Изобретение относитс к области измерени электрических переменных величин и может быть использовано, например, в микроэлектронике дл из мерени сопротивлени провод щих пл нок в процессе изготовлени интегра ных микросхем. Известно устройство дл измерени сопротивлени провод щих пленок, со то щее из диэлектрической подложки с адгезионным подслоем металла и -ра положенными на нем токоведугцими элек тродами, соединенными с измерительной схемой . В процессе осаждени на токойедуиие электроды тонкой провод щей пленки контролируетс электрическое сопротивление осаждаемой пленки. Однако в результате перегибов осажденной пленки на границе токоведущих электродов в этих местах возникают механические напр жени и неравномерность толщины осажденной пленки по длине, что искажает истинное значение сопротивлени пленки и снижает точность измерени сопротивлени . Целью изобретени вл етс повышение точности измерени сопротивлени провод щих пленок. Это достигаетс тем, что между токоведугцими электродами компланарно с ними размевдеи слой диэлектрика, Осаждаема поверх токоведущих электродов устройства пр 5вол 1аа пленка не имеет перегибов, равномерна по то.Л1цине, вследствие чего точность тантала, ниоби и нихрома повс иаетс на 50%, На чертеже показано предлагаемое устройство дл измерени сопротивлени провод щих пленок, разрез. Устройство содержит ситалловую подложку 1, а на ней - адгезионный подслой титана 2 с токоведущкг аыиоминиевыми и никелевыми электродакж 3 и 4, соответственно между кото1 ми компланарно с ними р азмещ,ен слой диэлектрика 5. окиси алк гани . Устройство работает следупвцо образом . На поверхность токоведуздего электрода 4 и сло диэлектрика 5 осаждаетс тонка пленка металла, например тантала, ниоби или нихрома. Токоведущий электрюд 4 в процессе осаждени пленки металла соединен с измерительной схемой, например с цифровым омметрюм, в результате чего осуществл етс контроль толщины и измерениеThe invention relates to the field of measurement of electrical variables and can be used, for example, in microelectronics for measuring the resistance of conductive films during the manufacture of integrated circuits. A device is known for measuring the resistance of conductive films, consisting of a dielectric substrate with an adhesive underlayer of a metal and -current-conductive electrodes placed on it, connected to a measuring circuit. During the deposition process, the electrical resistance of the deposited film is controlled on the current-conducting electrodes of the thin conductive film. However, as a result of the bending of the deposited film at the boundary of the current-carrying electrodes, mechanical stresses and uneven thickness of the deposited film appear in these places, which distorts the true value of the film resistance and reduces the accuracy of the resistance measurement. The aim of the invention is to improve the measurement accuracy of the resistance of conductive films. This is achieved by the fact that a dielectric layer is coplanar with current-conducting electrodes coplanar with them. The film is deposited over the current-carrying electrodes of the device of the previous volt 1aa film does not have kinks, evenly. The proposed device for measuring the resistance of conductive films is shown in section. The device contains a cell substrate 1, and on it is an adhesive sublayer of titanium 2 with current carrying ayiominia and nickel electrodes 3 and 4, respectively, between which is coplanar with them the displacement, the dielectric layer 5. alkali oxide. The device works in the following way. A thin metal film, such as tantalum, niobium or nichrome, is deposited on the surface of the electrode-carrying electrode 4 and the dielectric layer 5. The conductive electrode 4 in the process of deposition of a metal film is connected to a measuring circuit, for example, with a digital hold meter, as a result of which thickness control and measurement are carried out
сопротивлени осаждаемых металлических пленок.resistance of deposited metal films.