TW200409392A - Accessory member for dispensers of alkali metals - Google Patents

Description

200409392 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明相關於鹼金屬的分配器的附屬構件。 【先前技術】 已知鹼金屬已長期被用在電子領域中。特別是，鹼金 屬的一應用領域爲於 OLED ( Organic Light Emitting Display，有機發光顯示器）螢幕。 簡言之，0LED的形成包含第一平面狀透明支座（由 玻璃或塑膠構成）；第二支座，並非必定透明，其可由玻 璃，金屬，或塑膠製成，基本上爲平面狀並且平行於第一 支座且沿著周邊固定而形成封閉空間；及在該空間中有效 於影像形成的結構。該有效結構（a c t i v e s t r u c t u r e )形成 爲包含第一系列的透明電極，線性且互相平行地沈積在第 一支座上；由不同的電發光有機材料構成的多層物，包含 沈積在第一系列的電極上的至少一層電子的材料導體及一 層電子空位（在此領域中也被定義爲「電涧」）的材料導 體；及第二系列的線性且互相平行的電極，其相對於第一 系列的電極被正交地定位，且與有機材料的多層物的相反 側接觸，使得多層物被包含在二系列電極之間。對於 0LED的結構及操作原理的更詳細的說明，可參考例如專 利申請案 EP-A-845924 ， EP-A-949696 ， Jp.a-9-078058 ， 及美國專利第6,013,384號。 近來發現以小量的電子給予材料特別是鉋$丨參_ -4 - 200409392

OLED的有機層中的一層或多層可減小要被施加 的電極以用於螢幕的作用的電位的差異，且因此 的能量消耗。· 爲簡單起見，在此敘述中會特定地參考鉋， 述也代表具有類似的應用的其他鹼金屬。 摻雜是藉著使OLED的有機層在被保持於真 封閉容室中曝露於鉋蒸汽而被執行，以避免該有 其是第二系列的電極（一般而言是由金屬例如鋇 有毒大氣劑（noxious atmospheric agent)且特 蒸汽損壞。 OLED的生產容室內部的鉋的蒸發是藉著使 室溫對空氣而言穩定的鉋化合物的合適分配器而 事實上，由於對大氣氣體及對水汽的高反應性， 下並非成爲純金屬被使用在工業中。鉋的穩定化 括鉻酸鉋或重鉻酸鉋，其與還原劑混合可藉著於 高的溫度加熱而釋放鉋成爲蒸汽。一般使用鋁， 氣劑合金（亦即具有鋁或一或多種過渡元素的以 基礎的合金）成爲還原劑。這些混合物的使用在 專利第2，1 1 7,73 5號中有所敘述。 另外，特別適合用於OLED的生產的鉋分: PCT公告的專利申請案WO02/093 664得知。該 包含鉋蒸汽可滲透且含有還原劑與從鉬酸鹽，鎢 酸鹽，鉅酸鹽，矽酸鹽，及鉻酸鹽中選擇的鉋化 合物的容器。這些化合物與先前所述者相比較爲 於二系列 減小螢幕 但是此敘 空之下的 機層且尤 製成）被 別是被水 用含有於 被執行。 鉋在常態 合物中包 比 5 0 0 °C 矽，或吸 鈦或銷爲 例如美國 配器可從 鉋分配器 酸鹽，鈮 合物的混 有利，因 -5- (3) 200409392 爲其不含有可能會藉由接觸，吞入，或吸入而造成過敏反 應且在長期曝露的情況中可能致癌的六價鉻（hexavalent chromium ) 〇

在任何情況中，用於鉋的釋放的分配器基本上是由金 屬容器形成，其可藉著焦耳（Joule )效應而被加熱，可 保持鉋化合物的固體粒子。分配器表面的至少一部份可滲 透鉋蒸汽，或設置有供鉋以蒸汽形式射出的小孔或狹縫。 例如，美國專利第 3,5 78,83 4號，第 3,5 79,45 9號，第 3,5 98,3 84 號，第 3,63 6,3 02 號，第 3,663，121 號，及第 4，2 3 3，93 6號均以不同的分配器形狀爲標的。 分配器被定位在用於〇 LED的生產的容室的內部，一 般而言在容室底部上，而上面必須沈積鉋的基板則被定位 在容室頂板上。

但是，已知的鉋分配器的顯著缺點在於金屬蒸發導致 鉋的不只是沈積在〇 LED的有機層上，並且也沈積在容室 的整個內部表面上。 因爲如同任何的鹼金屬，鉋與空氣的水汽產生放熱反 應而產生分子氫，所以想要避免大量的金屬蓄積在容室壁 上，否則可能會在打開容室本身的時刻造成爆燃。 因此，必須藉著鈍化沈積的鉋及藉著在大量的鉋蓄積 之前移除絶來週期性地淸潔容室。但是，此暗示必須經常 停止製造過程來打開容室，執行這些淸潔步驟，以及在再 次開始製程之前，重新建立容室內部的真空或惰性氣氛， 同時也執行烘焙操作來消除水汽的痕量’因爲如以上所說 -6- (4) (4)200409392 明的，水汽可能會損壞0LED的有機層。很明顯’此暗示 必須經常且長期地維修停工’而此從製程經濟的觀點而言 不利。 【發明內容】 因此，本發明的目的爲提供一種用於铯及其他鹼金屬 的分配器的附屬構件，其解決上述的缺點。此目的是藉著 一種屏蔽（screen)來達成’此屏敝的主要特徵明確地界 定在申請專利範圍第1項中，而其他特徵明確地界定在附 屬項中。 根據本發明的屏蔽的有利點在於其可捕捉過量的鉋蒸 汽，因而防止鉋沈積在蒸發容室的內壁上，但是其可確保 在基板上有固定且均勻的沈積產率。 此屏蔽的另一有利點在於其可在短時間內從蒸發容室 的內部被移去及更換，因而避免過長的維修停工。 根據本發明的一特別實施例的屏蔽的有利點在於其可 甚至是在上面必須沈積金屬的基板在蒸發容室中並未被定 位在鉋分配器前方時被使用。 根據本發明的屏蔽的另外有利點及特徵對於熟習此項 技術者而言從以下參考圖式的實施例的敘述會很明顯。 【實施方式】 可與根據本發明的屏蔽（screen) —起使用的已知絶 分配器分別以立體圖及剖面圖顯示在圖1及2中，其中圖 (5) (5)200409392 2特別顯示沿圖1的線π-π，剖切的分配器的視圖。分配 器1 〇由二金屬薄片1 1及1 2.形成。薄片1 2的中心部份設 置有例如藉著薄片12的冷模製（cold moulding)而獲得 的空穴13。薄片1 1於中心部份丨4 (由圖1中的虛線標示 )設置有一系列的小孔1 5。部份1 4在以下會被定義成爲 鹼金屬放射區域。在組裝的分配器中，放射區域1 4相應 於空穴1 3。適合於藉著加熱而釋放鹼金屬的混合物〗6容 納在空穴1 3中。此混合物一般包含鹼金屬的穩定化合物 與還原劑。薄片11與12於空穴13的外部被互相固定， 以保證對於粉末的緊密性。最後，分配器1 0設置有二側 向延伸部份1 7及1 7，，用來與生產線中的機械機構一起 移動，以及用來連接於用於其加熱的電端子。 以上所示的分配器1 0只是可與根據本發明的附屬構 件一起使用的鹼金屬分配器的一例，在本發明的其他實施 例中，容器的形狀且特別是放射區域的形狀可與此處所示 者不同。例如，放射區域可具有圓形形狀而非矩形形狀。 或者，分配器可由具有伸長狀結構及梯形截面的容器形成 ，其具有由金屬線封閉的縱向狹縫，其容許鉋的蒸發，但 是可防止粉末混合物漏出。由各種不同的形狀及材料構成 的容器可從先前所引的美國專利得知，並且也可在市面上 獲得，例如從奧地利的公司 PUnsee AG或美國公司 Midwest Tungsten Service, Inc. 〇 參考圖3，圖中顯示根據本發明的屏蔽30具有大致 管狀形狀且界定一內部空穴3 3。 -8- (6) (6)200409392 屏蔽的截面可爲矩形，圓形，或任何其他形狀，使得 屏蔽可用其端部3 4 —施加在鹼金屬分配器上。特別是，該 端部的截面必須可疊置於分配器的整個放射區域，使得由 分配器產生的鹼金屬的蒸汽被完全運送至屏蔽的內部空穴 內。 根據本發明的此實施例的屏蔽3 0特別地具有矩形截 面。 根據本發明的屏蔽必須設置有高比面積（specific area )的內部表面。在此敘述及申請專利範圍中，「比面 積」是表示表面與外部環境的有效接觸面積與其幾何面積 之間的比。 爲具有高比面積，根據本發明的屏蔽的內部表面3 1 必須具有適合於捕捉過多的鹼金屬蒸汽的孔隙度（ porosities)，粗糙度（rugosity)，或凹凸度（reliefs) ，因而防止過多的鹼金屬蒸汽沈積在蒸發容室的壁上。 容許捕捉鹼金屬蒸汽的根據本發明的屏蔽的另一特徵 在於該端部與該分配器之間的接觸部份必須以具有低熱傳 導係數的材料製成。以此方式，可避免屏蔽由於與鹼金屬 分配SSF的接觸而變熱，因而造成沈積在其內部表面上的驗 金屬的重新蒸發。 爲此目的，屏蔽30可完全由低熱傳導係數材料製成 ，例如陶瓷。 或者，屏蔽30可由任何材料製成，且可包含由陶瓷 或具有低熱傳導係數的其他材料製成的間隔件32。這些 -9 - (7) (7)200409392 間隔件可被移去。 ， 另外，因爲會助長屏蔽的加熱的另一原因爲輻射，所 以屏蔽可由將此效應減至最小的材料製成。因此，屏蔽較 佳地由白色材料製成。 本發明的另一實施例顯示在圖4及5中。在這些圖中 ’顯示根據本發明的屏蔽40具有圓形截面，並且因此特 別適合繞具有相應形狀的放射區域施加。屏蔽40包含由 密網目金屬材料製成的管狀構件4 1，及由具有低熱傳導 係數的材料例如陶瓷製成的外部罩殼42。 在此情況中，網目管狀構件41設置有具有高比面積 的內部表面43，並且可捕捉由金屬分配器放射的過多的 鹼金屬蒸汽。外部罩殼42確保屏蔽的側向緊密性，因而 防止可能通過管狀構件的網目的蒸汽漏出。 另外，如圖5所示，屏蔽40的外部罩殻42也作用成 爲管狀構件4 1的支座，因而避免鹼金屬分配器與管狀構 件的端部44之間的直接接觸以及因此所造成的管狀構件 的加熱。 以上所述的本發明的各種不同的實施例可被使用來將 施加有屏蔽的鹼金屬分配器定位在蒸發容室的底部上，以 及將金屬必須在上面被蒸發的基板定位在容室的頂板上， 就在分配器的正上方。 相反的，圖6所示的本發明的另一實施例特別適合用 於當金屬必須在上面被蒸發的基板未被定位在金屬分配器 的正上方而是相對於其移位時。 •10- (8) (8)200409392 事實上，在此情況中，根據本發明的屏蔽必須在不影 響指向基板的蒸汽部份之下攔截指向容室壁的鹼金屬蒸汽 流。因此，最終的效果爲指向基板的淨流。 圖6所示的屏蔽60設置有湘對於其軸線歪斜或傾斜 的開口。開口爲被定位在與屏蔽施加在分配器上的端部 64相反的端部65處的開口，並且其歪斜度可獲得具有想 要的方向的金屬蒸汽流。事實上，已發現將屏蔽60定位 成爲使其較高之側較遠離上面要執行沈積的基板，可將基 板上的金屬沈積效率保持不變，而同時降低沈積在壁上的 鉋量。 根據本發明的屏蔽可只是被鋪設在鹼金屬分配器上， 或其可設置有用來將其固定於分配器的機構，例如陶瓷鉤 件。 或者’在鹼金屬分配器上，可設置座部來供根據本發 明的屏蔽施加時使用。座部可由例如繞分配器的鹼金屬放 射區域定位的具有與屏蔽的下端形狀一致的形狀的凹部形 成。 【圖式簡單說明】 圖1顯示已知鉋分配器的例子的立體圖。 圖2顯示圖1的同一分配器的沿線ΙΙβΙΙ，的剖面圖。 圖3顯示根據本發明的第一實施例的屏蔽的立體圖。 圖4顯示根據本發明的第二實施例的屏蔽的立體圖。 圖5顯示圖4的屏蔽的剖面圖。 -11 - (9) (9)200409392 圖6顯示根據本發明的第三實施例的屏蔽的立體圖 元件對照表 I 〇 :分配器 II :金屬薄片 12 :金屬薄片 13 :空穴 1 4 :中心部份，放射區域 1 5 :小孔 1 6 :混合物 1 7 :側向延伸部份 1 7 ’ ：側向延伸部份 30 :屏蔽 3 1 :內部表面 3 2 :間隔件 3 3 :內部空穴 3 4 :端部 40 :屏蔽 4 1 :管狀構件 42 :外部罩殼 4 3 :內部表面 4 4 · κ而部 60 :屏蔽 6 4 · 而部 -12· 200409392 〇〇) 6 5 ·.端部

Claims (1)

1. (1) (1)200409392 拾、申請專利範圍 L一種屏蔽（30; 40; 60)，具有管狀形狀，其特徵 在於該屏蔽可用其一端部（34 ; 44 ; 64 )施加於一鹼金屬 分配器（1 0 )，該端部與該分配器之間的接觸部份是由低 熱傳導係數材料製成，該端部的截面可疊置於該分配器的 整個鹼金屬放射區域（14)，該屏蔽設置有具有高比面積 (specific area)的內部表面（31; 43)。 2·如申請專利範圍第1項所述的屏蔽，其中該屏蔽是 由白色材料製成。 3 ·如申請專利範圍第1項所述的屏蔽（3 0 )，其中該 端部與該分配器之間的該接觸部份是由一或多個間隔件（ 3 2 )形成。 4.如申請專利範圍第3項所述的屏蔽，其中該間隔件 是由陶瓷製成。 5 ·如申請專利範圍第3項或第4項所述的屏蔽，其ψ 該間隔件爲可移去式。 6·如申請專利範圍第1項所述的屏蔽（40 )，其中_ 屏蔽包含由密網目金屬材料製成的一管狀構件（41 ) , ^ 一外部罩殼（42)。 7 ·如申請專利範圍第6項所述的屏蔽，其中該外部胃 殻是由陶瓷製成。 8.如申請專利範圍第1項所述的屏蔽（40 ; 60) , ^ 中該屏蔽具有圓形截面。 9 .如申請專利範圍第1項所述的屏蔽（6 0 )，其中在 -14- (2) 200409392 相反於施加分配器的該端部（64 )的該屏蔽的端部（65 ) 處的開口相對於該屏蔽的軸線歪斜或傾斜。 1 0 .如申請專利範圍第1項所述的屏蔽，其中該屏蔽 設置有用來固定於該鹼金屬分配器的機構。 1 1 ·如申請專利範圍第1項所述的屏蔽，其中要被施加 於該鹼金屬分配器的該屏蔽的該端部（34 ; 44 ; 64 )具有 相應於繞該分配器的鹼金屬放射區域設置於該分配器的一 座部的截面的截面。 -15-