2版20之表面係由表面張力低於第1版1〇的表面 之材質而構成，使得第2版20之凸起部20a之頂面與導電性 128083.doc 13 200849603 膜D的密著性古# 巧於弟1版10之表面與該導電性膜D之密著 十生 〇 Jib J-L ,. 曰 σ圖1(d)所示，藉由將第2版20按壓至第1版1〇 之導電性腔:Pi + ΤΤ/ 騰1J之形成面側，可將導電性膜D(參照上述圖 J 夕餘圖案（第1圖案）轉印至凸起部20a之頂面上，於 第1版1〇上形成導電性圖案D，（第2 係被轉印至上述凸起部施之頂面之圖案反轉而成S的术形 狀再者，被轉印至凸起部20a之頂面上的導電性膜D之圖 案，可以被回收且加以再利用。 、’1之，如圖2(e)所示，將第丨版1〇之導電性圖案D，之形成 面側，按壓至被轉印基板3〇的被轉印面。此處，被轉印基 之構成如下·於由石夕基板構成之基板3 1上，設置有由 K稀齡（PVP，Poly vinyl Phenol)形成的絕緣膜32。因 此，絕緣臈32之表面32a成為被轉印面。此處，於由矽基 板構成之基板3 1中高摻雜有雜質離子，因此，基板3丨可兼 作閘極電極，且設置於該基板31之上層之絕緣膜32形成為 閘極絕緣膜。 此處’絕緣膜32係由表面張力低於第2版2〇的材質而構 成’使得作為被轉印面之絕緣膜32之表面32a與導電性圖 案D’之密著性高於第2版20之凸起部20a之頂面與該導電性 圖案D’的密著性。藉此，將第！版1〇之導電性圖案D，之形 成面側’按壓至被轉印基板30之被轉印面，從而，如圖 2(f)所示，可將導電性圖案D，轉印至絕緣膜32之表面32& 上。該導電性圖案D’成為源極·汲極電極33。 藉此，可藉由印刷法而形成源極·汲極電極33，因此， 128083.doc -14 - 200849603 /、藉由光u衫法使形成於絕緣膜32上之導電性膜圖案化而 成源極汲極電極3 3之情形相比較，可防止因蝕刻或光 P圖案之歹欠留而導致絕緣膜32之表面粗糖的情形。由此， 可提高絕緣膜32與半導體層34之界面特性，從而提高電晶 體特性。 • 其後，例如藉由烘箱進行加熱，燒結上述導電性圖案 • D。此處，燒結後之導電性圖案D，之膜厚為5〇〇 nm以下。 可確<·與使用含樹脂組合物等黏合劑之液組合物而形成 $電性圖案之情形相比較，該導電性圖案D，的接觸電阻變 低又可確5忍·燒結後之導電性圖案D，中殘留有與銀奈 米粒子鍵合之油酸，但即便殘留有該油酸，接觸電阻亦變 低。 此後之步驟，係以與通常之薄膜電晶體之製造步驟相同 之方式進行。即，如圖2(g)所示，例如藉由旋塗法，於覆 盍由導電性圖案D’構成之源極·汲極電極33之狀態下，在絕 、 緣膜32上，形成例如含三異丙基矽烷乙炔基并五苯的半導 U 體層34。 以如上所述之方式，於基板（閘極電極）3丨上依序積層絕 . 緣膜（閘極絕緣臈）32、源極·汲極電極33及半導體層34，來 製造底閘極·底部電晶體型之薄膜電晶體。 根據如此之圖案形成方法、使用該方法之半導體裝置之 製造方法及半導體裝置，使用液組合物，該液組合物含有 已藉由脂肪酸或脂族胺進行表面修飾之導電性粒子及有機 溶劑，藉此，可於第丨版10上形成膜厚均勻且較薄之導電 128083.doc -15- 200849603 性膜D。由此，可％处 了於被轉印基板之表 細、精密且膜厚較薄之導電性圖案 穩=成微 法來形成半導體裝置之微細之源極.J;枉可猎由印刷 半導體裝置的製造步驟。 ^ ’且可簡化 再者，於上述實施形態中，對形成源 例進行了說明，作a ，办丨丄+ 1电位之不 仁疋，例如亦可適用於具 上形成閘極電極的情形。w之基板 "該h形日守，如圖3所示，例如 Ο

用由聚㈣形成之塑勝基板41作為被轉印基板別，藉由盘 實施形態相同之方法性圖案D，轉印至塑膠基板4; 上’精此形成閘極電極42。其後’以與實施形態令使用圖 2進行說明之問極絕緣膜32、源極.汲極電極33、及半導體 層34相同之方式，形成閘極絕緣膜43、源極.汲極電極 44、以及半導體層45。 進而，本發明並不限定於上述底閘極·底部接觸型之電 晶體構造，亦可適用於形成電晶體構造之電極圖案之情 形。進而，不僅適用於薄膜電晶體，亦可適用於印刷電路 板、RF-ID (Radio Frequency Identify，無線射頻識別系統） 標籤、以及各種顯示基板等其他電子元件之電極圖案的形 成。 進而，再次使用圖1〜圖2，對本發明之具體實施例加以 說明。 <實施例1 > 以與上述實施形態相同之方式，於玻璃基板1 1上，藉由 旋塗機塗佈PDMS(道康寧公司製造，商品名Silpot)，實施 128083.doc 16 200849603 加熱處理以使PDMS硬化，而製成第丨版1〇(橡皮布）。其 次，使藉由油酸而實施表面處理後之銀奈米粒子（平均粒 徑為10 nm)分散於環己烷中且使該銀奈米粒子之濃度為5 wt%，而製備液組合物。繼而，藉由旋塗機，於上述第i 版10上塗佈該液組合物，藉此形成導電性膜D。 另一方面，藉由旋塗機，於玻璃基板上塗佈厚度為5 pm 之光阻劑（Kayaku MicroChem公司製造，商品名su_8)，並 進行曝光顯影，藉此，於玻璃基板之表面側形成線與間隙 (L/S，line and space) = 5 μηι(縱橫比 i : 〇之凹凸圖案，從 而製成由玻璃版構成之第2版20。 繼之，將上述第2版20按壓至第丨版1〇之導電性膜〇之形 成面側，使導電性膜D之多餘圖案（第丨圖案）轉印至第2版 20之凸起部20a，並去除上述導電性膜D之多餘圖案，藉 此，於第1版10上形成導電性圖案（第2圖案）。 又，藉由旋塗機，於基板31上塗佈於PVP樹脂溶液（溶劑 PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate，丙二 醇甲_醋酸自曰）、；辰度為20 wt%)中添加含有三聚氰胺-甲酸 樹脂之交聯劑而成的溶液，藉此，準備形成有含PVP之絕 緣膜32之被轉印基板30。繼而，將第！版1〇之形成有導電 性圖案D’之一面側，按壓至被轉印基板3〇之被轉印面 32a，藉此，使導電性圖案D’轉印至絕緣膜32之表面上。 其後，使導電性圖案D’於1 8〇t之溫度下在烘箱中固著丨小 時’當銀奈米粒子燒結時形成具有導電性之配線圖案。 其結果為，如圖4(a)之區域X之放大照片即圖4(b)所示， 128083.doc 200849603 可確認可良好地形成L/S = 5 μηι之導電性圖案D，。 (比較例1) 另一方面，作為相對於上述實施例1之比較例1，於與實 施例1相同之第丨版10上，塗佈藉由水溶性有機溶劑及水溶 W而使分散有尚分散性銀奈米粒子之液組合物（住友電氣 工業公司製造，AGIN-W)，且於第1版1〇上形成導電性圖 案D’後，將該導電性圖案D，轉印至被轉印基板3〇上。其結

果為，如圖5(a)所示，第1版1〇之表面上形成之導電性膜D ( 與第1版ίο之黏接性高，因此，轉印至絕緣膜32之表面之 導電性圖案D’無法被轉印至被轉印基板30上。 (比較例2) ί 又，作為相對於上述實施例丨之比較例2，於與實施例！ 相同之弟1版10上，塗佈藉由醇系溶劑（極性溶劑）而分散有 銀奈米粒子之液組合物（住友金屬礦山公司製造，DCG_ ^10-CNlO)。其結果為，如圖5(b)所示，上述液組合物於 第1版ίο之表面上凝聚，導致無法於第上形成導電性 (比較例3) 二’作為相對於上述實施例1之比較例3,使用藉由醇 序W谷劑（極性溶劑丨而分五 ^有表面塗佈有聚合物系材料之銀 =子的液組合物（⑽的公司製造， «由” K ^例1相同之方法而形成電極圖1 為，如圖5(C)所示，轉印 ，、、、、。果 Ρ至、、色緣膜32之表面之導電性圖索 的圖案被破壞，無法獲得電極圖案。 128083.doc -18- 200849603 【圖式簡單說明】 圖l(a)-(d)係用以說明本發明之半導體裝置之製造方法 之實施形態的製造步驟剖面圖（其1)。 圖2(e)-(g)係用以說明本發明之半導體裝置之製造方法 之實施形態的製造步驟剖面圖（其2)。 圖3係用以說明本發明之半導體裝置之製造方法之實施 形態的製造步驟剖面圖（其3)。 圖4(a)、（b)係實施例1之光學顯微鏡照片。 圖5(a)-(c)係比較例1〜3之光學顯微鏡照片。 【主要元件符號說明】 10 第1版 20 第2版 20a 凸起部 30 被轉印基板 3 1 基板 32 絕緣膜（閘極絕緣膜） 33 源極·汲極電極 34 半導體層 D 導電性膜 D’ 導電性圖案 128083.doc -19-

Claims (1)

1. 200849603 十、申請專利範圍： 1 · 一種圖案形成方法，其特徵在於包括： 第1步驟，其係於第丨版上塗佈液組合物，藉此形成導 包性膜，該液組合物包含已藉由脂肪酸或脂族胺進行表 面修飾之導電性粒子及有機溶劑； 第2步驟，其係將表面側具有凹凸圖案之第2版按壓至 • 上述第1版之上述導電性臈之形成面側，將上述導電性 膜的第1圖案轉印至該第2版之凸起部之頂面並去除，藉 f" 此於上述第1版上形成使該第1圖案反轉的第2圖案；及 第3步驟，其係將上述第1版之上述第2圖案之形成面 側按壓至被轉印基板之表面，藉此將上述第2圖案轉印 至該被轉印基板之表面。 2·如請求項1之圖案形成方法，其中 上述導電性粒子為銀奈米粒子。 3·如請求項1之圖案形成方法，其中 上述導電性粒子係由油酸進行表面修飾。 4_如請求項1之圖案形成方法，其中 上述有機溶劑為非極性溶劑。

   ’該半導體裝置係於基板上 貪層有源極·汲極電極、閘極 色·汲極電極之上層側或下層 ;及極電極或上述閘極電極之步驟中進 128083.doc 200849603 第!步驟，其係於第丨版上塗佈液組合物，藉此形成導 電性膜，該液組合物包含已藉由脂肪酸或脂族胺進行表 面修飾之導電性粒子及有機溶劑； 第2步驟，其係將表面側具有 负凸圖案之第2版按壓至 述弟m之上述導電性膜之形成面側，將上述導電性 胺的第！圖案轉印至該第2版之凸起部之頂面並去除，藉 此於上述第i版上形成使該第！圖案反轉之第2圖宰；及 第3步驟，其係將上述第1版之上述第2圖案之形成面 側按壓至基礎層之表面，將上述第2圖案轉印至該基礎 層之表面’藉此形成上述源極.汲極電極或上述閘極電 極。 6· ί. 一種半導體裝置，其係於基板上依照以下順序或其相反 順序積層有源極.汲極電極、閘極絕緣臈及間極電極，且 於源極.汲極電極之上層側或下層側具備半導體層 徵在於·· ^、 上述源極·汲極電極或上述閘極電極係藉由進行如下步 驟而形成： 第1步驟’其係於第i版上塗佈液組合物，藉此形成導 電性膜，該液組合物包含已藉由脂肪酸或脂族胺而進行 表面修飾之導電性粒子及有機溶劑； 第2步驟，其係將表面側具有凹凸圖案之第2版按壓至 述第1版之上述導電性膜之形成面側，將上述導電性 、之第1圖木轉印至该第2版之凸起部之頂面並去除，藉 此於上述第1版上形成使該第i圖案反轉之第2圖案；及 128083.doc 200849603 第3步驟，其係將上述第1版之上述第2圖案之形成面 側按壓至基礎層之表面，將上述第2圖案轉印至該基礎 層之表面。 Γ 128083.doc