SU327779A1 - Способ получени кристаллов карбида кремни - Google Patents
Способ получени кристаллов карбида кремниInfo
- Publication number
- SU327779A1 SU327779A1 SU704115A SU704115A SU327779A1 SU 327779 A1 SU327779 A1 SU 327779A1 SU 704115 A SU704115 A SU 704115A SU 704115 A SU704115 A SU 704115A SU 327779 A1 SU327779 A1 SU 327779A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- silicon carbide
- carbide crystals
- producing silicon
- crystals
- silicon
- Prior art date
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
Изобретение относитс .к способам получени кристаллов карбида нрймни .
Известен способ получени К|ристаллав карбида (Кремни из газовой среды путем нагревани до 2100-2400° С омеси углеродеодержащих газов (паров бензола, толуола и др.) с летучими соединени ми кремни (тетрахлорид кремни и др.)Однако этим способом сложно получать крупные «ристаллы и кристаллы высокого качества .
Дл улучшени Качества «ристаллов и по (ВЫшеви выхода целеваго продукта в качестве исходного материала предлагаетс примен ть пары 1крем-нийорганических соединений с соотношением Si : С, равным единице, наор.имер .метилдихлорсилан, метилтрихлорсилан, -и проводить процесс в восстановительной водородной или инерпной среде 1400-2200° С.
Пример 1. Пары 1метилдихлорсилана увлекаютс током водорода и поступают со скоростью 3,3 гтас в реакционный сосуд. Концентраци СНз Si НСЬ в 1водо,роде 0,11 г/л. Разложение пр01воа т на поверхности угольного стержн , нагретого до температуры 1700° С. Продолжительность опыта 3 час. Получено 2,3 г моно(кристаллов карбида крамли - модификации с плашадью поперечного/сечени около 4 мм . Выход 65%. В полученном .продукте спектральным методо ух;тановле но наличие следующих примесей, % : Си Ti 10-.
При,мер 2. Пары метилтрихлорсилана увлекаютс током водорода и поступают со скоростью 6 г/час в реакционный сосуд. Концентраци CHsSiCls в водороде 0,24 г/л. Разложение провод т .на поверхности графитового стержм , нагретого до температуры 1700° С. Продолжительность опыта 5 час. .Получено
6,3 г монокристаллов 1ка(рбида кремии с площадью попереЧНого сечени около 5 мм. Выход 78%. В получеином продукте спектральным анал1изом установлено «аличие следующих примесей, %: Mg Fe Al 10
Предмет изобрете;ни
Способ получени К|ристаллов карбида кремни из газовой среды, содержащей летучие соединени кремни и углерода, на нагретой поверхности, отличающийс тем, что с целью улучшени качества кристаллов и повышени выхода целевого продукта, как исходный материал примен ют лары кремнийОрганических соединений с соотношением Si:C,. равным единице, например метилдихлорсилаи , метилтрихлорсилан, и провод т процесс в восстановительной водородной или
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU704115A SU327779A1 (ru) | 1959-11-06 | 1959-11-06 | Способ получени кристаллов карбида кремни |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU704115A SU327779A1 (ru) | 1959-11-06 | 1959-11-06 | Способ получени кристаллов карбида кремни |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU327779A1 true SU327779A1 (ru) | 1973-03-20 |
Family
ID=20437147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU704115A SU327779A1 (ru) | 1959-11-06 | 1959-11-06 | Способ получени кристаллов карбида кремни |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU327779A1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995005495A1 (fr) * | 1993-08-17 | 1995-02-23 | Aktsionernoe Obschestvo 'russkoe Obschestvo Prikladnoi Elektroniki' | Procede de production de couches de carbure de silicium et produit associe |
| RU2448041C1 (ru) * | 2010-11-26 | 2012-04-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный институт имени Г.В. Плеханова (технический университет)" | Способ получения поликристаллического карбида кремния |
-
1959
- 1959-11-06 SU SU704115A patent/SU327779A1/ru active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995005495A1 (fr) * | 1993-08-17 | 1995-02-23 | Aktsionernoe Obschestvo 'russkoe Obschestvo Prikladnoi Elektroniki' | Procede de production de couches de carbure de silicium et produit associe |
| US5698261A (en) * | 1993-08-17 | 1997-12-16 | Aktsionernoe Obschestvo Russkoe Obschestvo Prikladnoi Elektroniki | Process for producing silicon carbide layers and an article |
| RU2448041C1 (ru) * | 2010-11-26 | 2012-04-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный институт имени Г.В. Плеханова (технический университет)" | Способ получения поликристаллического карбида кремния |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2362080A1 (fr) | Procede pour produire du carbure de silicium du type beta en poudre | |
| CA2316180A1 (en) | Production process and apparatus for high purity silicon | |
| GB901269A (en) | Method of preparing materials of high purity | |
| US3126248A (en) | Process for producing purified | |
| SU327779A1 (ru) | Способ получени кристаллов карбида кремни | |
| JPS54124898A (en) | Preparation of silicon nitride | |
| GB1121293A (en) | Improvements in the manufacture of silicon nitride | |
| JPS6124328B2 (ru) | ||
| GB1016578A (en) | Improvements in or relating to processes for the production of high purity monocrystalline silicon | |
| JPS5673616A (en) | Manufacture of silicon carbide | |
| GB988097A (en) | Process for the manufacture of very pure silicon carbide | |
| SU145106A1 (ru) | Способ нанесени покрытий карбида кремни | |
| US3128150A (en) | Process for preconditioning the carbon bed used in a method of converting refractorymetal oxychlorides | |
| US2820698A (en) | Process for purifying silicon halide | |
| GB1359145A (en) | Manufacture of silicon carbide | |
| JPS5930645B2 (ja) | 高純度α型窒化珪素の製造法 | |
| Fedoseev et al. | Effect of hydrogen on diamond growth from a gaseous phase | |
| US3704260A (en) | Purification of dimethylhydrogenchlorosilane | |
| SU457208A3 (ru) | Способ получени тонкоизмельченной двуокиси кремни | |
| GB575672A (en) | Improvements in and relating to methods of preparing tetrachloroethylene and chlorosilanes | |
| GB2012787A (en) | Process for obtaining dimethyl hydrogen chlorosilane | |
| SU139657A1 (ru) | Способ получени моноокиси кремни | |
| US1966068A (en) | Manufacture of phthalimide | |
| GB983953A (en) | Continuous process for the manufacture of silicon tetrachloride and/or trichlorosilane | |
| Faessler et al. | A Novel Type of Dyotropic Rearrangement. Palladium-Catalyzed Rearrangement of Alkoxymethyl-Substituted Silanes to Alkyl Silyl Ethers |