SU475172A1 - Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата - Google Patents

Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата

Info

Publication number
SU475172A1
SU475172A1 SU1969225A SU1969225A SU475172A1 SU 475172 A1 SU475172 A1 SU 475172A1 SU 1969225 A SU1969225 A SU 1969225A SU 1969225 A SU1969225 A SU 1969225A SU 475172 A1 SU475172 A1 SU 475172A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
single crystals
annealing
strontium niobate
barium strontium
crystals
Prior art date
Application number
SU1969225A
Other languages
English (en)
Inventor
Олег Федорович Дудник
Юрий Леонидович Копылов
Валерий Борисович Кравченко
Original Assignee
Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср filed Critical Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср
Priority to SU1969225A priority Critical patent/SU475172A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU475172A1 publication Critical patent/SU475172A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к способу отжига монокристаллов барий-стронциевого ниобата BaSri-xNbaOe, которые примен ютс  в модул торах и дефлекторах света.
Известен способ отжига монокристаллов барий-стронциевого ниобата, включающий нагрев в атмосфере кислорода до 1400°С, выдержку при этой температуре в течение 10- 12 час и последующее охлаждение кристалла. Такой отжиг приводит к уменьщению интенсивности окраски дл  окрашенных кристаллов и частично снимает механические напр жени .
Однако при таком способе отжига практически не улучшаетс  оптическа  однородность кристаллов, в частности, не устран ютс  полосы роста, наблюдавшиес  в большинстве кристаллов, выращенных из расплава по методу Чохральского.
Целью изобретени   вл етс  улучшение однородности кристаллов барий-стронциевого ниобата.
Это достигаетс  путем нагрева кристаллов барий-стронциевого ниобата до 1410-1485°С, выдержки в течение 50-300 час с последующим охлаждением со скоростью 5-100 град/ /час.
Пример. Кристалл состава Вао,25 Sfo.TsNbaOe
помещают в алундовый тигель, нагревают со скоростью 50 град/час до 1470°С, выдерживают при этой температуре 50 час и охлаждают со скоростью 30 град/час до комнатной температуры.
Кристалл до имел слабо контрастные полосы роста. После отжига полосы роста либо слабо различимы, либо отсутствуют. Градиент ноказател  преломлени  до отжига 6-10- см- после отжига 5-10- см-.
Предмет изобретени 
Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата, включающий нагрев, выдержку и охлаждение на воздухе, отличающийс  тем, что, с целью улучшени  однородности кристаллов, процесс нагрева ведут до температуры 1410-1485°С, выдержку провод т в течение 50-300 час с последующим охлаждением со скоростью 5-100 град/ /час.
SU1969225A 1973-11-05 1973-11-05 Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата SU475172A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1969225A SU475172A1 (ru) 1973-11-05 1973-11-05 Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1969225A SU475172A1 (ru) 1973-11-05 1973-11-05 Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU475172A1 true SU475172A1 (ru) 1975-06-30

Family

ID=20567384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1969225A SU475172A1 (ru) 1973-11-05 1973-11-05 Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU475172A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES403104A1 (es) Un metodo de fabricacion de un material ceramico.
RU2645687C1 (ru) Прозрачный ситалл и способ его получения
SU475172A1 (ru) Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата
KR920007942A (ko) 검푸른색의 투명한 유리-세라믹(Glass-Ceramic)제품
Sankaranarayanan et al. Microtube-Czochralski technique (μT-CZ):: a novel way of seeding the melt to grow bulk single crystal
US6248167B1 (en) Method for single crystal growth and growth apparatus
JPS5547300A (en) Crystal pulling device
US3704103A (en) Method of preparing single crystals of mercurous chloride
GB1381430A (en) Method of growing crystals
SU385475A1 (ru) Способ серийного выращивани монокристаллов
JP3128173B2 (ja) ゲルマニウム酸ビスマス単結晶の製造方法およびその製造装置
SU1730216A1 (ru) Способ получени твердых растворов С @ А @ J @ S @
JPH0411513B2 (ru)
RU2261295C1 (ru) Способ выращивания монокристаллов германия
RU1810402C (ru) Способ получени оптически прозрачных кристаллов селенида цинка
JPS63195198A (ja) ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法
JPS6148498A (ja) タンタル酸アルカリ単結晶の製造方法及びそのためのルツボ
RU2189405C1 (ru) Способ получения монокристаллов соединения liins2
RU2658109C1 (ru) Оптическая наностеклокерамика с ионами хрома
UA122634C2 (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ ЗНЕБАРВЛЕНИХ КРИСТАЛІВ PbMoO<sub>4</sub>
UA138827U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ ЗНЕБАРВЛЕНИХ КРИСТАЛІВ PbMoO<sub>4</sub>
SU431701A1 (ru) Способ получения кристаллов на основе стабилизированной двуокиси цирконияили гафния 1
SU1641901A1 (ru) Способ контрол качества профилированных монокристаллов корунда
UA122196C2 (uk) Спосіб вирощування монокристалів халькогенідів металів за методом бриджмена
SU1647045A1 (ru) Способ выращивани кристаллов иодистого цези