SU475172A1 - Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата - Google Patents
Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобатаInfo
- Publication number
- SU475172A1 SU475172A1 SU1969225A SU1969225A SU475172A1 SU 475172 A1 SU475172 A1 SU 475172A1 SU 1969225 A SU1969225 A SU 1969225A SU 1969225 A SU1969225 A SU 1969225A SU 475172 A1 SU475172 A1 SU 475172A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- single crystals
- annealing
- strontium niobate
- barium strontium
- crystals
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к способу отжига монокристаллов барий-стронциевого ниобата BaSri-xNbaOe, которые примен ютс в модул торах и дефлекторах света.
Известен способ отжига монокристаллов барий-стронциевого ниобата, включающий нагрев в атмосфере кислорода до 1400°С, выдержку при этой температуре в течение 10- 12 час и последующее охлаждение кристалла. Такой отжиг приводит к уменьщению интенсивности окраски дл окрашенных кристаллов и частично снимает механические напр жени .
Однако при таком способе отжига практически не улучшаетс оптическа однородность кристаллов, в частности, не устран ютс полосы роста, наблюдавшиес в большинстве кристаллов, выращенных из расплава по методу Чохральского.
Целью изобретени вл етс улучшение однородности кристаллов барий-стронциевого ниобата.
Это достигаетс путем нагрева кристаллов барий-стронциевого ниобата до 1410-1485°С, выдержки в течение 50-300 час с последующим охлаждением со скоростью 5-100 град/ /час.
Пример. Кристалл состава Вао,25 Sfo.TsNbaOe
помещают в алундовый тигель, нагревают со скоростью 50 град/час до 1470°С, выдерживают при этой температуре 50 час и охлаждают со скоростью 30 град/час до комнатной температуры.
Кристалл до имел слабо контрастные полосы роста. После отжига полосы роста либо слабо различимы, либо отсутствуют. Градиент ноказател преломлени до отжига 6-10- см- после отжига 5-10- см-.
Предмет изобретени
Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата, включающий нагрев, выдержку и охлаждение на воздухе, отличающийс тем, что, с целью улучшени однородности кристаллов, процесс нагрева ведут до температуры 1410-1485°С, выдержку провод т в течение 50-300 час с последующим охлаждением со скоростью 5-100 град/ /час.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1969225A SU475172A1 (ru) | 1973-11-05 | 1973-11-05 | Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1969225A SU475172A1 (ru) | 1973-11-05 | 1973-11-05 | Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU475172A1 true SU475172A1 (ru) | 1975-06-30 |
Family
ID=20567384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1969225A SU475172A1 (ru) | 1973-11-05 | 1973-11-05 | Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU475172A1 (ru) |
-
1973
- 1973-11-05 SU SU1969225A patent/SU475172A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ES403104A1 (es) | Un metodo de fabricacion de un material ceramico. | |
RU2645687C1 (ru) | Прозрачный ситалл и способ его получения | |
SU475172A1 (ru) | Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата | |
KR920007942A (ko) | 검푸른색의 투명한 유리-세라믹(Glass-Ceramic)제품 | |
Sankaranarayanan et al. | Microtube-Czochralski technique (μT-CZ):: a novel way of seeding the melt to grow bulk single crystal | |
US6248167B1 (en) | Method for single crystal growth and growth apparatus | |
JPS5547300A (en) | Crystal pulling device | |
US3704103A (en) | Method of preparing single crystals of mercurous chloride | |
GB1381430A (en) | Method of growing crystals | |
SU385475A1 (ru) | Способ серийного выращивани монокристаллов | |
JP3128173B2 (ja) | ゲルマニウム酸ビスマス単結晶の製造方法およびその製造装置 | |
SU1730216A1 (ru) | Способ получени твердых растворов С @ А @ J @ S @ | |
JPH0411513B2 (ru) | ||
RU2261295C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов германия | |
RU1810402C (ru) | Способ получени оптически прозрачных кристаллов селенида цинка | |
JPS63195198A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 | |
JPS6148498A (ja) | タンタル酸アルカリ単結晶の製造方法及びそのためのルツボ | |
RU2189405C1 (ru) | Способ получения монокристаллов соединения liins2 | |
RU2658109C1 (ru) | Оптическая наностеклокерамика с ионами хрома | |
UA122634C2 (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ ЗНЕБАРВЛЕНИХ КРИСТАЛІВ PbMoO<sub>4</sub> | |
UA138827U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ ЗНЕБАРВЛЕНИХ КРИСТАЛІВ PbMoO<sub>4</sub> | |
SU431701A1 (ru) | Способ получения кристаллов на основе стабилизированной двуокиси цирконияили гафния 1 | |
SU1641901A1 (ru) | Способ контрол качества профилированных монокристаллов корунда | |
UA122196C2 (uk) | Спосіб вирощування монокристалів халькогенідів металів за методом бриджмена | |
SU1647045A1 (ru) | Способ выращивани кристаллов иодистого цези |