SU1642226A1 - Band-stop filter - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к оптическому приборостроению и может найти применение в оптических и оптоэлектронных приборах . Изобретение позвол ет упростить конструкцию фильтров с границей рабочей области на уровне пропускани  Т 0,1, соответствующей длине волны Ао,1 800- 810 нм. Фильтр выполнен из прозрачной в рабочей области спектра подложки и расположенного нэ ней интерференционного покрыти , состо щего из четырех слоев. Первый и третий слои, счита  от подложки, выполнены из диоксида гафни  и имеют оптическую толщину 4,25 нм, а четвертый слой выполнен из диоксида кремни  и имеет оптическую толщину (0,36 Яр-233) нм, где Ар- рабоча  длина волны фильтра в нм. 1 ил.The invention relates to optical instrumentation and can be used in optical and optoelectronic devices. The invention allows to simplify the design of filters with the boundary of the working area at the transmission level T 0.1, corresponding to the wavelength Ao, 1,800-810 nm. The filter is made of a substrate that is transparent in the working region of the spectrum and an interference coating located on it consisting of four layers. The first and third layers, counted from the substrate, are made of hafnium dioxide and have an optical thickness of 4.25 nm, and the fourth layer is made of silicon dioxide and has an optical thickness of (0.36 Yar-233) nm, where Ar is the working wavelength of the filter in nm. 1 il.

Description

Изобретение относитс  к оптическому приборостроению, в частности к интерфе- ренциальным оптическим покрыти м, и может найти применение в оптических и оптоэлектронных приборах, например спектрофотометрах , микроскопах,квантовых генераторах , передающих камерах цветного телевидени  и т.п.The invention relates to optical instrumentation, in particular, to interferential optical coatings, and can be used in optical and optoelectronic devices, such as spectrophotometers, microscopes, quantum generators, color television transmitting cameras, and the like.

Целью изобретени   вл етс  упрощение конструкции фильтров с границей рабочей области на уровне пропускани  Т 0,1, соответствующей длине волны AOJ 800 - 810 нм.The aim of the invention is to simplify the design of filters with the boundary of the working area at the transmission level T 0.1, corresponding to the wavelength AOJ 800 - 810 nm.

На чертеже изображена спектральна  зависимость энергетического коэффициента пропускани  Т от длины волны Я(при нормальном падении излучени  крива  1, при угле падени , равном 30° крива  2) экспериментального образца фильтра дл  Ар 1000 нм.The drawing shows the spectral dependence of the energy transmittance T on the wavelength H (with a normal incidence of radiation of curve 1, with an angle of incidence equal to 30 ° of curve 2) of an experimental filter sample for Ap 1000 nm.

Пример. Отрезающий фильтр содержит подложку из кварцевого стекла с показателем переломлени  пп 1,46 и размером 500x30x10. Оптические толщины слоев ин- терференциального покрыти , счита  от подложки, равны 250, 4500, 130 и 170 нм.Example. The cut-off filter contains a quartz glass substrate with a fracture index of 1.46 and a dimension of 500x30x10. The optical thicknesses of the interfering coating layers, calculated from the substrate, are equal to 250, 4500, 130, and 170 nm.

Фильтр изготовлен на установке А 1100Q выпускаемой фирмой Лейбольд Хе- раус, ФРГ.The filter is manufactured on unit A 1100Q manufactured by Leybold Heraus, Germany.

Покрытие наносилось без применени  системы коррегирующих масок. При этом разброс между центром детали и краем составил 2 - 4 нм по положению фронта спектральной характеристики и не более 2 - 3% по интегральному энергетическому коэффициенту пропускани .The coating was applied without the use of a system of correcting masks. In this case, the spread between the center of the part and the edge was 2–4 nm in the position of the front of the spectral characteristic and no more than 2–3% in the integral energy transmittance.

Покрытие наносилось при следующих услови х: Скорость нанесени  сло  теллу- рида кадми  8-10 А/с; ТПОдл. во врем  нанесени  сло  теллурида кадми  составл ет + (170-200)°С.The coating was applied under the following conditions: The rate of deposition of a layer of cadmium telluride 8-10 A / s; TPO during deposition of a layer of cadmium telluride is + (170-200) ° C.

При Тподл. + 170°С происходит снижение механической прочности фильтра, при Тподл. + 200°С уменьшаетс  энергетическийAt Tpodl. + 170 ° C there is a decrease in the mechanical strength of the filter, when Tpodl. + 200 ° C decreases energy

слcl

сwith

OsOs

4 Ю Ю ГО О4 Yu Yu GO O

коэффициент пропускани  в рабочей области спектра.transmittance in the working region of the spectrum.

Отрезающий фильтр имеет следующие характеристики: механическа  прочность, выдерживает протирание эфиром; термическа  прочность, выдерживает прогрев до + 200°С; химическа  стойкость, выдерживает пребывание в жидком азоте в течение 15 мин; средний энергетический коэффициент пропускани  в рабочей области спектра Т 90%; средний уровень фона в зоне подавлени  ),1%The cutting filter has the following characteristics: mechanical strength, withstands rubbing with ether; thermal strength, withstands warming up to + 200 ° C; chemical resistance, withstands exposure to liquid nitrogen for 15 minutes; the average energy transmittance in the working region of the T spectrum is 90%; average background level in the suppression zone), 1%

Claims (1)

Формула изобретени  Отрезающий фильтр, состо щий из прозрачной в рабочей области спектра подложки и расположенного на ней интерференционного покрыти , выполненного изClaims A cut-off filter consisting of a substrate that is transparent in the working region of the spectrum and an interference coating placed on it made of чередующихс  слоев тугоплавких окислов и селективно поглощающего материала , отличающийс  тем, что, с целью упрощени  конструкции фильтров с границей рабочей области на уровне пропускани  Т 0,1, соответствующей длине волны Ао,1 - 800 - 810 нм, первый и третий слои, счита  от подложки, выполнены из диоксида гафни  и имеют оптическую толщинуalternating layers of refractory oxides and selectively absorbing material, characterized in that, in order to simplify the design of filters with the boundary of the working area at a transmission level T 0.1, corresponding to the wavelength Ao, 1 - 800 - 810 nm, the first and third layers, calculated substrates are made of hafnium dioxide and have an optical thickness (0,125 Ар + 110) нм и (0,28 Яр - 110) нм соответственно, второй слой выполнен из теллурида и кадми  имеет оптическую толщину 4,25 нм, а четвертый слой выполнен из диоксида кремни  и имеет оптическую толщину (0,36 Ар - 233) нм, где Ар - рабоча  длина волны фильтра в нм.(0.125 Ar + 110) nm and (0.28 Yar - 110) nm, respectively, the second layer is made of telluride and cadmium has an optical thickness of 4.25 nm, and the fourth layer is made of silicon dioxide and has an optical thickness (0.36 Ar - 233) nm, where Ap is the working wavelength of the filter in nm. wоw 900900 1000 1100 1200 4 м1000 1100 1200 4 m