SU302891A1 - Способ получения кристаллов карборунда - Google Patents
Способ получения кристаллов карборундаInfo
- Publication number
- SU302891A1 SU302891A1 SU1285090A SU1285090A SU302891A1 SU 302891 A1 SU302891 A1 SU 302891A1 SU 1285090 A SU1285090 A SU 1285090A SU 1285090 A SU1285090 A SU 1285090A SU 302891 A1 SU302891 A1 SU 302891A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crystals
- carborundum
- carborund
- producing
- mixture
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 4
- 230000005712 crystallization Effects 0.000 claims description 4
- 210000003135 Vibrissae Anatomy 0.000 claims description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Description
II
Известен способ получени кристаллов карборунда из паровой фазы путем Конденсации и рекристаллизации в объеме, ограниченном карборундом, при 2000-2600°С в инертной атмосфере, заключающийс в том, что полость кристаллизации образуетс тонкостенной втулкой с отверсти ми дл выхода кристаллов . Этот процесс сложен, так как трудно получить тонкостенную графитовую втулку.
С целью упрощени процесса, предлагаетс в качестве вещества, формирующего полость кристаллизации, использовать двуокись кремни . При этом дл получени нитевидных кристаллов процесс ведут в присутствии лантана .
Печь Ачесона сооружают в пространстве 3X3X10 м из смеси, состо щей из, %: кокс 40; песок 50; опилки 70; обычна соль 3, между стенками из гофрированных листов железа, а в центре этого размещают электрический нагревательный элемент в форме стержн из углерода диаметром 60 см.
Одновременно с подачей смеси формируют шесть имеющих форму торуса песочных сердечников с внутренним диаметром 65 см, внещним диаметром 75 см и пр моугольным поперечным сечением при ширине 100 см на рассто нии 40 см друг от друга, размеща их концентрично относительно сердечника из углерода с помощью бумажных форм.
Нагревание осуществл ют при помощи нагревательного элемента. Приблизительно при 1500°С в смеси начинаетс реакци Si02 + 3C-SiC-b2CO
Коаксиальные зоны силиконового карбида с внутренним диаметром 2 м фор.мируютс в смеси вокруг нагревательного элемента в течение нескольких часов пр.и повыщении температуры до 1900°С. Поскольку смесь не превращаетс в Карборунд в процессе нагревани , она служит в качестве теплоизол ции и может быть использована повторно в следующей операции.
Опилки в исходной смеси вызывают образование пористой .массы карборунда так, что окись углерода, образующа с во врем реакции и служаща в качестве защитного газа, может циркулировать сквозь эту массу и, в случае необходимости, может быть удалена, чтобы не допустить повыщени давлени газа до очень большой величины. В смесь добавл ют некоторое количество обычной соли дл стимулировани реакции и преобразовани примесей в улетучивающиес хлориды.
Во врем нагревани бумал ные формы сгорают или обугливаютс . Уже начина со 1500°С происходит заметное улетучивание песка сердечников таким образом, что окружающий карборунд начинает сцепл тьс на ранней стадии цикла и не допускает запад ни пустот, образованных благодар полному улетучиванию песчаного сердечника.
В ходе дальнейшего нагревани карборунда до температуры около 2500°С в области образовани пустот песчаный сердечник улетучиваетс полностью, а кристаллы карборунда в форме пластинок равномерно оседают на стенках полостей, обранценных в сторону сердечника из углерода. Производительность .полости в среднем составл ет четыре кристалла на один квадратный сантиметр площади. Толщина кристаллов доходит до нескольких миллиметров , а ,их площадь от 0,5 до 1 см.
Дл получени нитевидных кристаллов карборунда процесс ведут в присутствии лантана, а дл получени кристаллов высокой степени чистоты в качестве исходного материала используют чистый карборунд и в качестве вещества , формируюн1,его полость кристаллизации , используют чистую двуокись кремни .
Предмет изобретени
Claims (2)
1.Способ получени кристаллов карборунда из паровой фазы путем конденсации и рекристаллизации в объеме, ограниченном карборундом , при 2000-2600°С в инертной атмосфере , отличающийс тем, что, с целью упрощени процесса, в качестве вещества, формирующего полость кристаллизации, используют двуокись кремни .
2.Способ по п. 1, отличающийс тем, что, с целью получени нитевидных кристаллов, процесс ведут в присутствии лантана.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU302891A1 true SU302891A1 (ru) |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0766645B1 (en) | Process for producing silicon carbide | |
| JPS6150881B2 (ru) | ||
| US2178773A (en) | Silicon carbide and manufacture thereof | |
| JP2009173501A (ja) | 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法及び炭化ケイ素単結晶 | |
| US3275415A (en) | Apparatus for and preparation of silicon carbide single crystals | |
| US4419336A (en) | Silicon carbide production and furnace | |
| SU302891A1 (ru) | Способ получения кристаллов карборунда | |
| JPH01225686A (ja) | 化学蓄熱材及びその製造方法 | |
| JP2010053008A (ja) | 坩堝及びその製造方法、並びに結晶シリコン粒子の製造装置 | |
| CN106048728B (zh) | 一种生长高品质碳化硅晶须的方法 | |
| CN115124040A (zh) | 一种提高大粒径碳化硅粉料占比的固相合成方法 | |
| JP6598368B2 (ja) | 炭化珪素焼結体原料の製造方法、及び炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| US2005956A (en) | Method of making abrasive metal carbides and an apparatus therefor | |
| NO334256B1 (no) | Fremgangsmåte for fremstilling av keramisk formdel av reaksjonsbundet silisiumnitrid, apparatur samt anvendelse derav | |
| RU2021384C1 (ru) | Способ изготовления керамического композитного тела | |
| CN112725903A (zh) | 一种碳化硅原料合成炉的热场及合成炉 | |
| JPH07278799A (ja) | 黒鉛ルツボ装置 | |
| JP7002170B2 (ja) | 黒鉛粉末の製造方法 | |
| JP2012101972A (ja) | 結晶半導体の製造方法及び製造装置 | |
| US7105141B2 (en) | Process and apparatus for the manufacture of carbon microballoons | |
| SU1629244A1 (ru) | Способ получени графита | |
| JPS62138385A (ja) | 半導体単結晶の引上装置 | |
| RU2163563C1 (ru) | Способ получения карбида кремния | |
| US3286003A (en) | Method of manufacturing shaped carbon bodies | |
| JPH0297472A (ja) | 導電性炭化ケイ素焼結多孔体の製造方法 |