Claims (2)
вичных ионов выполнена в виде кольцевых .электродов, расположенных мёж-f ду йонизатором и катодом. Анализ показывает, что повышение фазовой плотности тока В в гфедложен иом случае происходит за счет повышени плотности тока пучка j пер ричных ионов при одинаковых площадках распылени . J пред .„ 3 itpOT ,.паршлетрк да хде 5-гфет. frooi прототипа, J4 р. параметры дл J пред йрз.а, предложенного устройства, В свою очередь,. J пред больше прочих равных ус лови х за счет увеличени площади ионизатора, 21Ш ггаед где и; и S s-соответственно радиус и высота ионизатора в предложенном ис TQ4Hi-IK-3j, s радиус ионизатора э прототипе На чертежа показан предлагаемый источник, общий вид. Катод 1 предлагаемого источника выполнен в виде цилиндра с конусом, изготовленного из материала, ионы которого ыеобхС5димо получить оКонцек рично катоду расположен источник пе вичнык положительных ионов, содержа щр1Й ионизатор 2, представл ющий соб кольцав;/; камеру в данном варианте пр моугог ьного сечени с кольцевой щелью во в1-зутренней стенке, в которую запрессовано кольцо 3 из порист го вольфрама, назгреватель 4 ионизат ра, и систему 5 форглировани пучка первичнйк иоыор, выполненную в виде кольцевых электродов. Соосно катоду со стороны варшины его конуса распо ложена система б формировани пучка вторичнык отрицательных ионов. Источник работает следующим обра зом Создаетс избыточное давление паов щелочных металлов, например цези , в кольцевой камере ионизатора The primary ions are made in the form of annular electrodes located between the inter-ion and ionizer and the cathode. The analysis shows that an increase in the phase density of the current B in the hydroformed case occurs due to an increase in the current density of the beam j of peri- odic ions at the same sputtering sites. J prev. „3 itpOT, parshletrk yes hde 5gfet. frooi prototype, J4 p. The parameters for J are preconfigured by the proposed device, which in turn. J before more other conditions being equal due to an increase in the ionizer area, 21% where and; and S s, respectively, the radius and height of the ionizer in the proposed IC TQ4Hi-IK-3j, s the radius of the ionizer e prototype The drawing shows the proposed source, a general view. The cathode 1 of the proposed source is made in the form of a cylinder with a cone made of a material whose ions are obtained in order to obtain approximately the cathode. The source of primary positive ions is located, containing a right-handed ionizer 2 representing the assembly ring; /; The camera in this embodiment is a straight cross section with an annular gap in the 1-sunday wall in which the porous tungsten ring 3 is pressed, the heater 4 of the ionizer, and the primary ion beam system 5, made in the form of ring electrodes. Coaxially to the cathode from the side of the coneshina of its cone there is a system of forming a beam of secondary negative ions. The source works as follows. An excess pressure of alkali metal vapors, such as cesium, is created in the annular chamber of the ionizer.
2. Прой через предварительно нагретое вольфрамовое кольцо 3, атомы цезиз i есорбируютс с его поверхности в ионовОз и поступают в зазор между ольцевьп ш электродами системы 5 форировани пучка первичных ионов . Здесь оны Qa ускор ютс ,формируютс в пр молинейно-распростран ющийс пучок и, двига сь в радиальных направлени х к оси ионизатора, поступают на распыл емую поверхность катода 1. Выбиваемые вторичные отрицательные ионы формиру5ртс в пучок с прмощью системы формировани . Предложенный источник обладает очевидным преимуществом, более, чем на пор док увеличива фазовую плотность тока. Формула изобретени Источник отрицательных ионов, со держащий катод из материала, распыление которого положительными ионами сопровождаетс эмиссией отрицательных ионов, систему выт гивани отрицателгьных ионов из прикатодной области , ионизатор дл получени первичных положительных ионов и систему формировани пучка первичных ионов,о т личающийс тем,что,с целью повышени тока отрицательных ионов на зыходе из источника,ионизатор выпол-. ней в виде кольцевой камеры, внутренн цилиндрическа поверхность которой вл етс эмиттером первичных ; ионов, катод размещен на оси указанной камеры, а система формировани пучка первичных ионов выполнена в виде кольцевых электродов, расположенных между ионизатором и катодом. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1. Ю.И.Белоченко, Г.И. Димов, В.Г.Дубников. Препринт ИЯФ ЗУ-73, СО АН СССР. i.Midd2eb« TZyChat Pest Adaws A.Weбшша у IRepoh-t опЪН 36 Depafltfteni oJ uttivefsii PewMS Evattia 1973.2. Pass through the preheated tungsten ring 3, the cesium-i atoms are absorbed from its surface into the O3 ions and enter the gap between the Alc electrodes of the system for forming the primary ion beam 5. Here, Qa is accelerated, formed into a straight-spreading beam and, moving in radial directions to the axis of the ionizer, goes to the sputtered surface of the cathode 1. The knocked-out secondary negative ions form into a beam with a forming system. The proposed source has an obvious advantage, by more than an order of magnitude increasing phase current density. The invention has a negative ion source containing a cathode from a material whose sputtering with positive ions is accompanied by the emission of negative ions, a system for pulling negative ions out of the cathode region, an ionizer for producing primary positive ions, and a system for forming a beam of primary ions that are in order to increase the current of negative ions at the exit from the source, the ionizer is performed -. it in the form of an annular chamber, the inner cylindrical surface of which is a primary emitter; ions, the cathode is placed on the axis of the specified chamber, and the system of forming a beam of primary ions is made in the form of annular electrodes located between the ionizer and the cathode. Sources of information taken into account in the examination: 1. Yu.I.Bilochenko, G.I. Dimov, VG Dubnikov. Preprint INP ZU-73, SB AS USSR. i.Midd2eb “TZyChat Pest Adaws A.Websha at IRepoh-t für 36 DepAltfteni oJ uttivefsii PewMS Evattia 1973.
na/joiKunjeff d/jr uoffoSna / joiKunjeff d / jr uoffoS
ff /vofrJ majst/tff i /jf опу}1Л4С№пе/ мб/ г tfOffoSff / vofrJ majst / tff i / jf op} 1L4S№te / mb / g tfOffoS