JPS5923403B2 - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS5923403B2 JPS5923403B2 JP53073462A JP7346278A JPS5923403B2 JP S5923403 B2 JPS5923403 B2 JP S5923403B2 JP 53073462 A JP53073462 A JP 53073462A JP 7346278 A JP7346278 A JP 7346278A JP S5923403 B2 JPS5923403 B2 JP S5923403B2
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- JP
- Japan
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- conductive film
- transparent conductive
- organic
- indium
- substrate
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、透明導電膜の製造方法に関するものであり、
特に有機インジウム又は有機インジウム有機スズの混合
物から、それぞれ酸化インジウム酸化インジウム、酸化
スズを得ることを特徴とするものである。
特に有機インジウム又は有機インジウム有機スズの混合
物から、それぞれ酸化インジウム酸化インジウム、酸化
スズを得ることを特徴とするものである。
本発明の目的は、安定でしかも比抵抗が小さく透過率の
高い透明導電膜を安価にしかも量産性良く得ることにあ
る。
高い透明導電膜を安価にしかも量産性良く得ることにあ
る。
従来から透明導電膜としては、酸化インジウム酸化スズ
又は両者の混合物、酸化スズ、酸化アンチモン混合物、
酸化チタン、酸化ロジウム、酸化白金等の金属酸化物、
あるいは金等の金属薄膜が用いられてきた。
又は両者の混合物、酸化スズ、酸化アンチモン混合物、
酸化チタン、酸化ロジウム、酸化白金等の金属酸化物、
あるいは金等の金属薄膜が用いられてきた。
その被覆方法は、それぞれ透明導電膜の種類によつて異
なるが、一般には、スパッタリング法、真空蒸着法、Ｃ
ＶＤ法、スプレー法等が用いられている。
なるが、一般には、スパッタリング法、真空蒸着法、Ｃ
ＶＤ法、スプレー法等が用いられている。
これらの被覆方法、すなわち透明導電膜の製造方法の欠
点を、通常用いられる透明導電膜を例に、表１にあげる
。酸化インジウム又は酸化インジウム・酸化スズ混合体
系透明導電膜は、比抵抗が小さくしかも表面反射率が小
さく透過率が高く、有用であるにもかかわらず、ＣＶＤ
法、スプレー法等を用いることが可能な量産性ある適当
なソースがまだ発見されていない現状である。
点を、通常用いられる透明導電膜を例に、表１にあげる
。酸化インジウム又は酸化インジウム・酸化スズ混合体
系透明導電膜は、比抵抗が小さくしかも表面反射率が小
さく透過率が高く、有用であるにもかかわらず、ＣＶＤ
法、スプレー法等を用いることが可能な量産性ある適当
なソースがまだ発見されていない現状である。
本発明は、有機インジウム又は有機スズをソースとして
分解し、透明導電膜を得る新規な技術である。
分解し、透明導電膜を得る新規な技術である。
本発明に用いる有機インジウム、有機スズは、それぞれ
Ｉｎ（０Ｒ）３，Ｓｎ（０Ｒ）４で表わされる。ここで
、Ｒは直鎖又は側鎖アルキルで、一般には炭素数１〜２
０までのものが用いられるが、さらに望ましくは、１〜
８である。これらの有機インジウム、有機スズは、アル
コール類エーテル類、ケトン類、エステル類等の有機洛
媒又はこれらの混合溶媒中に適当量陪解して用いる。ま
た加水分解を進めるため、少量の酸、アルカリ水、塩等
の添加を行なつても良い。透明導電膜を被覆する基板は
、ガラス、セラミツク等で３５０℃以上の耐熱性を有す
るものであれば良い。
Ｉｎ（０Ｒ）３，Ｓｎ（０Ｒ）４で表わされる。ここで
、Ｒは直鎖又は側鎖アルキルで、一般には炭素数１〜２
０までのものが用いられるが、さらに望ましくは、１〜
８である。これらの有機インジウム、有機スズは、アル
コール類エーテル類、ケトン類、エステル類等の有機洛
媒又はこれらの混合溶媒中に適当量陪解して用いる。ま
た加水分解を進めるため、少量の酸、アルカリ水、塩等
の添加を行なつても良い。透明導電膜を被覆する基板は
、ガラス、セラミツク等で３５０℃以上の耐熱性を有す
るものであれば良い。
本発明の有機インジウム又は有機インジウム・有機スズ
混合体を前記浩媒に適当量混合浩解し、基板に塗布し１
００〜１５０℃で溶媒を除去後、３５０℃以上で焼成を
行なえば、無色透明な透明導電膜が得られる。
混合体を前記浩媒に適当量混合浩解し、基板に塗布し１
００〜１５０℃で溶媒を除去後、３５０℃以上で焼成を
行なえば、無色透明な透明導電膜が得られる。
この時の化学反応は、次式のように想像される。
塗布方法は、等速引き上げ法、スプレー法等が考えられ
るが、被膜の均一性、量産性の両面から等速引き上げ法
が有利である。特許請求の範囲第２項は、酸化インジウ
ムの比抵抗を更に小さくする目的であ９、一般には酸化
スズが５（ｆ）前後で極小の比抵抗が得られる。
るが、被膜の均一性、量産性の両面から等速引き上げ法
が有利である。特許請求の範囲第２項は、酸化インジウ
ムの比抵抗を更に小さくする目的であ９、一般には酸化
スズが５（ｆ）前後で極小の比抵抗が得られる。
透明導電膜の用途によつて適当に用いることができる。
このようにして本発明で得られた透明導電膜はデイスプ
レイ用、抵抗加熱用、光学用等に用いられる。以下、実
施例に従つて本発明を説明する。
このようにして本発明で得られた透明導電膜はデイスプ
レイ用、抵抗加熱用、光学用等に用いられる。以下、実
施例に従つて本発明を説明する。
実施例 １
溶媒としてイソプロピールアルコール５００ｔ）、酢酸
エチル５０％を用いＩｎ（０Ｃ４Ｈ，）３を５ωｔ％と
し、さらにＩｎ（０Ｃ４Ｈ９）３に対してＳｎ（０Ｃ４
Ｈ，）Ｉの量を変化させて、基板としてソーダ系ガラス
を用い、等速引き上げ法で塗布した時の抵抗値の変化を
、表２に示す。
エチル５０％を用いＩｎ（０Ｃ４Ｈ，）３を５ωｔ％と
し、さらにＩｎ（０Ｃ４Ｈ９）３に対してＳｎ（０Ｃ４
Ｈ，）Ｉの量を変化させて、基板としてソーダ系ガラス
を用い、等速引き上げ法で塗布した時の抵抗値の変化を
、表２に示す。
膜厚は、溶液の濃度及び引き上げ速度によつて自由にコ
ントロールされ、従つて比抵抗も膜厚で自由に変えるこ
とができる。
ントロールされ、従つて比抵抗も膜厚で自由に変えるこ
とができる。
しかし２０００Ａ０以上になるとクラツクが生ずる。Ｓ
ｎ（０Ｃ４Ｈ，）４／Ｉｎ（０Ｃ４Ｈ９）３−５％で極
小の比抵抗が得られることがわかつた。以上のことより
、スズの添加割合及び膜厚によつて比抵抗は自由にコン
トロールできる。
ｎ（０Ｃ４Ｈ，）４／Ｉｎ（０Ｃ４Ｈ９）３−５％で極
小の比抵抗が得られることがわかつた。以上のことより
、スズの添加割合及び膜厚によつて比抵抗は自由にコン
トロールできる。
焼成温度の影響はほとんどなく、５００℃以上で１Ｈｒ
以上で一定の比抵抗となつた。焼成温度が低いと、基板
との密着性がやや減少した。又、焼成温度の低い時及び
焼成時間の短かい時は、十分な透明度は得られなかつた
。又、一般に酸化インジウム系の透明導電膜は表面反射
率の小さいことが知られているが、本方法により得られ
た透明導電膜は、非常に反射率が小さく、従来品と何ら
変わることがなかつた。特に、デイスプレイ用透明導電
膜として用いるに適していることがわかつた。
以上で一定の比抵抗となつた。焼成温度が低いと、基板
との密着性がやや減少した。又、焼成温度の低い時及び
焼成時間の短かい時は、十分な透明度は得られなかつた
。又、一般に酸化インジウム系の透明導電膜は表面反射
率の小さいことが知られているが、本方法により得られ
た透明導電膜は、非常に反射率が小さく、従来品と何ら
変わることがなかつた。特に、デイスプレイ用透明導電
膜として用いるに適していることがわかつた。
以上、実施例に従つて説明したが、本発明は、有機イン
ジウム又は有機インジウム、有機スズ混合物より加水分
解、熱分解等によつて透明導電膜を得る方法に関するも
のであリ、その塗布方法、溶媒、焼成温度、時間等の処
理条件及び基板、使用用途等を問うものではない。
ジウム又は有機インジウム、有機スズ混合物より加水分
解、熱分解等によつて透明導電膜を得る方法に関するも
のであリ、その塗布方法、溶媒、焼成温度、時間等の処
理条件及び基板、使用用途等を問うものではない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式Ｉｎ（ＯＲ）＿３（Ｒ：アルキル基）から成
る有機インジウム化合物を有機溶媒に溶解した溶液を基
板に塗布し、次に前記溶媒を除去する加熱をし、この後
焼成により基板上に酸化インジウムの導電膜を得ること
を特徴とする透明導電膜の製造方法。 ２ 一般式Ｉｎ（ＯＲ）＿３とＳｎ（ＯＲ）＿４（Ｒ：
アルキル基）から成る有機インジウム化合物と有機スズ
化合物とを有機溶媒に溶解した溶液を基板に塗布し、次
に前記溶媒を除去する加熱をし、この後焼成により基板
上に酸化インジウム・酸化スズ混合物の導電膜を得るこ
とを特徴とする透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53073462A JPS5923403B2 (ja) | 1978-06-16 | 1978-06-16 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53073462A JPS5923403B2 (ja) | 1978-06-16 | 1978-06-16 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54164284A JPS54164284A (en) | 1979-12-27 |
| JPS5923403B2 true JPS5923403B2 (ja) | 1984-06-01 |
Family
ID=13518940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53073462A Expired JPS5923403B2 (ja) | 1978-06-16 | 1978-06-16 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923403B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767674A (en) * | 1980-10-13 | 1982-04-24 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Solution forming transparent electro-conductive film |
| JP2718023B2 (ja) * | 1986-09-17 | 1998-02-25 | 松下電器産業株式会社 | 透明導電膜の形成方法 |
| JP2718025B2 (ja) * | 1986-12-26 | 1998-02-25 | 松下電器産業株式会社 | 透明導電膜の形成方法 |
| JP2887318B2 (ja) * | 1988-08-29 | 1999-04-26 | 松下電器産業株式会社 | 金属薄膜抵抗体の製造方法 |
| JPH03148897A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子回路部品の取付方法 |
-
1978
- 1978-06-16 JP JP53073462A patent/JPS5923403B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54164284A (en) | 1979-12-27 |
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