SU327779A1 - The method of producing silicon carbide crystals - Google Patents

Description

Изобретение относитс  .к способам получени  кристаллов карбида нрймни .This invention relates to methods for producing carbide crystals.

Известен способ получени  К|ристаллав карбида (Кремни  из газовой среды путем нагревани  до 2100-2400° С омеси углеродеодержащих газов (паров бензола, толуола и др.) с летучими соединени ми кремни  (тетрахлорид кремни  и др.)Однако этим способом сложно получать крупные «ристаллы и кристаллы высокого качества .A known method for producing carbide carbide (Silicon from a gaseous medium by heating carbon-containing gases (benzene vapor, toluene, etc.) with volatile silicon compounds (silicon tetrachloride, etc.) by heating to 2100-2400 ° C) However, this method is difficult to produce large “High quality crystals and crystals.

Дл  улучшени  Качества «ристаллов и по (ВЫшеви  выхода целеваго продукта в качестве исходного материала предлагаетс  примен ть пары 1крем-нийорганических соединений с соотношением Si : С, равным единице, наор.имер .метилдихлорсилан, метилтрихлорсилан, -и проводить процесс в восстановительной водородной или инерпной среде 1400-2200° С.In order to improve the quality of the "and" (Higher output of the target product, it is proposed to use as an initial material a pair of 1x organic compounds with a Si: C ratio equal to one, but the same as methyldichlorosilane, and carry out the process in reducing or inertial hydrogen environment 1400-2200 ° C.

Пример 1. Пары 1метилдихлорсилана увлекаютс  током водорода и поступают со скоростью 3,3 гтас в реакционный сосуд. Концентраци  СНз Si НСЬ в 1водо,роде 0,11 г/л. Разложение пр01воа т на поверхности угольного стержн , нагретого до температуры 1700° С. Продолжительность опыта 3 час. Получено 2,3 г моно(кристаллов карбида крамли  - модификации с плашадью поперечного/сечени  около 4 мм . Выход 65%. В полученном .продукте спектральным методо ух;тановле но наличие следующих примесей, % : Си Ti 10-.Example 1. Methyl dichlorosilane vapors are entrained in a stream of hydrogen and flow at a speed of 3.3 gtas into the reaction vessel. The concentration of CH3Si HCH in water is 0.11 g / l. The decomposition was on the surface of a carbon rod heated to a temperature of 1700 ° C. Experiment duration 3 hours. 2.3 g of mono was obtained (Crumley carbide crystals - modifications with a cross-sectional pad / cross section of about 4 mm. Yield 65%. In the product obtained by the spectral method; the presence of the following impurities,%: Cu Ti 10-.

При,мер 2. Пары метилтрихлорсилана увлекаютс  током водорода и поступают со скоростью 6 г/час в реакционный сосуд. Концентраци  CHsSiCls в водороде 0,24 г/л. Разложение провод т .на поверхности графитового стержм , нагретого до температуры 1700° С. Продолжительность опыта 5 час. .ПолученоAt measure 2. Methyltrichlorosilane vapor is entrained in a stream of hydrogen and fed at a rate of 6 g / h into the reaction vessel. The concentration of CHsSiCls in hydrogen is 0.24 g / l. Decomposition is carried out on the surface of a graphite rod heated to a temperature of 1700 ° C. Experiment duration is 5 hours. .Received

6,3 г монокристаллов 1ка(рбида кремии  с площадью попереЧНого сечени  около 5 мм. Выход 78%. В получеином продукте спектральным анал1изом установлено «аличие следующих примесей, %: Mg Fe Al 10 6.3 g of single crystal 1kc (cream creamer with a cross-sectional area of about 5 mm. Yield 78%. In the product obtained by spectral analysis, the following impurities were found,%: Mg Fe Al 10

Предмет изобрете;ни The subject matter of the invention; neither

Способ получени  К|ристаллов карбида кремни  из газовой среды, содержащей летучие соединени  кремни  и углерода, на нагретой поверхности, отличающийс  тем, что с целью улучшени  качества кристаллов и повышени  выхода целевого продукта, как исходный материал примен ют лары кремнийОрганических соединений с соотношением Si:C,. равным единице, например метилдихлорсилаи , метилтрихлорсилан, и провод т процесс в восстановительной водородной илиThe method of obtaining silicon silicon carbide crystals from a gaseous medium containing volatile silicon and carbon compounds on a heated surface, characterized in that in order to improve the quality of the crystals and increase the yield of the target product, silicon lars are used as the starting material with an Si: C ratio , equal to one, for example methyldichlorosilane, methyltrichlorosilane, and the process is carried out in a reducing hydrogen or