SU662923A1 - Reference voltage generator - Google Patents

Description

(54) ГЕНЕРАТОР ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ(54) SUPPORT VOLTAGE GENERATOR

1one

Изобретение относитс  к области электротехники и может быть использовано, в частности , в запоминающих устройствах на МДП-транзисторах микропроцессорах.The invention relates to the field of electrical engineering and can be used, in particular, in memory devices based on MOSFET microprocessors.

Известен источник стабилизированного напр жени , содержащий полевой транзистор с запорным слоем, цепь сток - исток которого соединена с напр жением источника питани ; между затвором и истоком транзистора включен резистор, с которого снимаетс  стабилизированное напр жение; между источником напр жени  питани  и цепью сток-исток полевого транзистора включена цепь сток-- исток второго полевого т ранзистора с запорным слоем, затвор которого св зан с истоком первого полевого транзистора . Недостатками такого источника  вл ютс  применение транзисторов с запорным слоем, не совместимых технологически с обычными п-канальными транзисторами, высока  чувствительность к отрицательным помехам по шине питани , низка  стабильность выходного напр жени .A stabilized voltage source is known, comprising a field-effect transistor with a barrier layer, the drain-source circuit of which is connected to the supply voltage; a resistor is connected between the gate and the source of the transistor, from which the stabilized voltage is removed; between the power supply source and the drain-source circuit of the field-effect transistor, a drain-circuit is connected- the source of the second field voltage switch with a barrier layer, the gate of which is connected to the source of the first field-effect transistor. The disadvantages of such a source are the use of transistors with a barrier layer that are not technologically compatible with conventional n-channel transistors, high sensitivity to negative interference on the power bus, low stability of the output voltage.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности  вл етс  генерагор опорногр , напр жени , содержащий делитель питающего напр жени  и истоковьт повторитель напр жени  делител  на полевых транзисторах с изолированным затвором, причемThe closest to the invention according to the technical essence is the opornogr generator, a voltage containing a supply voltage divider and a source repeater of a voltage divider on field-effect transistors with an insulated gate,

сток транзистора истокового повторител  соединен с входным выводом генератора и объединенными стоком и затвором первого из транзисторов делител , исток которого соединен с затвором транзистора истокового повторител  напр жени  и стоком второго транзистора делител , исток которого соединен с общим выводом генератора. Недостатком известного генератора  вл етс  мала  помехоустойчивость, обусловленна  тем, что при воздействии помех на шине питани the drain of the source follower transistor is connected to the input terminal of the generator and the combined drain and gate of the first of the divider transistors, the source of which is connected to the gate of the source voltage follower transistor and the drain of the second transistor divider, the source of which is connected to the common output of the generator. The disadvantage of the known generator is low noise immunity, due to the fact that when exposed to noise on the power bus

в виде положительнь1х выбросов напр жени  происходит значительное изменение выходного напр жени  генератора.In the form of positive voltage spikes, there is a significant change in the output voltage of the generator.

Целью изобретени   вл етс  повышение помехоустойчивости генератора опорного напр жени . Это достигаетс  тем, что в предлагаемый генератор введены конденсатор и дополнительный полевой транзистор с изолированным затвором, причем затвор и сток дополнительного полевого транзистора соеThe aim of the invention is to improve the noise immunity of the reference voltage generator. This is achieved by the fact that a capacitor and an additional field-effect transistor with an insulated gate are introduced into the proposed generator, with the gate and the drain of the additional field-effect transistor