RU1566883C - Capacitive temperature-sensitive element of hard-to-reach objects - Google Patents

Capacitive temperature-sensitive element of hard-to-reach objects Download PDF

Info

Publication number
RU1566883C
RU1566883C SU4464253A RU1566883C RU 1566883 C RU1566883 C RU 1566883C SU 4464253 A SU4464253 A SU 4464253A RU 1566883 C RU1566883 C RU 1566883C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
temperature
crystal
sensitive element
hard
capacitance
Prior art date
Application number
Other languages
Russian (ru)
Inventor
И.П. Раевский
А.А. Боков
С.М. Емельянов
В.Ю. Шонов
Original Assignee
Научно-исследовательский институт физики при Ростовском государственном университете
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт физики при Ростовском государственном университете filed Critical Научно-исследовательский институт физики при Ростовском государственном университете
Priority to SU4464253 priority Critical patent/RU1566883C/en
Application granted granted Critical
Publication of RU1566883C publication Critical patent/RU1566883C/en

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

FIELD: thermometry. SUBSTANCE: during temperature measurement arranged in object is capsule with crystal Pbln0,5Nb0,3O3 of perovskite modification and temperature-sensitive element is held for time required for determination of its capacitance C. Temperature of object is determined by calibration chart and crystal C after its cooling. Temperature-sensitive element is designed for multiple use under temperatures of 400-1000 C. EFFECT: higher accuracy in temperature measurement. 1 dwg

Description

Изобретение относится к термометрии, в частности к датчикам для бесконтактного измерения температуры деталей машин и других объектов, доступ к которым во время работы затруднен или невозможен, в интервале 400-1000оС.The invention relates to thermometry, in particular to sensors for non-contact temperature measurement of machine parts and other objects, access to which during operation is difficult or impossible, in the range of 400-1000 about C.

Цель изобретения - повышение точности измерения. The purpose of the invention is to improve the accuracy of measurement.

На чертеже представлена зависимость емкости С кристалла со структурой перовскита при 200оС в зависимости от температуры предварительного отжига.The drawing shows the dependence of the capacitance C of the crystal with the structure of perovskite at 200 about With depending on the temperature of the preliminary annealing.

Поскольку значение С, характерное для данной температуры отжига, устанавливается в течение определенного времени, для построения кривой, изображенной на чертеже, время отжига выбирается таким, чтобы его дальнейшее увеличение не приводило к изменению С. Это время уменьшается при увеличении температуры отжига и в данных кристаллах составляет при 1000оС от 1 до 10 мин, при 400оС 30 ч. и более. Кривая на чертеже служит градуировочным графиком, по которому определяется температура.Since the C value, characteristic for a given annealing temperature, is set for a certain time, to construct the curve shown in the drawing, the annealing time is chosen so that its further increase does not lead to a change in C. This time decreases with increasing annealing temperature in these crystals at 1000 about C from 1 to 10 minutes, at 400 about 30 hours and more. The curve in the drawing serves as a calibration graph by which the temperature is determined.

Измерение температуры осуществляется следующим образом. На противоположные грани кристалла Рbln0,5Nb0,3О3 наносят металлические электроды (например, путем вжигания платиновой или палладиевой пасты). Затем его помещают в герметичную капсулу (например, в керамическую или платиновую), наполненную порошком РbZrO3 для предотвращения испарения из кристалла оксида свинца при высоких температурах. Производят градуировку датчика, для чего капсулу с кристаллом изотермически отжигают при нескольких температурах в интервале 400-1000оС (время отжига должно быть достаточно длительным для того, чтобы значение емкости С успевало установиться). После каждого отжига кристалл извлекают из капсулы, помещают в измерительную камеру, в которой поддерживается заданная температура, и измеряют электрическую емкость. По полученным данным строят кривую зависимости емкости от температуры отжига, которая служит градуировочным графиком.Temperature measurement is as follows. Metal electrodes are applied to opposite faces of the Pbln 0.5 Nb 0.3 O 3 crystal (for example, by burning platinum or palladium paste). Then it is placed in a sealed capsule (for example, in ceramic or platinum) filled with PbZrO 3 powder to prevent evaporation of lead oxide from the crystal at high temperatures. Produce calibration sensor, which capsule crystal isothermally annealed at several temperatures in the range 400-1000 C. (annealing time should be long enough to ensure that the value of capacitance C can be established). After each annealing, the crystal is removed from the capsule, placed in a measuring chamber in which a predetermined temperature is maintained, and the electric capacitance is measured. According to the data obtained, a curve is constructed of the dependence of the capacitance on the annealing temperature, which serves as a calibration curve.

Для измерения температуры капсулу помещают в место, подлежащее контролю, выдерживают ее при измеряемой температуре в течение времени, необходимого для установления величины С, после охлаждения извлекают кристалл из капсулы, помещают его в измерительную камеру, в которой поддерживается та же температура, что и при градуировке, измеряют величину С и по градуировочному графику определяют температуру. To measure the temperature, the capsule is placed in the place to be controlled, kept at the measured temperature for the time required to establish the value of C, after cooling, the crystal is removed from the capsule, placed in a measuring chamber in which the same temperature is maintained as during calibration , measure the value of C and the calibration curve to determine the temperature.

На величину емкости в диэлектрическом кристалле РbIn0,5Nb0,5O3 влияет степень упорядоченности в расположении атомов In и Nb по узлам кристаллической решетки. В используемом кристалле при Тn = 1010-1020оС наблюдается фазовый переход, для которого параметром порядка служит величина S. Для любых температур Т > Тn S= 0 (неизменна) и, следовательно, неизменна величина емкости. Для Т < Тn равновесное значение S монотонно увеличивается при понижении температуры от S=0 (при T=Tn) до S=1 (при Т=0 К). Однако использование датчика при температуре ниже 400оС затруднено из-за значительного возрастания времени установления равновесного значения S, изменение которого происходит путем диффузии.The capacitance in the PbIn 0.5 Nb 0.5 O 3 dielectric crystal is affected by the degree of ordering in the arrangement of I n and N b atoms at the sites of the crystal lattice. As used crystal at T n = 1010-1020 ° C, a phase transition, for which the order parameter is the value of S. For arbitrary temperature T> T n S = 0 (remains unchanged) and therefore the capacitance value is unchanged. For T <T n, the equilibrium value of S monotonically increases with decreasing temperature from S = 0 (at T = T n ) to S = 1 (at T = 0 K). However, the use of the sensor at temperatures below 400 ° C is difficult because of the significant increase in time required to establish equilibrium value S, which change takes place by diffusion.

Предлагаемый датчик обеспечивает высокую точность измерения в интервале 400-1000оС (погрешность при 600оС составляет 0,8%). Благодаря однозначной (не зависящей от термической предыстории) связи между емкостью датчика и измеряемой температурой не требуется знать форму графика изменения температуры объекта во времени, предшествующем установлению ее измеряемого значения, не требуется измерять емкость датчика до помещения его в термометрируемый объект. В интервале температур 400-800оС испарения оксида свинца не происходит и кристалл PbIn0,5Nb0,5O3 может быть использован без капсулы с порошком PbZrO3. При этом масса кристалла составляет 0,001-0,005 г, размеры ≈ 0,5 мм.The proposed sensor provides a high measurement accuracy in the range of 400-1000 ° C (the error at 600 ° C is 0.8%). Due to the unambiguous (independent of the thermal history) relationship between the sensor’s capacitance and the measured temperature, it is not necessary to know the shape of the graph of the object’s temperature over time prior to setting its measured value, it is not necessary to measure the sensor’s capacitance before placing it in a thermally measured object. In the temperature range of 400-800 C the evaporation of lead oxide does not occur and crystal PbIn 0,5 Nb 0,5 O 3 can be used without the capsules with the powder PbZrO 3. The mass of the crystal is 0.001-0.005 g, dimensions ≈ 0.5 mm.

Предлагаемый датчик рассчитан на многократное использование, он также может быть использован для измерения температуры, которая устанавливается в термометрируемом объекте после прохождения максимума. The proposed sensor is designed for repeated use, it can also be used to measure the temperature, which is set in a thermometerable object after passing the maximum.

Claims (1)

ЕМКОСТНЫЙ ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ ТРУДНОДОСТУПНЫХ ОБЪЕКТОВ, содержащий чувствительный элемент из материала со структурой перовскита, снабженный электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, чувствительный элемент выполнен из кристалла PbIn0,5Nb0,5O3.CAPACITIVE TEMPERATURE SENSOR FOR DIFFICULT ACCESSIBLE OBJECTS, comprising a sensing element made of a material with a perovskite structure, equipped with electrodes, characterized in that, in order to increase the measurement accuracy, the sensitive element is made of PbIn 0.5 Nb 0.5 O 3 crystal.
SU4464253 1988-07-20 1988-07-20 Capacitive temperature-sensitive element of hard-to-reach objects RU1566883C (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4464253 RU1566883C (en) 1988-07-20 1988-07-20 Capacitive temperature-sensitive element of hard-to-reach objects

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4464253 RU1566883C (en) 1988-07-20 1988-07-20 Capacitive temperature-sensitive element of hard-to-reach objects

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1566883C true RU1566883C (en) 1994-12-15

Family

ID=30441059

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4464253 RU1566883C (en) 1988-07-20 1988-07-20 Capacitive temperature-sensitive element of hard-to-reach objects

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1566883C (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2626222C1 (en) * 2016-09-16 2017-07-24 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) Sensitive element of temperature sensor

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР N 1024748, кл. G 01K 7/22, 1982. *
Авторское свидетельство СССР N 1510507, кл. G 01K 7/34, 1987. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2626222C1 (en) * 2016-09-16 2017-07-24 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) Sensitive element of temperature sensor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2538930C2 (en) Device and method for in-situ calibration of thermometer
CN108027286B (en) Method and apparatus for thermometer field calibration
Bosch et al. Behaviour of thick film resistors (Philips type RC-01) as low temperature thermometers in magnetic fields up to 5 T
US3748625A (en) Moisture sensing element and method of making same
RU1566883C (en) Capacitive temperature-sensitive element of hard-to-reach objects
Kopp et al. Carbon resistors as low temperature thermometers
Lang et al. Study of the ultrasensitive pyroelectric thermometer
US5681111A (en) High-temperature thermistor device and method
Churney et al. Studies in Bomb Calorimetry. A New Determination of the Energy of Combustion of Benzoic Acid in Terms of Electrical Units
US4812801A (en) Solid state gas pressure sensor
RU1766156C (en) Method of temperature measurement
Besley Use of ceramic-encapsulated rhodium-iron alloy resistance thermometers below 80K: thermometric properties and stability
Mangum Stability of small industrial platinum resistance thermometers
RU2819824C1 (en) Self-calibrating temperature sensor on ferrite elements
RU2727564C1 (en) Self-calibrating temperature sensor
SU414900A1 (en) Localized dose calorimeter
GB1014829A (en) Arrangements for measuring electrical properties of semiconductors
SU1651180A1 (en) Method of manufacture of electrolytic moisture transducer
SU1000956A1 (en) Plant for checking thermoelectric measuring devices
Lang Use of pyroelectric devices for measuring small temperature changes
Schalles et al. Investigation on the Curie temperature of a ferroelectric material as a temperature fixed-point
Periera et al. Low-temperature thermal expansion of copper: Search for specimen-dependent effects
SU887945A1 (en) Temperature-sensitive resistor
SU381918A1 (en) THERMAL STEAM SENSOR
JP2644887B2 (en) Adiabatic calorimeter