SU835691A2 - Способ электрохимической размерной обработки - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к области электрофизических и электрохимических методов обработки.

По основному авт. св. № 344952 известен способ размерной электрохимической обработки по основному авторскому свидетельству , в котором дл  локализации процесса анодного растворени  в межэлектродный зазор помещают тонкую диэлектрическую пленку с отверстием, размеры которого меньше обрабатываемой детали 1. Переменна  величина съема достигаетс  за счет различного времени обработки участков поверхности при перемещении в межэлектродном зазоре диэлектрической пленки.

В силу посто нства размера отверсти  в диэлектрической пленке данный способ обладает недостаточной точностью обработки , так как при переходе от одного обрабатываемого участка поверхности к другому не измен етс  зона анодного растворени , характер изменени  которой должен соответствовать требуемому изменению снимаемого припуска. Производительность данного способа ограничена, так как одновременно анодному растворению подвергаетс  только часть анодной поверхности детали.

Целью насто щего изобретени   вл етс  повышение точности и производительности фасонного формообразовани .

На фиг. 1 представлена схема изменени  границ отверсти  диафрагмы; на фиг. 2 - схема формы и размеров отверсти .

Диафрагмирование потока зар женных частиц позвол ет осуществить фасонное формообразование. Переменной величины снимаемого припуска A.Z (фиг. 1) вдоль анодной поверхности в направлении оси X достигают путем перемещени  контура отверсти  диэлектрического экрана, устанавливаемого между анодом и катодом, относительно анодной поверхности. При этом в процессе анодного растворени  за промежуток времени Тг происходит растворение металла глубиной Zj. За это врем  необходимо изменить геометрию отверсти  таким образом, чтобы прот женность анодного растворени  изменилась с размера аи до а Ь , а размер отверсти  Ai должен изменитьс  на ту же величину, что и зона анодного растворени , но с учетом неоднородности электрического пол , что приводит к тому, что прот женность анодного растворени  несколько больше (определ етс  положением диафрагмы по высоте межэлектродного зазора), чем размер отверсти  в диафрагме (определ етс  экспериментально ) .

Дл  осуществлени  изменени  формы и размеров отверсти  в диэлектрической диафрагме можно использовать многосегментную диэлектрическую пластину (фиг. 2). Каждый сегмент этой пластины перемещаетс  таким образом, чтобы обеспечить наиболее точное приближение к необходимой форме и размерам отверсти  кусочно-ломаным контуром, образуемым в данный момент времени проекцией па анодную поверхность контуров сегментов диэлектрической диафрагмы и соответствующим лини м равного съема. Этот контур отверсти  в диафрагме «набираетс  перемещением по заранее составленной программе каждого из сегментов. Скорость перемещени  каждого из сегментов в данный момент растворени  определ етс  (при посто нной скорости растворени ) отсто нием друг от друга линий равного съема в направлени х перемещени  каждого из сегментов и пропорциональна в первом приближении производной по этапу направлению от удал емого припуска.

Таким образом, измен   форму и размеры отверсти , ограничивающего зону растворени , в соответствии с типографией съема, определ емой семейством линий равного съема, удаетс  повысить точность формообразовани  на предшествующей

операции путем фасонного поверхностного съема металла с более высокой по сравнению с прототипом производительностью, чем и обусловлено расширение технологических возможностей ЭХО,  вл ющеес 

целью изобретени .

Claims (1)

1. Авторское свидетельство СССР № 344952, кл. В 23 Р 1/04, 1970.

лг,

О

изменение границ отберсти  диафрагмы

мгнобенна  прот женность анодноо го растворени