SU887945A1 - Temperature-sensitive resistor - Google Patents

Description

(54) ТЕРМОРЕЗИСТОР(54) THERMAL RESISTOR

tt

Изобретение относитс  к технике, температурных измерений, в частноети к полупроводниковым терморезисторам , и может найти примене ше при измерени х криогенных температур.The invention relates to technology, temperature measurements, in particular, to semiconductor thermistors, and can be used in measurements of cryogenic temperatures.

Известны полупроводниковые терморезисторы , выполненные из монокристалла полупроводника Dl,t2.Known semiconductor thermistors made of single crystal semiconductor Dl, t2.

Такие терморезисторы не обеспечивают достаточной точности измерений в пшрокой области криогенных температур .Such thermistors do not provide sufficient measurement accuracy in a wide range of cryogenic temperatures.

Известен также терморезистор, содержащий подложку с нанесенным на нее термочувствительным полупроводниковым слоем и контакты fS.Also known thermistor containing a substrate coated with a thermosensitive semiconductor layer and contacts fS.

В этом терморезисторе термочувствительный полупроводниковый спой состоит из 80% кремни  и 20% германи .In this thermistor, the thermo-sensitive semiconductor circuit consists of 80% silicon and 20% germanium.

Недостатком терморезистора  вл етс  значительное изменение чувствительности при изменении температуры в небольошх пределах. В результате такими терморезисторами можно измер ть температуру с высокой точностью лишь в небольшом интервале температур.The disadvantage of the thermistor is a significant change in sensitivity with temperature in a small range. As a result, such thermistors can measure the temperature with high accuracy only in a small temperature range.

Целью изобретени   вл етс  расширение диапазона измер емых температур при сохранении высокой чувствительности терморезистора во всем диапазоне .The aim of the invention is to expand the range of measured temperatures while maintaining a high sensitivity of the thermistor in the entire range.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что в терморезисторе, содержащем подложку с нанесенньы на нее термочувст10 вительным полупроводниковым слоем и контакты, полупроводниковый слой выполнен в виде пластически деформированной пленки германи , а подложка изготовлена из монокристаллического The goal is achieved by the fact that in a thermistor containing a substrate with a thermally sensitive semiconductor layer and contacts deposited on it, the semiconductor layer is made in the form of a plastically deformed germanium film, and the substrate is made of monocrystalline

IS полупроводника. Предпочтительно параметр кристаллической решетки полупроводника выбирать близким к параметру кристаллической решетки германи IS semiconductor. Preferably, the lattice parameter of the semiconductor is chosen close to the lattice parameter of germanium

Терморезистор работает с хедующим Thermistor works with headhead

20 образом.20 way.

Изменение температуры приводит к изменению .сопротивлени  пластически деформи1Л ванной пленки германи . Воз-A change in temperature leads to a change in the resistance of the plastically deformed metal of the germanium film. WHO-

никающие при пластической деформации линейные и точечные дефекты в объеме пленки обеспечивают по вление проводимости по примес м в области низких температур. Эти же дефекты при более высоких температурах обеспечивают проводимость по валентной зоне (пленка германи  р-типа, Сильна  температурна  зависимость проводимости по примес м к валентной зоие обеспечивает высокую термочувствительность предлагаемого терморезистора в диапазоне 4,2-зоок .During plastic deformation, linear and point defects in the bulk of the film ensure the appearance of impurity conductivity at low temperatures. The same defects at higher temperatures provide conductivity through the valence band (p-type germanium film). A strong temperature dependence of conductivity in impurities to the valence zoo provides a high thermal sensitivity of the proposed thermistor in the range of 4,2-zoo.

Дл  согласовани  сопротивлени  . терморезистора с входным сопротивлением регистрирующего прибора толщину пленки следует выбирать в диапазоне 1-50 мкм. В качестве материала подложки могут быть выбраны арсеиид галли  и кремний. Контакты могут быть вьшол- , иены из ивди  ,To match the resistance. A thermistor with an input resistance of a recording device. The film thickness should be selected in the range of 1-50 microns. Arseiid gallium and silicon can be chosen as the substrate material. Contacts may be superior, yen from ivy,

npeдлйгaё шй терморезистор может найти применение в юирокодиапазонных устройствах дл  измерени  температуры , например в системах контрол  тех-нологических параметров.The thermistor thermistor can be used in a world-wide device for temperature measurement, for example, in systems for monitoring technological parameters.

Claims (3)

Формула изобретени  Терморезистор, содержащий подложку с нанесенным на нее термочувствительным полупроводниковым слоем и контакты , отличающийс  тем, что, с целью расширени  диапазона из- мер емых температур при сохранении высокой чувствительности терморезистора , полупроводниковый слой выполнен в виде пластически деформированной пленки германи , а подложка изготовлена из монокристаллического полупроводника .Claims of the invention A thermistor comprising a substrate with a thermosensitive semiconductor layer deposited on it and contacts characterized in that, in order to expand the range of measured temperatures while maintaining the high sensitivity of the thermistor, the semiconductor layer is made in the form of a plastically deformed germanium film, and the substrate is made of single crystal semiconductor. Источники информации, прин тые во внимание при зкспертизеSources of information taken into account during the examination t. Авторское свидетельство СССР № 247554, кл. G 01 К 7/16, 1969.t. USSR Author's Certificate No. 247554, cl. G 01 K 7/16, 1969. 2. Авторское свидетельство СССР № 301571, кл. G 01 К 7/22, 1971.2. USSR author's certificate No. 301571, cl. G 01 K 7/22, 1971. 3. Авторское свидетельство СССР № 478202, кл. G 01 К 7/16, 1974 (прототип).3. USSR author's certificate No. 478202, cl. G 01 K 7/16, 1974 (prototype).