SU798565A1 - Способ и устройство контрол про-цЕССОВ КРиСТАллООбРАзОВАНи B CAXAP-НыХ уТфЕл Х - Google Patents

Description

между фотоприемником и осветителем, засахариванию стекол устройства и выходу его из стро . Кроме того не обеспечиваетс  необходима  точность и надежность контрол  процессов кри таллообразовани .

Цель изобретени  - повышение точ нести и надежности контрол  процессов первичного и вторичного кристаллообразовани .

Указанна  цель достигаетс  тем, что контроль процессов первичного и вторичного кристаллообразовани  осуществл ют по измерению дифференциальной интенсивности двух диффузно отраженных световых потоков.

Кроме того перед измерением повышают пересыщение раствора путем охлаждени .

Дл  осуществЯени  способа предна

начено устройство, содержащее источники света и сравнительный и измертельный фотоэлементы, включенные по мостовой схеме, отличающеес   тем, что в него введена циркул ционна  труба с охлаждающей рубашкой и оптическими окнами осветителей и фотоэлементов, оптические оси которых расположены в пределах 5-80° по отношению к нормали оптического окна.

На чертеже изображено устройство контрол  процессов кристаллообразовани .

Устройство состоит из циркул ционной трубы 1, снабженной охлаждающей рубашкой 2, двух-сравнительного и измерительного фотодатчиков, установленных до и после охлаждающей рубашки и состо щих из осветителей 3,4, фотоэлементов 5,6, окон 7,8, линз 9,10 и шестеренчатого насоса 1.1 с электродвигателем 12. Величина охлаждени  раствора регулируетс  прибором 13 , получающим сигналы с датчиков .14,15 температуры, и управл ющих регулирующим вентилем 16.Сигналы с фотоэлементов поступают на прибор 17 контрол  процессов кристаллообразовани . Устройство присоедин етс  к вакуум-аппарату с помощью фланцев 18,19.

Устройство работает следующим образом .

Часть увариваемого в вакуум-аппа рате раствора отбираетс  с помощью шестеренчатого насоса 11 в циркул ционную трубу 1, где в результате подачи охлаждающей воды в рубашку 2, этот раствор охлаждаетс . Понижение температуры раствора, наход щегос  в метастабильном состо нии, приводит к повышению его пересыщени  и увеличению веро тности образовани  в нем кристаллических зародышей . При заданной скорости циркул ции раствора по контуру происходит опережение процесса уваривани  утфел  в вакуум-аппарате по Пересы .щению. в критический момент уваривани , когда в вакуум-аппарате пересыщение поднимаетс  до границы метастабильной зоны, в контуре опережени  в районе измерительного фот.одатчика , в результате достижени  этой границы возникают кристаллические центры. В вакуум-аппарате самопроизвольное кристаллообразование начинаетс  через. 3-10 мин поеле этого.

Дл  увеличени  точности измерений котора  достигаетс  путем yqтpaнeни  зеркальной компоненты отраженного светового потока, на фотоэлементы на правл ют только диффузионно-отраженные лучи, размеща  осветители 3,4 и фотоэлементы 5,6 в плоскост х, углы которых относительно нормали с оптических окон 8,9 отличаютс  на . При по влении кристаллов в растворе 0 по вл етс  разность в сигналах сравнительного и измерительного фотоэлементов , по величине которой суд т о концентрации кристаллов в растворе . Наперед заданна  величина сигнала по муке определ ет момент заводки кристаллов в аппарат.

Аналогичныгл образом производитс  контроль вторичного кристаллообразовани . Возникшие в результате повышени  пересыщени  вторичные кристаллы и мука измен ют величину отраженного света, что служит сигналом к изменению режима уваривани  утфел  в аппарате с целью поддержапи  его на оптимальном уровне, на границе вторичного кристаллообразовани .

При этом отраженный свет от первичных кристаллов в измерительном датчике компенсируетс  таким же количеством отраженного света в компенсационном .

Предлагаемое устройство может контролировать не только наличие кристаллических центров, но и их количество, что позвол ет выбирать оптимальные режимы заводки кристаллов и уваривани  утфел  в аппарате , при э-гом увеличиваетс  надежность устройства по сравнению с известным,Формула изобретени 

1.Способ контрол  процессов кристаллообразовани  в сахарных утфел х по измерению дифференциальной интенсивности двух световых потоков , прошедших раствор, отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности и надежности контрол  процессов первичного и вторичного кристаллообразовани , контроль осуществл ют по измерению дифференциальной интенсивности двух диффузно отраженных световых потоков.

Claims (3)

1. Формула изобретения t „

   1.Способ контроля процессов кристаллообразования в сахарных утфелях по измерению дифференциальной интенсивности двух световых потоков*, прошедших раствор, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности контроля процессов первичного и вторичного кристаллообразования, контроль осуществляют по измерению дифференциальной интенсивности двух диффузно отраженных световых потоков.
2. 2. Способ по п.1, отличаю щ и й с я тем, что перед измерением повышают пересыщение раствора путем охлаждения.
3. 3. Устройство контроля процессов кристаллообразования в сахарных утфелях по способу пп. 1' и 2 содержащее источники света и сравнительный и измерительный фотоэлементы, включенные по мостовой схеме, о т л и-, чающееся тем, что, с Целью увеличения надежности и точности измерений контроля процессов ’ первичного и вторичного кристаллообразования, в него введена циркуляционная труба с охлаждающей рубашкой и оптическими окнами для осветителей и фотоэлементов, оптические оси кото рых расположены в пределах 5-80° но отношению к нормали оптического окна.