SU997097A1 - Photoelectronic switching device - Google Patents

Photoelectronic switching device Download PDF

Info

Publication number
SU997097A1
SU997097A1 SU813313618A SU3313618A SU997097A1 SU 997097 A1 SU997097 A1 SU 997097A1 SU 813313618 A SU813313618 A SU 813313618A SU 3313618 A SU3313618 A SU 3313618A SU 997097 A1 SU997097 A1 SU 997097A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
photosensitive
electrodes
photoelectronic
switching device
elements
Prior art date
Application number
SU813313618A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Александр Николаевич Горбань
Виктор Петрович Тесленко
Виктор Алексеевич Шаровский
Original Assignee
Запорожский Ордена "Знак Почета" Машиностроительный Институт Им.В.Я.Чубаря
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Запорожский Ордена "Знак Почета" Машиностроительный Институт Им.В.Я.Чубаря filed Critical Запорожский Ордена "Знак Почета" Машиностроительный Институт Им.В.Я.Чубаря
Priority to SU813313618A priority Critical patent/SU997097A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU997097A1 publication Critical patent/SU997097A1/en

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

Изобретение.относитс  к вычислительной технике, в частности, может использоватьс  как шифратор дл  отсчетных устройств, и как фоточувствитёльна  матрица в устройствах пам ти ЭВМ. Известен фотоэлектронный коммутатор , содержащий подложку с электрода . ми в виде параллельных полосок, соединенных на одном конце, электродов между ними с выводами на противополо ном конце и фоточувствительных  чеек .в узлах коммутатора, расположенны в соответствии с выбранной системой кодировани  L lОдним из недостатков этого коммутатора  вл етс  отсутЬггвйе помехозащищенности от помех,создаваемых сосе ними узлами. Наиболее близким техническим реше нием к изобретению  вл етс  фотоэлек тронный коммутатор, содержащий подложку с электродами, выполненными в виде гребенок, вход щих одна -в другую , общие электроды и фоточувстви . тельные элементы 2. Недостатком указанного коммутатора  вл етс  низка  стабильность его во времени и в диапазоне температур Недостаточно высока  стабильность во времени обусловлена протеканием химический процессов и структурными изменени ми в фоточувствительном слое привод щими к постепенному уменьшению темнойого и увеличению светового сопротивлений . Даже включением фоточув ствительных  чеек по дифференциальной схеме, с использованием внешний пассивных нагрузочных резисторов в р де случаев не достигаетс  требуема  стабильность, в особенности при изменении температуры; пассивный-характер внешней нагрузки также ограничивает диапазон выходных сигналов дифференциальной схе№а. Цель изобретени  - повышение надежности коммутатора. . Указанна  цель достигаетс  ;тем, что в фотоэлектронном коммутаторе, содержащем подложку с общими и полосковыми электродами и фоточувствительные элементы, полосковые электроды размещены между обедами электродами перпендикул рно им, при этом нечетные полосковые электроды через один соединены с соответствующим общим электродом , а каждый фоточувствительный элемент расположен между четным и нечетныгл полосковыми электродами.The invention relates to computing, in particular, can be used as an encoder for reading devices, and as a photosensitive matrix in computer memory devices. Known photoelectronic switch containing the substrate with the electrode. in the form of parallel strips connected at one end, electrodes between them with opposite ends and photosensitive cells in switch nodes arranged in accordance with the chosen coding system. L l One of the drawbacks of this switch is the lack of interference immunity from interference caused by the coax knots them. The closest technical solution to the invention is a photoelectronic switchboard containing a substrate with electrodes made in the form of combs, entering one into another, common electrodes and photosensitivity. Elements 2. The disadvantage of this switch is its low stability in time and in the temperature range. The sufficiently high stability in time is due to chemical processes and structural changes in the photosensitive layer leading to a gradual decrease in darkness and an increase in light resistance. Even by switching on photosensitive cells in a differential circuit, using external passive load resistors, in a number of cases the required stability is not achieved, especially when the temperature changes; the passive-nature of the external load also limits the range of output signals of the differential circuit. The purpose of the invention is to increase the reliability of the switch. . This goal is achieved by the fact that in a photoelectric switch containing a substrate with common and strip electrodes and photosensitive elements, strip electrodes are placed between dinners with electrodes perpendicular to them, the odd strip electrodes are connected through one common electrode, and each photosensitive element is located between even and odd strip electrodes.

На чертеже представлен фотоэлектронный коммутатор. ;The drawing shows a photoelectric switch. ;

Коммутатор содержит подложку 1, общие электроды 2 и 3, полосковые электроды 4, контактные площадки 5 полосковых электродов 4, фоточувствительные элементы б и 7, контактные площадки 8 и 9 общих электродов 2 и 3.The switchboard contains a substrate 1, common electrodes 2 and 3, strip electrodes 4, contact pads 5 of strip electrodes 4, photosensitive elements b and 7, contact pads 8 and 9 of common electrodes 2 and 3.

Общие электроды 2 и 3 или один из них покрыты, эа исключением контактных площадок 8 и 9, слоем диэлектрика , например окисла, фоторезиста или эпоксидной смолы.Common electrodes 2 and 3 or one of them are covered, except for contact pads 8 and 9, with a dielectric layer, such as oxide, photoresist or epoxy resin.

Пунктирными лини ми очерчены зоны излучателей 10 и 11.The dotted lines delineate the zones of emitters 10 and 11.

Подключив контактную площадку 8 общего электрода 2 к одному полюсу истоу 1ика питани , а контактную площадку Q, общего электрода 3 к другому полюс и, .освеща , например, фоточувствительный элемент б, с контактной площадки 5 полоскового электрода 4 можно сн ть полезный сигнал, который будет в два-раза больше, есл освещать поочередно фоточувствительные элементы б и 7. By connecting the pad 8 of the common electrode 2 to one pole of the power supply source 1, and the pad Q, of the common electrode 3 to the other pole and lighting, for example, photosensitive element b, the pad signal 4 can be removed from the pad 5 of the strip electrode will be twice as large if the photosensitive elements b and 7 are alternately illuminated.

Шаг между указанными фоточувствительными элементами в направлении длины электрода определ етс  рассто нием между зонами излучателей 10 и 11, возбуждающих фотоэлектронный коммутатор.The pitch between said photosensitive elements in the direction of the length of the electrode is determined by the distance between the zones of emitters 10 and 11, which excite the photoelectric switch.

В том случае, когда кажда  фоточувствительна   чейка, состо ща  из фоточувствительных элементов 6 и 7, возбуждаетс  лишь одним излучателем, шаг между фоточувствительными элементами б и 7  чейки может быть уменьшен вплоть до нул . В последнем случае один из фоточувствительных элементой б и 7 служит пассивной нагруз кой другого, активного, и должен быть зшцищен от попадани  на него света.In the case when each photosensitive cell consisting of photosensitive elements 6 and 7 is excited by only one radiator, the step between the photosensitive elements b and 7 cells can be reduced down to zero. In the latter case, one of the photosensitive elements b and 7 serves as a passive load of the other, active, and must be prevented from light falling on it.

Предложенные изменени  конструкции фотоэлектронного коммутатора позвол ют разместить на подложке нагрузочные резисторы дл  каждой фоточувствительной  чейки практически без увеличени  числа электродов (например, дл  получени  в одной стрThe proposed changes in the design of the photoelectric switch allow the load resistors for each photosensitive cell to be placed on the substrate with little or no increase in the number of electrodes (for example, to obtain

ке матрицы 64  чеек в прототипе требуетс  128 электродов, по данному изобретению - 129).The matrix of 64 cells in the prototype requires 128 electrodes, according to this invention - 129).

Так как оба фоточувстви.тельных элемента б и 7  чейки изготовл ютс  из одного материала и в едином технологическом цикле, то оба элемента  чейки, включённые по дифференциальной схеме, измен ют свои параметры как во времени, так и при изменении температуры идентично, что приводит к значительной стабилизации уровн  дифференциального сигнала.Since both photosensitive body elements b and 7 cells are made of the same material and in a single technological cycle, both elements of the cell included in the differential scheme change their parameters both in time and with temperature change identically, which leads to significant stabilization of the differential signal level.

Использование обоих фоточувствительных элементов  чейки в активном режиме позвол ет увеличить диапазон выходных сигналов примерно в два раза . Также отпадает необходимость согласовани  параметров нагрузочных резисторов дл  фоточувствительной марицы , чем повышаетс  качество- и снижаетс  трудоемкость сопр жени  матрицы с внешними устройствами.Using both photosensitive cells in the active mode allows the output signal range to be approximately doubled. Also, there is no need to coordinate the parameters of the load resistors for the photosensitive mariza, which improves the quality and reduces the laboriousness of the interface matrix with external devices.

Claims (2)

1.Богославский Г.Е. и др. Некоторые возможности использовани  принципов оптоэлектроники дл  совершенствовани  измерительной техники. измерительна  техника, ts 1, М., Энерги , 1970, с. 5-S.1.Bogoslavsky G.E. et al. Some possibilities of using the principles of optoelectronics to improve measurement technology. measuring technique, ts 1, M., Energie, 1970, p. 5-s. 2.Авторское, свидетельство СССР 332495, кл. G 11 С 11/42, 19712. Author, USSR certificate 332495, cl. G 11 C 11/42, 1971 . (прототип). .. (prototype). . ю riyu ri
SU813313618A 1981-07-06 1981-07-06 Photoelectronic switching device SU997097A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813313618A SU997097A1 (en) 1981-07-06 1981-07-06 Photoelectronic switching device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813313618A SU997097A1 (en) 1981-07-06 1981-07-06 Photoelectronic switching device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU997097A1 true SU997097A1 (en) 1983-02-15

Family

ID=20967724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813313618A SU997097A1 (en) 1981-07-06 1981-07-06 Photoelectronic switching device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU997097A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910004992B1 (en) Light receiving element
JPH05183679A (en) Original reader
EP0243978B1 (en) Input circuit having a photo-coupler
US4426548A (en) Multilayer wiring structure
US4775895A (en) Modular image sensor structure
ATE25313T1 (en) MEASURING ARRANGEMENT WITH A NUMBER OF MEASURING POINTS CONNECTED BY A CABLE.
SU997097A1 (en) Photoelectronic switching device
US3938894A (en) Focus detecting device
DE69008378D1 (en) Charge transfer device with high charge transfer efficiency without loss of output signal dynamics.
JPS5767956A (en) Recorder
US5249055A (en) Solid-state imaging apparatus including external charge input terminal
US5220305A (en) Semiconductor pressure sensor
JP2020085611A (en) Damage detection element of optical converter and optical converter
SU1566403A1 (en) Indication member
JPS54139341A (en) Information processing unit
SU461427A1 (en) Display device
US4775894A (en) Modular sensor line
SU1539756A1 (en) Optronic device for calculating the area of planar figure
SU1446493A1 (en) Digital thermometer
SU1485032A1 (en) Logarithmic photometer
SU1255940A1 (en) Electrostatic voltmeter
JPH022165A (en) Image sensor
JPS57108621A (en) Photoelectric length measure
SU1290373A1 (en) Device for reading coded information
SU1485051A1 (en) Pressure transducer